JPH0582475B2 - - Google Patents

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JPH0582475B2
JPH0582475B2 JP59503497A JP50349784A JPH0582475B2 JP H0582475 B2 JPH0582475 B2 JP H0582475B2 JP 59503497 A JP59503497 A JP 59503497A JP 50349784 A JP50349784 A JP 50349784A JP H0582475 B2 JPH0582475 B2 JP H0582475B2
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Piitaa Eichi Hoofuaa
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TORAINOBA CORP
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Description

請求の範囲 １ 流体を、一定の流速を有する層流として基板
の表面に向けて送給するための装置であつて、 流体源と連通するべく適合された入口手段と、 前記基板に沿つて或る長さに亘つて延在する長
寸の開口を郭定すると共に前記基板の表面に隣接
して配設されるべく適合された出口ノズルを有
し、かつ前記入口手段に対して隔置された出口手
段と、 前記入口手段及び前記出口手段を互いに接続す
るべく直列接続された一連の通路とを備え、 前記通路がそれぞれ隣接する通路とは異なる断
面積を有する部分を有することにより、これら通
路を通過する流体の速度を変化させることをもつ
て、前記流体が、前記長寸開口の全長に亘つて比
較的一定な流速を有する均一な層流として、前記
出口手段の前記出口ノズルから送り出されるよう
にしてなることを特徴とする装置。
２ 前記直列通路が、第一の数の先細通路と第二
の数の先太通路とを有し、各先太通路が、隣接す
る先細通路を互いに接続していることにより、流
体が前記先細通路内で加速されると共に前記先太
通路内で減速されるようにしてなることを特徴と
する請求の範囲第１項に記載の装置。
３ 前記先太通路の最大の断面積を有する部分と
前記先細通路の最小の断面積を有する部分と間の
断面積の比が約４：１であることを特徴とする請
求の範囲第２項に記載の装置。
４ 少なくとも５個の先細通路と少なくとも５個
の先太通路とを備えることを特徴とする請求の範
囲第２項若しくは第３項に記載の装置。
５ 前記通路が、比較的均一な第一の断面積の部
分を有する第一のグループの通路と、比較的均一
であつて前記第一の断面積とは異なる第二の断面
積の部分を有する第二のグループの通路とを含
み、前記第一のグループの通路がそれぞれ隣接す
る第二のグループの通路を互いに接続することに
より、前記第一のグループの通路内の流体の速度
が、前記第二のグループの通路内の流体の速度と
は異なるようにしてあることを特徴とする請求の
範囲第１項に記載の装置。
６ 前記第二の断面積と前記第一の断面積との比
が約４：１であることを特徴とする請求の範囲第
５項に記載の装置。
７ 前記した一連の直列通路が、それぞれ比較的
均一な断面積の部分を有し、これらの通路の断面
積が入口手段から出口手段に向けて漸次減少して
いることにより、流体が入口手段から出口手段に
移動するに伴い、その速度が漸増するようにして
なることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の
装置。
８ 前記通路を内蔵する空室を郭定する外側ハウ
ジングを有すると共に、前記入口手段が前記ハウ
ジングの一端の近傍に設けられ、かつ前記出口手
