JPH0582487A - エツチングマスクの形成方法 - Google Patents
エツチングマスクの形成方法Info
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- JPH0582487A JPH0582487A JP27003991A JP27003991A JPH0582487A JP H0582487 A JPH0582487 A JP H0582487A JP 27003991 A JP27003991 A JP 27003991A JP 27003991 A JP27003991 A JP 27003991A JP H0582487 A JPH0582487 A JP H0582487A
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- etching mask
- hole
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- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、コンタクトホール用のエッチング
マスクに形成するスルーホール径を小さくすることで、
チップ面積の縮小化を図る。 【構成】 第１の工程で、基板１１上の被エッチング層
１２に、スルーホール２１の側壁の一方側２２を形成す
る第１のエッチングマスク１７を設け、その後第２の工
程で、被エッチング層１２上に、第１のエッチングマス
ク１７の一部分にオーバラップする状態にして、スルー
ホール２１の側壁の他方側２３を形成する第２のエッチ
ングマスク１９を設ける。
マスクに形成するスルーホール径を小さくすることで、
チップ面積の縮小化を図る。 【構成】 第１の工程で、基板１１上の被エッチング層
１２に、スルーホール２１の側壁の一方側２２を形成す
る第１のエッチングマスク１７を設け、その後第２の工
程で、被エッチング層１２上に、第１のエッチングマス
ク１７の一部分にオーバラップする状態にして、スルー
ホール２１の側壁の他方側２３を形成する第２のエッチ
ングマスク１９を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクトホールを形
成するためのエッチングマスクの形成方法に関するもの
である。
成するためのエッチングマスクの形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】素子の高集積化によって、コンタクトホ
ールの径の微細化が要求されている。特にコンタクト抵
抗が大きな問題にならないスタティックＲＡＭやダイナ
ミックＲＡＭ等のメモリセル内のコンタクトホールは、
配線の接続ができればその径の大きさは問われない。こ
のため、メモリセル内のコンタクトホールは、微細化が
可能になる。サブミクロン以下の大きさの微細なコンタ
クトホールを形成するには、コンタクトホールと同等の
大きさのスルーホールを有するエッチングマスクに形成
する必要がある。
ールの径の微細化が要求されている。特にコンタクト抵
抗が大きな問題にならないスタティックＲＡＭやダイナ
ミックＲＡＭ等のメモリセル内のコンタクトホールは、
配線の接続ができればその径の大きさは問われない。こ
のため、メモリセル内のコンタクトホールは、微細化が
可能になる。サブミクロン以下の大きさの微細なコンタ
クトホールを形成するには、コンタクトホールと同等の
大きさのスルーホールを有するエッチングマスクに形成
する必要がある。
【０００３】その方法の一つに位相シフト法がある。位
相シフト法には、例えば補助パターン方式，エッジ強調
方式，シフター遮光方式等がある〔日経マイクロデバイ
ス，７１〔５〕（１９９１）日経ＢＰ社 ｐ．５２−５
８参照〕。いずれの方式も、露光するときに用いるフォ
トマスクに、露光の位相を変えるシフターを設けてマス
クパターンを形成する。上記フォトマスクを透過する光
はシフターにより位相が例えば１８０°変えられる。そ
してフォトマスクを透過した光を干渉させることによ
り、エッチングマスクになるレジスト膜上に明部と暗部
とを生じさせて、レジスト膜を露光する。次いで上記露
光したレジスト膜を現像して、当該レジスト膜に微細な
径（露光波長がｇ線の場合には径が０．４５μｍ程度）
のスルーホールを設け、コンタクトホール用のエッチン
グマスクを形成する。
相シフト法には、例えば補助パターン方式，エッジ強調
方式，シフター遮光方式等がある〔日経マイクロデバイ
