JPH0580509A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 特に半導体デバイス等の製造において、高感
度で解像力、現像性、耐熱性、レジスト形状に優れたレ
ジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物
を提供する。 【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、（ａ）アル
カリ可溶性樹脂、（ｂ）キノンジアジド化合物、及び
（ｃ）ポリヒドロキシ化合物の水酸基の少なくとも一部
が一般式（Ｉ）で表されるスルホニル化剤によりスルホ
ニル化されたアルカリ可溶性低分子化合物を含有する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は輻射線に感応するポジ型
フオトレジスト組成物に関するものであり、特に高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フオトレジスト組成物に関するものである。本
発明に成るポジ型フオトレジストは、半導体ウエハー、
ガラス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン
塗布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現
像してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングすることにより、基板上にパターン
の加工を施すことができる。代表的な応用分野にはＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基
板の製造、その他のフオトフアブリケーシヨン工程等が
ある。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フオトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」としてＵＳＰ−３,６６６,４７３
号、ＵＳＰ−４,１１５,１２８号及びＵＳＰ−４,１７
３,４７０号等に、また最も典型的な組成物として「ク
レゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノンー１,２ーナフト キノン
ジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン 「イ
ントロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」
(Ｌ.Ｆ.Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ
ｔｏ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏ−ｇｒａｐｈｙ」）（Ａ
ＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に記載
されている。結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨潤す
ることなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成
した画像をエツチングのマスクとして使用する際に特に
プラズマエツチングに対して高い耐性を与えるが故に本
用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフトキ
ノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のアル
カリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用する
が、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生
じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働
きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質変
化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有用
である。これまで、かかる観点からノボラツク樹脂とナ
フトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型
フオトレジストが開発、実用化され、１．５μｍ〜２μ
ｍ程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめて
きた。

【０００３】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１
μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要と
される様になってきている。かかる用途においては、特
に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高い
パターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度
を有するフオトレジストが要求されている。また、集積
回路の集積度を高めるためにエツチング方式が、従来の
ウエツトエツチング方式からドライエツチング方式に移
行しているが、ドライエツチングの際にはレジストの温
度が上昇するため、熱変形等を起こさないよう、レジス
トには高い耐熱性が要求されている。

【０００４】レジストの耐熱性を改善するために重量平
均分子量が２０００以下の成分を含まない樹脂を用いる
（特開昭６０−９７３４７）こと、及びモノマーからト
リマーまでの含量合計が１０重量％以下の樹脂を用いる
（特開昭６０−１８９７３９）技術が公開されている。
しかし、上記の、低分子量成分を除去あるいは減少させ
た樹脂を用いた場合、通常感度が低下し、デバイス製造
におけるスループツトが低下するという問題があつた。
レジスト組成物に特定の化合物を配合することによりレ
ジストの感度や現像性を改善することも試みられてい
る。例えば、特開昭６１−１４１４４１にはトリヒドロ
キシベンゾフエノンを含有するポジ型フオトレジスト組
成物が開示されている。このトリヒドロキシベンゾフエ
ノンを含有するポジ型フオトレジストでは感度及び現像
性が改善されるが、トリヒドロキシベンゾフエノンの添
加により耐熱性が悪化するという問題があつた。

【０００５】特開昭６２−２４２４１、同６４−４４４
３９、特開平１−１７７０３２、同１−２８０７４８、
同１−２８９９４７、同２−１０３５０には、トリヒド
ロキシベンゾフエノン以外の芳香族ポリヒドロキシ化合
物を添加することにより、耐熱性を悪化させないで高感
度化する工夫が示されているが、現像性の改良、もしく
はレジスト形状の改良については必ずしも十分とは言え
ない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的と
する所は、特に半導体デバイス等の製造において、高感
度で解像力、現像性、耐熱性、レジスト形状に優れたレ
ジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、（ａ）アルカリ可溶性樹
脂、（ｂ）キノンジアジド化合物、及び（ｃ）ポリヒド
ロキシ化合物の水酸基の少なくとも一部が一般式（Ｉ）
で表されるスルホニル化剤によりスルホニル化されたア
ルカリ可溶性低分子化合物、を含有することを特徴とす
るポジ型フオトレジスト組成物により、本発明の目的が
達成されることを見いだした。

【０００８】

【化２】

【０００９】以下に本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられるアルカリ可溶性低分子化合物は、ポリヒドロ
キシ芳香族化合物（以下、Ａと称する）の水酸基の一
部、もしくは全部を一般式（Ｉ）で表されるスルホニル
化剤と反応させてスルホニル化させることにより得られ
る。