段が前記ハウジングの他端の近傍に設けられてい
ることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の装
置。
９ 前記通路を郭定するべく、前記ハウジング内
にて互いに間隔をおいて取付けられた複数の壁部
材を有することを特徴とする請求の範囲第１項に
記載の装置。
１０ 前記壁部材のうちの互いに隣接するもの同
士が互いに平行でないことを特徴とする請求の範
囲第９項に記載の装置。
１１ 前記出口手段が、或る長さの出口通路を有
し、かつ前記流体が前記出口の開口から送り出さ
れる前に流体の速度を一定のレベルに安定化させ
るように、前記出口通路が、その全長に亘つて概
ね均一な断面を有することを特徴とする請求の範
囲第１項に記載の装置。
１２ 直線的な経路に沿つて搬送される基板の表
面に沿つて、流体を均一な層流として供給するた
めの方法であつて、 (a) 処理されるべき流体に一連の通路を通過させ
て、該流体が通路を通過するに伴いその流速が
変化するようにすることにより均一な層流を形
成する過程と、 (b) 比較的一定な流速の層流としての前記流体
を、前記基板の少なくとも一部分に亘つて延在
し、かつ前記基板に隣接して配設された長寸の
出口スロツトから、前記基板の表面に向けて送
り出す過程とを含むことを特徴とする方法。
１３ 流体を前記基板の表面に向けて送り出す前
に、前記流体の流れを安定化する過程を含むこと
を特徴とする請求の範囲第１２項に記載の方法。
１４ 過程(a)が、流体の速度を交互に増大及び減
少させる過程を含むことを特徴とする請求の範囲
第１２項に記載の方法。
１５ 過程(a)が、流体が前記通路を通過するに伴
い、前記流体の速度を、交互に第一の流速に増大
させ、かつ第二の流速に減少させる過程を含むこ
とを特徴とする請求の範囲第１２項に記載の方
法。
１６ 過程(a)が、流体が前記通路を通過するに伴
い、流体の速度を順次増大させる過程を含むこと
を特徴とする請求の範囲第１２項に記載の方法。
１７ 過程(a)が、流体の速度を一定速度に安定化
させることにより、一定速度の層流を形成する過
程を含むことを特徴とする請求の範囲第１２項に
記載の方法。
１８ 流体を基板の表面から吸い取るための装置
であつて、 真空源と連通するべく適合された出口手段と、 前記流体を吸い取るために、前記基板の表面に
隣接して配設されるべく適合され、かつ前記基板
に沿つて或る長さに亘つて延在する長寸の開口を
郭定する出口スロツトを有する入口手段と、 前記入口手段及び前記出口手段を互いに接続す
るべく直列接続された一連の通路とを備え、 前記通路がそれぞれ隣接する通路とは異なる断
面積を有する部分を有することにより、これら通
路を通過する流体の速度を変化させることをもつ
て、前記流体が、前記長寸開口の全長に亘つて、
均一に前記表面から吸い取られるようにしてなる
ことを特徴とする装置。
１９ 前記通路を内蔵する空室を郭定する外側ハ
ウジングを有すると共に、前記入口手段が前記ハ
ウジングの一端の近傍に設けられ、かつ前記出口
手段が前記ハウジングの他端の近傍に設けられて
いることを特徴とする請求の範囲第１８項に記載
の装置。
２０ 前記通路を郭定するべく、前記ハウジング
内にて互いに間隔をおいて取付けられた複数の壁
部材を有することを特徴とする請求の範囲第１８
項に記載の装置。
２１ 前記板ガラスの表面から流体を吸い取るた
めの真空装置手段を具備することを特徴とする請
求の範囲第１項に記載の装置。
２２ 前記真空装置手段が、真空源と連通するべ
く適合された出口手段と、前記流体を吸い取るた
めに、前記基板の表面に隣接して配設されるべく
適合されていると共に、前記板ガラスの搬送方向
に対して直交する向きに延在する開口を有する入
口手段と、前記入口手段及び前記出口手段を互い
に接続するべく直列接続された一連の通路とを備
