JPH0461077B2 - - Google Patents
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- JPH0461077B2 JPH0461077B2 JP1224980A JP22498089A JPH0461077B2 JP H0461077 B2 JPH0461077 B2 JP H0461077B2 JP 1224980 A JP1224980 A JP 1224980A JP 22498089 A JP22498089 A JP 22498089A JP H0461077 B2 JPH0461077 B2 JP H0461077B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film forming
- thin film
- atomizer
- chamber
- Prior art date
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- Expired
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、霧化した原料溶液を加熱した基板の
成膜面に吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に
関する。
成膜面に吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に
関する。
［従来の技術］
従来、この種の薄膜形成法及びその装置は、例
えば特開昭61−69962号等に示される様に、予め
調合した原料溶液を霧化器（アトマイザ）により
噴霧し、薄膜を形成する基板の表面に接触させて
薄膜を形成する。
えば特開昭61−69962号等に示される様に、予め
調合した原料溶液を霧化器（アトマイザ）により
噴霧し、薄膜を形成する基板の表面に接触させて
薄膜を形成する。
これを第５図により説明すると、薄膜を形成さ
せるために予め調合した原料溶液を霧化する霧化
器１が備えられ、この霧化器１の上方には上に向
けて上記原料溶液の霧を放出するノズル３が設け
られ、このノズル３は、成膜室４に向けて開口し
ており、さらにこの成膜室４には排気ダクト５が
接続されている。霧化器１は、霧箱の中に噴霧器
２を設置したもので、ここで発生した原料溶液の
霧のうち、比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜
用ノズル３から成膜室４に放出する。さらに、成
膜室４に放出された霧は、同室４を通つて排気ダ
クト５から排出される。
せるために予め調合した原料溶液を霧化する霧化
器１が備えられ、この霧化器１の上方には上に向
けて上記原料溶液の霧を放出するノズル３が設け
られ、このノズル３は、成膜室４に向けて開口し
ており、さらにこの成膜室４には排気ダクト５が
接続されている。霧化器１は、霧箱の中に噴霧器
２を設置したもので、ここで発生した原料溶液の
霧のうち、比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜
用ノズル３から成膜室４に放出する。さらに、成
膜室４に放出された霧は、同室４を通つて排気ダ
クト５から排出される。
上記成膜室４の内部に、表面に薄膜を形成する
基板６が一列に配列され、これが予熱室１２から
成膜室４を経て基板排出口１３へと一定の速度で
移動される。またこの間、基板６は、その背面に
設けられたヒータ９によつて加熱される。霧状の
原料溶液が上記成膜室４を通過する過程で、加熱
された上記基板６の表面に接触すると、そこで溶
液中の原料が大気中の酸素或は原料溶液中の水分
と反応し、上記基板６の表面上に酸化物の薄膜が
形成される。
基板６が一列に配列され、これが予熱室１２から
成膜室４を経て基板排出口１３へと一定の速度で
移動される。またこの間、基板６は、その背面に
設けられたヒータ９によつて加熱される。霧状の
原料溶液が上記成膜室４を通過する過程で、加熱
された上記基板６の表面に接触すると、そこで溶
液中の原料が大気中の酸素或は原料溶液中の水分
と反応し、上記基板６の表面上に酸化物の薄膜が
形成される。
［発明が解決しようとする課題］
上記の従来の薄膜形成装置では、上記基板６の
両側が成膜質４の側壁に保持され、案内されてい
たが、この側壁の間隔は成膜しようとする基板６
の幅に合わせて設定されている。このため、幅の
異なる基板に薄膜を形成しようとするときは、側
壁の間隔の異なる成膜室４を有する成膜装置を別
に用意しなければならないという問題があつた。
両側が成膜質４の側壁に保持され、案内されてい
たが、この側壁の間隔は成膜しようとする基板６
の幅に合わせて設定されている。このため、幅の
異なる基板に薄膜を形成しようとするときは、側
壁の間隔の異なる成膜室４を有する成膜装置を別
