JPH0582944A - 配線形成法 - Google Patents
配線形成法Info
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- JPH0582944A JPH0582944A JP24010091A JP24010091A JPH0582944A JP H0582944 A JPH0582944 A JP H0582944A JP 24010091 A JP24010091 A JP 24010091A JP 24010091 A JP24010091 A JP 24010091A JP H0582944 A JPH0582944 A JP H0582944A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度の配線を形成すること
【構成】基材上の銅箔表面に感光性レジストフィルムを
ラミネートする工程、配線パターンの逆パターンを露光
後現像する工程、電気銅めっき法によりパターン部分に
銅めっきを付着させる工程、該銅めっき表面に金属レジ
スト膜を形成する工程、感光性レジストフィルムを剥離
する工程、配線部以外の銅をエッチングして配線を形成
する工程を含む配線形成法において、感光性レジストフ
ィルムに電気銅めっき時の電極反応抑制剤を含むこと
ラミネートする工程、配線パターンの逆パターンを露光
後現像する工程、電気銅めっき法によりパターン部分に
銅めっきを付着させる工程、該銅めっき表面に金属レジ
スト膜を形成する工程、感光性レジストフィルムを剥離
する工程、配線部以外の銅をエッチングして配線を形成
する工程を含む配線形成法において、感光性レジストフ
ィルムに電気銅めっき時の電極反応抑制剤を含むこと
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は配線形成法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、エッチングにより配線形成する場
合、配線の断面形状は台形をしており、ファインパター
ン化の妨げとなっていた。そこで、エッチング液に特殊
な抑制剤を添加し断面形状を矩形に近づける方法があ
る。(日本プリント回路工業会編,プリント回路技術便
覧P.507,日刊工業新聞社,昭62)
合、配線の断面形状は台形をしており、ファインパター
ン化の妨げとなっていた。そこで、エッチング液に特殊
な抑制剤を添加し断面形状を矩形に近づける方法があ
る。(日本プリント回路工業会編,プリント回路技術便
覧P.507,日刊工業新聞社,昭62)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】エッチング液に抑制剤
を添加し、断面形状を矩形に近づける場合、エッチング
液の老化やエッチング液のシャワー圧力による影響が大
きく、エッチング工程の管理の負担が大きい。
を添加し、断面形状を矩形に近づける場合、エッチング
液の老化やエッチング液のシャワー圧力による影響が大
きく、エッチング工程の管理の負担が大きい。
【0004】
【課題を解決するための手段】図1に従って説明する。
(1)基材1上の銅箔21表面に電気銅めっき時の電極
反応抑制剤を含む感光性レジストフィルム3をラミネー
トする。基材1としては、ガラス布入エポキシ樹脂やガ
ラス布入ポリイミド樹脂等の積層板、ポリエステルフィ
ルムやポリイミドフィルム等の樹脂系フィルム、表面に
絶縁層を設けた金属基板等が使用できる。銅箔21の厚
さには特に制限はないが、一般的には18〜105μm
である。なお、銅箔21は基材の両面にあってもよく、
この時、両面の配線を接続するための接続孔内壁の銅と
連続的につながっていても良い。電極反応抑制剤として
は、分子中に硫黄を含む化合物等がある。この抑制剤の
抑制作用程度により感光性レジストフィルム中への添加
量を加減することが好ましい。即ち、抑制剤の量はその
抑制作用が感光性レジストフィルムの近傍にとどまる程
度であることが好ましい。抑制作用が比較的おだやか
で、感光性レジストに添加するのに適している。抑制剤
として有機硫黄化合物があり、より具体的には、例えば
メルトカプト基を含むメルカプタン類がある。メルカプ
タン類の場合、100ppm 以上で効果があり、実用的に
は20000ppm 以下である。
(1)基材1上の銅箔21表面に電気銅めっき時の電極
反応抑制剤を含む感光性レジストフィルム3をラミネー
トする。基材1としては、ガラス布入エポキシ樹脂やガ
ラス布入ポリイミド樹脂等の積層板、ポリエステルフィ
ルムやポリイミドフィルム等の樹脂系フィルム、表面に
絶縁層を設けた金属基板等が使用できる。銅箔21の厚
さには特に制限はないが、一般的には18〜105μm
である。なお、銅箔21は基材の両面にあってもよく、
この時、両面の配線を接続するための接続孔内壁の銅と
連続的につながっていても良い。電極反応抑制剤として
は、分子中に硫黄を含む化合物等がある。この抑制剤の
抑制作用程度により感光性レジストフィルム中への添加
量を加減することが好ましい。即ち、抑制剤の量はその
抑制作用が感光性レジストフィルムの近傍にとどまる程
度であることが好ましい。抑制作用が比較的おだやか
で、感光性レジストに添加するのに適している。抑制剤
として有機硫黄化合物があり、より具体的には、例えば
メルトカプト基を含むメルカプタン類がある。メルカプ
タン類の場合、100ppm 以上で効果があり、実用的に
は20000ppm 以下である。
【0005】(2)ラミネートした感光性レジストフィ
ルムを、配線パターンの逆パターンとなるように公知の
方法で露光、現像する。
ルムを、配線パターンの逆パターンとなるように公知の
方法で露光、現像する。
【0006】(3)公知の電気銅めっき法により、パタ
ーン部分に銅めっき22を付着させる。この時、銅めっ
き22の厚さの下限は、銅めっき22断面の上部の曲率
によって決まり、即ち、感光性レジストフィルム中の抑
制剤の作用程度によって決まる。また銅めっき22の厚
さの上限は、銅めっき22が感光性レジストフィルムを