ス，７１〔５〕（１９９１）日経ＢＰ社 ｐ．５２−５
８参照〕。いずれの方式も、露光するときに用いるフォ
トマスクに、露光の位相を変えるシフターを設けてマス
クパターンを形成する。上記フォトマスクを透過する光
はシフターにより位相が例えば１８０°変えられる。そ
してフォトマスクを透過した光を干渉させることによ
り、エッチングマスクになるレジスト膜上に明部と暗部
とを生じさせて、レジスト膜を露光する。次いで上記露
光したレジスト膜を現像して、当該レジスト膜に微細な
径（露光波長がｇ線の場合には径が０．４５μｍ程度）
のスルーホールを設け、コンタクトホール用のエッチン
グマスクを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記位
相シフト法では、ｇ線を用いた露光で径が０．４５μｍ
程度（またはｉ線を用いた露光で径が０．３５μｍ程
度）のコンタクトホールしか形成できない。この結果、
コンタクトホールの微細化ができないので、メモリセル
の面積が大きくなる。したがって、メモリセルを高集積
化したデバイスでは、チップ面積が大きくなる。このた
め、一枚のフォトマスクに形成できるチップ数が少なく
なるので、製造プロセスにおける、例えばステッパによ
る感光工程のスループットが低下する。また一枚のウエ
ハ当たりの取得チップ数が少なくなるので、歩留りが低
下する。
相シフト法では、ｇ線を用いた露光で径が０．４５μｍ
程度（またはｉ線を用いた露光で径が０．３５μｍ程
度）のコンタクトホールしか形成できない。この結果、
コンタクトホールの微細化ができないので、メモリセル
の面積が大きくなる。したがって、メモリセルを高集積
化したデバイスでは、チップ面積が大きくなる。このた
め、一枚のフォトマスクに形成できるチップ数が少なく
なるので、製造プロセスにおける、例えばステッパによ
る感光工程のスループットが低下する。また一枚のウエ
ハ当たりの取得チップ数が少なくなるので、歩留りが低
下する。
【０００５】本発明は、微細なコンタクトホールの形成
を可能にするエッチングマスクの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
を可能にするエッチングマスクの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたエッチングマスクの形成方法であ
る。すなわち、第１の工程で、基板上の被エッチング層
上に、スルーホールの側壁の一方側を形成する第１のエ
ッチングマスクを設け、その後第２の工程で、被エッチ
ング層上に、第１のエッチングマスクの一部分にオーバ
ラップする状態にして、スルーホールの側壁の他方側を
形成する第２のエッチングマスクを設ける。
成するためになされたエッチングマスクの形成方法であ
る。すなわち、第１の工程で、基板上の被エッチング層
上に、スルーホールの側壁の一方側を形成する第１のエ
ッチングマスクを設け、その後第２の工程で、被エッチ
ング層上に、第１のエッチングマスクの一部分にオーバ
ラップする状態にして、スルーホールの側壁の他方側を
形成する第２のエッチングマスクを設ける。
【０００７】
【作用】上記エッチングマスクの形成方法では、スルー
ホールの側壁の一方側を形成する第１のエッチングマス
クを設けた後、スルーホールの側壁の他方側を形成する
第２のエッチングマスクを設けてスルーホールを形成し
たことにより、形成されるスルーホールの径は、第１の
エッチングマスクと第２のエッチングマスクとの重ね合
わせ精度によって決定される。この重ね合わせ精度は、
通常設計ルールのおよそ１／３になるので、例えば設計
ルールが０．５μｍの場合には、エッチングマスクにお
よそ０．１５μｍの径のスルーホールが形成される。し
たがって、このエッチングマスクを用いて被エッチング
層を異方性エッチングした場合には、被エッチング層に
０．１５μｍ程度の微細な径のコンタクトホールが形成
される。
ホールの側壁の一方側を形成する第１のエッチングマス
クを設けた後、スルーホールの側壁の他方側を形成する
第２のエッチングマスクを設けてスルーホールを形成し
たことにより、形成されるスルーホールの径は、第１の
エッチングマスクと第２のエッチングマスクとの重ね合
わせ精度によって決定される。この重ね合わせ精度は、
通常設計ルールのおよそ１／３になるので、例えば設計
ルールが０．５μｍの場合には、エッチングマスクにお
よそ０．１５μｍの径のスルーホールが形成される。し
たがって、このエッチングマスクを用いて被エッチング