【００１０】本発明で使用することのできるポリヒドロ
キシ芳香族化合物の例としては、２,３,４−トリヒドロ
キシベンゾフエノン、２,４,４'−トリヒドロキシベン
ゾフエノン、２,４,６−トリヒド ロキシベンゾフエノ
ン、２,３,４−トリヒドロキシ−２'−メチルベンゾフ
エノ ン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフエ
ノン、２,２',４,４'−テトラ ヒドロキシベンゾフエノ
ン、２,４,６,３',４'−ペンタヒ ドロキシベンゾフエ
ノン、２,３,４,２',４'−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、２,３,４,２',５'−ペンタヒドロキシベンゾフエ
ノン、２,４,６,３',４',５'−ヘキサヒドロキシベンゾ
フエノン、２,３,４,３',４',５'−ヘキサヒドロキシベ
ンゾフエノン等のポリヒドロキシベンゾフエノン類、

【００１１】２,３,４−トリヒドロキシアセトフエノ
ン、２,３,４−トリヒドロキシフエニルペンチルケト
ン、２,３,４−トリヒドロキシフエニルヘキシルケトン
等のポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、

【００１２】ビス（２,４−ジヒドロキシフエニル）メ
タン、ビス（２,３,４−トリヒドロキシフエニ ル ）メ
タン、ビス（２,４−ジヒドロキシフエニル）プロパン
−１、ビス（２, ３,４−トリヒドロキシフエニル）プ
ロパン−１、ノルジヒドログア イアレチン酸等のビス
（（ポリ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、

【００１３】３,４,５−トリヒドロキシ安息香酸プロピ
ル、２,３,４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル、３,
４,５−トリヒドロキシ安息香酸フエニル等のポリヒド
ロキシ安息香酸エステル類、

【００１４】ビス（２,３,４−トリヒドロキシベンゾイ
ル）メタン、ビス（３−アセチル−４, ５,６−トリヒ
ドロキシフエニル）ーメタン、ビス（２,３,４−トリヒ
ドロキシ ベンゾイル）ベンゼン、ビス（２,４,６−ト
リヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒド
ロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキシ
ベンゾイル）アリール類、

【００１５】エチレングリコール−ジ（３,５−ジヒド
ロキシベンゾエ ート）、エチレングリコール−ジ（３,
４,５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン
−ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、

【００１６】２,３,４−ビフエニルトリオール、３,４,
５−ビフエニルトリオール、３,５,３',５'−ビフエニ
ルテト ロール、２,４,２',４'−ビフエニルテトロー
ル、２,４,６,３',５'−ビフエニ ルペントール、２,
４,６,２',４',６'−ビフエニルヘキソール、２,３,４,
２', ３',４'−ビフエニルヘキソール等のポリヒドロキ
シビフエニル類、

【００１７】４,４'−チ オビス（１,３−ジヒドロキ
シ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフイ ド
類、

【００１８】２,２',４,４'−テトラヒドロキシジフエ
ニルエーテル等のビス（ポリヒ ドロキシフエニル）エ
ーテル類、

【００１９】２,２',４,４'−テトラヒドロキシジフエ
ニル スルフオキシド等のビス（ポリヒドロキシフエニ
ル）スルフオキシド類、

【００２０】２,２',４,４'−ジフエニルスルフオン等
のビス（ポリヒドロキシフエニル）スルフオン類、

【００２１】４,４',３'',４''−テトラヒドロキシ−
３,５,３',５'−テトラメチルト リフエニルメタン、
４,４',２'',３'',４''−ペンタヒドロキシ−３,５,
３',５'−テトラメチルトリフエニルメタン、２,３,４,
２',３',４'−ヘキサヒドロキシ−５,５'−ジアセチル
トリフエニルメタン、２,３,４,２',３',４',３'',４''
−オクタヒドロキシ−５,５'−ジアセチルトリフエニル
メタン、２,４,６,２',４',６'−ヘキサヒドロキシ−
５,５'−ジプロピオニルトリフエニルメタン等のポリヒ
ドロキシトリフエニルメタン類、

【００２２】３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−
ス ピロビ−インダン−５,６,５',６'−テトロール、
３,３,３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−イ
ンダン−５,６,７,５',６',７'−ヘキソオール、３,３,
３',３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−インダン
−４,５,６,４',５',６' −ヘキソオール、３,３,３',
３'−テトラメチル−１,１'−スピロビ−インダン −
４,５,６,５',６',７'−ヘキソオール等のポリヒドロキ
シスピロビ−インダン類、

【００２３】３,３−ビス（３,４−ジヒドロキシフエニ
ル）フタリド、３,３−ビス（２,３,４−トリヒドロキ
シフエニル）フタリド、３',４',５',６'−テトラヒド
ロキシスピロ [フタリド−３,９'−キサンテン］等のポ
リヒドロキシフタリド類、

