JPH0580070A - 歪ゲージ素子及びその製造方法 - Google Patents
歪ゲージ素子及びその製造方法Info
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- JPH0580070A JPH0580070A JP24356591A JP24356591A JPH0580070A JP H0580070 A JPH0580070 A JP H0580070A JP 24356591 A JP24356591 A JP 24356591A JP 24356591 A JP24356591 A JP 24356591A JP H0580070 A JPH0580070 A JP H0580070A
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- silicon dioxide
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- thin film
- dioxide thin
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- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 加速度センサ装置内のビームプレート１上の
歪みを感知する梁２に接着され、電気抵抗の役目をする
歪ゲージ部３ａ〜３ｈを有する歪ゲージ素子において、
ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜８と該二酸化ケイ素薄
膜８の表面上に環化ゴムと感光性の架橋剤との混合物か
らなる樹脂コーティング膜９を設けたことを特徴とする
歪ゲージ素子及びその製造方法。 【効果】 本発明は、ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜
と二酸化ケイ素薄膜の表面上に感光性の環化ゴムを主成
分とする樹脂コーティング膜を設けているため、保護膜
にピンホールやクラック等が入る心配がなく、水が侵入
する恐れもなく、耐湿性に優れている。また、本発明に
よる製造方法では、ディップコート等によつて、最小限
に薄い保護膜を形成されているので、歪ゲージ素子の動
歪特性に影響を及ぼさない。そして、感光性のコーティ
ング樹脂として用いる環化ゴムレジストは高品質で容易
に安く入手できるので、高品質の歪ゲージ素子を低コス
トで製造することが可能になる。
歪みを感知する梁２に接着され、電気抵抗の役目をする
歪ゲージ部３ａ〜３ｈを有する歪ゲージ素子において、
ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜８と該二酸化ケイ素薄
膜８の表面上に環化ゴムと感光性の架橋剤との混合物か
らなる樹脂コーティング膜９を設けたことを特徴とする
歪ゲージ素子及びその製造方法。 【効果】 本発明は、ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜
と二酸化ケイ素薄膜の表面上に感光性の環化ゴムを主成
分とする樹脂コーティング膜を設けているため、保護膜
にピンホールやクラック等が入る心配がなく、水が侵入
する恐れもなく、耐湿性に優れている。また、本発明に
よる製造方法では、ディップコート等によつて、最小限
に薄い保護膜を形成されているので、歪ゲージ素子の動
歪特性に影響を及ぼさない。そして、感光性のコーティ
ング樹脂として用いる環化ゴムレジストは高品質で容易
に安く入手できるので、高品質の歪ゲージ素子を低コス
トで製造することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力センサ，加速度セ
ンサなどの各種センサに使用されている歪ゲージ素子及
びその製造方法に関するものである。
ンサなどの各種センサに使用されている歪ゲージ素子及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明に関する従来技術としては特開昭
６２−２２２１３７号公報及び実開平２−１４６３７２
号公報に示されるものが知られている。前者は、ガラス
よりなるダイヤフラム上にスパッタリングによつてＮｉ
−Ｓｉ−Ｂ非晶質合金薄膜を付着させ、耐熱性を向上さ
せるために、その表面上に密着性に優れた二酸化ケイ素