に用意しなければならないという問題があつた。
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑み、
同じ装置を用いて幅の異なる基板にも薄膜の形成
が可能な薄膜形成装置を提供することにある。
同じ装置を用いて幅の異なる基板にも薄膜の形成
が可能な薄膜形成装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
すなわち、上記の目的を達成するため、本発明
において採用した手段の要旨は、薄膜作製用原料
溶液を霧化する霧化器１と、上記霧化器１から発
生した霧状の原料溶液が上記霧化器１のノズル３
から導入されて排出するまでの間に延長形成され
た成膜室４と、薄膜を形成する基板６の成膜面
が、上記成形膜室４の天面を形成するよう、前記
基板６を供給する手段と、上記基板６の成膜面を
所定の温度に加熱するヒータ９とを備える薄膜形
成装置において、上記基板６の両側辺を保持する
ガイド部材１４，１４′，１４″，１５を有し、ガ
イド部材１４，１４′，１４″，１５の互いに対向
する側面に形成された基板６の側辺を保持する保
持部２１，２１′，２１″，２２の少なくとも何れ
か一方が基板６の幅方向に移設自在となつている
薄膜形成装置である。
において採用した手段の要旨は、薄膜作製用原料
溶液を霧化する霧化器１と、上記霧化器１から発
生した霧状の原料溶液が上記霧化器１のノズル３
から導入されて排出するまでの間に延長形成され
た成膜室４と、薄膜を形成する基板６の成膜面
が、上記成形膜室４の天面を形成するよう、前記
基板６を供給する手段と、上記基板６の成膜面を
所定の温度に加熱するヒータ９とを備える薄膜形
成装置において、上記基板６の両側辺を保持する
ガイド部材１４，１４′，１４″，１５を有し、ガ
イド部材１４，１４′，１４″，１５の互いに対向
する側面に形成された基板６の側辺を保持する保
持部２１，２１′，２１″，２２の少なくとも何れ
か一方が基板６の幅方向に移設自在となつている
薄膜形成装置である。
［作用］
上記本発明による薄膜形成装置では、基板６の
両側辺を保持し、案内するガイド部材１４、１５
の対向する側面の保持部２１が基板６の幅方向に
移設自在となつているため、成膜室４の幅を変え
ることができると共に、基板６を保持する両側辺
の間隔、つまり基板６の幅を変えることができ
る。これにより、任意の幅の基板６を保持し、案
内しながら、その表面に薄膜を形成することがで
きるようになる。
両側辺を保持し、案内するガイド部材１４、１５
の対向する側面の保持部２１が基板６の幅方向に
移設自在となつているため、成膜室４の幅を変え
ることができると共に、基板６を保持する両側辺
の間隔、つまり基板６の幅を変えることができ
る。これにより、任意の幅の基板６を保持し、案
内しながら、その表面に薄膜を形成することがで
きるようになる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について、添付の図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
薄膜形成装置は、第１図に示されたように、原
料溶液を霧化する霧化器１を備え、この霧化器１
の上方に霧化された原料溶液を放出するノズル３
が上に向けて設けられ、このノズル３の上に成膜
室４が設けられている。さらに、上記成膜室４の
先（図中、右側）に排気ダクト５が設けられ、こ
れによつて、上記霧化器１から供給された霧状の
原料溶液が、ノズル３から上記成膜室４に導か
れ、同成膜室４内を通過し、排気ダクト５から排
出される。
料溶液を霧化する霧化器１を備え、この霧化器１
の上方に霧化された原料溶液を放出するノズル３
が上に向けて設けられ、このノズル３の上に成膜
室４が設けられている。さらに、上記成膜室４の
先（図中、右側）に排気ダクト５が設けられ、こ
れによつて、上記霧化器１から供給された霧状の
原料溶液が、ノズル３から上記成膜室４に導か
れ、同成膜室４内を通過し、排気ダクト５から排
出される。
同図において、１０は、上記成膜室４を予熱室
１２と仕切るための仕切部材、１１は、成膜室４
を基板搬出室１３と仕切ると共に、成膜室４から
排気ダクト５へと霧の流れを案内するための排気
ガイドである。
１２と仕切るための仕切部材、１１は、成膜室４
を基板搬出室１３と仕切ると共に、成膜室４から
排気ダクト５へと霧の流れを案内するための排気
ガイドである。
第２図の断面図にも示されるように、成膜室４
は、炉床７とその両側に起立したガイド部材１
４，１５により各々底面と両側面が閉じられた連
続するトンネル状の通路となつている。さらにガ
イド部材１４，１５の対向する側面には、基板６
の両側辺を保持する顎状の保持部２１，２２が設
けられ、これに保持された基板６の下面が上記成
膜室４の天面を形成する。そして、この基板６
は、第２図のおいて手前から奥へ（第１図におい
