JPH0580798B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0580798B2 JPH0580798B2 JP60195104A JP19510485A JPH0580798B2 JP H0580798 B2 JPH0580798 B2 JP H0580798B2 JP 60195104 A JP60195104 A JP 60195104A JP 19510485 A JP19510485 A JP 19510485A JP H0580798 B2 JPH0580798 B2 JP H0580798B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- transparent conductive
- conductive film
- etching
- photoresist
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜EL素子や撮像管などのデバイス
に用いられる酸化インジウムを主成分とする透明
導電膜のパターン形成方法に関する。
に用いられる酸化インジウムを主成分とする透明
導電膜のパターン形成方法に関する。
従来の技術
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜は、
フオトレジストを所定のパターンに形成した後、
これをマスクとして塩酸と塩化第２鉄の混液にて
エツチングする方法が一般的に行なわれていた。
フオトレジストを所定のパターンに形成した後、
これをマスクとして塩酸と塩化第２鉄の混液にて
エツチングする方法が一般的に行なわれていた。
発明が解決しようとする問題点
薄膜EL素子、撮像管などの薄膜デイバイスは
透明電極パターンのエツジ部分にテーパを形成
し、その上に形成した薄膜層の絶縁破壊を防ぐ必
要がある。しかし塩酸と塩化第２鉄の混液を用い
た場合、パターンエツジ部分において十分になだ
らかなテーパを形成することと、パターンサイズ
を正確に出すこととは同時に実現出来ないという
問題点があつた。
透明電極パターンのエツジ部分にテーパを形成
し、その上に形成した薄膜層の絶縁破壊を防ぐ必
要がある。しかし塩酸と塩化第２鉄の混液を用い
た場合、パターンエツジ部分において十分になだ
らかなテーパを形成することと、パターンサイズ
を正確に出すこととは同時に実現出来ないという
問題点があつた。
パターンエツヂ部になだらかなテーパを形成す
るためにはフオトレジストと透明導電膜の付着力
を調整して両者の界面に塩酸と塩化第２鉄の混液
からなるエツチヤントをしみ込む様にする。こう
する事によりエツチヤントがしみ込みながら透明
導電膜をエツチングするため、パターンエツヂ部
にテーパが形成される。
るためにはフオトレジストと透明導電膜の付着力
を調整して両者の界面に塩酸と塩化第２鉄の混液
からなるエツチヤントをしみ込む様にする。こう
する事によりエツチヤントがしみ込みながら透明
導電膜をエツチングするため、パターンエツヂ部
にテーパが形成される。
しかしながらエツチング残りを防ぐためにエツ
チング時間を余分に長くとる必要がある。また、
エツチヤントがフオトレジストと透明導電膜との
界面へしみ込んで行くので、パターンサイズがせ
まくなる。そして極端な場合にはエツチング中に
フオトレジストが剥離する。パターンサイズを正
確に出そうとして、エツチヤントがしみ込まない
ようにするとパターンエツヂにテーパーが形成で
きない。このように、テーパをなだらかに形成す
ることとパターンサイズを正確に出すことは同時
に実現できなかつた。
チング時間を余分に長くとる必要がある。また、
エツチヤントがフオトレジストと透明導電膜との
界面へしみ込んで行くので、パターンサイズがせ
まくなる。そして極端な場合にはエツチング中に
フオトレジストが剥離する。パターンサイズを正
確に出そうとして、エツチヤントがしみ込まない
ようにするとパターンエツヂにテーパーが形成で
きない。このように、テーパをなだらかに形成す
ることとパターンサイズを正確に出すことは同時
に実現できなかつた。
問題点を解決するための手段
以下の工程によつて透明導電膜のパターン形成
を行う。(a)透明導電膜上にホトレジスト膜を所定
のパターンに形成する工程。(b)ヨウ化水素酸又は
臭化水素酸で前記ITO透明導電膜をエツチングす
る工程。(c)塩酸を含むエツチング液によつて前記
ITOの透明導電膜パターンのエツジにテーパを形
成する工程。
を行う。(a)透明導電膜上にホトレジスト膜を所定
のパターンに形成する工程。(b)ヨウ化水素酸又は
臭化水素酸で前記ITO透明導電膜をエツチングす