を主成分とした保護膜をスパッタリングによつて付着さ
せた圧力センサの歪ゲージ素子である。一方、後者は、
図３に示されるように金属よりなる基部１０の表面にス
パッタリングによつて絶縁膜１１を付着させ、その表面
上に導電性パターン１２を形成し、耐熱性を向上させる
ために、その表面上に密着性に優れた二酸化ケイ素を主
成分とした二酸化ケイ素薄膜１４をスパッタリングによ
つて付着させた加速度センサの歪ゲージ素子である。
６２−２２２１３７号公報及び実開平２−１４６３７２
号公報に示されるものが知られている。前者は、ガラス
よりなるダイヤフラム上にスパッタリングによつてＮｉ
−Ｓｉ−Ｂ非晶質合金薄膜を付着させ、耐熱性を向上さ
せるために、その表面上に密着性に優れた二酸化ケイ素
を主成分とした保護膜をスパッタリングによつて付着さ
せた圧力センサの歪ゲージ素子である。一方、後者は、
図３に示されるように金属よりなる基部１０の表面にス
パッタリングによつて絶縁膜１１を付着させ、その表面
上に導電性パターン１２を形成し、耐熱性を向上させる
ために、その表面上に密着性に優れた二酸化ケイ素を主
成分とした二酸化ケイ素薄膜１４をスパッタリングによ
つて付着させた加速度センサの歪ゲージ素子である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
２種の歪ゲージ素子に用いられ、スパッタリング等の真
空成膜法により形成された二酸化ケイ素を主成分とする
保護膜１６では、水と接触すると、図４に示されるよう
に、保護膜の決裂によるピンホールや保護膜１６の段差
の存在する部分への付着不足に伴うクラック等が存在す
るために、水分が侵入して、腐食し易くなる。さらに、
圧力センサ装置内のＮｉ−Ｓｉ−Ｂ非晶質合金薄膜や加
速度センサ装置内の導電性パターン１２等のゲージ膜１
５は、使用状態では電圧が印加されているので、電流の
流入と水分の侵入による電食が非常におこり易くなる。
２種の歪ゲージ素子に用いられ、スパッタリング等の真
空成膜法により形成された二酸化ケイ素を主成分とする
保護膜１６では、水と接触すると、図４に示されるよう
に、保護膜の決裂によるピンホールや保護膜１６の段差
の存在する部分への付着不足に伴うクラック等が存在す
るために、水分が侵入して、腐食し易くなる。さらに、
圧力センサ装置内のＮｉ−Ｓｉ−Ｂ非晶質合金薄膜や加
速度センサ装置内の導電性パターン１２等のゲージ膜１
５は、使用状態では電圧が印加されているので、電流の
流入と水分の侵入による電食が非常におこり易くなる。
【０００４】故に、本発明は、水分の侵入を完全に防ぐ
保護膜を形成することをその技術的課題とするものであ
る。
保護膜を形成することをその技術的課題とするものであ
る。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上記の技術的課題を解
決するための技術的手段は、加速度センサ装置内のビー
ムプレート上の歪みを感知する梁に接着され、電気抵抗
の役目をする歪ゲージ部を有する歪ゲージ素子におい
て、ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜と該二酸化ケイ素
薄膜の表面上に環化ゴムと感光性の架橋剤との混合物か
らなる樹脂コーティング膜を設けた歪ゲージ素子と加速
度センサ装置内のビームプレート上の歪みを感知する梁
の表面上に真空成膜法により導電性膜を付着し、感光性
のレジストを用いて、レジストで被覆されていない不要
部分を溶解除去することによつて前記導電性膜を所定の
形状に加工し、導電性パターンを形成して、電極部をマ
スキングした後、歪ゲージ部及び配線部の表面上に真空
成膜法により二酸化ケイ素薄膜を付着し、該二酸化ケイ
素薄膜及び前記電極部の表面上に感光性の環化ゴムレジ
ストをコーティングし乾燥させ、露光することにより、
前記二酸化ケイ素薄膜の表面上に塗布されたレジスト膜
をパターンとして硬化し、次いで現像及びリンスするこ
とにより、前記電極部のみを露出させ、最後に焼成する
ことによつて二酸化ケイ素薄膜の表面上に樹脂コーティ
ング膜を形成する歪ゲージ素子の製造方法である。
決するための技術的手段は、加速度センサ装置内のビー
ムプレート上の歪みを感知する梁に接着され、電気抵抗
の役目をする歪ゲージ部を有する歪ゲージ素子におい
て、ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄膜と該二酸化ケイ素
