JPH0579946B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表面電位分布と対応する電気信号の発
生装置に関する。

（従来の技術） 近年、高画質・高解像度の再生画像に対する要
望が高まるのに応、テレビジヨン方式について
も、いわゆるEDTV、HDTVなどの新しい諸方
式が提案されて来ている。そして、高画質・高解
像度の再生画像が得られるようにするためには、
それに適した撮像装置が必要とされるが、撮像素
子として撮像管を使用した撮像装置では、撮像管
における電子ビーム径の微小化に限界があるため
に、電子ビーム径の微小化による高解度化が望め
ないこと、及び、撮像管のターゲツト容量はター
ゲツト面積と対応して増大するものであるため
に、ターゲツト面積の増大による高解像度化も実
現することができないこと、また例えば動画の撮
像装置の場合には高解像度化に伴つて映像信号の
周波数帯域が数十ＭHz〜数百ＭHz以上にもなるた
めにＳ／Ｎの点で問題になる等の理由により、撮
像装置で高画質・高解像度の再生画像を再生させ
うるような映像信号を発生させることは困難であ
る。

このように、従来の撮像装置はそれの構成のた
めに不可欠な撮像素子の存在によつて、高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を良好に発生させることはできなかつたが、前
記の点を解決するために、本出願人会社では先
に、光−光変換素子を用いた撮像装置によつて高
解像度の光学像を得るとともに、その光学像を光
−光変換素子を用いて電荷蓄積層を有する記録媒
体に高解像度を有する電荷像として記録させるよ
うにした撮像方式ならびに記録方式についての提
案を行つた。

ところで、前記した光−光変換素子を用いた撮
像装置によつて高解像度の光学像を得るととも
に、その光学像を光−電荷変換素子を用いて電荷
蓄積層を有する記録媒体に高解像度を有する電荷
像として記録させるようにした本出願人会社によ
る撮像方式ならびに記録方式の実施に際しては、
記録媒体に記録された電荷像を電気信号として読
出すことが必要とされるのであり、そのための手
段が求められた。

それで、前記の問題点の解決のために本出願人
会社では先に、透明電極と光変調材層部材と誘電
体ミラーとを積層して構成された読取りヘツド
を、それの誘電体ミラー側が検出の対象にされて
いる表面電位分布を有する被検出体に近接させて
配置する手段と、前記した読取りヘツドにおける
透明電極側から所定の方向に偏向されているレー
ザ光束を入射させる手段と、前記した読取りヘツ
ドから出射したレーザ光束を検光子を介して光電
変換素子に与える手段とを備えてなる表面電位分
布と対応する電気信号の発生装置と、透明電極と
光変調材層部材と誘導体ミラーとを積層して構成
された読取りヘツドを、それの誘導体ミラー側が
検出の対象にされている表面電位分布を有する被
検出体に近接させて配置する手段と、前記した読
取りヘツドにおける透明電極側から直線形状の断
面を有するレーザ光束を入射させる手段と、前記
した読取りヘツドから出射した直線形状の断面を
有するレーザ光束を検光子を介してライン・イメ
ージセンサに与える手段とを備えてなる表面電位
分布と対応する電気信号の発生装置を提案した。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、前記した既提案の表面電位分布と対
応する電気信号の発生装置において、それの構成
部材の一つとして使用している光学部材、すなわ
ち、印加された電界の強度分布に応じて光の状態
を変化させる光変調材層部材として、例えば、ニ
オブ酸リチウム単結晶のような電気光学効果結晶
が使用された場合には、ニオブ酸リチウム単結晶
のような異方性結晶は電界の印加によつて複屈折
を生じる他に、無電界中、すなわち印加される電
界が零の初期状態においても結晶の異方性によつ
て複屈折を生じるから、結晶を通過した常光線と
異常光線との位相差は異方性結晶の厚みによつて
も変化するために、結晶の厚みむらがそのまま前
記した初期状態の常光線と異常光線との位相差の
むらとなる。

それで、読取りヘツドにおける光変調材層部材
に厚みむらがあつた場合における被検出体の表面
電位の検出結果には、読取りヘツドに用いられて
いる光変調材層部材の厚みむらに対応するシエー
デイングが生じるので、それの解決策が求められ
た。