層を異方性エッチングした場合には、被エッチング層に
０．１５μｍ程度の微細な径のコンタクトホールが形成
される。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図１に示す形成工程図によ
り説明する。図では、左側にレイアウト図を示し、右側
に当該レイアウト図中のスルーホール形成部分の断面図
を示す。
り説明する。図では、左側にレイアウト図を示し、右側
に当該レイアウト図中のスルーホール形成部分の断面図
を示す。
【０００９】図に示すように第１の工程で、基板１１の
上面に成膜されている被エッチング層１２〔例えば酸化
シリコン（ＳｉＯ2 ）層よりなる〕の上面に、例えば化
学的気相成長法によって、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
層１３を形成する。次いで例えば回転塗布法によって、
Ｓｉ3 Ｎ4 層１３の上面にレジスト膜１４を成膜する。
その後通常の感光・現像工程を行って、レジスト膜１４
の２点鎖線で示す部分を除去し、Ｓｉ3 Ｎ4 層用エッチ
ングマスク１５を形成する。このＳｉ3 Ｎ4 層用エッチ
ングマスク１５の側壁１６の一部は、エッチングによっ
て、後述するスルーホール２１の側壁の一方側２２と同
様の形状に形成される。その形状は、例えばＬ字形状に
形成される。続いて上記Ｓｉ3 Ｎ4 層用エッチングマス
ク１５を用いて、例えば異方性ドライエッチングによっ
て、Ｓｉ3 Ｎ4 層１３の１点鎖線で示す部分を除去し、
第１のエッチングマスク１７を形成する。したがって、
第１のエッチングマスク１７の側壁の一部は、Ｌ字形状
に形成され、スルーホール２１の側壁の一方側２２を構
成する。
上面に成膜されている被エッチング層１２〔例えば酸化
シリコン（ＳｉＯ2 ）層よりなる〕の上面に、例えば化
学的気相成長法によって、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
層１３を形成する。次いで例えば回転塗布法によって、
Ｓｉ3 Ｎ4 層１３の上面にレジスト膜１４を成膜する。
その後通常の感光・現像工程を行って、レジスト膜１４
の２点鎖線で示す部分を除去し、Ｓｉ3 Ｎ4 層用エッチ
ングマスク１５を形成する。このＳｉ3 Ｎ4 層用エッチ
ングマスク１５の側壁１６の一部は、エッチングによっ
て、後述するスルーホール２１の側壁の一方側２２と同
様の形状に形成される。その形状は、例えばＬ字形状に
形成される。続いて上記Ｓｉ3 Ｎ4 層用エッチングマス
ク１５を用いて、例えば異方性ドライエッチングによっ
て、Ｓｉ3 Ｎ4 層１３の１点鎖線で示す部分を除去し、
第１のエッチングマスク１７を形成する。したがって、
第１のエッチングマスク１７の側壁の一部は、Ｌ字形状
に形成され、スルーホール２１の側壁の一方側２２を構
成する。
【００１０】その後、例えばアッシャー処理により、Ｓ
ｉ3 Ｎ4層用エッチングマスク１５を除去する。次に図
に示すように第２の工程で、例えば回転塗布法によっ
て、上記第１のエッチングマスク１７側の全面を覆う状
態に、レジスト膜１８を上記被エッチング層１２上に形
成する。次いで通常のホトリソグラフィーによって、上
記レジスト膜１８の２点鎖線で示す部分を除去して、第
１のエッチングマスク１７の一部分にオーバラップする
状態の第２のエッチングマスク１９を形成する。この第
２のエッチングマスク１９の側壁の一部は、スルーホー
ル２１の側壁の他方側２３を構成する。この側壁の他方
側２３は、例えば逆Ｌ字形状に形成される。したがっ
て、第１のエッチングマスク１７のＬ字形状に形成した
部分（スルーホールの側壁の一方側２２に対応する部
分）と第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状に形成
した部分（スルーホールの側壁の他方側２３に対応する
部分）とによってスルーホール２１が形成される。上記
の如くして、スルーホール２１を有するコンタクトホー
ル用エッチングマスク１０が完成する。
ｉ3 Ｎ4層用エッチングマスク１５を除去する。次に図
に示すように第２の工程で、例えば回転塗布法によっ
て、上記第１のエッチングマスク１７側の全面を覆う状
態に、レジスト膜１８を上記被エッチング層１２上に形
成する。次いで通常のホトリソグラフィーによって、上
記レジスト膜１８の２点鎖線で示す部分を除去して、第
１のエッチングマスク１７の一部分にオーバラップする
状態の第２のエッチングマスク１９を形成する。この第
２のエッチングマスク１９の側壁の一部は、スルーホー
