JPH0580049B2

JPH0580049B2 -

Info

Publication number: JPH0580049B2
Application number: JP60140467A
Authority: JP
Inventors: Masami Myagi; Norihiro Funakoshi
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1985-06-28
Filing date: 1985-06-28
Publication date: 1993-11-05
Also published as: JPS623444A

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は光ビームで情報の記録再生を行なう光
メモリーカードの構造に関する。

〈従来の技術〉従来、この種の光記録カードとしては、例え
ば、「Laser Card」（商標名）と呼ばれるものが
ある。この詳細については、例えば、
Proceedings of SPIE Vol.329 P61〜68に記載
されている。この従来の光記録カードの構造を第
３図に示す。第３図において、１１は透明基体、
１２は記録薄膜、１３は記録薄膜１２の記録感度
を向上させるための下地層、１４は記録薄膜１２
および下地層１３の保護層、１５は記録再生のた
めのレーザー光、１６は記録したピツトを示す。
この従来の光記録カードにおける記録再生の方法
を以下に述べる。まず、情報の記録は透明基体１
１を通して集束したレーザー光を照射し、記録薄
膜１２を溶融蒸発させることにより行なう。そし
てピツト１６列の形成は対物レンズを含む光学系
を移動させながら、レーザー光を情報に応じて点
滅させることにより行なう。さらに、隣接したピ
ツト列を形成するためには、ピツト列の間隔分だ
け光学系を移動した後、同じ動作をくり返す。次
に、記録した情報の再生はレーザー光の出口を記
録薄膜が溶融しない程度に弱めて、ピツト１６に
よる反射光量の変化をピツト列に沿つて読み取る
ことにより行なう。この従来の光記録カードの再
生において、ピツト列への光学系の位置決めは、
記録時と同じ位置へ光学系を移動させることによ
り行なわれている。

〈発明が解決しようとする問題点〉しかし、上述した従来の光記録カードにおける
光学系の位置決めは、機械的な移動のみによつて
行ない、記録ピツトからの反射光による制御機構
をもたないため、カードの出し入れや光学系の設
定位置からのずれ等により、光ビームの照射位置
が記録ピツトからずれ、信号の再生が行なえなく
なること、あるいは、隣接したピツト列の信号を
検出してしまう可能性がある。このため、ピツト
の大きさおよびピツト間隔をあまり小さくするこ
とはできない。すなわち、ピツトの大きさは
10μm、ピツト列の間隔は50μm程度が下限であ
り、記録密度としては、名刺大のカードに約５×
10⁶ビツトである。

本発明は上述した従来技術に鑑み、記録・再生
の動作が安定に行なえると共に、高記録密度の光
メモリーカードを提供することを目的とする。

〈問題点を解決するための手段〉上述した目的う達成する本発明による光メモリ
ーカードは、カード状の透明基体上に記録薄膜を
形成した光メモリーカードにおいて、該透明基体
上にアドレス情報を記録したトラツクを具備し、
各トラツクに隣接した部分の記録薄膜がトラツク
と直交する方向に複数のピツト列として情報の記
録を行なう情報記録領域であることを特徴とする
ものである。

〈作用〉透明基体上にアドレス情報のトラツクを具備す
ることにより、焦点制御およびトラツクに沿つて
トラツキング制御をかけながら情報の記録再生を
行なうことができ、所定の情報の記録場所を容易
に検出できる。

〈実施例〉第１図、第２図を参照して本発明による光メモ
リーカードの一実施例を説明する。第１図は本発
明の光メモリーカードの構成を示す図であり、第
２図はその断面構造を示す拡大図である。これら
の図において、２１はアドレス情報記録用のトラ
ツク、２２はトラツク２１への誘導用の案内溝、
２３は記録したピツト列、２４は透明基体、２５
は記録薄膜、２６は記録薄膜２５の記録感度を向
上させるための断熱層、２７は記録薄膜２５およ
び断熱層２６の保護層である。