乗り越えないという条件によって決まる。これらから決
まる範囲としては、5〜50μmであり、より実用的な
範囲としては10〜35μmである。
ーン部分に銅めっき22を付着させる。この時、銅めっ
き22の厚さの下限は、銅めっき22断面の上部の曲率
によって決まり、即ち、感光性レジストフィルム中の抑
制剤の作用程度によって決まる。また銅めっき22の厚
さの上限は、銅めっき22が感光性レジストフィルムを
乗り越えないという条件によって決まる。これらから決
まる範囲としては、5〜50μmであり、より実用的な
範囲としては10〜35μmである。
【0007】(4)パターン部分に付着させた銅めっき
上に公知の方法で金属レジスト膜を形成する。最も一般
的な方法としては、電気めっき法ではんだ膜を形成する
方法である。
上に公知の方法で金属レジスト膜を形成する。最も一般
的な方法としては、電気めっき法ではんだ膜を形成する
方法である。
【0008】(5)感光性レジストフィルムを公知の方
法で剥離する。
法で剥離する。
【0009】(6)配線部以外の銅をエッチングして配
線を形成する。
線を形成する。
【0010】本発明は、少なくとも上記工程を含むこと
であり、この後、必要に応じ金属レジスト膜の剥離やそ
の他の仕上げ工程を含むことを制限しない。なお、本発
明は配線の巾が配線の高さ(厚さ)に比べて1.5倍よ
りも小である配線に特に適している。配線の巾が、配線
の高さの1.5倍よりも大きな場合は配線の断面が台形
状になった時でも、配線断面における上部が配線の高さ
と同程度確保できる。しかし、1.5倍よりも小となる
と台形断面では配線断面における上部が配線の高さより
小さくなり、例えばワイヤボンディング用端子等に適さ
なくなる。また、エッチングが少しでもオーバすると、
上部の金属レジスト膜との接着面積が減少し、金属レジ
スト膜が剥落してしまい、配線も溶解するという問題が
起こる。
であり、この後、必要に応じ金属レジスト膜の剥離やそ
の他の仕上げ工程を含むことを制限しない。なお、本発
明は配線の巾が配線の高さ(厚さ)に比べて1.5倍よ
りも小である配線に特に適している。配線の巾が、配線
の高さの1.5倍よりも大きな場合は配線の断面が台形
状になった時でも、配線断面における上部が配線の高さ
と同程度確保できる。しかし、1.5倍よりも小となる
と台形断面では配線断面における上部が配線の高さより
小さくなり、例えばワイヤボンディング用端子等に適さ
なくなる。また、エッチングが少しでもオーバすると、
上部の金属レジスト膜との接着面積が減少し、金属レジ
スト膜が剥落してしまい、配線も溶解するという問題が
起こる。
【0011】また、本発明の配線形成法は、公知の方法
で内層配線を形成後、外層配線に適応することもでき
る。
で内層配線を形成後、外層配線に適応することもでき
る。
【0012】
【作用】感光性レジストフィルムを露光した場合、表面
層よりも内部への光透過量が減少するため、硬化程度が
内部へいく程低下する。よって図1(2)に示したよう
な現像後の感光性レジストフィルムにおいては、パター
ン部分との境界を作る感光性レジストフィルム壁面の硬
化度が低い。このため、電気銅めっき法により銅めっき
を付着させる場合、感光性レジストフィルム壁面から微
量の抑制剤が溶出し、感光性レジストフィルム近傍の銅
めっきの成長を抑制する。この結果、付着した銅めっき
の断面における頂上部は円弧状となる。この後金属レジ
スト膜を形成すると、銅めっき表面に円弧状の金属レジ
スト膜ができるため、その後のエッチングによる金属レ
ジスト膜直下部の銅めっきの溶解が抑制される。その結
果、配線断面が台形とならず精度の良い配線形成ができ
る。
層よりも内部への光透過量が減少するため、硬化程度が
内部へいく程低下する。よって図1(2)に示したよう
な現像後の感光性レジストフィルムにおいては、パター
ン部分との境界を作る感光性レジストフィルム壁面の硬
化度が低い。このため、電気銅めっき法により銅めっき
を付着させる場合、感光性レジストフィルム壁面から微
量の抑制剤が溶出し、感光性レジストフィルム近傍の銅
めっきの成長を抑制する。この結果、付着した銅めっき
の断面における頂上部は円弧状となる。この後金属レジ
スト膜を形成すると、銅めっき表面に円弧状の金属レジ
スト膜ができるため、その後のエッチングによる金属レ
ジスト膜直下部の銅めっきの溶解が抑制される。その結
果、配線断面が台形とならず精度の良い配線形成ができ
る。
【0013】
【実施例】実施例 感光性レジストフィルム(日立化成製、HF450)の
材料に銅めっき時の電極反応抑制剤として、2メルカプ
トベンズイミダゾールを2000ppm 添加した感光性レ
ジストフィルムを作製し、このフィルムを用いて図1の
工程で配線を形成した。この時の配線の断面写真を図2
(a)に示す。
材料に銅めっき時の電極反応抑制剤として、2メルカプ
トベンズイミダゾールを2000ppm 添加した感光性レ
ジストフィルムを作製し、このフィルムを用いて図1の
工程で配線を形成した。この時の配線の断面写真を図2
(a)に示す。
【0014】比較例 電極反応抑制剤を含まない感光性レジストフィルムを用
いて、実施例と同様に配線形成した時の断面写真を図2
(b)に示す。
いて、実施例と同様に配線形成した時の断面写真を図2
(b)に示す。
【0015】
【発明の効果】金属レジスト膜が図3に示すように、銅
めっき表面を円弧状に被覆しているため、エッチング条
件の多少の変動によらず、配線上端巾の精度が高い。ま
た、配線断面が矩形に近いため配線巾が高さ、即ち、銅
箔厚さの1.5倍以下の細い配線の場合でも、配線形成
した場合、配線間隙を得やすく高密度配線に適する。ま
た、配線の上部に一定の巾を得やすいので、ワイヤボン
ディング端子等一定の巾を上部に要求される配線に適す
る。また、細い配線の場合でも、配線断面積をある程度
確保できるので、電流容量を得やすい。
めっき表面を円弧状に被覆しているため、エッチング条
件の多少の変動によらず、配線上端巾の精度が高い。ま
