JPH0582968B2 - - Google Patents
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- JPH0582968B2 JPH0582968B2 JP61061981A JP6198186A JPH0582968B2 JP H0582968 B2 JPH0582968 B2 JP H0582968B2 JP 61061981 A JP61061981 A JP 61061981A JP 6198186 A JP6198186 A JP 6198186A JP H0582968 B2 JPH0582968 B2 JP H0582968B2
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- tungsten
- metal
- opening
- metal film
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法にかかわり、
特に半導体もしくは金属表面との接続部をタング
ステンなどの金属膜で埋め込んだ配線を有する半
導体装置の製造方法に関する。
特に半導体もしくは金属表面との接続部をタング
ステンなどの金属膜で埋め込んだ配線を有する半
導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、半導体装置において、例えば、下層素子
の電極配線と上層配線を形成する方法として、ス
パツタ法で金属又は金属硅化物を被着し、行なつ
ていた。この方法を第４図を参照して説明する。
つまり、基板２０に形成したN+又はP+シリコン
配線層２１上に絶縁膜として例えばSiO2膜２２
に開孔部２３すなわちスルーホールを形成する
（第４図ａ）。しかる後に、D.C.マグネトロン・ス
パツタ法で、タングステン膜２４を形成する（第
４図ｂ）。スパツタ法での膜形成の場合、基本的
に膜形成速度がスパツタ粒子の供給量で律速され
るため、段差肩部のような、スパツタ粒子に対す
る見込角の大きい領域では成長速度が大きく、開
孔部内部では、見込角が小さいため成長速度が遅
い。そのため第４図ｂのような、オーバーハング
生じ、開孔部に空洞が生ずる。
の電極配線と上層配線を形成する方法として、ス
パツタ法で金属又は金属硅化物を被着し、行なつ
ていた。この方法を第４図を参照して説明する。
つまり、基板２０に形成したN+又はP+シリコン
配線層２１上に絶縁膜として例えばSiO2膜２２
に開孔部２３すなわちスルーホールを形成する
（第４図ａ）。しかる後に、D.C.マグネトロン・ス
パツタ法で、タングステン膜２４を形成する（第
４図ｂ）。スパツタ法での膜形成の場合、基本的
に膜形成速度がスパツタ粒子の供給量で律速され
るため、段差肩部のような、スパツタ粒子に対す
る見込角の大きい領域では成長速度が大きく、開
孔部内部では、見込角が小さいため成長速度が遅
い。そのため第４図ｂのような、オーバーハング
生じ、開孔部に空洞が生ずる。
上記問題点を克服する方法として、水素と六フ
ッ化タングステン気体を用いて化学気相堆積法で
タングステン膜を形成する方法が考えられた。こ
の方法を採用する事により第５図に示すように段
差部でのオーバーハングが生じなくなる。しかし
ながらタングステン膜２５と下層酸化膜２２は密
着性が弱く、タングステン膜２５と基板の間の応
力に耐えられずはがれなどが、頻繁に起こり、同
図に示すような空洞２６が生ずるため、タングス
テン膜２５の表面形状は、平坦性を失い、その後
のパターン加工を困難にする。又、はがれが起こ
らないようにタングステンを薄膜化すると、開孔
部の中心部は、凹部となり、上層に絶縁膜を被着
して、その開孔部の直上に第２の開孔部を形成す
る場合、局所的に絶縁膜厚が異なるため、均一な
エツチングが困難であり、接続部が接触不良とな
りうる。
ッ化タングステン気体を用いて化学気相堆積法で
タングステン膜を形成する方法が考えられた。こ
の方法を採用する事により第５図に示すように段
差部でのオーバーハングが生じなくなる。しかし
ながらタングステン膜２５と下層酸化膜２２は密
着性が弱く、タングステン膜２５と基板の間の応
力に耐えられずはがれなどが、頻繁に起こり、同
図に示すような空洞２６が生ずるため、タングス
テン膜２５の表面形状は、平坦性を失い、その後
のパターン加工を困難にする。又、はがれが起こ
らないようにタングステンを薄膜化すると、開孔
部の中心部は、凹部となり、上層に絶縁膜を被着
して、その開孔部の直上に第２の開孔部を形成す
る場合、局所的に絶縁膜厚が異なるため、均一な
エツチングが困難であり、接続部が接触不良とな
りうる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記問題点を考慮してなされたもの
で、酸化膜等の絶縁膜に設けられたコンタクトホ
ールあるいはスルーホールのような開孔部及び前