【００２４】モリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ
色素類、

【００２５】トリス−（３−メチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレート、トリス−（３，５−ジメチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、ビス
−（３−メチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌ
レート、ビス−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）イソシアヌレート、３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシベンジルイソシアヌレート、トリス−（２，４−
ジヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、トリス−
（２，３，４−トリヒドロキシベンジル）イソシアヌレ
ート、ビス−（２，４−ジヒドロキシベンジル）イソシ
アヌレート、２，４−ジヒドロキシベンジルイソシアヌ
レート等の（ポリヒドロキシベンジル）イソシアヌレー
ト類、

【００２６】２，６−ビス−（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシベンジル）シクロヘキサノン、２，６−ビス
−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）シクロヘキサノン、２，６−ビス−（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）シクロペンタノ
ン、２，６−ビス−（２，４−ジヒドロキシベンジル）
シクロヘキサノン、２，６−ビス−（２，４−ジヒドロ
キシベンジル）シクロペンタノン、２，６−ビス−
（３，４，５−トリヒドロキシベンジル）シクロヘキサ
ノン、２，６−ビス−（３，４，５−トリヒドロキシベ
ンジル）シクロペンタノン等のビス（ヒドロキシベンジ
ル）シクロアルカン類、

【００２７】α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシ
フエニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α’，α”−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフエニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン、α，α’，α”−トリス（３，５−ジエチル−４−
ヒドロキシフエニル）１，３，５−トリイソプロピルベ
ンゼン、α，α’，α”−トリス（３，５−ジｎ−プロ
ピル−４−ヒドロキシフエニル）１，３，５−トリイソ
プロピルベンゼン、α，α’，α”−トリス（３，５−
ジイソプロピル−４−ヒドロキシフエニル）１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン、α，α’，α”−トリス
（３，５−ジｎ−ブチル−４−ヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，α’，
α”−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，α’，
α”−トリス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフエニ
ル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，
α’，α”−トリス（２，４−ジヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，３，５−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフエニル）
ベンゼン、１，３，５−トリス（５−メチル−２−ヒド
ロキシフエニル）ベンゼン、２，４，６−トリス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフエニルチオメチル）メ
シチレン、１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシ
フエニル）エチル］−４−［α，α’−ビス（４”−ヒ
ドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、１−［α−メチ
ル−α−（４’−ヒドロキシフエニル）エチル］−３−
［α，α’−ビス（４”−ヒドロキシフエニル）エチ
ル］ベンゼン、１−［α−メチル−α−（３'，５’−
ジメチル−４’−ヒドロキシフエニル）エチル］−４−
［α，α’−ビス（３”，５”−ジメチル−４”−ヒド
ロキシフエニル）エチル］ベンゼン、１−［α−メチル
−α−（３’−メチル−４’−ヒドロキシフエニル）エ
チル］−４−［α'，α’−ビス（３”−メチル−４”
−ヒドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、１−［α−
メチル−α−（３’−メトキシ−４’−ヒドロキシフエ
ニル）エチル］−４−［α'，α’−ビス（３”−メト
キシ−４”−ヒドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、
１−［α−メチル−α−（２’，４’−ジヒドロキシフ
エニル）エチル］−４−［α’，α’−ビス（４”−ヒ
ドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、１−［α−メチ
ル−α−（２’，４’−ジヒドロキシフエニル）エチ
ル］−３−［α’’α’−ビス（４”−ヒドロキシフエ
ニル）エチル］ベンゼン等の特願平３−２６７３３に記
載のポリヒドロキシ化合物、

【００２８】３，３−ビス（４−ヒドロキシフエニル）
−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン、３，３−ビス［４
−ヒドロキシ−２−メチル−５−（１−メチルエチル）
フエニル］−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン、Ｎ，
Ｎ’−｛（３−オキソ−１（３Ｈ）−イソベンゾフラニ
リデン）ビス［［６−ヒドロキシ−２−メチル−５−
（１−メチルエチル）−３，１−フエニレン］メチレ
ン］｝ビス［Ｎ−（カルボキシメチル）−グリシン］、
３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフエニル）
−１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン、４，４’−（３Ｈ
−２，１−ベンゾオキサチオール−３−イリデン）ビス
フエノールＳ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ−
２，１−ベンゾオキサチオール−３−イリデン）ビス
［５−メチル−２−（１−メチルエチル）フエノール］
Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ−２，１−ベン
ゾオキサチオール−３−イリデン）ビス［３−メチルフ
エノール］Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ−
２，１−ベンゾオキサチオール−３−イリデン）ビス
（２−メチルフエノール）Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，
４’−（３Ｈ−２，１−ベンゾオキサチオール−３−イ
リデン）ビス［２−クロロフエノール］Ｓ，Ｓ−ジオキ
シド、４，４’−（３Ｈ−２，１−ベンゾオキサチオー
ル−３−イリデン）ビス［２，６−ジブロモ−３−メチ
ルフエノール］Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ
−２，１−ベンゾオキサチオール−３−イリデン）ビス
［２−ブロモ−６−クロロフエノール］Ｓ，Ｓ−ジオキ
シド、４，４’−（３Ｈ−２，１−ベンゾオキサチオー
ル−３−イリデン）ビス［２−ブロモ−３−メチル−６
−（１−メチルエチル）フエノール］Ｓ，Ｓ−ジオキシ
ド、４，４’−（３Ｈ−２，１−ベンゾオキサチオール
−３−イリデン）ビス［２，６−ジブロモフエノール］
Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ−２，１−ベン
ゾオキサチオール−３−イリデン）ビス［２−ブロモフ
エノール］Ｓ，Ｓ−ジオキシド、４，４’−（３Ｈ−
２，１−ベンゾオキサチオール−３−イリデン）ビス
［３，４−ジヒドロキシフエニル］Ｓ，Ｓ−ジオキシ
ド、３，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフエニル）−
１（３Ｈ）−イソベンゾフラノン、３，３−ビス（２，
３，４−トリヒドロキシフエニル）−１（３Ｈ）−イソ
ベンゾフラノン、３’，４’，５’，６’−テトラヒド
ロキシスピロ［イソベンゾフラン−１（３Ｈ），９’−
キサンテン］−３−オン等の特願平３−６２１５０記載
の化合物、