ル２１の側壁の他方側２３を構成する。この側壁の他方
側２３は、例えば逆Ｌ字形状に形成される。したがっ
て、第１のエッチングマスク１７のＬ字形状に形成した
部分（スルーホールの側壁の一方側２２に対応する部
分）と第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状に形成
した部分（スルーホールの側壁の他方側２３に対応する
部分）とによってスルーホール２１が形成される。上記
の如くして、スルーホール２１を有するコンタクトホー
ル用エッチングマスク１０が完成する。
【００１１】なお上記説明では、第１のエッチングマス
ク１７をＳｉ3 Ｎ4 で形成し、第２のエッチングマスク
１９をレジストで形成したが、それぞれのエッチングマ
スクの材質は、エッチングマスクとしての機能をなすも
のであれば上記材質に限定されない。
ク１７をＳｉ3 Ｎ4 で形成し、第２のエッチングマスク
１９をレジストで形成したが、それぞれのエッチングマ
スクの材質は、エッチングマスクとしての機能をなすも
のであれば上記材質に限定されない。
【００１２】本エッチングマスクの形成方法では、上記
の如くに、スルーホール２１が形成されるように第１の
エッチングマスク１７に第２のエッチングマスク１９を
重ね合わせるので、スルーホール２１の寸法精度は、第
１のエッチングマスク１７と第２のエッチングマスク１
９との重ね合わせ精度によって決定される。例えば設計
ルールが０．５μｍの場合の重ね合わせ精度は通常０．
１５μｍ程度なので、ｇ線ステッパを使用した場合に、
スルーホール２１を０．１５μｍ程度の径に形成するこ
とが可能になる。この結果、上記コンタクトホール用エ
ッチングマスク１０を用いて、被エッチング層１２を異
方性エッチングした場合には、被エッチング層１２にお
よそ０．１５μｍの径のコンタクトホール（図示せず）
を形成することが可能になる。なおｉ線ステッパを用い
ることにより、０．１μｍ径のスルーホールの形成も可
能である。この場合には、コンタクトホールの径が０．
１μｍ程度になる。
の如くに、スルーホール２１が形成されるように第１の
エッチングマスク１７に第２のエッチングマスク１９を
重ね合わせるので、スルーホール２１の寸法精度は、第
１のエッチングマスク１７と第２のエッチングマスク１
９との重ね合わせ精度によって決定される。例えば設計
ルールが０．５μｍの場合の重ね合わせ精度は通常０．
１５μｍ程度なので、ｇ線ステッパを使用した場合に、
スルーホール２１を０．１５μｍ程度の径に形成するこ
とが可能になる。この結果、上記コンタクトホール用エ
ッチングマスク１０を用いて、被エッチング層１２を異
方性エッチングした場合には、被エッチング層１２にお
よそ０．１５μｍの径のコンタクトホール（図示せず）
を形成することが可能になる。なおｉ線ステッパを用い
ることにより、０．１μｍ径のスルーホールの形成も可
能である。この場合には、コンタクトホールの径が０．
１μｍ程度になる。
【００１３】次に上記方法によって、複数個のスルーホ
ールを形成する一例を、図２により説明する。図の
（１）に示すように、第１の実施例で説明したと同様に
して、被エッチング層１２の上面に第１のエッチングマ
スク１７を形成する。このとき、第１のエッチングマス
ク１７は、後述する各スルーホール２１の側壁の一方側
２２を形成するために、例えば輪郭の一部分が矩形波形
状にパターニングされる。
ールを形成する一例を、図２により説明する。図の
（１）に示すように、第１の実施例で説明したと同様に
して、被エッチング層１２の上面に第１のエッチングマ
スク１７を形成する。このとき、第１のエッチングマス
ク１７は、後述する各スルーホール２１の側壁の一方側
２２を形成するために、例えば輪郭の一部分が矩形波形
状にパターニングされる。
【００１４】続いて図の（２）に示す如く、第１の実施
例で説明したと同様にして、第１のエッチングマスク１
７の一部にオーバラップする状態にして、被エッチング
層１２上に第２のエッチングマスク１９を形成する。こ
のとき第２のエッチングマスク１９は、側壁の一部で各
スルーホール２１の側壁の他方側２３を形成するよう
に、例えば輪郭の一部分が矩形波形状にパターニングさ
れる。したがって、第１のエッチングマスク１７の側壁
の一部と第２のエッチングマスク１９の側壁の一部とに
よって、側壁の一方側２２と側壁の他方側２３とが形成
され、各側壁の一方側２２と各側壁の他方側２３とによ
って各スルーホール２１が構成される。上記のようにし