（問題点を解決するための手段） 本発明は透明電極と光変調材層部材と誘導体ミ
ラーとを積層して構成した読取りヘツドと、前記
の読取りヘツドの誘導体ミラー側と表面電位の検
出の対象にされている被検出体の表面とが予め定
められた近接した状態の第１の位置関係と、前記
した被検出体の表面電位による電界が充分に小さ
な状態として読取りヘツドにおける光変調材層部
材と誘電体ミラーなどの部分に与えられるよう
に、前記の読取りヘツドの誘導体ミラー側と表面
電位の検出の対象にされている被検出体の表面と
が予め定められた離隔した第２の位置関係に順次
交互に変更されるように前記した読取りヘツドと
被検出体との位置を相対的に駆動変位する手段
と、前記した読取りヘツドにおける透明電極側か
らレーザ光束を入射させる手段と、前記した読取
りヘツドから出射したレーザ光束を光電変換する
手段と、前記した第１、第２の２つの位置の内で
予め定められた一方の位置に読取りヘツドが位置
している状態における被検出体の特定な部分の表
面電位の検出結果と対応して前記の光電変換手段
から出力された電気信号を記憶する信号記憶手段
と、前記した信号記憶手段に記憶させた信号が検
出された被検出体の特定な部分と同一の部分の表
面電位を前記した第１、第２の２つの位置の内で
予め定められた他方の位置に読取りヘツドが位置
している状態で読取りヘツドによつて検出された
被検出体の表面電位の検出結果と対応して前記の
光電変換手段から出力された電気信号と、前記し
た信号記憶手段から読出された電気信号との差信
号を得る手段とからなる表面電位分布と対応する
電気信号の発生装置を提供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の表面電位分
布と対応する電気信号の発生装置について詳細に
説明する。第１図は本発明の表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置の一実施例のブロツク
図、第２図及び第３図は動作説明用のタイムチヤ
ートである。第１図示の本発明の表面電位分布と
対応する電気信号の発生装置においてLSはレー
ザ光源、Pdefは光偏向器、Lfθはfθレンズ、、Pbs
はビームスプリツタ、Hrは読取りヘツド、Etは
透明電極、PMLは光変調材層部材、DMLは誘導
体ミラー、Ｏは表面電位の検出が行われるべき被
検出体、WPは波長板、PLは偏光子、Lfcは集光
レンズ、PDは光検出器（光電位変換器），SWは
切換スイツチ、LMは１ラインメモリ、SUBは減
算器、DMは駆動機構であり、レーザ光源LSか
ら放射された所定の偏光面を有する直線偏光のレ
ーザ光束は、光偏向器Pdefにより所定の偏向態
様、例えば通常のテレビジヨン方式の走査方式の
ように縦横（水平、垂直）の両方向に偏向されて
からfθレンズLfθに入射される。

fθレンズLfθから出射したレーザ光束は、ビー
ムスプリツタPbsに入射される。前記のビームス
プリツタPbsは、それに入射したレーザ光を読取
りヘツドHrの方に反射させ、読取りヘツドHrに
おける透明電極Et側から入射させる。読取りヘ
ツドHrに入射した前記のレーザ光束はfθ連巣Lfθ
の作用により一定の線速度で走査している状態の
ものになつている。

前記した読取りヘツドHrとしては例えば透明
電極Etと光変調材層部材PML｛印加された電圧に
よつて光の状態を変化させうるような特性を示す
光変調材層部材PML（例えば、電気光学効果を有
するニオブ酸リチユウム単結晶のような光変調用
の材料層などが用いられる）｝と誘導体ミラー
DMLとを積層して構成されている読取りヘツド
が使用できる。

前記したように読取りヘツドHrは透明電極Et
と光変調材層部材PML｛印加された電圧によつて
光の状態を変化させうるような特性を示す光変調
材層部材PML（例えば、電気光学効果を有するニ
オブ酸リチウム単結晶のような光変調用の材料層
などが用いられる）｝と誘導体ミラーDMLとを積
層して構成されている。