え、前記通路がそれぞれ隣接する通路とは異なる
断面積を有する部分を有することにより、これら
通路を通過する流体の速度を変化させることをも
つて、前記流体が、前記前記板ガラスの表面から
均一に吸い取られるようにしてなることを特徴と
する請求の範囲第２１項に記載の装置。
２３ 前記真空装置手段が、前記出口手段の一側
部に配設された第一の真空手段からなり、かつ、
前記板ガラスから流体を吸い取るに際して前記第
一の真空手段を補助するために前記出口手段の反
対側に配設された第二の真空手段を具備すること
を特徴とする請求の範囲第２１項に記載の装置。
２４ 前記真空装置手段が、第一の真空手段から
なり、かつ、前記第一の真空手段の前記入口手段
が、流体を吸い取るために前記前記出口手段の一
側部に配設されており、更に、当該送給装置が第
二の真空手段を具備し、該第二の真空手段が、真
空源と連通するべく適合された出口手段と、前記
流体を吸い取るために、前記出口手段とは反対の
側の前記基板の表面に隣接して配設されるべく適
合され、かつ前記板ガラスの搬送方向に対して略
直交する向きに延在する開口を有する入口手段
と、前記入口手段及び前記出口手段を互いに接続
するべく直列接続された一連の通路とを備え、前
記通路がそれぞれ隣接する通路とは異なる断面積
を有する部分を有することにより、これら通路を
通過する流体の速度を変化させることをもつて、
前記流体が、前記長寸開口の全長に亘つて、均一
に前記表面から吸い取られるようにしてなること
を特徴とする請求の範囲第２２項に記載の装置。
技術分野 本発明は、流体を平坦な基板の表面に向けて層
流として送り出すための装置及び方法に関し、特
に本発明に基づく装置は、基板の表面に向けてガ
ス状の反応混合物の層流を送り出すことにより、
化学蒸着過程により反応体混合物を基板の表面に
所望の膜として被着するようにして、基板に膜を
塗布するために用いられるものである。
背景技術 基板に膜を塗布する技術としては熱分解的或い
は加水分解的な化学蒸着過程が周知となつてい。
このような過程に用いられる塗布用反応体の物理
的性状は、液体、蒸気、ガス混合体中に分散した
液体または固体、アエロゾル、ガス混合体に分散
した蒸気または蒸気状の塗布用反応体などであつ
て良い。
基板の表面に向けてガス状反応体混合物を送り
出すことにより膜を被着するようにして基板に膜
を塗布するに際して問題となる点の一つは、基板
に沿つて塗膜の厚さを均一に保つことにある。板
ガラスに反射性の金属酸化物の膜を塗布するよう
な場合には、塗膜の厚さが僅かに不均一であつて
も板ガラスの光学的な特性が損われるため、塗膜
の厚さが均一であるという必要性が特に重要とな
る。例えば、金属酸化物の塗膜の厚さに、１イン
チ（25.4mm）の100万分の１の不均一性があつた
場合でも、好ましくない光学的な影響が現われ、
板ガラスの外観を損う。一般に、一定の厚さの塗
膜を形成するためには、ガス状の反応体混合物が
板ガラスの全体に対して均一に添加される必要が
ある。
発明の開示 本発明は、流体を一定の流速の層流として基板
の表面に向けて送り出すための装置及び方法に関
する。本発明に基づく実施例に於いては、ガラス
の表面に向けてガス状の反応体混合物の層流を送
り出すことにより、反応体混合物をガラスの表面
に所望の塗膜として被着するようにして、搬送さ
れるガラスに金属酸化物の膜を塗布するために本
発明の装置が用いられる。この装置は、搬送され
る板ガラスの運動方向に対して左右方向に配設さ
れた長寸の出口ノズルの全長に亘つて、ガス状の
反応体を一定流速をもつて供給することをにより
層流を形成する。
更に詳しくいうと、本発明に基ずく装置は、入
口手段及び出口手段を互いに接続するように直列
接続された複数の個別の通路を備えている。入口
手段は流体の供給源に接続されるべく適合されて