【００２９】ｐ−ビス (２,３,４−トリヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２,４,６−トリヒドロキ
シベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス (２,３,４−トリヒ
ドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス (２,４,６−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２,
５−ジヒドロキシ−３−ブロムベンゾイル）ベンゼン、
ｐ−ビス (２,３,４−トリヒドロキシ−５−メチルベン
ゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２,３,４−トリヒドロキ
シ−５−メトキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス
(２,３,４−トリヒドロキシ−５−ニトロベンゾイル）
ベンゼン、ｐ−ビス (２,３,４−トリヒドロキシ−５−
シアノベンゾイル）ベンゼン、１,３,５−トリス (２,
５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１,３,５−ト
リス (２,３,４ −トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼ
ン、１,２,３−トリス (２,３,４−トリヒドロキシベン
ゾイル）ベンゼン、１,２,４−トリス (２,３,４−トリ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１,２,４,５−テト
ラキス (２,３,４−トリヒドロキシ ベンゾイル）ベン
ゼン、α,α’−ビス (２,３,４−トリヒドロキシベン
ゾイル）−ｐ−キシレン、α,α’,α’−トリス (２,
３,４−トリヒドロキシベンゾイル）メシチレン、

【００３０】ビス (２,５−ジヒドロキシベンゾイル）
メタン、ビス (２,３,５−トリヒドロキシベンゾイル）
メタン、

【００３１】エチレングリコール−ジ (２−ヒドロキシ
ベンゾエート）、エチレングリコール−ジ (３−ヒドロ
キシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ (４−ヒ
ドロキシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ(２,
３−ジヒドロキシベンゾエート）、エチレングリコール
−ジ(２,６−ジヒドロキシベンゾエート）、エチレング
リコー ル−ジ (３,４,５−トリヒドロキシベンゾエー
ト）、エチレングリコール−ジ (２−ニトロ−３,４,５
−トリヒドロキシベンゾエート）、エチレングリコール
−ジ (２−シアノ−３,４,５−トリヒドロキシベンゾエ
ート）、エチレングリコール−ジ (２,４,６−トリヒド
ロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ジ
(２,３−ジヒドロキシベンゾエート）、１,３−プロパ
ンジオール−ジ (３,４,５−トリヒドロキシベンゾエー
ト）、ポリテトラヒドロフラングリコール−ジ (３,４,
５−トリヒドロキシベンゾエート）、ネオペンチルグリ
コール−ジ (３, ４,５−トリヒドロキシベンゾエー
ト）、１,２−ベンゼンジメタノール−ジ (３,４,５−
トリヒドロキシベンゾエート）、１,３−ベンゼンジメ
タノール−ジ ( ３,４,５−トリヒドロキシベンゾエー
ト）、

【００３２】２,３,４,２’,３’,４’−ヘキサヒドロ
キシ−ジフエニルシクロヘキサン−(１,１）、２,３,
４,２’,３’,４’−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル−
４−オキサシクロヘキサン− (１,１）、２,３,４,
２’,３’,４’−ヘキサヒドロキシトリフエニルメタ
ン、２,４,６,２’,４’,６’−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニル−ｎ−ブタン、２,４,６,２’,４’,６’−ヘ
キサヒドロキシ−ジフエニル−ｎ−ペンタン、２,４,
６,２’,４’,６’−ヘキサヒドロキシジフエニルシク
ロヘキサン− (１,１）、２,４,６,２’,４’,６’−ヘ
キサヒドロキシ−トリフエニルメタン、ビス (３−ベン
ゾイル−４,５,６−トリヒドロキシフエニル）メタン、
ビス (３−アセチル−４,５,６−トリヒドロキシフエニ
ル）メタン、ビス (３−プロピオニル−４,５,６−トリ
ヒドロキシフエニル）メタン、ビス (３−ブチリル−
４,５,６−トリヒドロキシフエニル）メタン、ビス (３
−ヘキサノイル−４,５,６−トリヒドロキシフエニル）
メタン、ビス (３−ヘプタノイル−４,５,６−トリヒド
ロキシフエニル）メタン、ビス (３−デカノイル−４,
５,６−トリヒドロキシフエニル）メタン、ビス (３−
オクタデカノイル−４,５,６−トリヒドロキシフエニ
ル）メタン、