そして、本発明の表面電位分布と対応する電気
信号の発生装置においては、読取りヘツドHrに
よる被検出体Ｏの表面電位の検出に際して、読取
りヘツドHrの誘導体ミラーDML側と表面電位の
検出の対象にされている被検出体Ｏの表面とが予
め定められた近接した状態の第１の位置関係と、
前記した被検出体Ｏの表面電位による電界が充分
に小さな状態として読取りヘツドHrにおける光
変調材層部材PMLと誘導体ミラーDMLなどの部
分に与えられるように、前記の読取りヘツドHr
の誘導体ミラーDML側と表面電位の検出の対象
にされている被検出体Ｏの表面とが予め定められ
た離隔した第２の位置関係とに順次交互に偏向さ
れるように前記した読取りヘツドHrと被検出体
Ｏとの位置が駆動機構DMによつて相対的に駆動
変位されるようになされている。

第１図示の実施例においては、前記した駆動機
構DMとして、それの制御信号の供給端子１に駆
動信号Pdが供給されたときに、読取りヘツドHr
の誘導体ミラーDML側が被検出体Ｏの表面に接
近して対面している予め定められた第１の位置
と、被検出体Ｏの表面から離隔した状態で対面し
ている予め定められた第２の位置とに順次交互に
位置させうるように、読取りヘツドHrを駆動変
位させるような構成のものが用いられているが、
本発明の表面電位分布と対応する電気信号の発生
装置の構成に当つては、読取りヘツドHrによる
被検出体Ｏの表面電位の検出に際して、読取りヘ
ツドHrの誘導体ミラーDML側と表面電位の検出
の対象にされている被検出体Ｏの表面とが予め定
められた近接した状態の第１の位置関係と、前記
した被検出体Ｏの表面電位による電界が充分に小
さな状態として読取りヘツドHrにおける光変調
材層部材PMLと誘導体ミラーDMLなどの部分に
与えられるように、前記の読取りヘツドHrの誘
導体ミラーDML側と表面電位の検出の対象にさ
れている被検出体Ｏの表面とが予め定められた離
隔した第２の位置関係とに順次交互に変更される
ように前記した読取りヘツドHrと被検出体Ｏと
の位置が駆動機構DMによつて相対的に駆動変位
できるような駆動装置であれば、第１図示の構成
例のように読取りヘツドHrの方が駆動機構DM
によつて駆動変位されるようになされても、ある
いは前記とは逆に被検出体Ｏの方が駆動機構DM
によつて駆動変位されるようになされてもよいの
であり、また、駆動機構としてはそれの駆動の原
理が電磁型、動電型、電歪型等の何れのものであ
つてもよい。

第１図中に示されている駆動機構DMは、所謂
ボイスコイル・モータとして構成されていて、図
において４は磁界発生部、５は可動コイル部、６
は中心保持部、７は駆動機構DMと読取りヘツド
Hrとの連結部であり、駆動部DMにおける端子
１に駆動用電力が供給されると可動コイル５を含
む可動部分が図中の矢印Ｘの方向に所定の距離で
往復運動を行うことにより、読取りヘツドHrの
誘導体ミラーDML側が被検出体Ｏの表面に接近
して対面している予め定められた第１の位置と、
前記した被検出体Ｏの表面電位による電界が充分
に小さな状態として読取りヘツドHrにおける光
変調材層部材PMLと誘導体ミラーDMLなどの部
分に与えられるように、表面電位の検出の対象に
されている被検出体Ｏから離隔した予め定められ
た第２の位置とに順次交互に位置させうるように
なされている。

読取りヘツドHrにおける光変調材層部材PML
には前記した誘導体ミラーDMLを介して被検出
体Ｏによる電界が与えられているから、前記のよ
うに読取りヘツドHrに入射したレーザ光束は、
前記した電荷像読取りヘツドHrにおける前記し
た誘導体ミラーDMLの側に与えられた電荷パタ
ーンで生じている電界に応じて光変調材層部材
PMLを通過する光の状態（前記の例の場合には
偏光面の角度）が変化する。

それで前記のように読取りヘツドHrの透明電
極Et側から入射したレーザ光束が、光変調材層
部材PMLを通過して誘導体ミラーDMLにより反
射した後に再び光変調材層部材PMLを通過して
透明電極Etの面から出射した光の状態（前記の
例の場合には偏光面の角度）は、前記した被検出
体Ｏにおける電荷像の電位分布と対応して変化し
ているものになつている。