おり、出口手段は、流体を層流として基板の表面
に向けて送り出すために、基板の表面に隣接して
設けられた開口を備えている。個々の通路は、隣
接する通路とは異なる断面積の部分を有してお
り、そのために通路を流れる流体の速度が変化す
る。流体がこのような通路を通過するに伴い、そ
の流速が通路の全体に亘つて均一に分布するよう
になるため、流体は出口手段の開口から所定の速
度で流出し、基板上に層流を形成することが見出
された。
本発明は、流体が個々の通路を通過するに伴い
その流速が変化するような幾つかの実施例を提供
する。或る実施例に於ては、個々の通路が交互す
るように先細及び先太に形成されており、流体が
通路を通過するに伴いその速度が交互に増大しか
つ減少するようにしてある。本発明の別の実施例
に於ては、一連の通路が、均一な第一の断面積を
有する通路と、それよりも小さな均一な第二の断
面積を有する通路とを交互に形成してなるように
して、流体が通路を通過するに伴いその流速が交
互に増大しかつ減少するようにしてある。本発明
の更に別の実施例に於いては、個々の通路が、そ
れぞれ均一な断面積を有する一連の通路からな
り、各通路が先行する通路よりも小さな断面積を
有するようにしてある。この実施例に於ては、流
体は一つの通路から次の通路に移るに従つてその
流速が連続的に増大する。
【図面の簡単な説明】
本発明の上記したような或いは他の利点は、添
付の図面を参照して以下の説明を読むことにより
当業者に自ずと明らかになるものである。
第１図は基板の表面に沿つて一定の流速を有す
る層流としての流体を供給しかつ吸い出すために
用いられる本発明に基づく装置の一実施例を示す
断面図である。
第２図は第１図の２−２線について見た断面図
である。
第３図は本発明に基づく装置の第二の実施例を
示す断面図である。
第４図は本発明に基づく装置の第三の実施例を
示す断面図である。
第５図は、２種のガス状反応体を基板の表面に
向けて送り出すために第１図に示された装置を２
つ互いに隣接して設けてなる本発明の変形実施例
を示している。
発明を実施するための最良の形態 第１図には、平坦な基板１２の上側表面１２ａ
に向けて層流としての流体を送り出すべく適合さ
れた装置１０が図式的に示されている。基板１２
は、ローラ１４により支持され、図示されていな
い搬送手段により、矢印Ｐにより示される向きに
概ね直線的な経路を搬送される。本実施例に於
て、装置１０は、表面１２ａに化学蒸着過程によ
り膜を塗布するために用いられる。流体は、通常
表面１２ａに膜を被着すべく反応するガス状反応
体混合物からなる。例えば、基板は板ガラスであ
つて良く、ガス状の反応体混合物は表面１２ａに
反射性の金属酸化物の膜を形成するように反応す
るものであつて良い。
装置１０は様々な形状をもつて形成し得るが、
装置１０の好ましい形態としては、互いに間隔を
おいて設けられかつ概ね互いに平行をなす側壁１
６，１８、頂板２０、底板２２及び、互いに間隔
をおいて設けられた端壁２４，２６（第２図）を
有する一方向に長い概ね箱型をなすものであると
良く、その内部に概ね密閉された空室２８を郭定
している。
この装置は、頂板２０の軸線方向に沿う一方の
側端部の中央部に設けられた少なくとも１個の入
口３０を有する。入口３０は、流体源３２に接続
され、流体の供給を受ける。場合によつては、流
体を装置１０内に導入するために複数の入口を設
けると良い。また、入口３０は頂板２０の側端部
に設けられることは必ずしも必要でない。例え
ば、側壁１６に入口を設けることもできる。
後記するように、本発明に基づく装置１０は空
室２８内に取付けられた複数の壁部材を有し、こ
れら壁部材は互いに共働して、交互に先太になり
かつ先細になる一連の通路に沿つて液体をガイド
する働きをする。これらの交互に先細、或いは先
太となる通路は、通路の全長に亘つて流体を均等