て左から右へ）一列に配列され、同方向に一定の
速度で移動される。上記基板６の上には、予熱室
１２、成膜室４及び基板搬出室１３にわたつて均
熱板８を介してヒータ９が設けられ、上記基板６
を所定の温度に加熱する。
は、炉床７とその両側に起立したガイド部材１
４，１５により各々底面と両側面が閉じられた連
続するトンネル状の通路となつている。さらにガ
イド部材１４，１５の対向する側面には、基板６
の両側辺を保持する顎状の保持部２１，２２が設
けられ、これに保持された基板６の下面が上記成
膜室４の天面を形成する。そして、この基板６
は、第２図のおいて手前から奥へ（第１図におい
て左から右へ）一列に配列され、同方向に一定の
速度で移動される。上記基板６の上には、予熱室
１２、成膜室４及び基板搬出室１３にわたつて均
熱板８を介してヒータ９が設けられ、上記基板６
を所定の温度に加熱する。
上記ガイド部材１４，１５の具体例が第２図と
第３図に示されている。同図に示されたように、
炉床７の両側に基板６が搬送される方向に沿つて
ガイドレール１８，１８が形成されている。ま
た、炉床７の底面には、二段に深くなつた溝１７
が設けられている。この炉床板１６を取り除く
と、溝１７の深い部分にガイドレール部材１９を
嵌め込むことができ、このガイドレール部材１９
の上面には、上記ガイド部材１４のガイドレール
１８と同様のガイドレール２０が形成されてい
る。
第３図に示されている。同図に示されたように、
炉床７の両側に基板６が搬送される方向に沿つて
ガイドレール１８，１８が形成されている。ま
た、炉床７の底面には、二段に深くなつた溝１７
が設けられている。この炉床板１６を取り除く
と、溝１７の深い部分にガイドレール部材１９を
嵌め込むことができ、このガイドレール部材１９
の上面には、上記ガイド部材１４のガイドレール
１８と同様のガイドレール２０が形成されてい
る。
いま、第２図ａ、第３図ａで示すように、炉床
７の両側に設けられたガイドレール１８，１８に
ガイド部材１４，１５を嵌め込んで立設した場
合、これらガイド部材１４，１５の間に比較的幅
の広い基板６が保持できる。このとき、炉床７の
上面に形成された溝１７の浅い部分には、炉床板
１６を嵌め込み、炉床７の上面を平坦とし、かつ
それを所定の高さに維持する。
７の両側に設けられたガイドレール１８，１８に
ガイド部材１４，１５を嵌め込んで立設した場
合、これらガイド部材１４，１５の間に比較的幅
の広い基板６が保持できる。このとき、炉床７の
上面に形成された溝１７の浅い部分には、炉床板
１６を嵌め込み、炉床７の上面を平坦とし、かつ
それを所定の高さに維持する。
他方、第２図ｂ、第３ｂで示すように、上記炉
床板１６を取り除き、溝１７の深い部分にガイド
レール部材１９を嵌め込んで、このガイドレール
２０にガイド部材１４を移設して嵌め込むことに
より、ガイド部材１４，１５の間隔を上記の場合
に比べて狭めることができ、これらの間により幅
の狭い基板６が保持できる。このとき、ガイドレ
ール部材１９とガイド部材１５との間の溝１７の
浅い部分には、上記炉床板１６と同じ高さでかつ
幅の狭い炉床板１６′を嵌め込んでおく。これに
より、炉床７の上面を上記第２図ａとｂの場合と
同じ高さにすることができる。
床板１６を取り除き、溝１７の深い部分にガイド
レール部材１９を嵌め込んで、このガイドレール
２０にガイド部材１４を移設して嵌め込むことに
より、ガイド部材１４，１５の間隔を上記の場合
に比べて狭めることができ、これらの間により幅
の狭い基板６が保持できる。このとき、ガイドレ
ール部材１９とガイド部材１５との間の溝１７の
浅い部分には、上記炉床板１６と同じ高さでかつ
幅の狭い炉床板１６′を嵌め込んでおく。これに
より、炉床７の上面を上記第２図ａとｂの場合と
同じ高さにすることができる。
第３図は、成膜室４の成膜用ノズル３の吐出口
が開口する部分の断面図を示すが、同図ｂで示す
ように、成膜する基板６の幅を狭くしたとき、そ
の分成膜用ノズル３の霧の通路を狭くするため、
幅調整部材２３を成膜用ノズル３の片側に挿入し
ている。
が開口する部分の断面図を示すが、同図ｂで示す
ように、成膜する基板６の幅を狭くしたとき、そ
の分成膜用ノズル３の霧の通路を狭くするため、
幅調整部材２３を成膜用ノズル３の片側に挿入し
ている。
次に第４図で示す実施例について説明すると、
この実施例では、ガイド部材１５を移動させるの
ではなく、これを交換するか、或は別のガイド部
材１４″を追加して幅の狭い基板６を保持し、案
内することができるようにしている。すなわち、
同図ｂでは、第４図ａで示す左側のガイド部材１
５に代えて、幅の広いガイド部材１４′をガイド
レール１８に嵌め込み、その分ガイド部材１４′，
１５の対向する保持部２１′，２２の間隔を狭く
している。さらに、同図ｃでは、第４図ａで示す
左側のガイド部材１５に加えて、この内側に別の