前記のように読取りヘツドHrからの出射光は、
読取りヘツドHrへの入射光が被検出体における
表面電位分布に応じて偏光面の回転量が変化して
いる状態のものである。それで読取りヘツドHr
からの出射光ビームスプリツタPbsで反射されて
から、必要に応じて設けられている光量調節用の
波長板WPと、偏光面の回転量を明るさの変化に
変換するための偏光子PLとを介して、集光レン
ズLfcに入射させ、前記の集光レンズLfcの集光
点の位置に光検出器（光電変換器）PDを配置し
ておくと、前記の光電変換器PDからはレーザ光
束の走査により被検出体Ｏにおける電荷像の各部
分の電荷量に応じて振幅が変化している電気信号
（映像信号）が得られる。

すなわち、読取りヘツドHrに入射されている
レーザ光が縦横の両方向に２次元的な走査（テレ
ビジヨン方式における水平走査と垂直走査と同様
な２次元的な走査）を行うと、被検出体Ｏにおけ
る２次元的な電荷像は時系列信号として前記の光
電変換器PDから取出されることになる。

前記のように光電変換器PDから出力される映
像信号は、被検出体Ｏにおける高い精細度を有す
る二次元的な電荷像における電荷量分布と対応し
ているものになつている。それで、読出し光とし
て、例えば直径が１ミクロンのレーザ光束をレー
ザ光束を使用した場合には、1000本／１mmという
ような高い解像度と対応する映像信号が発生でき
る。

ところで、本発明の表面電位分布と対応する電
気信号の発生装置では、読取りヘツドHrの誘導
体ミラーDML側が表面電位の検出の対象にされ
ている被検出体Ｏの表面に接近して対面している
予め定められた近接した状態の第１の位置関係
と、前記した被検出体Ｏの表面電位による電界が
充分に小さな状態として読取りヘツドHrにおけ
る光変調材層部材PMLと誘導体ミラーDMLなど
の部分に与えられるように、前記の読取りヘツド
Hrの誘導体ミラーDML側と表面電位の検出の対
象にされている被検出体Ｏの表面とが予め定めら
れた離隔した第２の位置関係とに順次交互に変更
されるように前記した読取りヘツドHrと被検出
体Ｏとの位置が相対的に駆動変位されていて、読
取りヘツドHrによる被検出体Ｏの電荷像の読取
り動作は、被検出体Ｏの電荷像の同一の部分につ
いて、読取りヘツドHrが被検出体Ｏに接近した
状態で対面している予め定められた第１の位置関
係と、被検出体Ｏの表面から離隔した状態で対面
している予め定められた第２の位置関係との双方
の位置関係において行われるようにしているが、
前記した第２の位置関係となるように読取りヘツ
ドHrと被検出体Ｏとが相対的に位置された状態
においては、読取りヘツドHrの光変調材層部材
PMLと誘導体ミラーDMLなどの部分には、被検
出体Ｏの表面電位による電界が充分に小さな状態
（無視できる程度に小さな状態）として与えられ
ているために、読取りヘツドHrと被検出体Ｏと
が相対的に前記した第２の位置関係となるように
位置されている状態において、読取ヘツドHrに
よつて検出される被検出体Ｏの表面電位の検出結
果は被検出体Ｏの表面電位の検出結果は被検出体
Ｏの表面電位を示しているものではなく、読取り
ヘツドHrの光変調材層部材LMLの厚みのむらの
状態を示しているものとなる。

それで、本発明の表面電位分布と対応する電気
信号の発生装置においては、前記した第１、第２
の２つの位置関係の内で予め定められた一方の位
置関係となされるように読取りヘツドHrと被検
出体との相対的な位置が定められた場合における
被検出体Ｏの特定な部分の表面電位の検出結果と
対応して前記の光電変換器PDから出力された電
気信号を記憶装置に記憶させておき、その記憶装
置に記憶させた信号が検出された被検出体Ｏの特
定な部分と同一の部分の表面電位を前記した第
１、第２の２つの位置関係の内で予め定められた
他方の位置関係となされるようにに読取りヘツド
Hrと被検出体との相対的な位置が定められた場
合における被検出体Ｏの特定な部分の表面電位の
検出結果と対応して前記の光電変換器PDから出
力された電気信号と、前記した記憶装置から読出
された電気信号との差信号を得ることにより、読
取りヘツドHrからの検出々力として読取りヘツ
ドHrの光変調材層部材PMLの厚みのむらの影響
のない状態のものが得られるようにしているので
あり、第１図示の実施例において前記のような信
号処理は、切換スイツチSW、１ラインメモリ
LM、換算器SUBとによつて構成された回路によ
つて行われており、減算器SUBから出力端子３
には読取りヘツドHrの光変調材層部材PMLの厚
みのむらの影響のない検出々力が送出される。