て、複数個の微細な径を有するスルーホール２１を設け
たコンタクトホール用エッチングマスク１０が完成す
る。
例で説明したと同様にして、第１のエッチングマスク１
７の一部にオーバラップする状態にして、被エッチング
層１２上に第２のエッチングマスク１９を形成する。こ
のとき第２のエッチングマスク１９は、側壁の一部で各
スルーホール２１の側壁の他方側２３を形成するよう
に、例えば輪郭の一部分が矩形波形状にパターニングさ
れる。したがって、第１のエッチングマスク１７の側壁
の一部と第２のエッチングマスク１９の側壁の一部とに
よって、側壁の一方側２２と側壁の他方側２３とが形成
され、各側壁の一方側２２と各側壁の他方側２３とによ
って各スルーホール２１が構成される。上記のようにし
て、複数個の微細な径を有するスルーホール２１を設け
たコンタクトホール用エッチングマスク１０が完成す
る。
【００１５】上記方法によって、スタティックＲＡＭの
メモリセル内に８個のコンタクトホールを形成した場合
には、従来の０．３５μｍ径のコンタクトホールを形成
した場合よりも、メモリセル内のコンタクトホールの形
成面積をおよそ３０％程度縮小できる。このため、一枚
のフォトマスクに形成できるチップ数を増すことができ
るので、製造プロセスにおける特にステッパにとる感光
工程のスループットが向上する。さらに１枚のウエハあ
たりの取得チップ数を増すことができるので、歩留りの
向上が可能になる。また、メモリセル内のコンタクトホ
ール径を縮小してメモリセルの面積を小さくすること
は、上記スタティックＲＡＭの他に、例えばダイナミッ
クＲＡＭのメモリセル内にコンタクトホールを形成する
場合にも適用できる。
メモリセル内に８個のコンタクトホールを形成した場合
には、従来の０．３５μｍ径のコンタクトホールを形成
した場合よりも、メモリセル内のコンタクトホールの形
成面積をおよそ３０％程度縮小できる。このため、一枚
のフォトマスクに形成できるチップ数を増すことができ
るので、製造プロセスにおける特にステッパにとる感光
工程のスループットが向上する。さらに１枚のウエハあ
たりの取得チップ数を増すことができるので、歩留りの
向上が可能になる。また、メモリセル内のコンタクトホ
ール径を縮小してメモリセルの面積を小さくすること
は、上記スタティックＲＡＭの他に、例えばダイナミッ
クＲＡＭのメモリセル内にコンタクトホールを形成する
場合にも適用できる。
【００１６】また図３に示すように、例えば０．５μｍ
幅の配線３１上にコンタクトホール３２を形成する場合
に、上記第１の実施例で説明した方法によるエッチング
マスクを用いれば、コンタクトホールの径を０．１５μ
ｍに形成することが可能なので、マスク合わせ余裕を例
えば形成するコンタクトホール３２の両側に０．１５μ
ｍずつ設けても、配線３１上にコンタクトホール３２を
形成することが可能になる。なお、従来のコンタクトホ
ール３３（２点鎖線で示す部分）は径が０．３５μｍ程
度なので、コンタクトホール３３と配線３１とのマスク
合わせ余裕を考慮して、コンタクトホール３３の形成部
分の配線３４（１点鎖線で示す部分）を膨らませて形成
していた。したがって、コンタクトホール３２を形成す
る部分の配線３１を膨らませて形成する必要がないの
で、配線３１を高集積化することが可能になる。
幅の配線３１上にコンタクトホール３２を形成する場合
に、上記第１の実施例で説明した方法によるエッチング
マスクを用いれば、コンタクトホールの径を０．１５μ
ｍに形成することが可能なので、マスク合わせ余裕を例
えば形成するコンタクトホール３２の両側に０．１５μ
ｍずつ設けても、配線３１上にコンタクトホール３２を
形成することが可能になる。なお、従来のコンタクトホ
ール３３（２点鎖線で示す部分）は径が０．３５μｍ程
度なので、コンタクトホール３３と配線３１とのマスク
合わせ余裕を考慮して、コンタクトホール３３の形成部
分の配線３４（１点鎖線で示す部分）を膨らませて形成
していた。したがって、コンタクトホール３２を形成す
る部分の配線３１を膨らませて形成する必要がないの
で、配線３１を高集積化することが可能になる。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
第１のエッチングマスクと第２のエッチングマスクと
を、互いに重ね合わせて形成することによって、スルー
ホールが形成されるので、スルーホールの径は、設計ル
ールのおよそ１／３の径に形成することができる。この
結果、メモリセルの面積を大幅に縮小することが可能に
なるので、チップ面積も大幅に小さくできる。このた
