JPH0584566B2 - - Google Patents
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- JPH0584566B2 JPH0584566B2 JP4575186A JP4575186A JPH0584566B2 JP H0584566 B2 JPH0584566 B2 JP H0584566B2 JP 4575186 A JP4575186 A JP 4575186A JP 4575186 A JP4575186 A JP 4575186A JP H0584566 B2 JPH0584566 B2 JP H0584566B2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は電子ビーム蒸着法等の蒸着技術を用い
て形成した磁気ヘツドコアの製造方法に関するも
のである。
て形成した磁気ヘツドコアの製造方法に関するも
のである。
＜従来技術＞
近年、磁気記録技術の分野において、情報の多
様化に伴い記録密度の増大を求める要求が強まつ
ている。磁気記録の高密度化の一つの方法として
記録媒体の高保磁力化があり、それに対応すべく
高飽和磁束密度、高透磁率を有する磁気ヘツドコ
ア材料の開発が必要となつてきた。この様な材料
としては、フエライトには飽和磁束密度に限界が
あるため、合金系材料が適している。センダスト
合金は良く知られているようにSi9.5wt％，
Al5.5wt％、残部Feを中心とした組成において、
高透磁率、高飽和磁束密度を有する材料である
が、磁気ヘツドコア作製において、バルクセンダ
ストはもろいため、精密加工が困難であり、ま
た、VTR等へ応用する場合には20μm程度のコア
厚が必要となり、その場合に高周波特性が不十分
である等の欠点がある。また、超急冷法によるセ
ンダンスト薄帯をヘツドコアとして用いる場合、
コア材を樹脂接着により非磁性基板で挾み込んで
いるが、樹脂接着は接着層の制御が困難である。
又、バルク部材やリボン薄帯から切削加工によつ
てトラツク幅を形成する場合、トラツク幅の制御
等は狭トラツクになる程困難になる。このため高
周波特性の優れたトラツク幅に相当するセンダス
ト薄膜を非磁性基板表面上にスパツタ法、あるい
は蒸着法により狭トラツク磁気ヘツドを作製する
方法が提案されている。
様化に伴い記録密度の増大を求める要求が強まつ
ている。磁気記録の高密度化の一つの方法として
記録媒体の高保磁力化があり、それに対応すべく
高飽和磁束密度、高透磁率を有する磁気ヘツドコ
ア材料の開発が必要となつてきた。この様な材料
としては、フエライトには飽和磁束密度に限界が
あるため、合金系材料が適している。センダスト
合金は良く知られているようにSi9.5wt％，
Al5.5wt％、残部Feを中心とした組成において、
高透磁率、高飽和磁束密度を有する材料である
が、磁気ヘツドコア作製において、バルクセンダ
ストはもろいため、精密加工が困難であり、ま
た、VTR等へ応用する場合には20μm程度のコア
厚が必要となり、その場合に高周波特性が不十分
である等の欠点がある。また、超急冷法によるセ
ンダンスト薄帯をヘツドコアとして用いる場合、
コア材を樹脂接着により非磁性基板で挾み込んで
いるが、樹脂接着は接着層の制御が困難である。
又、バルク部材やリボン薄帯から切削加工によつ
てトラツク幅を形成する場合、トラツク幅の制御
等は狭トラツクになる程困難になる。このため高
周波特性の優れたトラツク幅に相当するセンダス
ト薄膜を非磁性基板表面上にスパツタ法、あるい
は蒸着法により狭トラツク磁気ヘツドを作製する
方法が提案されている。
＜発明の目的＞
本発明は電子ビーム蒸着法等による蒸着による
軟磁性膜形成時の下地基板温度を変化させ、磁気
特性の良好な結晶構造を得て加工性の良好な磁気
ヘツドコアを提供することを目的とする。
軟磁性膜形成時の下地基板温度を変化させ、磁気
特性の良好な結晶構造を得て加工性の良好な磁気
ヘツドコアを提供することを目的とする。
＜実施例＞
第１図は本発明の一実施例の説明に供する電子
ビーム蒸着装置の模式構成図である。
ビーム蒸着装置の模式構成図である。
真空ベルジヤ１内の上方には、蒸着用基板を蒸
着温度に加熱保持するためのヒータ２と蒸着膜が
形成される結晶化ガラス、セラミツク、感光性結
晶化ガラス、ガラス等から成る非磁性基板３が配
置されている。この非磁性基板３と蒸着源との間
には蒸着気流の通過を制御するシヤツタ４が介設