薄膜の表面上に環化ゴムと感光性の架橋剤との混合物か
らなる樹脂コーティング膜を設けた歪ゲージ素子と加速
度センサ装置内のビームプレート上の歪みを感知する梁
の表面上に真空成膜法により導電性膜を付着し、感光性
のレジストを用いて、レジストで被覆されていない不要
部分を溶解除去することによつて前記導電性膜を所定の
形状に加工し、導電性パターンを形成して、電極部をマ
スキングした後、歪ゲージ部及び配線部の表面上に真空
成膜法により二酸化ケイ素薄膜を付着し、該二酸化ケイ
素薄膜及び前記電極部の表面上に感光性の環化ゴムレジ
ストをコーティングし乾燥させ、露光することにより、
前記二酸化ケイ素薄膜の表面上に塗布されたレジスト膜
をパターンとして硬化し、次いで現像及びリンスするこ
とにより、前記電極部のみを露出させ、最後に焼成する
ことによつて二酸化ケイ素薄膜の表面上に樹脂コーティ
ング膜を形成する歪ゲージ素子の製造方法である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【０００７】図１は、本発明の加速度センサ装置内のビ
ームプレートの拡大平面図を示し、図２は、図１のビー
ムプレートのＸ−Ｘ線断面図を示している。
ームプレートの拡大平面図を示し、図２は、図１のビー
ムプレートのＸ−Ｘ線断面図を示している。
【０００８】従来と同様に、図１に示すように、ビーム
プレート１は歪みを感知する梁２と梁２に接着させた歪
ゲージ部３ａ〜３ｈと配線部４ａ及び電圧が印加される
電極部４ｂから構成されている。そして、梁２は厚さ約
０．１ｍｍの金属であるため、外部からの力の影響を受
けやすい構造となつており、歪ゲージ部３ａ〜３ｈはゲ
ージ抵抗の役目を果たしている。
プレート１は歪みを感知する梁２と梁２に接着させた歪
ゲージ部３ａ〜３ｈと配線部４ａ及び電圧が印加される
電極部４ｂから構成されている。そして、梁２は厚さ約
０．１ｍｍの金属であるため、外部からの力の影響を受
けやすい構造となつており、歪ゲージ部３ａ〜３ｈはゲ
ージ抵抗の役目を果たしている。
【０００９】本発明は、振り子の加わる慣性力により発
生する歪みを梁２に接触した歪ゲージ部３ａ〜３ｈが感
知し、ゲージ抵抗としてはたらき、電気抵抗を変化させ
ることにより加速度を検出する仕組みになつている。
生する歪みを梁２に接触した歪ゲージ部３ａ〜３ｈが感
知し、ゲージ抵抗としてはたらき、電気抵抗を変化させ
ることにより加速度を検出する仕組みになつている。
【００１０】図２に示すように、本発明の歪ゲージ素子
は、金属からなる基部５と絶縁膜６と導電性パターン７
と保護膜の役目を果たす二酸化ケイ素薄膜８及び保護膜
の役目を果たす樹脂コーティング膜９とから構成されて
いる。つまり、本発明は、２層の保護膜を形成したこと
を特徴としている。
は、金属からなる基部５と絶縁膜６と導電性パターン７
と保護膜の役目を果たす二酸化ケイ素薄膜８及び保護膜
の役目を果たす樹脂コーティング膜９とから構成されて
いる。つまり、本発明は、２層の保護膜を形成したこと
を特徴としている。
【００１１】ビームプレートの製造方法を図１及び図２
を用いて説明すると、次のようになる。
を用いて説明すると、次のようになる。
【００１２】清浄した基部５の表面にスパッタリング等
の真空成膜法により絶縁膜６を付着させた。次に、絶縁
膜６の表面に真空成膜法により導電性膜を付着し、感光
性のレジスト（樹脂材料の溶剤）を用いて、レジストで
被覆されていない不要部分をエッチング除去すること
（フォトエッチング）によつて導電性膜を所望の形状に
加工し、導電性パターン７を形成した。そして、電極部
４ｂの表面に薄膜が付着するのを防ぐために、電極部４
ｂをレジスト皮膜で保護した後、歪ゲージ部３ａ〜３ｈ
及び配線部４ａの表面上に真空成膜法により約１μｍの
二酸化ケイ素薄膜８を付着した。その後、感光性の環化
ゴムレジスト（東京応化工業株式会社製，商品名「ＯＭ
Ｒ−８３」）中に浸すことによつて二酸化ケイ素薄膜８
及び電極部４ｂの表面上に全面的に感光性の環化ゴムレ
ジストを約２μｍの厚さにコーティングし、下地との接
着性を強めるために、１００℃で２５分間乾燥（プレベ
ーク）させた。
の真空成膜法により絶縁膜６を付着させた。次に、絶縁
膜６の表面に真空成膜法により導電性膜を付着し、感光
性のレジスト（樹脂材料の溶剤）を用いて、レジストで
被覆されていない不要部分をエッチング除去すること