記絶縁膜上に及ぶタングステン等の金属膜パター
ンを形成する方法において、この金属膜と酸化膜
とのはがれを生じない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
で、酸化膜等の絶縁膜に設けられたコンタクトホ
ールあるいはスルーホールのような開孔部及び前
記絶縁膜上に及ぶタングステン等の金属膜パター
ンを形成する方法において、この金属膜と酸化膜
とのはがれを生じない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために半導体若し
くは、金属表面上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜に
前記半導体若しくは、金属の一部が露出するよう
に開孔部を設ける工程と、その後前記絶縁膜と密
着性の良い第１の金属膜を前記開孔部及び絶縁膜
上に化学気相堆積法で被着する工程と、続いて第
２の金属膜を前記第１の金属膜上の全面に化学気
相堆積法で形成して前記開孔部を埋め込む工程
と、しかる後に前記第１及び第２の金属膜を配線
パターンに加工する工程とを具備する半導体装置
の製造方法を提供する。
くは、金属表面上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜に
前記半導体若しくは、金属の一部が露出するよう
に開孔部を設ける工程と、その後前記絶縁膜と密
着性の良い第１の金属膜を前記開孔部及び絶縁膜
上に化学気相堆積法で被着する工程と、続いて第
２の金属膜を前記第１の金属膜上の全面に化学気
相堆積法で形成して前記開孔部を埋め込む工程
と、しかる後に前記第１及び第２の金属膜を配線
パターンに加工する工程とを具備する半導体装置
の製造方法を提供する。
（作用）
本発明によれば酸化膜等の絶縁膜に形成した開
孔部に埋め込むタングステン等の第２の金属膜と
前記絶縁膜との間にこの絶縁膜と密着性の良い第
１の金属膜を介在させるので絶縁膜表面の金属膜
のはがれや開口部の隙間が生ずることがない。
孔部に埋め込むタングステン等の第２の金属膜と
前記絶縁膜との間にこの絶縁膜と密着性の良い第
１の金属膜を介在させるので絶縁膜表面の金属膜
のはがれや開口部の隙間が生ずることがない。
また、本発明によれば第１及び第２の金属膜を
化学気相堆積法により形成するため、段差部での
オーバーハングが生じなくなり、したがつて開孔
部を埋めるに十分な膜厚の金属膜を堆積しても、
その金属膜の表面を平坦化することができ、この
ためこれを配線パターンに加工することができ
る。
化学気相堆積法により形成するため、段差部での
オーバーハングが生じなくなり、したがつて開孔
部を埋めるに十分な膜厚の金属膜を堆積しても、
その金属膜の表面を平坦化することができ、この
ためこれを配線パターンに加工することができ
る。
一方、開口部側壁に金属膜を形成し、埋めるべ
き開孔部寸法を縮小することにより、埋め込みに
必要な最小金属膜厚が減少し、したがつて配線間
容量も減少する。
き開孔部寸法を縮小することにより、埋め込みに
必要な最小金属膜厚が減少し、したがつて配線間
容量も減少する。
（実施例）
以下、本発明による半導体装置の製造方法の実
施例について説明する。
施例について説明する。
まず本発明の第１の実施例を第１図を参照して
説明する。第１図ａの如く5ΩcmのＰ型（100）シ
リコン基板１６に形成したヒ素（As）高濃度ド
ーピング層１０の上に絶縁膜として約1.2μmのSi
O2膜１１を常圧CVD法で形成した後、反応性イ
オンエツチング等により所望の場所に直径0.4μm
の開孔部１５を設ける。次に第１図ｂの如く650
℃の減圧CVD装置内において分圧0.15Torrで水
素（H2）を、分圧0.05TorrでTic4を導入し、
約200Åの第１の金属膜であるチタン（Ti）膜１
２を被着し、続いて装置内を排気した後、基板温
度400℃，分圧0.2Torrで水素（H2）を、分圧
0.03Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し第２の金属膜であるタングステン膜１３を
0.2〜0.3μm堆積して開孔部１５を埋め込んだ。こ
の後、チタン膜１２、タングステン膜１３を所望
の配線パターンに加工する事によつて上層配線及
び埋込部配線の同時形成が実現される（第１図
ｂ）。
説明する。第１図ａの如く5ΩcmのＰ型（100）シ
リコン基板１６に形成したヒ素（As）高濃度ド
ーピング層１０の上に絶縁膜として約1.2μmのSi
O2膜１１を常圧CVD法で形成した後、反応性イ
オンエツチング等により所望の場所に直径0.4μm
の開孔部１５を設ける。次に第１図ｂの如く650
℃の減圧CVD装置内において分圧0.15Torrで水
素（H2）を、分圧0.05TorrでTic4を導入し、
約200Åの第１の金属膜であるチタン（Ti）膜１
