JPS5843508A - 量産型成膜装置 - Google Patents

量産型成膜装置

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Publication number
JPS5843508A
JPS5843508A JP56141839A JP14183981A JPS5843508A JP S5843508 A JPS5843508 A JP S5843508A JP 56141839 A JP56141839 A JP 56141839A JP 14183981 A JP14183981 A JP 14183981A JP S5843508 A JPS5843508 A JP S5843508A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrates
side wall
reaction chamber
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56141839A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakazu Ueno
正和 上野
Hiroshi Haruki
春木　弘
Hirobumi Fujisawa
藤沢　博文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPS5843508A publication Critical patent/JPS5843508A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

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  • Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばアモルファスシリコン太陽電池の製造
に用いられるような一つの反応室内で多数の基板上に同
時に薄膜をプラズマＣＶＤ法によって生成する貴ａｍ成
膜装置に関する。
プラズマＣＶＤ法による成膜製置としては、水平に配置
した一方の電極上の基板に平板電極を対向させ、両電１
間に電圧を印加してグロー放電を発生させて反応ガスを
公憤し、基板上に反応ガスの成分の一つの薄膜を生成す
るものが知られている。
しかし、この場合には反応室の白蝋に堆積した副生成−
の縞が剥離し、基板に付着して膜の欠陥になる虞がある
。また多数の基板を一つの反応室内で同時に処理する場
合には、反応室の面積が大きくなり、基板の出し大引に
も制約を受けるので量産装置には適さない。
本発、明は反応室の内壁からの落下物が付着しない゛よ
うに基板蒼鉛直に立っていて、かつ多数の基、板め出し
入れが容易であるような量ａｍ成膜装置を！供すること
な目的とする。
この目的は、反応室内に互に平行して鉛直に固定さ４た
多数の第一の電極と、反応室外に移動できる共通の支持
体に固定され第５−の電極とそれぞれ平行に対向する多
数の第二の電極とを備え、第二の電極にはその電極と第
一の電極との間に電圧を印加する際その上に膜が生成さ
れる基板が着脱可能であることによって達成される。
以下図面を引用して本発明の実施例について説゛　明す
る。図は反応室の一部の上から見た断面図で、反応室の
一方の帽１には互に平行な複数の電極２が互に絶縁して
等間隔の鉛直面内にあるように固定されている。隣接す
る電極２の中央にヒータを内蔵した熱電極３が配置され
る。熱電極３の両面には基板４を取り付けることができ
る。この熱、電極３は側壁１に対向する側壁５に互に絶
縁して固定さ負ている。即ち儒１１５は、本発明におけ
る共通の支持体としての機能を持つ。この側ｌ１ｌＩｓ
は反応室から矢印Ｐ１の方向に取り外１ことができるよ
うになっており、基１［４の取付け、取外しは反応室外
で行うことができ作業容品である。電極２および熱電Ｉ
ｉ３はそれぞ４共通接続導体６．７を介して高周波電源
８Ｋｍｉ続され、こわによって側１１５を反応室に取り
付けた際等間隔になる電極２゜３間にグー−放電が発生
し、ガス導入口９から供給された反応ガス、−えばシ；
、ランが分解して基板４の上にアルモル７アスシＩＪ：
□１、ジンの薄膜が形成される。この鳩舎電極′２と基
ｉ：酬との間にジグザグのガス流路が形成されるので、
この、流路な流れる反応ガスは各基板４に一様に接触し
、均一な膜を生成する。
ているので接続導体７はすべて反応意外にあり、構造が
簡単である。しかし熱電極ｓｔ金属支持体に支持させ、
この支持体を閉鎖可能な反応室の開口部から出し入ｔｌ
″するようにしてもよい。また反応室の撞あるいは支持
体に支持させた熱電極を反応室の側方より出し入わしな
いで、反応室の上方より出し入れするようにしてもよい
。
以上述べたように本発明は膜が形成される基板を取付け
る多数の電極を一つの支持体に支持させ、この支持体を
反応室に出し入れ可能にすることによって基板の取付け
、取外しを容易にすｔ、るものであり１例えばアモルフ
ァスシリコン太陽電池の量産に際して高い生産効率を得
るのに極めて有効である。　　　　）５
【図面の簡単な説明】
図は本発明、、；ｌｙｅ実施例の部分断面−である。 １・・・反応室側壁、２・・・電極、３・・・熱電１．
４・・・基板、５・・・反応室側壁（共通の支持体）、
８・・・高周波電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｌ）反応室内に互に平行して鉛直に固定された多数の第
    一の電極と、反応室外に移動できる共通の支持体に固定
    さね第一の電極とそわぞガ対向する多数の第二の電極と
    を備え、第二の電極には該電極と第一の電極との間に電
    圧を印−した際その上に膜が生成される基板が着脱可能
    であることを艷黴とする量＊蓋成績装置。
JP56141839A 1981-09-09 1981-09-09 量産型成膜装置 Pending JPS5843508A (ja)

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Cited By (4)

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JPS60502259A (ja) * 1983-09-26 1985-12-26 リビ−−オ−ウェンズ−フォ−ド・カンパニ− 膜を塗布するための方法及び装置
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US8292021B2 (en) 2008-07-07 2012-10-23 Honda Motor Co., Ltd. Muffler assembly and pseudo muffler assembly for a motorcycle, and motorcycle incorporating the same

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JPS53112066A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Fujitsu Ltd Plasma treatment apparatus

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