【００３３】１,１０−ビス− (２,４−ジヒドロキシフ
エニル）−デカン−１,１０−ジオン、１,１４−ビス−
(２,４−ジヒドロキシフエニル）−テトラデカン−１,
１４−ジオン、１,８−ビス− (２,４−ジヒドロキシフ
エニル）−オクタン−１,８−ジオン、１,１０−ビス−
(２,３,４−トリヒドロキシフエニル）−デカン−１,
１０−ジオン、１,１２−ビス− (２,４−ジヒドロキシ
フエニル）−ドデカン−１,１２−ジオン、１,４−ビス
− (２,４−ジヒドロキシフエニル）−ブタン−１,４−
ジオン、

【００３４】１,１− (５,５’−ジアセチル−２,３,
４,２’,３’,４’−ヘキサヒドロキシ）ジフエニルエ
タン、１,１− (５−アセチル−２,３,４,２’,３’,
４’−ヘキサヒドロキシ）ジフエニル−２−メトキシエ
タン、１,１− (５−アセチル−２,３,４,２’,４’,
６’−ヘキサヒドロキシ）ジフエニル−２−ヒドロキシ
エタン、１,１− (２,４,６,２’,４’−ペンタヒドロ
キシ−３−プロパノイル）ジフエニルエタノール、２,
４,６,２’,４’,６’,２”,３”,４”−ノナヒドロキ
シ−５,５’−ジプロピオニルトリフエニルメタン、２,
４,２’,４’,２”,３”,４”−ヘプタヒドロキシトリ
フエニルメタン、

【００３５】１０,１５−ジヒドロ−２,３,７,８,１２,
１３−ヘキサヒドロキシ−５Ｈ−トリベンゾ 〔ａ,ｄ,
ｇ〕シクロノネン、１０,１５−ジヒドロ−３,８,１３
−トリメトキシ−２,７,１２−トリス (メトキシｄ₃）
−５Ｈ−トリベンゾ 〔ａ,ｄ,ｇ〕シクロノネン、１０,
１５−ジヒドロ−１,６,１１−トリヒドロキシ−２,７,
１ ２−トリメトキシ−４,９,１４−トリメチル−５Ｈ
−トリベンゾ 〔ａ,ｄ,ｇ〕 シクロノネン、１０,１５
−ジヒドロ−１,６,１１−トリヒドロキシ−２,７,１
２−トリメトキシ−４,９,１４−トリプロピル−５Ｈ−
トリベンゾ 〔ａ,ｄ,ｇ〕シクロノネン、２,８,１４,２
０−テトラメチルペンタシクロ 〔１９．３．１．
１^3,7．１^9,13．１^15,19〕オクタコサ−１ (２５）,３,
５,７ (２８）,９,１１,１３ (２７）,１５,１７,１９
(２６）,２１,２３−ドデカエン−４,６,１０,１２,１
６,１８,２２,２４−オクトール等を挙げることができ
る。

【００３６】但し、本発明に用いられるポリヒドロキシ
化合物は、これらに限定されるものではない。また、こ
れらの化合物は、単独で、もしくは２種以上の組合せで
用いられる。

【００３７】本発明において、スルホニル化に使用する
一般式（Ｉ）で表されるスルホニル化剤について、具体
例を挙げて詳しく説明する。

【００３８】一般式（Ｉ）のＲ₁において、脂肪族炭化
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基もしくはヘキシル基等の炭素数１〜
６のアルキル基、ビニル基、１−プロペニル基、アリル
基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル
基もしくは２−ペンテニル基等の炭素数２〜５のアルケ
ニル基を挙げることができる。

【００３９】一般式（Ｉ）のＸにおいて、アルキレン基
もしくはアルケニレン基としては、炭素数１〜５のもの
が好ましい。

【００４０】一般式（Ｉ）のＲ₂において、アルキル基
としてはメチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基もしくはｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の
アルキル基が好ましく、アルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基もし
くはブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基が好ま
しく、アルケニル基としてはビニル基、１−プロペニル
基、アリル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基もし
くは２−ブテニル基等の炭素数２〜４のアルケニル基が
好ましい。