ガイド部材１４″を嵌め込み、その分対向する保
持部２１″，２２の間隔を狭くしている。
この実施例では、ガイド部材１５を移動させるの
ではなく、これを交換するか、或は別のガイド部
材１４″を追加して幅の狭い基板６を保持し、案
内することができるようにしている。すなわち、
同図ｂでは、第４図ａで示す左側のガイド部材１
５に代えて、幅の広いガイド部材１４′をガイド
レール１８に嵌め込み、その分ガイド部材１４′，
１５の対向する保持部２１′，２２の間隔を狭く
している。さらに、同図ｃでは、第４図ａで示す
左側のガイド部材１５に加えて、この内側に別の
ガイド部材１４″を嵌め込み、その分対向する保
持部２１″，２２の間隔を狭くしている。
なお、上記の実施例では、何れも片側のガイド
部材１４，１４′，１４″の保持部２１，２１′，
２１″のみを移設できるようにしてあるが、双方
のガイド部材１４，１５をそのように構成しても
よいことはもちろんである。
部材１４，１４′，１４″の保持部２１，２１′，
２１″のみを移設できるようにしてあるが、双方
のガイド部材１４，１５をそのように構成しても
よいことはもちろんである。
［発明の効果］
以上説明した通り、本発明によれば、幅の異な
る基板を保持し、案内できるため、幅の違う基板
毎に別の薄膜形成装置を用意する必要がなくな
り、設備の効率的な運転が可能となる。
る基板を保持し、案内できるため、幅の違う基板
毎に別の薄膜形成装置を用意する必要がなくな
り、設備の効率的な運転が可能となる。
第１図は、本発明の実施例の霧化薄膜形成装置
の概要を示す縦断側面図、第２図ａ，ｂは、本発
明の実施例を示す第１図のＡ−Ａ線部分の断面
図、第３図ａ，ｂは、同実施例における第１図の
Ｂ−Ｂ線部分の断面図、第４図ａ〜ｃは、他の実
施例を示す第１図のＡ−Ａ線部分の断面図、第５
図は、従来の霧化薄膜形成装置の概要を示す縦断
側面図である。 １……霧化器、３……ノズル、４……成膜室、
５……排気ダクト、６……基板、９……ヒータ、
１４，１４′，１４″，１５……ガイド部材、２
１，２１′，２１″，２２……ガイド部材の保持
部。
の概要を示す縦断側面図、第２図ａ，ｂは、本発
明の実施例を示す第１図のＡ−Ａ線部分の断面
図、第３図ａ，ｂは、同実施例における第１図の
Ｂ−Ｂ線部分の断面図、第４図ａ〜ｃは、他の実
施例を示す第１図のＡ−Ａ線部分の断面図、第５
図は、従来の霧化薄膜形成装置の概要を示す縦断
側面図である。 １……霧化器、３……ノズル、４……成膜室、
５……排気ダクト、６……基板、９……ヒータ、
１４，１４′，１４″，１５……ガイド部材、２
１，２１′，２１″，２２……ガイド部材の保持
部。
Claims (1)
- １ 薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、
上記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記
霧化器１のノズル３から導入されて排出されるま
での間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形成
する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成
するよう、前記基板６を供給する手段と、上記基
板６を加熱するヒータ９とを備える薄膜形成装置
において、上記基板６の両側辺を保持するガイド
部材１４，１４′，１４″，１５を有し、ガイド部
材１４，１４′，１４″，１５の互いに対向する側
面に形成された基板６の側辺を保持する保持部２
１，２１′，２１″，２２の少なくとも何れか一方
が基板６の幅方向に移設自在となつていることを
特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224980A JPH0390578A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
| DE69010595T DE69010595T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-08-22 | Vorrichtung zur Bildung einer dünnen Schicht. |
| EP90116073A EP0415252B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-22 | Thin film forming apparatus |
| AU61292/90A AU618684B2 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-23 | Thin film forming apparatus |