（フォトエッチング）によつて導電性膜を所望の形状に
加工し、導電性パターン７を形成した。そして、電極部
４ｂの表面に薄膜が付着するのを防ぐために、電極部４
ｂをレジスト皮膜で保護した後、歪ゲージ部３ａ〜３ｈ
及び配線部４ａの表面上に真空成膜法により約１μｍの
二酸化ケイ素薄膜８を付着した。その後、感光性の環化
ゴムレジスト（東京応化工業株式会社製，商品名「ＯＭ
Ｒ−８３」）中に浸すことによつて二酸化ケイ素薄膜８
及び電極部４ｂの表面上に全面的に感光性の環化ゴムレ
ジストを約２μｍの厚さにコーティングし、下地との接
着性を強めるために、１００℃で２５分間乾燥（プレベ
ーク）させた。
【００１３】ところで、感光性の環化ゴムレジストは、
図７，図８に示すような環化ゴムと感光性の架橋剤との
混合物であり、接着性が強く、一般的なフォトエッチン
グで容易にパターニングができるという利点がある。こ
こで、温度変化に伴う保護膜の膨張，収縮が梁２に歪み
を与えたり、梁２の動歪特性を変化させてしまい、ゲー
ジ表面に形成される保護膜を最小限に薄くする必要があ
るため、梁２に影響を与えないように、感光性の環化ゴ
ムレジスト中に浸すというディップコート法を用いた。
また、ここで、ディップコート等でコーティングした場
合、コーティング膜が試料表面全域に広がつてしまう
が、電極部４ｂのコーティング膜を除去する必要がある
ために、感光性の環化ゴムレジストを用いた。
図７，図８に示すような環化ゴムと感光性の架橋剤との
混合物であり、接着性が強く、一般的なフォトエッチン
グで容易にパターニングができるという利点がある。こ
こで、温度変化に伴う保護膜の膨張，収縮が梁２に歪み
を与えたり、梁２の動歪特性を変化させてしまい、ゲー
ジ表面に形成される保護膜を最小限に薄くする必要があ
るため、梁２に影響を与えないように、感光性の環化ゴ
ムレジスト中に浸すというディップコート法を用いた。
また、ここで、ディップコート等でコーティングした場
合、コーティング膜が試料表面全域に広がつてしまう
が、電極部４ｂのコーティング膜を除去する必要がある
ために、感光性の環化ゴムレジストを用いた。
【００１４】マスクを通して光を当てること（露光）に
より、二酸化ケイ素薄膜８の表面上に塗布されたレジス
ト膜をパターンとして硬化し、次いでＯＭＲ現像液を用
いて現像し、次いでＯＭＲリンス液を用いてリンスする
ことにより、電極部４ｂの表面上に塗布されたレジスト
膜を完全に除去し、電極部４ｂのみを露出させ、最後に
１５０℃で３０分間焼成すること（ポストベーク）によ
つて、残留している溶剤成分を蒸発させ、さらに架橋反
応が起こり、下地に対する接着性が強くなり、二酸化ケ
イ素薄膜８の表面上に樹脂コーティング膜１０を形成し
た。
より、二酸化ケイ素薄膜８の表面上に塗布されたレジス
ト膜をパターンとして硬化し、次いでＯＭＲ現像液を用
いて現像し、次いでＯＭＲリンス液を用いてリンスする
ことにより、電極部４ｂの表面上に塗布されたレジスト
膜を完全に除去し、電極部４ｂのみを露出させ、最後に
１５０℃で３０分間焼成すること（ポストベーク）によ
つて、残留している溶剤成分を蒸発させ、さらに架橋反
応が起こり、下地に対する接着性が強くなり、二酸化ケ
イ素薄膜８の表面上に樹脂コーティング膜１０を形成し
た。
【００１５】以上のように精製した２層の保護膜を有す
る本実施例による歪ゲージ素子と二酸化ケイ素薄膜１４
しか保護膜を有しない従来例による歪ゲージ素子におい
て、８０℃，９５％ＲＨの条件下で、高温・高湿試験を
行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化率の関係を図５に
示す。尚、高温・高湿試験中はゲージに所定の電圧を印
加し、通電状態とした。図５を見ると分かるように、従
来例においては、試験開始後２０時間程度でゲージ抵抗
が変化し始め、その後著しく変化しており、ゲージ部を
観察したところクラックやピンホール等が存在し、そこ
から水分が侵入して腐食しかかつており、耐湿性には優
れていないといえる。これに対して、本実施例において
は、ゲージ抵抗値は２００時間経過後も試験開始時とほ
とんど変わらないために、耐湿性に優れているといえ
る。
る本実施例による歪ゲージ素子と二酸化ケイ素薄膜１４
しか保護膜を有しない従来例による歪ゲージ素子におい
て、８０℃，９５％ＲＨの条件下で、高温・高湿試験を