【００４１】一般式（Ｉ）で表されるスルホニル化剤の
具体例としては、メタンスルホン酸クロリド（Ｂ）、エ
タンスルホン酸クロリド（Ｃ）、プロパンスルホン酸ク
ロリド（Ｄ）、ブタンスルホン酸クロリド（Ｅ）、ペン
タンスルホン酸クロリド（Ｆ）、ヘキサンスルホン酸ク
ロリド（Ｇ）、エチレンスルホン酸クロリド（Ｈ）、１
−プロペン−１−スルホン酸クロリド（Ｊ）、β−スチ
レンスルホン酸クロリド（Ｋ）、４−（クロロスルホニ
ル）安息香酸（Ｌ）等が挙げられる。

【００４２】これらのスルホニル化剤は単独で、もしく
は２種以上組み合わせて使用することができる。

【００４３】既述のポリヒドロキシ芳香族化合物（Ａ）
と、相当するスルホニル化剤（Ｂ）〜（Ｌ）との反応に
ついて、具体例を挙げて更に詳しく説明する。

【００４４】ポリヒドロキシ芳香族化合物及びスルホニ
ル化剤をアセトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
メチルエチルケトン等の溶媒に溶解後、塩基性触媒の存
在下で反応させることにより、ポリヒドロキシ化合物の
水酸基の一部もしくは全部がスルホニル化された化合物
（以下「変性ポリヒドロキシ化合物」と称する）が得ら
れる。

【００４５】但し、スルホニル化剤（Ｂ）〜（Ｋ）を用
いる場合、水酸基の全部をスルホニル化するとアルカリ
に不溶となり、好ましくない。従って、スルホニル化剤
（Ｂ）〜（Ｋ）を用いる場合には、下記の式を満たすこ
とが好ましい。

【００４６】

【化３】

【００４７】この比が０．１未満だと本発明の効果が十
分ではなく、０．８を越えるとアルカリに対する溶解性
が低下して、レジスト感度等に支障をきたすので好まし
くない。

【００４８】スルホニル化剤（Ｌ）を用いた場合は、水
酸基の全部をスルホニル化してもアルカリに対して可溶
性を有し、下記範囲で好適に使用することができる。

【００４９】

【化４】

【００５０】上記スルホニル化反応において用いられる
塩基触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン、ジ
メチルアミノピリジン、等が挙げられ、反応温度は、通
常、−２０℃〜６０℃、好ましくは０℃〜４０℃であ
る。

【００５１】このようにして合成される本発明の変性ポ
リヒドロキシ化合物の配合量は、キノンジアジド化合物
１００重量部に対し、通常１５０重量部以下、好ましく
は５〜１００重量部である。この使用比率が５重量部未
満では感度上昇効果が実質的に得られず、また１５０重
量部を越えると残膜率が著しく低下する。

【００５２】本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラツク樹脂、アセトンーピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラツク樹脂が好ましく、
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。

【００５３】所定のモノマーとしては、フエノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２,５−キシレノール、３,５−キシレノー
ル、３,４−キシレノール、２,３−キシレノール等のキ
シレノール類、ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチルフエ
ノール、ｏ−エチルフエノール、ｐ−ｔ−ブチルフエノ
ール等のアルキルフエノール類、ｐ−メトキシフエノー
ル、ｍ−メトキシフエノール、３,５−ジメトキシフエ
ノール、２−メトキシ−４−メチルフエノール、ｍ−エ
トキシフエノール、ｐ−エトキシフエノール、ｍ−プロ
ポキシフエノール、ｐ−プロポキシフエノール、ｍ−ブ
トキシフエノール、ｐ−ブトキシフエノール等のアルコ
キシフエノール類、２−メチル−４−イソプロピルフエ
ノール等のビスアルキルフエノール類、ｍ−クロロフエ
ノール、ｐ−クロロフエノール、ｏ−クロロフエノー
ル、ジヒドロキシビフエニル、ビスフエノールＡ、フエ
ニルフエノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒド
ロキシ芳香族化合物を単独もしくは２種以上混合して使
用することができるが、これらに限定されるものではな
い。

【００５４】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセト
アルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フ
エニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは２種以上組み合わせて用いられる。酸性
触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を
使用することができる。こうして得られたノボラツク樹
脂の重量平均分子量は、２０００〜３００００の範囲で
あることが好ましい。２０００未満では未露光部の現像
後の膜減りが大きく、３００００を越えると現像速度が
小さくなつてしまう。特に好適なのは６０００〜２００
００の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値
をもつて定義される。

【００５５】本発明で用いられる感光物としては、前記
ポリヒドロキシ化合物（Ａ）の１,２ −ナフトキノンジ
アジド−５−（及び／又は−４−）スルホニルクロリド
とのエステル化物を用いることができる。これらのポリ
ヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドエステル感光
物は単独で、もしくは２種以上の組み合わせで用いられ
る。感光物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、樹脂１
００重量部に対し、感光物５〜１００重量部、好ましく
は１０〜５０重量部である。この使用比率が５重量部未
満では残膜率が著しく低下し、他方１００重量部を超え
ると感度及び溶剤への溶解性が低下する。