されている。また下方の蒸着源位置には電子ビー
ム発生用フイラメント５とフイラメント５で発生
した電子ビーム６の照射方向に配設されたるつぼ
（ハース）７があり、るつぼ７内には鉄60〜70wt
％、アルミニウム３〜6wt％、硅素20〜30wt％の
割合で構成した蒸着源材料８が載置されている。
電子ビーム６が蒸着源材料８に照射されるとその
部分の元素が蒸気流となつて飛翔し、シヤツタ４
の開成期間中シヤツタ４を通過して非磁性基板３
に被着し、蒸着膜が形成される。
着温度に加熱保持するためのヒータ２と蒸着膜が
形成される結晶化ガラス、セラミツク、感光性結
晶化ガラス、ガラス等から成る非磁性基板３が配
置されている。この非磁性基板３と蒸着源との間
には蒸着気流の通過を制御するシヤツタ４が介設
されている。また下方の蒸着源位置には電子ビー
ム発生用フイラメント５とフイラメント５で発生
した電子ビーム６の照射方向に配設されたるつぼ
（ハース）７があり、るつぼ７内には鉄60〜70wt
％、アルミニウム３〜6wt％、硅素20〜30wt％の
割合で構成した蒸着源材料８が載置されている。
電子ビーム６が蒸着源材料８に照射されるとその
部分の元素が蒸気流となつて飛翔し、シヤツタ４
の開成期間中シヤツタ４を通過して非磁性基板３
に被着し、蒸着膜が形成される。
ここで電子ビーム蒸着法による軟磁性膜形成時
の下地基板温度の違いが、その上に成膜される軟
磁性膜の特性に及ぼす影響を調べるために、前記
蒸着源材料を用い100〜400℃の範囲で非磁性基板
温度を変化させ、その表面上に膜厚5μmのFe−
Si−Al系軟磁性膜を形成した。膜組成は走査型
電子顕微鏡のエネルギー分散型分析により測定し
たところFe86.0wt％，Si9.5wt％，Al4.5wt％で
あつた。この膜を600℃、６時間真空中で熱処理
を行つた後1MHzでの実効透磁率μ′、保磁力Hc、
飽和磁束密度Bs及び電気比抵抗ρを測定し、基
板温度との関係を調べた結果を第２図に示す。ま
た磁化曲線の応力の変化から判断すると磁歪λs
は正であつた。基板温度200℃〜350℃の非磁性基
板表面上に形成されたFe−Si−Al系軟磁性膜は
1MHzの実効透磁率が1800以上、保磁力1Oe以下、
飽和磁束密度11500G以上、電気比抵抗70μΩcm、
ビツカース硬度600を有する非常に優れた磁気特
性、耐摩耗性を有することが判明した。中でも基
板温度300℃で非磁性基板表面上に形成されたFe
−Si−Al系軟磁性膜は1MHzの実効透磁率が
3800、保磁力0.6Oe、飽和磁束密度12000Gを有す
る非常に優れた磁気特性を有するものであつた。
また基板温度100℃以下の非磁性基板表面上に形
成したFe−Si−Al系軟磁性膜は磁性膜を基板と
の密着性が悪く剥離した。次にＸ線回折による結
晶構造の基板温度依存性を第３図に示した。基板
温度の高温側で磁性膜は（100）配向となり磁気
特性が低下し、基板温度300℃（022）面のピーク
強度が強く磁気特性が最も優れていた。
の下地基板温度の違いが、その上に成膜される軟
磁性膜の特性に及ぼす影響を調べるために、前記
蒸着源材料を用い100〜400℃の範囲で非磁性基板
温度を変化させ、その表面上に膜厚5μmのFe−
Si−Al系軟磁性膜を形成した。膜組成は走査型
電子顕微鏡のエネルギー分散型分析により測定し
たところFe86.0wt％，Si9.5wt％，Al4.5wt％で
あつた。この膜を600℃、６時間真空中で熱処理
を行つた後1MHzでの実効透磁率μ′、保磁力Hc、
飽和磁束密度Bs及び電気比抵抗ρを測定し、基
板温度との関係を調べた結果を第２図に示す。ま
た磁化曲線の応力の変化から判断すると磁歪λs
は正であつた。基板温度200℃〜350℃の非磁性基
板表面上に形成されたFe−Si−Al系軟磁性膜は
1MHzの実効透磁率が1800以上、保磁力1Oe以下、
飽和磁束密度11500G以上、電気比抵抗70μΩcm、
ビツカース硬度600を有する非常に優れた磁気特
性、耐摩耗性を有することが判明した。中でも基
板温度300℃で非磁性基板表面上に形成されたFe
−Si−Al系軟磁性膜は1MHzの実効透磁率が
3800、保磁力0.6Oe、飽和磁束密度12000Gを有す
る非常に優れた磁気特性を有するものであつた。
また基板温度100℃以下の非磁性基板表面上に形
成したFe−Si−Al系軟磁性膜は磁性膜を基板と
の密着性が悪く剥離した。次にＸ線回折による結
晶構造の基板温度依存性を第３図に示した。基板