に分布させる働きをするため、流体を比較的一定
の流速をもつて長寸の出口ノズル３４から流出さ
せ、流体を表面１２ａに沿つて均一な層流として
送出することができる。出口ノズル３４は、幅Ｗ
（第１図）を有し、底板２２の軸線方向に沿う一
方の端部に沿つて距離Ｌ（第２図）に亘つて延在
する長寸のスロツトをなしている。第２図に示さ
れているように、出口ノズル３４は、基板１２の
搬送方向に対して概ね直交する向きに配設されて
いる。
壁部材３６は概ね側室１６，１８と平行をな
し、空室２８内で軸線方向に沿つて延在してい
る。壁部材３６の上端は、頂板２０の下面に取付
けられており、壁部材３６の側端部は端壁２４，
２６の内面に連結されている。壁部材３６は側壁
１６と共働して、下向に延在する入口通路３８を
郭定している。図面に於ては、入口通路３８が概
ね均一な断面を有するものとして示されている
が、３８が先太、或いは先細となるように壁部材
３６の側壁１６に対する位置が定められても良
い。一般に、壁部材３６の下端と底板２２の上面
との間隔（第１図に於けるＡ）は側壁１６と側部
材３５との間隔(B)よりも小さい。このようにし
て、流体が入口通路３８を通過するに伴い、通路
が先細になつていることから、流体が通路４０に
進入するに従つてその流速が増大する。
壁部材４２は、空室２８内で軸線方向に沿つて
延在し、その下端が底板２２の上面に連結され、
その側端部が端壁２４，２６の内面に連結されて
いる。壁部材４２は底板２２に対して概ね直交す
る基準線に対して角度Ｓをなすように空室２８内
の位置が定められている。壁部材４２の下部は壁
部材３６に対して間隔Ｃをおいて位置しており、
この間隔Ｃは一般に距離Ａに等しい。壁部材４２
の上部は、壁部材３６に対して間隔Ｄをおくよう
に位置しており、この間隔Ｄは前記間隔Ｃよりも
大きい。壁部材４２は壁部材３６と共働すること
により、上向きに先太となり、かつ次第に増大す
る断面積を有する通路４４を郭定する。従つて、
流体が通路４０内で先細となりその流速が一旦増
大すると、流体は通路４４内で先太となり、その
流速が減少する。壁部材４２の上端は頂板２０の
下面に対して間隔Ａをおいて位置しており、先細
の通路４６を形成する。流体がこの先細の通路４
６に進入するに従いその流速が増大する。
壁部材４８は空室２８内で軸線方向に沿つて延
在し、その上端が頂板２０の下面に連結され、そ
の側端部が端壁２４，２６の内面に連結されてい
る。壁部材４８は、頂板２０に対して概ね直交す
る基準線に対して角度Ｔをなすように空室２８内
の位置が定められている。一般に、頂板２０は底
板２２に概ね平行をなす。壁部材４８の上部は、
壁部材４２の上端に対して間隔Ｃを有するように
位置が定められ、壁部材４８の下部は、壁部材４
２の下部に対して間隔Ｅをおくようにその位置が
定められている。壁部材４８の下端は、底板２２
の上面に対して間隔Ａを有している。壁部材４８
は壁部材４２と共働して下向きに先太となる通路
５０を郭定し、また底板２２と共働することによ
り先細の通路５２を郭定している。寸法ＣとＥと
の間の比が約１：４となるように角度Ｓ及びＴを
選べば、所望の減速効果を有する先太の通路が形
成されることが見出された。第１図に示された実
施例に於ては、角度Ｓ及びＴはそれぞれ約５度で
ある。
一対の壁部材５４，５６が前記壁部材４２と同
様にして空室２８内に取付けられており、壁部材
５８が前記壁部材４８と同様にして取付けられて
いる。壁部材４８，５４，５６，５８は互いに共
働して更に別の先太の通路６０，６２，６４，６
６を形成すると共に、更に別の先細の通路６８，
７０，７２を形成している。これらの通路は、流
体の流れを交互に減速及び加速するように互いに
共働する。
互いに間隔をおいて設けられた一対の壁部材７
６，７８が、側壁１８に対して概ね平行をなすよ
うに上向きに延在しかつ比較的一定の断面を有す
