JPH0582433A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0582433A JPH0582433A JP3243437A JP24343791A JPH0582433A JP H0582433 A JPH0582433 A JP H0582433A JP 3243437 A JP3243437 A JP 3243437A JP 24343791 A JP24343791 A JP 24343791A JP H0582433 A JPH0582433 A JP H0582433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- liquid chemical
- nozzle
- chemical liquid
- discharge nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スピンコータにおいて塗布膜厚の面内均一性
を向上させる。 【構成】 ウェハ２の回転中心上に位置する第１の薬液
ノズル３に加えて、ウェハ２の回転中心からずれたウェ
ハ上の位置に第２薬液ノズル４を有する。 【効果】 特に粘度の変化しやすい薬液のウェハ面内均
一性が向上する。
を向上させる。 【構成】 ウェハ２の回転中心上に位置する第１の薬液
ノズル３に加えて、ウェハ２の回転中心からずれたウェ
ハ上の位置に第２薬液ノズル４を有する。 【効果】 特に粘度の変化しやすい薬液のウェハ面内均
一性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に半導体ウェハ上に薬液をスピンコートする半
導体装置の製造装置に関する。
関し、特に半導体ウェハ上に薬液をスピンコートする半
導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハに薬液をスピンコー
トする半導体装置の製造装置は、図３に示すようにスピ
ンチャック１に吸着された半導体ウェハ２上に、スピン
チャック１の回転中心上に位置する薬液吐出用の第１の
ノズル３から薬液を適正な量滴下した後、任意の回転数
にて半導体ウェハ２を回転させて薬液を振り切ることに
より、所望の膜厚で半導体ウェハ２上にスピンコート膜
を形成していた。
トする半導体装置の製造装置は、図３に示すようにスピ
ンチャック１に吸着された半導体ウェハ２上に、スピン
チャック１の回転中心上に位置する薬液吐出用の第１の
ノズル３から薬液を適正な量滴下した後、任意の回転数
にて半導体ウェハ２を回転させて薬液を振り切ることに
より、所望の膜厚で半導体ウェハ２上にスピンコート膜
を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したスピンコート
において、薬液の供給が半導体ウェハの回転中心にのみ
行われるため、溶剤の揮発が早く、粘度変化が起きやす
い薬液では、ウェハ周辺に供給される薬液の粘度が高く
なるため、膜厚が１００〜２００オングストローム程度
厚くなり、膜厚の面内均一性が悪くなるという問題点が
あった。
において、薬液の供給が半導体ウェハの回転中心にのみ
行われるため、溶剤の揮発が早く、粘度変化が起きやす
い薬液では、ウェハ周辺に供給される薬液の粘度が高く
なるため、膜厚が１００〜２００オングストローム程度
厚くなり、膜厚の面内均一性が悪くなるという問題点が
あった。
【０００４】本発明の目的は、薬液のウェハ上での粘度
変化に起因する膜厚変動を低減した半導体装置の製造装
置を提供することにある。
変化に起因する膜厚変動を低減した半導体装置の製造装
置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、半
導体ウェハ上に薬液をスピンコートする半導体装置の製
造装置であって、ウェハの回転中心上に位置する薬液吐
出ノズルと、ウェハの回転中心からずれたウェハ上に位
置する薬液吐出ノズルとを有するものである。
め、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、半
導体ウェハ上に薬液をスピンコートする半導体装置の製
造装置であって、ウェハの回転中心上に位置する薬液吐
出ノズルと、ウェハの回転中心からずれたウェハ上に位
置する薬液吐出ノズルとを有するものである。
【０００６】
【作用】半導体ウェハの回転中心及び、その回転中心に
対してずれた位置に薬液ノズルをそれぞれ設け、薬液の
ウェハ上での粘度変化に起因する膜厚変動を低減する。
対してずれた位置に薬液ノズルをそれぞれ設け、薬液の
ウェハ上での粘度変化に起因する膜厚変動を低減する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【０００８】（実施例１）図１（ａ）は、本発明の実施
例１を示す構成図、図１（ｂ）は、薬液塗布シーケンス
図である。
例１を示す構成図、図１（ｂ）は、薬液塗布シーケンス
図である。
【０００９】図１（ａ）において、スピンチャック１で
回転されるウェハ２の回転中心上に第１の薬液ノズル３
が配置され、ウェハ２の回転中心から径方向にずれた位
置に第２の薬液ノズル４が配置されている。そして、第
１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４は、薬液ポン
プに接続されている。
回転されるウェハ２の回転中心上に第１の薬液ノズル３
が配置され、ウェハ２の回転中心から径方向にずれた位
置に第２の薬液ノズル４が配置されている。そして、第
１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４は、薬液ポン
プに接続されている。
【００１０】実施例において、ウェハ２を５００ｒｐｍ
程度の低回転で回転させながら、第１の薬液ノズル３及
び第２の薬液ノズル４から薬液をウェハ２上に滴下し、
任意の回転数にてウェハ２上の薬液を振り切り、ウェハ
２上にスピンコート膜を形成する。これにより、ウェハ
面内の膜厚バラツキを数十オングストローム程度にする
ことができる。