２を被着し、続いて装置内を排気した後、基板温
度400℃，分圧0.2Torrで水素（H2）を、分圧
0.03Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し第２の金属膜であるタングステン膜１３を
0.2〜0.3μm堆積して開孔部１５を埋め込んだ。こ
の後、チタン膜１２、タングステン膜１３を所望
の配線パターンに加工する事によつて上層配線及
び埋込部配線の同時形成が実現される（第１図
ｂ）。
シリコン基板とのコンタクト抵抗を測定すると
１×10-6Ωcm2で電流−電圧特性は良好なオーミツ
ク性を示した。
１×10-6Ωcm2で電流−電圧特性は良好なオーミツ
ク性を示した。
尚、上述した実施例では、第１の金属膜として
チタン膜１２を形成した例を示したが、これに代
えてタングステン−シリコン合金膜を形成するこ
ともできる。この合金膜は、上記実施例に於い
て、第１図ａに示すようにSiO2膜１１の所望の場
所に開孔部１５を形成した後、減圧CVD装置内
において、400℃のシリコン半導体基板に分圧
0.06Torrで水素（H2）を、0.12TorrでSiH4を、
0.001Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し、シリコン成分が過剰なタングステン−シリ
コン合金膜を500Å被着することにより形成され
る。この後は、第１の実施例と同様に分圧
0.2Torrで水素（H2）を、0.03Torrで六フッ化タ
ングステン（WF6）を導入することにより第２
の金属膜としてタングステン膜１３を0.3μm堆積
する。この後配線加工を行なえば、前述チタン膜
の場合と同様な効果が得られる。
チタン膜１２を形成した例を示したが、これに代
えてタングステン−シリコン合金膜を形成するこ
ともできる。この合金膜は、上記実施例に於い
て、第１図ａに示すようにSiO2膜１１の所望の場
所に開孔部１５を形成した後、減圧CVD装置内
において、400℃のシリコン半導体基板に分圧
0.06Torrで水素（H2）を、0.12TorrでSiH4を、
0.001Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し、シリコン成分が過剰なタングステン−シリ
コン合金膜を500Å被着することにより形成され
る。この後は、第１の実施例と同様に分圧
0.2Torrで水素（H2）を、0.03Torrで六フッ化タ
ングステン（WF6）を導入することにより第２
の金属膜としてタングステン膜１３を0.3μm堆積
する。この後配線加工を行なえば、前述チタン膜
の場合と同様な効果が得られる。
上述したように、本発明による方法を用いれば
膜はがれ及び膜はがれによるSiO2膜１１の凹凸は
なく、スルーホール又はコンタクトホール等の開
孔部１５にも隙間はなく信頼性良く開孔部１５を
埋め込むことができた。
膜はがれ及び膜はがれによるSiO2膜１１の凹凸は
なく、スルーホール又はコンタクトホール等の開
孔部１５にも隙間はなく信頼性良く開孔部１５を
埋め込むことができた。
次に本発明の第２の実施例としてSiO2膜に開孔
部を形成した後、この開孔部にフツ化物気体で反
応させた金属層を形成する工程を含む製造方法を
第２図を用いて説明する。
部を形成した後、この開孔部にフツ化物気体で反
応させた金属層を形成する工程を含む製造方法を
第２図を用いて説明する。
まず、第２図ａの如く、5ΩcmのＰ型（100）シ
リコン基板１にヒ素（As）を30KeVで３×1015
cm-2注入し、900℃で40分の熱処理を行ないN+拡
散層２を形成した後、六フツ化タングステン
（WF6）とアルゴン（Ar）を用いて基板温度400
℃、圧力0.2Torrの圧力下で約500Åのタングス
テン配線層３を化学気相堆積法により形成する。
次に0.35Torrの圧力下でSiH4とN2Ｏを用いて約
1.2μmの絶縁膜としてSiO2膜１１を被着して、そ
の後直径0.4μmの開孔部１５を反応性イオンエツ
チング等により形成する。その後、基板１の温度
600℃で0.1μmの多結晶シリコン膜４を減圧化学
気相堆積法（CVD法）を用いて開孔部１５及び
SiO2膜１１上に被着する。しかる後、第２図ｂの
如くBBr3−Ｃ2等の塩素系気体を用いた反応性
イオンエツチングで異方的に多結晶シリコン４を
全面エツチングして、開孔部１５側壁にシリコン
膜４ａを残す。続いて圧力0.2Torr、基板１の温
度400℃でタングステンのフツ化物気体である六
フツ化タングステン（WF6）とアルゴン（Ar）
を流し、前記シリコン膜４ａで六フツ化タングス
テン（WF6）を還元し、側壁部シリコン膜４ａ
をすべて第２図ｃに示す如くタングステン膜５に
置換する。0.1μmのシリコン膜４ａがすべて六フ
化タングステン（WF6）と反応すると約500Åの
タングステン膜５が形成される。
リコン基板１にヒ素（As）を30KeVで３×1015