た、配線断面が矩形に近いため配線巾が高さ、即ち、銅
箔厚さの1.5倍以下の細い配線の場合でも、配線形成
した場合、配線間隙を得やすく高密度配線に適する。ま
た、配線の上部に一定の巾を得やすいので、ワイヤボン
ディング端子等一定の巾を上部に要求される配線に適す
る。また、細い配線の場合でも、配線断面積をある程度
確保できるので、電流容量を得やすい。
【図1】本発明の工程を示す断面図である。
【図2】実施例(a)と比較例(b)の配線断面であ
る。
る。
【図3】電極反応抑制剤の効果を説明する銅めっき付着
後の断面写真である。感光性レジストフィルムに抑制剤
を含む場合(a)と含まない場合(b)の比較を示す。
後の断面写真である。感光性レジストフィルムに抑制剤
を含む場合(a)と含まない場合(b)の比較を示す。
1 基材 2 配線 21 銅箔 22 銅めっき 3 感光性レジストフィルム 4 金属レジス
ト膜
ト膜
Claims (4)
- 【請求項1】 基材上の銅箔表面に感光性レジストフィ
ルムをラミネートする工程、配線パターンの逆パターン
を露光後現像する工程、電気銅めっき法によりパターン
部分に銅めっきを付着させる工程、該銅めっき表面に金
属レジスト膜を形成する工程、感光性レジストフィルム
を剥離する工程、配線部以外の銅をエッチングして配線
を形成する工程を含む配線形成法において、感光性レジ
ストフィルムに電気銅めっき時の電極反応抑制剤を含む
ことを特徴とする配線形成法。 - 【請求項2】 電極反応抑制剤がメルカプト基を含む化
合物であることを特徴とする請求項1に記載の配線形成
法。 - 【請求項3】 電気銅めっき法によりパターン部分に付
着させた銅めっきの断面の頂上部が円弧状となることを
特徴とする請求項1又は2に記載の配線形成法。 - 【請求項4】 配線が断面において巾が高さの1.5倍
よりも小さくなることを特徴とする請求項1〜3のうち
いずれかに記載の配線形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24010091A JPH0582944A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24010091A JPH0582944A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 配線形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582944A true JPH0582944A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17054497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24010091A Pending JPH0582944A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582944A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106482A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Sony Chem Corp | フレキシブル基板製造方法 |
| JP2001284749A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2006196656A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線板及び配線板の製造方法 |
| US8135314B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-03-13 | Ricoh Company, Limited | Developing device, process cartridge, and image forming apparatus, method of developing latent image |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24010091A patent/JPH0582944A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000106482A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Sony Chem Corp | フレキシブル基板製造方法 |
| US6848176B2 (en) | 1998-07-29 | 2005-02-01 | Sony Chemicals Corporation | Process for manufacturing flexible wiring boards |
| US7053312B2 (en) | 1998-07-29 | 2006-05-30 | Sony Corporation | Flexible wiring boards |
| JP2001284749A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2006196656A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 配線板及び配線板の製造方法 |
| US8135314B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-03-13 | Ricoh Company, Limited | Developing device, process cartridge, and image forming apparatus, method of developing latent image |
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