る工程。(c)塩酸を含むエツチング液によつて前記
ITOの透明導電膜パターンのエツジにテーパを形
成する工程。
作 用
通常の方法にて所定のホトレジストパターンを
形成した後、ヨウ化水素酸又は臭化水素酸でエツ
チングすることにより、ホトレジストパターンと
同一寸法の透明導電膜パターンが形成される。次
に塩酸を含むエツチヤントを用いて前記透明導電
膜をエツチングするとエツジ部分にゆるやかなテ
ーパをもつた透明導電膜パターンが形成される。
形成した後、ヨウ化水素酸又は臭化水素酸でエツ
チングすることにより、ホトレジストパターンと
同一寸法の透明導電膜パターンが形成される。次
に塩酸を含むエツチヤントを用いて前記透明導電
膜をエツチングするとエツジ部分にゆるやかなテ
ーパをもつた透明導電膜パターンが形成される。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
この方法は２種類の性質の異なるエツチング液
によつてエツチングを２段階に行なう。
によつてエツチングを２段階に行なう。
第１段階でヨウ化水素酸又は臭化水素酸によ
り、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜は
フオトレジストのパターンで規定されるパターン
に従つてエツチングされる。これらのエツチヤン
トはレジストと透明導電膜の間へしみ込んでいか
ないため、エツチング時間を余分に長くとつても
パターンサイズはせまくならない。その反面透明
電極パターンのエツヂ部分にはテーパがほとんど
形成されない。第２段階で塩酸を含むエツチヤン
トにより、パターンエツヂ部になだらかなテーパ
が形成される。すでに透明電極のパターンはでき
上つているのでテーパ形成に必要なエツチング時
間は余分に長くとる必要がないのでパターンサイ
ズは小さくならない。
り、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜は
フオトレジストのパターンで規定されるパターン
に従つてエツチングされる。これらのエツチヤン
トはレジストと透明導電膜の間へしみ込んでいか
ないため、エツチング時間を余分に長くとつても
パターンサイズはせまくならない。その反面透明
電極パターンのエツヂ部分にはテーパがほとんど
形成されない。第２段階で塩酸を含むエツチヤン
トにより、パターンエツヂ部になだらかなテーパ
が形成される。すでに透明電極のパターンはでき
上つているのでテーパ形成に必要なエツチング時
間は余分に長くとる必要がないのでパターンサイ
ズは小さくならない。
第１実施例
本発明の具体的な第１実施例を、図面を参照し
ながら説明する。第１図に示すように、ガラス基
板１上に設けた膜厚300nｍのITO透明導電膜２
上にネガテイブタイプのホトレジスト膜３を所定
のパターンに形成する。ポストベークは130℃、
30分間とした。レジストはコダツク社製KMRを
用いた。次に40℃のヨウ化水素酸を用いて10分間
エツチングすると、第２図に示すように透明導電
膜２はエツチング残りを生ずることなくパターン
精度もよくエツチングされる。続いて塩酸と塩化
第二鉄を１：２に混合したエツチヤントを用いて
40℃、３分間エツチングすると第３図に示すよう
にレジストパターンのエツジ部よりエツチング液
が浸み込み、エツチング後レジスト膜３を除去す
ると第４図に示すようにそのエツジ部にゆるやか
なテーパをもつたストライプ状透明導電膜２が形
成される。
ながら説明する。第１図に示すように、ガラス基
板１上に設けた膜厚300nｍのITO透明導電膜２
上にネガテイブタイプのホトレジスト膜３を所定
のパターンに形成する。ポストベークは130℃、
30分間とした。レジストはコダツク社製KMRを
用いた。次に40℃のヨウ化水素酸を用いて10分間
エツチングすると、第２図に示すように透明導電
膜２はエツチング残りを生ずることなくパターン
精度もよくエツチングされる。続いて塩酸と塩化
第二鉄を１：２に混合したエツチヤントを用いて
40℃、３分間エツチングすると第３図に示すよう
にレジストパターンのエツジ部よりエツチング液
が浸み込み、エツチング後レジスト膜３を除去す
ると第４図に示すようにそのエツジ部にゆるやか
なテーパをもつたストライプ状透明導電膜２が形
成される。
浸み込み深さ（テーパ幅）は、エツチング温度
とエツチング時間によつて変化し、40℃、３分で
は約4μｍである。
とエツチング時間によつて変化し、40℃、３分で
は約4μｍである。
第２実施例
本実施例では、透明導電膜上にポジテイブタイ
プのホトレジストであるシプレー社製マイクロポ
ジツト1400−31を用い、所定のパターンに形成す