【００５６】本発明の組成物には、更に現像液への溶解
促進のために、他のポリヒドロキシ化合物を併用するこ
とができる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、
フエノール類、レゾルシン、フロログルシン、２,３,４
−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,４’−テ
トラヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,３’,４’,
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピ
ロガロール縮合樹脂、フロログルシド、２,４,２’,
４’−ビフエニルテトロール、４,４’−チオビス（１,
３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２,２’,４,４’−テト
ラヒドロキシジフエニルエーテル、２,２’,４,４’−
テトラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、２,２’,
４,４’−テトラヒドロキシジフエニルスルフオン等を
挙げることができる。これらのポリヒドロキシ化合物
は、本発明のポリヒドロキシ化合物１００重量部に対し
て、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下の
割合で配合することができる。

【００５７】本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、４−エトキシ−２
−ブタノン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノ
ン等のケトエーテル類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等
の脂肪酸エステル類、１,１,２−トリクロロエチレン等
のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。こ
れら溶剤は単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用
することもできる。

【００５８】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤と
しては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエ
ーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポ
リオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオ
キシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシ
エチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレ
ン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソル
ビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、
ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ
３０１,ＥＦ３０３,ＥＦ３５２（新秋田化成(株)製）、
メガフアツクＦ１７１,Ｆ１７３（大日本インキ(株)
製）、フロラードＦＣ４３０,ＦＣ４３１（住友スリー
エム(株)製）、アサヒガードＡＧ７１０,サーフロンＳ
−３８２,ＳＣ１０１,ＳＣ１０２,ＳＣ１０３,ＳＣ１０
４,ＳＣ１０５,ＳＣ１０６（旭硝子(株)製）等のフツ素
系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１
（信越化学工業(株)製）やアクリル酸系もしくはメタク
リル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５,Ｎｏ．９５
（共栄社油脂化学工業(株)製）等を挙げることができ
る。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
のアルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１００
重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量
部以下である。これらの界面活性剤は単独で添加しても
よいし、また、いくつかの組み合わせで添加することも
できる。

【００５９】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物の
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第
四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

【００６０】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、必要に応じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合するこ
とができる。具体例としては、メチルバイオレツト、ク
リスタルバイオレツト、マラカイトグリーン等の染料、
ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノキシ樹脂、アル
キツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザン、クロ
ロメチルシラン等の接着助剤がある。

【００６１】上記ポジ型フオトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板 (例：シリ
コン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して
露光し、現像することにより良好なレジストを得ること
ができる。以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、％は、他に指定
のない限り、重量％を示す。

【００６２】

【実施例】

（１）ノボラツク樹脂（ａ）の合成 ｍ−クレゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ、３７％
ホルマリン水溶液５４．０ｇ及びシユウ酸０．０５ｇを
３つ口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇
温し、７時間反応させた。反応後室温まで冷却し３０ｍ
ｍＨｇまで減圧した。 次いで除々に１５０℃まで昇温
し、水及び未反応モノマーを除去した。得られたノボラ
ツク樹脂は平均分子量７９００（ポリスチレン換算）で
あつた。

【００６３】（２）ノボラツク樹脂（ｂ）の合成 ｍ−クレゾール５０重量％、ｐ−クレゾール５０重量％
及びホルマリン水溶液を用い上記（１）と同様にして合
成したクレゾールノボラツク樹脂（ポリスチレン換算の
分子量９４００）を「高分子合成の実験法」３２頁（木
下雅悦、大津隆行共著：化学同人（１９７３））を参考
にして低分子量成分を分別し、ポリスチレン換算の分子
量１００６０のクレゾールノボラツク樹脂を得た。

【００６４】（３）感光物ａの合成 ２,３,４−トリヒドロキシベンゾフエノン１１．５ｇ、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリ
ド３０．２ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ口フラスコ
に仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／
アセトン＝１１．４ｇ／５０ｍｌの混合液を徐々に滴下
し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸
水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、
水洗・乾燥（４０℃）を行い、２,３,４−トリヒドロキ
シベンゾフエノンの１,２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル（感光物ａ）２９．８ｇを得た。

【００６５】（４）感光物ｂの合成 ２,３,４,４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン１
２．３ｇ、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ニルクロリド４０．３ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ
口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチ
ルアミン／アセトン＝１５．２ｇ／５０ｍｌの混合液を
徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液
を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物
を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い、２,３,４,
４’−テトラヒドロキシベンゾフエノンの１,２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（感光物
ｂ）３９．７ｇを得た。