る出口通路８０と、該通路と概ね同一の比較的一
定な断面を有すると共に下向きに延在する出口通
路８２を郭定している。通路８２の下端部は出口
ノズル３４に於て終息している。一般に、壁部材
７６，７８は互いに距離Ｗをおいて設けられてお
り、壁部材７８と側壁１８との間隔もこれに概ね
等しい。流体が、壁部材５６，７６により郭定さ
れた先太の通路６４から流出するに伴い流体は部
分８３に於て先細となり、出口通路８０に進入す
る。通路８０，８２が一定断面であることは、流
体が出口ノズル３４から流出する時に、流体の速
度がノズル３４の全長に亘つて概ね一定となるよ
うに流体の流れの速度を安定化する働きをする。
一般に出口ノズル３４の幅Ｗは概ね間隔Ａ及びＣ
に等しい。
場合によつては、装置の全長Ｌ（第２図）が比
較的大きければ、壁部材間の間隔を保持するよう
に、壁部材に形成された幾つかの孔に支持ロツド
８４に貫通しておくと良い。また、反応体混合物
が基板に塗布される際の反応時間を制御するため
に、装置の一側部に隣接して長寸の真空装置８８
を設けると良い。真空装置８６は、真空装置８６
に適宜接続された出口８７を有している。真空装
置８６には長寸の入口スロツト９０が設けられて
おり、反応過程の制御をより完全にするために、
出口ノズル３９と真空装置８６との間の領域から
の置換基の吸出しを、制御された状態で行ない得
るようにしてある。第１図に示されるように、真
空装置８６は、装置１０と同様にして構成するこ
とができる。このような構造は、入口スロツト９
０の全長に亘つて均一な真空吸取り効果を生み出
す上で好適であることが見出された。
本発明の最も広い概念は、流体を一連の通路に
沿つてガイドとすると共に、流体がこれらの通路
を通過するに伴い流速に一連の変化を引起こすよ
うに適合された装置を包含するものである。流体
をこのようにして流すことにより、長寸の出口ノ
ズルに於ける流体の流れを均一に分布させ、流体
を一定流速の層流として基板の表面に塗布し得る
ことが見出された。流体を上記したように処理す
ることにより、流体の分子が長寸の出口ノズルの
全長に亘つてより均等に分配され、分子が出口ノ
ズルから互いに概ね平行をなしかつ一定の速度で
運動させることができるものと考えられる。従つ
て、一定流速の層流が形成される訳である。
一般に、流体が長寸のノズルから流出する際の
速度は、流体が入口に供給される際の圧力及び、
装置の全体としての寸法の関数である。流体が出
口から流出する速度は、流体が装置に導入される
際の圧力を調節することにより制御可能であり、
或いは装置の寸法を調節することによつても制御
可能である。
第１図に示された実施例は、流体が一連の通路
を通過するに伴い交互に加速及び減速を行なうよ
うに、交互に先太となりまた先細となる一連の通
路を含むものであつたが、流体が通路を通過する
に伴いその流速に所望の変化をさせるために装置
を異なる態様で構成することができる。例えば、
第３図には、装置１００の別の実施例が示されて
おり、この装置に於ては、互いに間隔をおいて平
行に設けられた内部壁部材により所望の流速変化
を達成している。
第３図に於て、装置１００は外観の点で第１図
の装置１０と同様であつて、互いに間隔をおいて
概ね平行をなす側壁１０２，１０４、頂板１０６
及び底板１０８を有している。装置１００は、壁
部材１１４の側壁１０２とにより郭定される下向
きに延在する入口通路１１２に流体を導入するた
めの入口１１０を有している。壁部材１１４は、
側壁１０２に対して概ね平行をなし、側壁１０２
に対して間隔Ｘを有している。壁部材１１４の下
端は底板１０８の上面に対して間隔Ｙを有してい
る。
壁部材１１６は底板１０８から上向きに延在
し、壁部材１１４に対して概ね平行をなすことに
より、上向きの通路１１８を郭定している。壁部
材１１６は壁部材１１４に対して間隔Ｙを有して