第１図において、光電変換器PDからの出力信
号は切換スイツチSWの可動接点ｃに供給されて
おり、この切換スイツチSWの可動接点ｃは切換
制御信号の供給端子２に供給される切換制御信号
により所定の切換周期で固定接点ａと固定接点ｂ
とに順次交互に切換えられている。前記した切換
スイツチSWの固定接点ａには１ラインメモリ
LMが接続されていて、この１ラインメモリLM
からの出力信号は減算器SUBの一方入力端子に
供給されている。また、前記した切換スイツチ
SWの固定接点ｂには減算器SUBの他方入力が接
続されている。

第１図示の構成例は被検出体Ｏにおける電荷像
の同一部分について、読取りヘツドHrが既述し
た第１の位置関係となされて被検出体Ｏの表面電
位が１水平走査期間分だけ検出され、また、読取
りヘツドHrが既述した第２の位置関係となされ
て被検出体Ｏの表面電位が１水平走査期間分だけ
検出されて、前記の各１水平走査期間の信号の差
信号を得るようになされた場合を示しているの
で、記憶装置としては１ラインメモリLMを使用
しているが、記憶装置としてフイールドメモリあ
るいはフレームメモリを使用して、被検出体Ｏに
おける電荷像の同一部分について、読取りヘツド
Hrを既述した第１の位置関係にして被検出体Ｏ
の表面電位を１フイールド期間または１フレーム
期間分だけ検出し、また、読取りヘツドHrを既
述した第２の位置関係にして被検出体Ｏの表面電
位を１フイールド期間または１フレーム期間分だ
け検出して、前記の１フイールド期間または１フ
レーム期間の差信号を得るようにしたり、その
他、任意の期間における差信号が得られるように
構成されてもよいことは当然である。