行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化率の関係を図５に
示す。尚、高温・高湿試験中はゲージに所定の電圧を印
加し、通電状態とした。図５を見ると分かるように、従
来例においては、試験開始後２０時間程度でゲージ抵抗
が変化し始め、その後著しく変化しており、ゲージ部を
観察したところクラックやピンホール等が存在し、そこ
から水分が侵入して腐食しかかつており、耐湿性には優
れていないといえる。これに対して、本実施例において
は、ゲージ抵抗値は２００時間経過後も試験開始時とほ
とんど変わらないために、耐湿性に優れているといえ
る。
【００１６】さらに、２層の保護膜を有する本実施例に
よる歪ゲージ素子と二酸化ケイ素薄膜１４しか保護膜を
有しない従来例による歪ゲージ素子において、１２０℃
で１０００時間高温試験を行つた際の放置時間とゲージ
抵抗変化率の関係を図６に示す。尚、高温試験中はゲー
ジに所定の電圧を印加し、通電状態とした。図６を見る
と、従来例と同じように本実施例は、ゲージ抵抗が１０
００時間経過後も試験開始時とほとんど変わらないため
に、耐熱性にも優れているといえる。
よる歪ゲージ素子と二酸化ケイ素薄膜１４しか保護膜を
有しない従来例による歪ゲージ素子において、１２０℃
で１０００時間高温試験を行つた際の放置時間とゲージ
抵抗変化率の関係を図６に示す。尚、高温試験中はゲー
ジに所定の電圧を印加し、通電状態とした。図６を見る
と、従来例と同じように本実施例は、ゲージ抵抗が１０
００時間経過後も試験開始時とほとんど変わらないため
に、耐熱性にも優れているといえる。
【００１７】尚、感光性のコーティング樹脂としては、
ポリイミドも挙げられるが、この場合、最終工程での焼
成温度を３００〜４００℃に設定しなければならないた
めに、歪ゲージの特性が変化する恐れがあり、コーティ
ング膜にクラックが入りやすく水分が侵入する恐れがあ
り、ポリイミドは非常に高価である。したがつて、本実
施例においては、感光性のコーティング樹脂に安価な感
光性の環化ゴムレジストを用いた。
ポリイミドも挙げられるが、この場合、最終工程での焼
成温度を３００〜４００℃に設定しなければならないた
めに、歪ゲージの特性が変化する恐れがあり、コーティ
ング膜にクラックが入りやすく水分が侵入する恐れがあ
り、ポリイミドは非常に高価である。したがつて、本実
施例においては、感光性のコーティング樹脂に安価な感
光性の環化ゴムレジストを用いた。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以下の如く効果を有する。
【００１９】本発明は、ゲージ表面上に二酸化ケイ素薄
膜と二酸化ケイ素薄膜の表面上に感光性の環化ゴムを主
成分とする樹脂コーティング膜を設けているため、保護
膜にピンホールやクラック等が入る心配がなく、水が侵
入する恐れもなく、耐湿性に優れている。また、本発明
による製造方法では、ディップコート等によつて、最小
限に薄い保護膜を形成されているので、歪ゲージ素子の
動歪特性に影響を及ぼさない。そして、感光性のコーテ
ィング樹脂として用いる環化ゴムレジストは高品質で容
易に安く入手できるので、高品質の歪ゲージ素子を低コ
ストで製造することが可能になる。
膜と二酸化ケイ素薄膜の表面上に感光性の環化ゴムを主
成分とする樹脂コーティング膜を設けているため、保護
膜にピンホールやクラック等が入る心配がなく、水が侵
入する恐れもなく、耐湿性に優れている。また、本発明
による製造方法では、ディップコート等によつて、最小
限に薄い保護膜を形成されているので、歪ゲージ素子の
動歪特性に影響を及ぼさない。そして、感光性のコーテ
ィング樹脂として用いる環化ゴムレジストは高品質で容
易に安く入手できるので、高品質の歪ゲージ素子を低コ
ストで製造することが可能になる。
【図１】本発明の加速度センサ装置内のビームプレート
の拡大平面図である。
の拡大平面図である。
【図２】図１のビームプレートのＸ−Ｘ線断面図であ
る。
る。
【図３】従来の加速度センサ装置内のビームプレートの
断面図である。
断面図である。
【図４】従来技術の問題点の説明図である。
【図５】本実施例による歪ゲージ素子と従来例による歪
ゲージ素子において、８０℃，９５％ＲＨの条件下で、
高温・高湿試験を行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化