cm-2注入し、900℃で40分の熱処理を行ないN+拡
散層２を形成した後、六フツ化タングステン
（WF6）とアルゴン（Ar）を用いて基板温度400
℃、圧力0.2Torrの圧力下で約500Åのタングス
テン配線層３を化学気相堆積法により形成する。
次に0.35Torrの圧力下でSiH4とN2Ｏを用いて約
1.2μmの絶縁膜としてSiO2膜１１を被着して、そ
の後直径0.4μmの開孔部１５を反応性イオンエツ
チング等により形成する。その後、基板１の温度
600℃で0.1μmの多結晶シリコン膜４を減圧化学
気相堆積法（CVD法）を用いて開孔部１５及び
SiO2膜１１上に被着する。しかる後、第２図ｂの
如くBBr3−Ｃ2等の塩素系気体を用いた反応性
イオンエツチングで異方的に多結晶シリコン４を
全面エツチングして、開孔部１５側壁にシリコン
膜４ａを残す。続いて圧力0.2Torr、基板１の温
度400℃でタングステンのフツ化物気体である六
フツ化タングステン（WF6）とアルゴン（Ar）
を流し、前記シリコン膜４ａで六フツ化タングス
テン（WF6）を還元し、側壁部シリコン膜４ａ
をすべて第２図ｃに示す如くタングステン膜５に
置換する。0.1μmのシリコン膜４ａがすべて六フ
化タングステン（WF6）と反応すると約500Åの
タングステン膜５が形成される。
しかる後に、第２図ｄに示すように減圧CVD
装置内において基板温度を400℃にして分圧
0.06Torrで水素（H2）を、0.12TorrでSiH4を、
0.001Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し、第１の金属膜である500Åのシリコン成分
過剰のタングステン−シリコン合金膜１２を、続
いて分圧0.2Torrで水素（H2）を、0.03Torrで六
フツ化タングステン（WF6）を導入して0.1μmの
第２の金属膜、ここではタングステン膜１３を堆
積する。そしてこの積層膜１２，１３をパターニ
ングする。
装置内において基板温度を400℃にして分圧
0.06Torrで水素（H2）を、0.12TorrでSiH4を、
0.001Torrで六フツ化タングステン（WF6）を導
入し、第１の金属膜である500Åのシリコン成分
過剰のタングステン−シリコン合金膜１２を、続
いて分圧0.2Torrで水素（H2）を、0.03Torrで六
フツ化タングステン（WF6）を導入して0.1μmの
第２の金属膜、ここではタングステン膜１３を堆
積する。そしてこの積層膜１２，１３をパターニ
ングする。
この実施例によれば第１の金属膜であるタング
ステン−シリコン合金膜１２、第２の金属膜であ
るタングステン膜１３の膜厚を金属膜５の膜厚分
薄くすることができるので、パターニングの際に
エツチングが容易であり、又、膜はがれ及びこの
膜はがれによるSiO2膜１１の凹凸はみられず、開
孔部１５にも隙間は見られず、信頼性良く開孔部
１５の埋め込みを行なうことができた。
ステン−シリコン合金膜１２、第２の金属膜であ
るタングステン膜１３の膜厚を金属膜５の膜厚分
薄くすることができるので、パターニングの際に
エツチングが容易であり、又、膜はがれ及びこの
膜はがれによるSiO2膜１１の凹凸はみられず、開
孔部１５にも隙間は見られず、信頼性良く開孔部
１５の埋め込みを行なうことができた。
タングステン配線層３と高濃度ヒ素（As）ド
ーピングシリコン層２との接触抵抗は５×10-7Ω
cm2と良好なオーミツク特性を示した。
ーピングシリコン層２との接触抵抗は５×10-7Ω
cm2と良好なオーミツク特性を示した。
以上説明した様に本発明によれば金属膜にはが
れが生じないので配線のパターン加工が確実であ
る。また、表面が平坦であるのでプロセス信頼性
にも優れている。例えば全体にCVD酸化膜を形
成し、前記コンタクトホールに重ねてスルーホー
ルを形成して更に上層配線層を設けても、下層配
線１２，１３との間で接触不良を起すことはな
い。また、開孔部１５側壁に金属膜５を形成すれ
ば、埋込みに必要な金属膜の膜厚が小さくて済む
ため配線のパターン加工が容易で、配線間容量も
減少できる。
れが生じないので配線のパターン加工が確実であ
る。また、表面が平坦であるのでプロセス信頼性
にも優れている。例えば全体にCVD酸化膜を形
成し、前記コンタクトホールに重ねてスルーホー
ルを形成して更に上層配線層を設けても、下層配
線１２，１３との間で接触不良を起すことはな
い。また、開孔部１５側壁に金属膜５を形成すれ
ば、埋込みに必要な金属膜の膜厚が小さくて済む
ため配線のパターン加工が容易で、配線間容量も
減少できる。
尚、上述した第２の実施例において、タングス
テン配線層３を形成しない場合、即ち、N+拡散
層２上に直接SiO2膜１１が形成される場合でも、
同様な効果が得られる。この場合、最終的に得ら
れる構造は第３図に示される。ここで第２図と同
一部分は同一符号で示されている。
テン配線層３を形成しない場合、即ち、N+拡散