温度の高温側で磁性膜は（100）配向となり磁気
特性が低下し、基板温度300℃（022）面のピーク
強度が強く磁気特性が最も優れていた。
＜発明の効果＞
以上詳細に説明した如く、電子ビーム蒸着法に
よりFe−Si−Al系軟磁性膜を作成する際、基板
温度を200〜350℃に選択することにより、磁気特
性の良好な軟磁性膜が形成され、コアの透磁率が
改善出来、ひいては磁気ヘツド効率改善を図るこ
とが可能となる。
よりFe−Si−Al系軟磁性膜を作成する際、基板
温度を200〜350℃に選択することにより、磁気特
性の良好な軟磁性膜が形成され、コアの透磁率が
改善出来、ひいては磁気ヘツド効率改善を図るこ
とが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の説明に供する電子
ビーム蒸着装置の模式構成図、第２図は基板温度
の異なる非磁性基板表面上に電子ビーム蒸着法に
より作製したFe−Si−Al系軟磁性膜の1MHzでの
実効透磁率、保磁力、飽和磁束密度及び電気比抵
抗の関係図、第３図は基板温度の異なる非磁性基
板表面上に電子ビーム蒸着法により作製したFe
−Si−Al系軟磁性膜のＸ線回折による結晶構造
の関係図である。 図中、１……真空ベルジヤ、２……ヒータ、３
……非磁性基板、４……シヤツタ、５……フイラ
メント、６……電子ビーム、７……るつぼ（ハー
ス）、８……蒸着源材料。
ビーム蒸着装置の模式構成図、第２図は基板温度
の異なる非磁性基板表面上に電子ビーム蒸着法に
より作製したFe−Si−Al系軟磁性膜の1MHzでの
実効透磁率、保磁力、飽和磁束密度及び電気比抵
抗の関係図、第３図は基板温度の異なる非磁性基
板表面上に電子ビーム蒸着法により作製したFe
−Si−Al系軟磁性膜のＸ線回折による結晶構造
の関係図である。 図中、１……真空ベルジヤ、２……ヒータ、３
……非磁性基板、４……シヤツタ、５……フイラ
メント、６……電子ビーム、７……るつぼ（ハー
ス）、８……蒸着源材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基板上に軟磁性膜を形成するために、
電子ビーム蒸着法によりFe−Si−Al系軟磁性膜
を、前記非磁性基板表面温度を200℃〜350℃の条
件のもとで成膜することを特徴とする磁気ヘツド
コアの製造方法。 ２ 前記軟磁性膜の蒸着源材料が鉄60〜70wt％、
アルミニウム３〜6wt％、硅素20〜30wt％の割合
で構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の磁気ヘツドコアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4575186A JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4575186A JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202307A JPS62202307A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0584566B2 true JPH0584566B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=12728009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4575186A Granted JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202307A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744110B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-05-15 | 松下電器産業株式会社 | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4575186A patent/JPS62202307A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62202307A (ja) | 1987-09-07 |
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