| US07/573,240 US5086727A (en) | 1989-08-31 | 1990-08-24 | Thin film forming apparatus having adjustable guide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224980A JPH0390578A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0390578A JPH0390578A (ja) | 1991-04-16 |
| JPH0461077B2 true JPH0461077B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=16822217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1224980A Granted JPH0390578A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5086727A (ja) |
| EP (1) | EP0415252B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0390578A (ja) |
| AU (1) | AU618684B2 (ja) |
| DE (1) | DE69010595T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE468240B (sv) * | 1991-12-23 | 1992-11-30 | Kamyr Ab | Saett och cyklonanordning foer att motverka skumbildning |
| DE19600985A1 (de) * | 1996-01-12 | 1997-07-17 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3881209A (en) * | 1973-08-24 | 1975-05-06 | Frederick Reinitz | Device for cleaning ceiling tile |
| JPS57143227U (ja) * | 1981-02-26 | 1982-09-08 | ||
| GB2143518B (en) * | 1983-05-13 | 1986-10-22 | Glaverbel | Thermal conditioning of hot glass ribbon prior to coating with metal or metal oxide |
| JPS6169962A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置 |
| JPS6169961A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置用ノズル |
| JPS6316068A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成用噴霧装置 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1224980A patent/JPH0390578A/ja active Granted
-
1990
- 1990-08-22 DE DE69010595T patent/DE69010595T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-22 EP EP90116073A patent/EP0415252B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-23 AU AU61292/90A patent/AU618684B2/en not_active Ceased
- 1990-08-24 US US07/573,240 patent/US5086727A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0415252B1 (en) | 1994-07-13 |
| EP0415252A3 (en) | 1991-09-18 |
| DE69010595T2 (de) | 1994-12-01 |
| DE69010595D1 (de) | 1994-08-18 |
| JPH0390578A (ja) | 1991-04-16 |
| AU6129290A (en) | 1991-03-07 |
| AU618684B2 (en) | 1992-01-02 |
| US5086727A (en) | 1992-02-11 |
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