率の関係を示す図である。
ゲージ素子において、８０℃，９５％ＲＨの条件下で、
高温・高湿試験を行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化
率の関係を示す図である。
【図６】本実施例による歪ゲージ素子と従来例による歪
ゲージ素子において、１２０℃で１０００時間高温試験
を行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化率の関係を示す
図である。
ゲージ素子において、１２０℃で１０００時間高温試験
を行つた際の放置時間とゲージ抵抗変化率の関係を示す
図である。
【図７】環化ゴムの化学構造を示す説明図である。
【図８】感光性の架橋剤であるビスジアザイドの化学構
造を示す説明図である。
造を示す説明図である。
１ ビームプレート ２ 梁 ３ａ〜３ｈ 歪ゲージ部 ４ａ 配線部 ４ｂ 電極部 ５，１０ 基部 ６，１１ 絶縁膜 ７，１２ 導電性パターン ８，１３ 二酸化ケイ素薄膜 ９ 樹脂コーティング膜 １４ 絶縁基板 １５ ゲージ膜 １６ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 加速度センサ装置内のビームプレート上
の歪みを感知する梁に接着され、電気抵抗の役目をする
歪ゲージ部を有する歪ゲージ素子において、ゲージ表面
上に二酸化ケイ素薄膜と該二酸化ケイ素薄膜の表面上に
環化ゴムと感光性の架橋剤との混合物からなる樹脂コー
ティング膜を設けたことを特徴とする歪ゲージ素子。 - 【請求項２】 加速度センサ装置内のビームプレート上
の歪みを感知する梁の表面上に真空成膜法により導電性
膜を付着し、感光性のレジストを用いて、レジストで被
覆されていない不要部分をエッチング除去することによ
つて前記導電性膜を所定の形状に加工し、導電性パター
ンを形成して、電極部をマスキングした後、歪ゲージ部
及び配線部の表面上に真空成膜法により二酸化ケイ素薄
膜を付着し、該二酸化ケイ素薄膜及び前記電極部の表面
上に感光性の環化ゴムレジストをコーティングし乾燥さ
せ、露光することにより、前記二酸化ケイ素薄膜の表面
上に塗布されたレジスト膜をパターンとして硬化し、次
いで現像及びリンスすることにより、前記電極部のみを
露出させ、最後に焼成することによつて二酸化ケイ素薄
膜の表面上に樹脂コーティング膜を形成することを特徴
とする歪ゲージ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24356591A JPH0580070A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 歪ゲージ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24356591A JPH0580070A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 歪ゲージ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580070A true JPH0580070A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17105734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24356591A Pending JPH0580070A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 歪ゲージ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580070A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122778A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体光結合装置 |
| JP2009519444A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ザトーリウス アクチエン ゲゼルシャフト | ひずみゲージ要素を含む精密力変換器 |
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