程度の低回転で回転させながら、第１の薬液ノズル３及
び第２の薬液ノズル４から薬液をウェハ２上に滴下し、
任意の回転数にてウェハ２上の薬液を振り切り、ウェハ
２上にスピンコート膜を形成する。これにより、ウェハ
面内の膜厚バラツキを数十オングストローム程度にする
ことができる。
【００１１】（実施例２）図２（ａ）は、本発明の実施
例２を示す構成図、図２（ｂ）は、薬液配管系統図、
（ｃ）は、塗布シーケンス図である。
例２を示す構成図、図２（ｂ）は、薬液配管系統図、
（ｃ）は、塗布シーケンス図である。
【００１２】図２（ａ）において、本実施例において、
第１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４の位置は、
図２（ａ）に示すように実施例１とほぼ同様であるが、
第２の薬液ノズル４は、ウェハ２の回転中心からの距離
が変化するように移動可能に設置されている。又、薬液
配管系統Ｉ，ＩＩは、図２（ｂ）に示すように第１の薬
液ノズル３と第２の薬液ノズル４で独立とし、それぞれ
にポンプ７，フィルター６，サックバックバルブ５を有
する。
第１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４の位置は、
図２（ａ）に示すように実施例１とほぼ同様であるが、
第２の薬液ノズル４は、ウェハ２の回転中心からの距離
が変化するように移動可能に設置されている。又、薬液
配管系統Ｉ，ＩＩは、図２（ｂ）に示すように第１の薬
液ノズル３と第２の薬液ノズル４で独立とし、それぞれ
にポンプ７，フィルター６，サックバックバルブ５を有
する。
【００１３】塗布シーケンスは図２（ｃ）に示すように
実施例１とほぼ同様であるが、薬液配管系統Ｉ，ＩＩが
独立であるため、ノズル３及びノズル４からの吐出タイ
ミングをそれぞれ独立に制御できる。
実施例１とほぼ同様であるが、薬液配管系統Ｉ，ＩＩが
独立であるため、ノズル３及びノズル４からの吐出タイ
ミングをそれぞれ独立に制御できる。
【００１４】本実施例は、第２の薬液ノズル４の位置調
整、第１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４からの
吐出タイミングの調整、第１の薬液ノズル３、第２の薬
液ノズル４から吐出する薬液の粘度を変えることが可能
であるため、塗布膜厚のウェハ面内均一性がより向上す
る。
整、第１の薬液ノズル３及び第２の薬液ノズル４からの
吐出タイミングの調整、第１の薬液ノズル３、第２の薬
液ノズル４から吐出する薬液の粘度を変えることが可能
であるため、塗布膜厚のウェハ面内均一性がより向上す
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハ回
転中心からずれた位置にも薬液ノズルを設けることによ
り、薬液のウェハ上での粘度変化に起因する膜厚変動を
低減できるという効果を有する。
転中心からずれた位置にも薬液ノズルを設けることによ
り、薬液のウェハ上での粘度変化に起因する膜厚変動を
低減できるという効果を有する。
【図１】（ａ）は、本発明の実施例１を示すノズル位置
関係図、（ｂ）は塗布シーケンス図である。
関係図、（ｂ）は塗布シーケンス図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施例２を示すノズル位置
関係図、（ｂ）は薬液配管系統図、（ｃ）は、塗布シー
ケンス図である。
関係図、（ｂ）は薬液配管系統図、（ｃ）は、塗布シー
ケンス図である。
【図３】従来のスピンコータを示すノズル位置関係図で
ある。
ある。
１ スピンチャック ２ ウェハ ３ 第１の薬液ノズル ４ 第２の薬液ノズル ５ サックバックバルブ ６ フィルター ７ ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上に薬液をスピンコートす
る半導体装置の製造装置であって、 ウェハの回転中心上に位置する薬液吐出ノズルと、 ウェハの回転中心からずれたウェハ上に位置する薬液吐
出ノズルとを有することを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243437A JPH0582433A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243437A JPH0582433A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582433A true JPH0582433A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17103862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243437A Pending JPH0582433A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582433A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07302745A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 塗布方法および装置 |
| US6371667B1 (en) * | 1999-04-08 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243437A patent/JPH0582433A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07302745A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 塗布方法および装置 |
| US6371667B1 (en) * | 1999-04-08 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
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