第２図及び第３図は第１図示の構成例の場合の
ように、被検出体Ｏにおける電荷像の同一部分に
ついて、読取りヘツドHrを既述した第１の位置
関係になるようにして被検出体Ｏの表面電位を１
水平走査期間分だけ検出し、また、読取りヘツド
Hrを既述した第２の位置関係になるようにして
被検出体Ｏの表面電位を１水平走査期間分だけ検
出して、前記の各１水平走査期間の信号の差信号
を得るようにした場合の動作例を示しているもの
であり、第２図及び第３図における各ａは各１水
平走査期間の番号を示し、第２図及び第３図にお
ける各ｂは各１ラインメモリLMの動作モードを
示し、さらに、第２図及び第３図における各ｃは
読取りヘツドHrが第１、第２の位置のどちらに
位置しているのかを示している。第２図及び第３
図における各ｃ中の「近」は読取りヘツドHrが
第１の位置に位置している状態、第２図及び第３
図における各ｃ中の「離」は読取りヘツドHrが
第２の位置に位置している状態を、それぞれ表示
している。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の表面電位分布と対応する電気信号の
発生装置は透明電極と光変調材層部材と誘導体ミ
ラーとを積層して構成した読取りヘツドと、前記
の読取りヘツドの誘導体ミラー側と表面電位の検
出の対象にされている被検出体の表面とが予め定
められた近接した状態の第１の位置関係と、前記
した被検出体の表面電位による電界が充分に小さ
な状態として読取りヘツドにおける光変調材層部
材と誘導体ミラーなどの部分に与えられるよう
に、前記の読取りヘツドの誘導体ミラー側と表面
電位の検出の対象にされている被検出体の表面と
が予め定められた離隔した第２の位置関係とに順
次交互に変更されるように前記した読取りヘツド
と被検出体との位置を相対的に駆動変位する手段
と、前記した読取りヘツドにおける透明電極側か
らレーザ光束を入射させる手段と、前記した読取
りヘツドから出射したレーザ光束を光電変換する
手段と、前記した第１、第２の２つの位置の内で
予め定められた一方の位置に読取りヘツドが位置
している状態における被検出体の特定な部分の表
面電位の検出結果と対応して前記の光電変換手段
から出力された電気信号を記憶する信号記憶手段
と、前記した信号記憶手段に記憶させた信号が検
出された被検出体の特定な部分と同一の部分の表
面電位を前記した第１、第２の２つの位置の内で
予め定められた他方の位置に読取りヘツドが位置
している状態で読取りヘツドによつて検出された
被検出体の表面電位の検出結果と対応して前記の
光電変換手段から出力された電気信号と、前記し
た信号記憶手段から読出された電気信号との差信
号を得る手段とからなる表面電位分布と対応する
電気信号の発生装置であるから、この本発明の表
面電位分布と対応する電気信号の発生装置では電
荷像として記録されている電荷像を光学的な読取
り手段によつて高画質・高解像度の再生画像を再
生させることの可能な映像信号を容易に発生させ
る場合に使用される読取りヘツドの構成部材の一
つとして使用している光学部材、すなわち、印加
された電解の強度分布に応じて光の状態を変化さ
せる光変調材層部材として、例えばニオブ酸リチ
ウム単結晶のような電気光学効果結晶が使用され
た場合に、ニオブ酸リチウム単結晶のような異方
性結晶は電界の印加によつて複屈折を生じる他
に、無電界中、すなわち印加される電界が零の初
期状態においても結晶の異方性によつて複屈折を
生じるために、結晶を通過した常光線と異常光線
との位相差は異方性結晶の厚みによつても変化し
て、結晶の厚みむらがそのまま前記した初期状態
の常光線と異常光線との位相差のむらとなり、読
取りヘツドにおける光変調材層部材に厚みむらが
あつた場合の被検出体の表面電位の検出結果に、
読取りヘツドに用いられている光変調材層部材の
厚みむらに対応するシエーデイングが生じるとい
う従来の欠点を簡単な手段により良好に解決する
ことができるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の表面電位分布と対応する電気
信号の発生装置の一実施例のブロツク図、第２図
及び第３図は動作説明用のタイムチヤートであ
る。 LS……レーザ光源、PL……偏光子、Pbs……
ビームスプリツタ、WP……波長板、Pdef……光
偏向器、Ｏ……表面電位の検出が行われるべき被
検出体、Hr……読取りヘツド、Et……透明電極、
PML……光変調材層部材、DML……誘導体ミラ
ー、Lfθ……fθレンズ、Lfc……集光レンズ、PD
……光検出器（光電変換器）、SW……切換スイ
ツチ、LM……１ラインメモリ、SUB……減算
器、DM……駆動機構。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 透明電極と光変調材層部材と誘導体ミラーと
   を積層して構成した読取りヘツドと、前記の読取
   りヘツドの誘導体ミラー側と表面電位の検出の対
   象にされている被検出体の表面とが予め定められ
   た近接した状態の第１の位置関係と、前記した被
   検出体の表面電位による電界が充分に小さな状態
   として読取りヘツドにおける光変調材層部材と誘
   電体ミラーなどの部分に与えられるように、前記
   の読取りヘツドの誘導体ミラー側と表面電位の検
   出の対象にされている被検出体の表面とが予め定
   められた離隔した第２の位置関係とに順次交互に
   変更されるように前記した読取りヘツドと被検出
   体との位置を相対的に駆動変位する手段と、前記
   した読取りヘツドにおける透明電極側からレーザ
   光束を入射させる手段と、前記した読取りヘツド
   から出射したレーザ光束を光電変換する手段と、
   前記した第１、第２の２つの位置の内で予め定め
   られた一方の位置に読取りヘツドが位置している
   状態における被検出体の特定な部分の表面電位の
   検出結果と対応して前記の光電変換手段から出力
   された電気信号を記憶する信号記憶手段と、前記
   した信号記憶手段に記憶させた信号が検出された
   被検出体の特定な部分と同一の部分の表面電位を
   前記した第１、第２の２つの位置の内で予め定め
   られた他方の位置に読取りヘツドが位置している
   状態で読取りヘツドによつて検出された被検出体
   の表面電位の検出結果と対応して前記の光電変換
   手段から出力された電気信号と、前記した信号記
   憶手段から読出された電気信号との差信号を得る
   手段とからなる表面電位分布と対応する電気信号
   の発生装置。