め、一枚のフォトマスクに形成できるチップ数を増すこ
とができるので、製造プロセスにおけるステッパによる
感光工程のスループットが向上する。
第１のエッチングマスクと第２のエッチングマスクと
を、互いに重ね合わせて形成することによって、スルー
ホールが形成されるので、スルーホールの径は、設計ル
ールのおよそ１／３の径に形成することができる。この
結果、メモリセルの面積を大幅に縮小することが可能に
なるので、チップ面積も大幅に小さくできる。このた
め、一枚のフォトマスクに形成できるチップ数を増すこ
とができるので、製造プロセスにおけるステッパによる
感光工程のスループットが向上する。
【図１】実施例の形成工程図である。
【図２】複数個のスルーホールを形成する方法の説明図
である。
である。
【図３】配線中にコンタクトホールを形成した場合の説
明図である。
明図である。
１０ コンタクトホール用エッチングマスク １１ 基板 １２ 被エッチング層 １７ 第１のエッチングマスク １９ 第２のエッチングマスク ２１ スルーホール ２２ スルーホールの側壁の一方側 ２３ スルーホールの側壁の他方側
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上の被エッチング層にコンタクトホ
ールを形成する際に用いるエッチングマスクの形成方法
であって、 前記被エッチング層上に、スルーホールの側壁の一方側
を形成する第１のエッチングマスクを設ける第１の工程
と、 前記被エッチング層上に、前記第１のエッチングマスク
の一部分にオーバラップする状態にして、前記スルーホ
ールの側壁の他方側を形成する第２のエッチングマスク
を設ける第２の工程とよりなることを特徴とするエッチ
ングマスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27003991A JPH0582487A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | エツチングマスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27003991A JPH0582487A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | エツチングマスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582487A true JPH0582487A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17480684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27003991A Pending JPH0582487A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | エツチングマスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582487A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393969B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
| JP2007053403A (ja) * | 1999-04-16 | 2007-03-01 | Lucent Technol Inc | リソグラフ方法 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP27003991A patent/JPH0582487A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053403A (ja) * | 1999-04-16 | 2007-03-01 | Lucent Technol Inc | リソグラフ方法 |
| JP2011199321A (ja) * | 1999-04-16 | 2011-10-06 | Alcatel-Lucent Usa Inc | リソグラフ方法 |
| KR100393969B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
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