次に、本発明の光メモリーカードの製造方法を
以下に述べる。本発明の光メモリーカードの製造
方法は従来の光デイスクの製造方法と類似してお
り、まず、ガラス板上にフオトレジストにより案
内溝およびアドレス情報を記録し、ガラス原版を
作製する。すなわち、ガラス板上にスピンコート
等により、フオトレジストを塗布した後、集光レ
ーザービームによつてフオトレジストの案内溝形
成位置を露光し、さらに、アドレス情報の記録位
置を記録信号に従つて露光する。これを現像する
ことにより、案内溝およびアドレス情報が記録さ
れたガラス原版が作られる。アドレス情報の記録
形式としては、各トラツク２１を複数のセクタ２
８に分割し、各セクタ２８毎にセクタの開始位置
を示すセクタマークおよびセクタの番地を示す
ID信号を記録し、残りの部分はトラツキングの
ための直流溝としておく。次に、このガラス原版
に電極用として銀もしくはニツケルを蒸着した
後、ニツケル電鋳によつてスタンパを作製する。
次に、スタンパを用いてアクリル樹脂等のプラス
チツク材料に射出成形法、2P（フオト・ポリマ）
法等の方法により、案内溝およびアドレス情報の
トラツクを転写し、光メモリーカードの透明基体
２４が得られる。次に、TeもしくはTe化合物等
からなる記録薄膜２５を形成する。さらに、CS₂
等の光吸収が小さく且つ低熱伝導率の物質からな
る断熱層２６およびアクリル系光硬化樹脂等のプ
ラスチツク材料からなる保護層２７を形成する。
これにより、本発明の光メモリーカードが得られ
る。

次に、本発明の光メモリーカードによる情報の
記録および再生の方法を述べる。本発明の光メモ
リーカードにおける情報の記録および再生の方法
は、従来の光デイスクの記録・再生の方法と類似
しており、半導体レーザを用いた光学ヘツドによ
り焦点制御およびトラツク制御をかけて行なう。
記録・再生いずれの場合にも、まず、光メモリー
カードが装置に装着されると、光学ヘツドは所定
のトラツク２１への誘導用の案内溝２２の上にセ
ツトされる。本発明の光メモリーカードにおける
トラツク２１の間隔は0.5mm程度であり、分岐し
た誘導路２２の間隔はカード端で50μm程度であ
るから、機械的な移動のみで光学ヘツドを分岐し
た誘導路２２の間に位置決めすることが可能であ
る。次に焦点制御およびトラツク制御をかけると
同時に光学ヘツドをトラツク２１と平行方向に移
動させると、光学ヘツドは誘導用の案内溝２２に
トラツキングされた後、所定のトラツク２１に導
かれる。さらに光学ヘツドは所定のトラツク２１
上を移動しながら、トラツク２１に記録されたア
ドレス信号を読み取つていく。そして、所定のセ
クター２８に達したら、そのセクタ２８の先頭に
戻つて、情報の記録・再生が可能な状態となる。
以上のトラツキング動作は後に述べる再生の際と
同じく、記録薄膜２５が溶融しない程度にレーザ
光の出力を弱めて行なう。

次に、記録の際には、光学ヘツドのトラツキン
グ用ヘツド駆動回路に電圧を加え、光学ヘツドを
トラツク２１と垂直方向に移動させながら、記録
信号に従つてパルス状にレーザ光の出力を増大さ
せ、各トラツク２１に隣接した情報記録領域２９
の記録薄膜２５にピツトを形成する。トラツキン
グ用ヘツド駆動回路によるヘツドの可動範囲は一
般に0.5mm程度であるから、ピツト列２３の長さ
は0.5mmとする。次のピツト列２３を形成するた
めには、最初の記録ピツトの位置に戻つた後、ピ
ツト列間隔分だけ光学ヘツドをトラツク２１と平
行方向に移動した後、同様の動作をくり返す。以
下、同様にして、ピツト列２３を形成することに
より、所定のセクタ２８における記録動作を完了
する。

再生の場合には、ピツト列２３に沿つて光学ヘ
ツドを移動しながら、ピツトによる反射光量の変
化を読み取る。

同一トラツク２１上の別のセクタ２８で記録・
再生を行なう場合には、一旦光学ヘツドをトラツ
ク２１上に戻し、トラツク２１に沿つてアドレス
信号を読み取つていき、所定のセクタ２８を検出
した後、同様の動作をくり返す。また別のトラツ
ク２１へ移動する場合には、光学ヘツドを所定の
トラツク２１への誘導用の案内溝２２の上に移動
した後、同様の動作をくり返す。

ところで、各トラツク２１の間のピツト列２３
が形成される情報記録領域２９の透明基体２４上
に、トラツク２１と直交する方向に情報記録用の
案内溝（図示省略）を予め形成しておくと良い。
これにより、この案内溝上の記録薄膜２５上に、
この案内溝に沿つて情報の記録を行うことがで
き、記録・再生の動作が更に安定し、且つ高記録
密度化する。