おり、その上端が頂板１０６の下面に対して間隔
Ｙを有している。このようにして、流体は、入口
通路１１２から流出して通路１１８に進入するに
伴い先細となり、その速度が増大する。間隔Ｘと
Ｙとの比を４：１とすると、流体の所望の速度変
化が得られることが見出された。
一対の壁部材１１４ａ，１１４ｂが頂板１０６
から下向きに延在し、一対の壁部材１１６ａ，１
１６ｂ底板１０８から上向きに延在している。こ
れらの壁部材は互いに共働して、通路１１２及び
通路１１８とそれぞれ同様の下向きの低速度通路
及び上向きの高速度通路を形成している。一対の
壁部材１２０ａ，１２０ｂが、第１図の装置１０
の壁部材７６，７８と同様に配設され、出口１２
２から流出する流体を分散させるような幅W1の
幅を有する出口通路を形成している。一般に、こ
の幅W1は、間隔Ｙに概ね等しい。
第４図には本発明の装置１３０の更に別の実施
例が示されており、この装置は、流体が一連の内
部通路を通過するに伴いその流速が所望の変化を
行うようにするために用いられる。装置１３０
は、互いに間隔をおいて平行に設けられた側壁１
３２，１３４、頂板１３６及び底板１３８を備え
ている。入口１４０は、壁部材１４２及び側壁１
３２により形成される下向きの通路１４１に流体
を供給すべく適合されている。壁部材１４２は、
側壁１３２に対して概ね平行をなし、該側壁に対
して間隔A1を有している。壁部材１４２の下端
は、底板１３８の上面に対して間隔B1を有して
いる。壁部材１４６は、底板１３８に取付けられ
ていると共に、壁部材１４２に対して間隔B1を
有していることにより、上向きの通路１４８を郭
定している。壁部材１４６の上端は、頂板１３６
の下面に対して間隔C1を有している。
一対の壁部材１４２ａ，１４２ｂが頂板１３６
から下向きに延在し、底板１３８から上向きに延
在する壁部材１４６ａ，１４６ｂと共働すること
により、一連の上向き及び下向きの通路を郭定し
ている。これらの通路は、入口から出口にかけて
通路の断面が減少するように形成されている。従
つて、第４図に示されたように、寸法A1〜G1は
次第に小さな置となつている。このような構造に
よれば、流体は一つの通路から次の通路に移るに
従つて、その流速が順次増加する。寸法A1〜G1
を、寸法A1と寸法G1との比が約４：１となるよ
うに漸減させることにより好適な結果が得られる
ことが見出された。装置１３０は出口ノズル１５
０から流出する流体を分散させるために、第１図
の装置の出口通路と同様の幅W2を有する出口通
路を形成するような壁部材１４９ａ，１４９ｂを
有している。
２種以上の流体、またはガス反応体を基板の表
面に向けて供給したい場合には、第５図に示され
た構成を用いることができる。この場合、装置１
０と同様の二つの装置１５２，１５４が、それぞ
れ第一の流体源１５６及び第二の流体源１５８か
ら流体の供給を受けるように接続されている。装
置１５２，１５４は、それぞれの出口ノズル１５
２ａ，１５４ａが互いに隣接するように配設され
ている。出口ノズル１５２ａ，１５４ａは、個々
のガス反応体が、基板の表面１２ａに於て交差す
るような経路に向けて開口するように形成されて
いると良い。また、第１図の真空装置８６と同様
の構造を有する一対の真空装置１６０，１６２
が、それぞれ第一の真空源１６４及び第二の真空
源１６６にそれぞれ接続されており、それぞれ基
板１２の表面からの流体の吸出しを制御すべくそ
の位置が定められていると良い。
以上、本発明の原理及び実施の態様を、最も好
適であると考えられる実施例に即して説明した。
しかしながら、本発明を上記した以外の態様で実
施した場合にも、本発明の概念から逸脱するもの
ではないことを了解されたい。
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