【００６６】（５）変性ポリヒドロキシ化合物ａの合成 ２，３，４，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベン
ゾフエノン１０ｇ、エタンスルホン酸クロリド（スルホ
ニル化剤）９．２ｇ、ジオキサン３００ｍｌを３つ口フ
ラスコに仕込み、均一に溶解した。次いで、トリエチル
アミン／ジオキサン＝７．６ｇ／５０ｍｌの混合溶液を
徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液
を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物
を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い、変性２，３，
４，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノ
ンを得た。この化合物のＮＭＲ測定を行った結果、１分
子中（水酸基６個当り）平均して１．９個の水酸基が−
ＯＳＯ₂Ｃ₂Ｈ₅基に変性されていた。

【００６７】（６）変性ポリヒドロキシ化合物ｂの合成 ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）メタン１０ｇ、
４−クロロスルホニル安息香酸２９．４ｇ、ジオキサン
３００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解し
た。次いで、トリエチルアミン／ジオキサン＝１４．２
ｇ／５０ｍｌの混合溶液を徐々に滴下し、２５℃で４時
間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍ
ｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０
℃）を行い、変性ビス（２，４−ジヒドロキシフエニ
ル）メタンを得た。この化合物のＮＭＲ測定を行った結
果、１分子中（水酸基４個当り）平均して３．０個の水
酸基が

【００６８】

【化５】

【００６９】に変性されていた。

【００７０】（７）変性ポリヒドロキシ化合物ｃ〜ｆの
合成 表１に記載したポリヒドロキシ化合物及びスルホニル化
剤を３つ口フラスコに仕込み、上記（５）〜（６）と同
様にして変性ポリヒドロキシ化合物ｃ〜ｆを合成した。
これらの化合物の、スルホニル化された水酸基の割合を
表１に示す。

【００７１】（８）ポジ型フオトレジスト組成物の調製 （８−１）実施例１〜１３ 上記（１）、（２）で得られたクレゾールノボラツク樹
脂（ａ）もしくは（ｂ）、上記（３）、（４）で得られ
た感光物ａもしくはｂ及び本発明の変性ポリヒドロキシ
化合物（ａ）〜（ｇ）を表２に示す割合でエチルセロソ
ルブアセテート１５ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフ
イルターを用いて濾過し、フオトレジスト組成物を調製
した。このフオトレジスト組成物をスピナーを用いてシ
リコンウエハーに塗布し、窒素雰囲気下の対流オーブン
で９０℃、３０分間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト
膜を得た。

【００７２】（８−２）比較例１〜５ 上記（１）、（２）で得られたクレゾールノボラツク樹
脂（ａ）もしくは（ｂ）、上記（３）、（４）で得られ
た感光物ａもしくはｂ及び表４に示したポリヒドロキシ
化合物を、表２に示す割合でエチルセロソルブアセテー
ト１５ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフイルターを用
いて濾過し、フオトレジスト組成物を調製した。このフ
オトレジスト組成物をスピナーを用いてシリコンウエハ
ーに塗布し、窒素雰囲気下の対流オーブンで９０℃、３
０分間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。

【００７３】（９）ポジ型フオトレジスト組成物の評価 キヤノン社製縮小投影露光装置ＦＰＡ−１５５０を用い
てテストチヤートマスクを介して露光し、２．３８％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間
現像し、３０秒間水洗して乾燥した。このようにして得
られたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電
子顕微鏡で観察し、レジストを評価した。その結果を表
３に示す。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【表２】

【００７６】

【表３】

【００７７】

【表４】

【００７８】感度は、０．７０μｍのマスクパターンを
再現する露光量の逆数をもつて定義し、比較例１の感度
に対する相対値で示した。残膜率は、未露光部の現像前
後の比の百分率で表した。解像力は、０．７０μｍのマ
スクパターンを再現する露光量における限界解像力を表
す。耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコン
ウエハーを対流オーブンで３０分間ベークし、そのパタ
ーンの変形が起こらない温度を示した。レジストの形状
は、０．７０μｍのレジストパターン断面におけるレジ
スト壁面とシリコンウエハーの平面のなす角（Θ）で表
した。現像性については、表層剥離及び膜残渣が、観察
されず良好な場合を○、多く観察された場合を×、少し
観察された場合を△、で表した。これから判る様に、本
発明の添加剤（ａ）〜（ｆ）を用いたレジストは、感
度、残膜率、解像力、耐熱性、レジスト形状及び現像性
が優れていた。

【００７９】

【発明の効果】本発明のポジ型フオトレジストは解像
力、感度、現像性、耐熱性、レジスト形状に優れ、微細
加工用フオトレジストとして好適に用いられる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化
   合物、及びポリヒドロキシ化合物の水酸基の少なくとも
   一部が一般式（Ｉ）で表されるスルホニル化剤によりス
   ルホニル化されたアルカリ可溶性低分子化合物を含有す
   ることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。 【化１】