層２上に直接SiO2膜１１が形成される場合でも、
同様な効果が得られる。この場合、最終的に得ら
れる構造は第３図に示される。ここで第２図と同
一部分は同一符号で示されている。
上記各実施例において、第１の金属としてチタ
ンあるいはタングステン−シリコン合金、第２の
金属としてタングステンを用いたが、本発明はこ
れらに限定されるものではなく第１の金属として
はチタン（Ti）、ジルコニウム（Zr）、ハフニウ
ム（Hf）、ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）、及び
これらの硅化物（シリコンとの合金）、窒化物、
又はモリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）の
硅化物であつてもよく、第２の金属としては、タ
ングステン（Ｗ）以外にモリブデン（Mo）ある
いはそれらの硅化物であつても同様の効果が得ら
れる。又、第２図及び第３図に示される実施例で
は開孔部１５側壁に形成する金属としてタングス
テンを用いたがモリブデンであつてもよい。
ンあるいはタングステン−シリコン合金、第２の
金属としてタングステンを用いたが、本発明はこ
れらに限定されるものではなく第１の金属として
はチタン（Ti）、ジルコニウム（Zr）、ハフニウ
ム（Hf）、ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）、及び
これらの硅化物（シリコンとの合金）、窒化物、
又はモリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）の
硅化物であつてもよく、第２の金属としては、タ
ングステン（Ｗ）以外にモリブデン（Mo）ある
いはそれらの硅化物であつても同様の効果が得ら
れる。又、第２図及び第３図に示される実施例で
は開孔部１５側壁に形成する金属としてタングス
テンを用いたがモリブデンであつてもよい。
更に、SiO2膜１１の下層はN+あるいはP+のシ
リコン基板もしくはチタン，ジルコニウム，ハフ
ニウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデ
ン，タングステン及びこれらの硅化物又は窒化
物、あるいは、ニツケル，パラジウム，プラチナ
及びこれらの硅化物、あるいはアルミニウム，銅
を主成分とする金属膜のいずれでもよい。
リコン基板もしくはチタン，ジルコニウム，ハフ
ニウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデ
ン，タングステン及びこれらの硅化物又は窒化
物、あるいは、ニツケル，パラジウム，プラチナ
及びこれらの硅化物、あるいはアルミニウム，銅
を主成分とする金属膜のいずれでもよい。
以上、述べてきたように本発明によれば絶縁膜
に形成したコンタクトホールあるいはスルーホー
ル等の開孔部をタングステン等の金属膜で埋め込
むに際し、この金属膜と前記絶縁膜との間にこの
絶縁膜と密着性の良い第１の金属膜を介在させる
ので金属膜のはがれが生ぜずパターン加工が確実
に行なえる。
に形成したコンタクトホールあるいはスルーホー
ル等の開孔部をタングステン等の金属膜で埋め込
むに際し、この金属膜と前記絶縁膜との間にこの
絶縁膜と密着性の良い第１の金属膜を介在させる
ので金属膜のはがれが生ぜずパターン加工が確実
に行なえる。
又、開孔部にも隙間は生じないので平坦性も良
好である。
好である。
一方、開孔部側壁に金属膜を形成し、埋めるべ
き開孔部の面積を縮小させる事により、埋込みに
必要な最小金属膜厚が減少し、従つてパターニン
グが容易となり、また配線間容量も減少する。
き開孔部の面積を縮小させる事により、埋込みに
必要な最小金属膜厚が減少し、従つてパターニン
グが容易となり、また配線間容量も減少する。
第１図は本発明の一実施例を示す工程断面図、
第２図及び第３図は本発明の他の実施例を示す工
程断面図、第４図及び第５図は従来例を示す工程
断面図である。 １，１６，２０……シリコン基板、２，１０，
２１……N+又はP+拡散層、３……下層金属配
線、１１，２２……絶縁膜、１２……第１の金属
膜、１３……第２の金属膜、１５，２３……開口
部、４，４ａ……導電体膜、５……金属膜、２
４，２５……金属膜。
第２図及び第３図は本発明の他の実施例を示す工
程断面図、第４図及び第５図は従来例を示す工程
断面図である。 １，１６，２０……シリコン基板、２，１０，
２１……N+又はP+拡散層、３……下層金属配
線、１１，２２……絶縁膜、１２……第１の金属
膜、１３……第２の金属膜、１５，２３……開口
部、４，４ａ……導電体膜、５……金属膜、２
４，２５……金属膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体若しくは、金属表面上にSiO2膜を形
成し、該SiO2膜に前記半導体若しくは、金属の