る。ポストベークは行なわない。以下、第１実施
例と同様に35℃の臭化水素酸によつて10分間エツ
チングした後、塩酸と硝酸と水の１：１：１の混
液によつて35℃で２分間エツチングする。レジス
トを除去するとエツジ部にゆるやかなテーパのつ
いた透明導電膜が形成される。ポストベークを行
なわない理由は、ベークによりポジテイブタイプ
のレジストはエツチング液の浸み込みを生じなく
なるためである。
プのホトレジストであるシプレー社製マイクロポ
ジツト1400−31を用い、所定のパターンに形成す
る。ポストベークは行なわない。以下、第１実施
例と同様に35℃の臭化水素酸によつて10分間エツ
チングした後、塩酸と硝酸と水の１：１：１の混
液によつて35℃で２分間エツチングする。レジス
トを除去するとエツジ部にゆるやかなテーパのつ
いた透明導電膜が形成される。ポストベークを行
なわない理由は、ベークによりポジテイブタイプ
のレジストはエツチング液の浸み込みを生じなく
なるためである。
塩酸を含むエツチング液はこれらの実施例にの
べた様に、フオトレジストと酸化インジウムを主
成分とする透明導電膜との界面にしみ込みやすい
性質と、透明導電膜をエツチングする性質があり
好ましいものである。
べた様に、フオトレジストと酸化インジウムを主
成分とする透明導電膜との界面にしみ込みやすい
性質と、透明導電膜をエツチングする性質があり
好ましいものである。
発明の効果
本発明により、パターンサイズが正確でパター
ンエツヂ部にゆるやかなテーパを有した酸化イン
ジウムを主成分とする透明導電膜の簡単で再現性
の良いパターン形成方法を提供できるものであ
る。
ンエツヂ部にゆるやかなテーパを有した酸化イン
ジウムを主成分とする透明導電膜の簡単で再現性
の良いパターン形成方法を提供できるものであ
る。
第１図〜第４図は本発明の透明導電膜のパター
ン形成方法の一実施例における工程を示す断面図
である。 １……ガラス基板、２……透明導電膜、３……
ホトレジスト膜。
ン形成方法の一実施例における工程を示す断面図
である。 １……ガラス基板、２……透明導電膜、３……
ホトレジスト膜。
Claims (1)
- １ 酸化インジウムを主成分とする透明導電膜上
にホトレジスト膜を所定のパターンに形成し、前
記透明導電膜をヨウ化水素酸と臭化水素酸のうち
少なくとも一種類を含むエツチング液によつてエ
ツチングした後に、塩酸を含むエツチング液によ
つてエツチングする工程を有することを特徴とす
る透明導電膜のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195104A JPS6255896A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195104A JPS6255896A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255896A JPS6255896A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH0580798B2 true JPH0580798B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16335583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195104A Granted JPS6255896A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255896A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2807515B2 (ja) * | 1989-12-25 | 1998-10-08 | 旭電化工業株式会社 | エッチング方法 |
| JPH08136429A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Nec Corp | 衝撃破壊試験方法および装置 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60195104A patent/JPS6255896A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6255896A (ja) | 1987-03-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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