次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。

〔実施例１〕ガラス板上にスピンコートによりフオトレジス
トを塗布した後、集束したアルゴンレーザ光で露
光し、現像することにより、案内溝およびアドレ
ス信号を記録したガラス原版を作製した。案内溝
の深さは700Å、幅は0.6μmとし、アドレス信号
は同寸法で長さ1μmの溝の有無として記録した。
トラツク間隔は0.51mmで100本のトラツクを形成
した。また、トラツク長は80mmとし、５mmごと16
のセクタに分割した。次に、このガラス原版にニ
ツケルを真空蒸着した後、ニツケル電鋳によりス
タンパを作製した。次に、射出成形法によりポリ
カーボネート基板に案内溝２２とトラツク２１を
転写し、90mm×55mmの名刺大の透明基体２４を作
製した。次に、記録薄膜２５としてCS₂・Te薄膜
をプラズマ重合法により400Åの厚さに形成した
後、断熱層２６としてCS₂薄膜をプラズマ重合法
により2000Åの厚さに形成した。さらに、保護層
２７としてエポキシ系の光硬化性樹脂を30μmの
厚さに形成した。かくして得た光メモリーカード
を半導体レーザを用いた記録再生装置に装着し、
トラツキング実験を試みた。すると、光学ヘツド
が所定のトラツク２１にトラツキングされた後、
所定のセクタ２８を確実に検出できることを確認
した。所定のセクタ検出に要する時間は１秒以下
であり、カードの出し入れに対しても動作は安定
であつた。次に、情報記録領域２９への信号記録
を試みたところ、レーザパワーがカード上で
6mW、パルス幅10nsecで直径約1μmのピツトが
形成された。１本のピツト列には250ビツトの情
報が記録され、ピツト列の間隔は2.5μmで１セク
タ当たり５×10⁵ビツト、名刺大の光メモリーカ
ード１枚に８×10⁸ビツトの情報を記録可能であ
ることを確認した。さらに、コード情報の記録再
生を試みたところ、情報記録領域での記録再生の
動作を確認し、かつ、良好な品質の再生信号を得
た。

〔実施例２〕ガラス板上にスピンコートによりフオトレジス
タを塗布した後、集束したアルゴンレーザ光で露
光し、現像することにより、案内溝およびアドレ
ス情報を記録した。本実施例では誘導用の案内溝
２２のほかに、情報記録領域２９にトラツク２１
と垂直方向に情報記録用の案内溝を誘導用案内溝
２２と同様に形成した。情報記録用案内溝のピツ
チは1.6μmとし、１セクタ当たり3120本の案内溝
を形成し、その他の寸法は〔実施例１〕と同様と
した。以下、〔実施例１〕と同様の方法により光
メモリーカードを作製した。かくして得た光メモ
リーカードについて、〔実施例１〕と同様のトラ
ツキング実験を試みたところ、光学ヘツドが所定
のトラツク２１にトラツキングされた後、所定の
セクタ２８を確実に検出できることを確認した。
次に、〔実施例１〕と同様の記録・再生を試みた
ところ、情報記録用案内溝に沿つた記録・再生の
動作を確認し、かつ、良好な品質の再生信号を得
た。本実施例の光メモリーカードには、１セクタ
当たり７、８×10⁵ビツト、名刺大の光メモリー
カード１枚に1.2×10⁹ビツトの情報が記録可能で
あつた。

〈発明の効果〉以上説明したように、本発明の光メモリーカー
ドによれば、所定のトラツクを検出した後、アド
レス信号を記録したトラツクに沿つて所定のセク
タを検出することができるため、所定の記録・再
生場所の検出が容易である。さらに、トラツクに
隣接した情報記録領域の部分に、トラツキング用
のヘツド駆動信号に電圧を加えてヘツドを移動さ
せながら記録再生動作を行なうことができるた
め、記録・再生の動作が容易で高密度記録が可能
であるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリーカードの構成を示
す説明図、第２図は第１図の断面構造を示す拡大
図である。第３図は従来の光記録カードの構造を
示す部分断面図である。図面中、２１……アドレス情報記録用トラツ
ク、２２……誘導用の案内溝、２３……ピツト
列、２４……透明基体、２５……記録薄膜、２６
……断熱層、２７……保護層、２８……セクタ、
２９……情報記録領域。

Claims

【特許請求の範囲】１カード状の透明基体上に記録薄膜を形成した
光メモリーカードにおいて、該透明基体上にアド
レス情報を記録したトラツクを具備し、各トラツ
クに隣接した部分の記録薄膜がトラツクと直交す
る方向に複数のピツト列として情報の記録を行な
う情報記録領域であることを特徴とする光メモリ
ーカード。２各トラツクに隣接した情報記録領域の透明基
体がトラツクと直交する方向に情報記録用の案内
溝を具備したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光メモリーカード。