一部が露出するように開孔部を設ける工程と、次
に該開孔部及びSiO2膜上にシリコン膜を化学気
相堆積法で被着し、該シリコン膜を異方性エツチ
ングで前記開孔部の側壁に自己整合して残置し、
しかる後タングステン又はモリブデンのフッ化物
気体と反応させて前記シリコン膜をタングステン
又はモリブデンの金属膜に置換する工程と、その
後、前記開孔部及びSiO2膜上にチタン、ジルコ
ニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル及びこれ
らの硅化物，窒化物又はタングステン或いは、モ
リブデンの硅化物のいずれかで構成される第１の
金属膜を化学気相堆積法で被着する工程と、続い
てタングステン又は、モリブデン及びこれらの硅
化物のいずれかで構成される第２の金属膜を前記
第１の金属膜上の全面に化学気相堆積法で形成し
て前記開孔部を埋め込む工程と、しかる後に前記
第１及び第２の金属膜を配線パターンに加工する
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 ２ SiO2膜下の金属が、チタン、ジルコニウム、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブ
デン、タングステン及びこれらの硅化物、又は窒
化物、或はニツケル、パラジウム、プラチナ及び
これらの硅化物或は、アルミニウム、銅を主成分
とする金属のいずれかである特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198186A JPS62219945A (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198186A JPS62219945A (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219945A JPS62219945A (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0582968B2 true JPH0582968B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=13186865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198186A Granted JPS62219945A (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219945A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5149672A (en) * | 1988-08-01 | 1992-09-22 | Nadia Lifshitz | Process for fabricating integrated circuits having shallow junctions |
| US4999317A (en) * | 1989-09-29 | 1991-03-12 | At&T Bell Laboratories | Metallization processing |
| US5084415A (en) * | 1989-10-23 | 1992-01-28 | At&T Bell Laboratories | Metallization processing |
| US5700716A (en) | 1996-02-23 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | Method for forming low contact resistance contacts, vias, and plugs with diffusion barriers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208161A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS61147549A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61248442A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体素子用微細電極配線 |
-
1986
- 1986-03-22 JP JP6198186A patent/JPS62219945A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62219945A (ja) | 1987-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |