JPH0584847B2 - - Google Patents
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- JPH0584847B2 JPH0584847B2 JP62168098A JP16809887A JPH0584847B2 JP H0584847 B2 JPH0584847 B2 JP H0584847B2 JP 62168098 A JP62168098 A JP 62168098A JP 16809887 A JP16809887 A JP 16809887A JP H0584847 B2 JPH0584847 B2 JP H0584847B2
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、電磁流量計に係り、特にその励磁回
路での励磁電流の切替えに伴なう特性を改良した
電磁流量計に関する。
路での励磁電流の切替えに伴なう特性を改良した
電磁流量計に関する。
＜従来の技術＞
最近の電磁流量計の励磁方式は励磁コイルに時
間的に２値あるいは３値をとる矩形波状の励磁電
流を流し、これに伴なつて電極に発生する矩形波
状の信号電圧を信号処理して流量出力とするもの
が多くなつてきている。
間的に２値あるいは３値をとる矩形波状の励磁電
流を流し、これに伴なつて電極に発生する矩形波
状の信号電圧を信号処理して流量出力とするもの
が多くなつてきている。
この場合に、励磁電流はその立上りが急峻であ
ることが要求されるが、この要求を満たすには高
い励磁電圧で励磁する必要がある。
ることが要求されるが、この要求を満たすには高
い励磁電圧で励磁する必要がある。
いま、励磁回路で消費する電力Pfは励磁電流を
If、励磁コイルのインピーダンスをZf、励磁電圧
をVeとすれば、 Pf＝（Ve−IfZf）If ……(1) となる。従つて、励磁電流Ifの立上りを早くする
ために励磁電圧Veを大きくすれば、励磁回路で
消費する電力Pfも大きくなる欠点がある。
If、励磁コイルのインピーダンスをZf、励磁電圧
をVeとすれば、 Pf＝（Ve−IfZf）If ……(1) となる。従つて、励磁電流Ifの立上りを早くする
ために励磁電圧Veを大きくすれば、励磁回路で
消費する電力Pfも大きくなる欠点がある。
そこで、消費電力を小さくした励磁回路として
例えば、実開昭56−66817号「電磁流量計」があ
る。
例えば、実開昭56−66817号「電磁流量計」があ
る。
この励磁回路は、スイツチの開閉制御によつて
励磁電源から給電する励磁電流の流入方向を交互
に変えて方形波の励磁電流を励磁コイルに供給す
る場合に、この励磁コイルに流れる励磁電流を検
出してデユーテイサイクルに変換しこのデユーテ
イサイクルでスイツチング素子を制御して励磁電
流をオン／オフしこの励磁電流を一定にする一
方、基準電圧とスイツチング素子の出力側の電圧
とを比較して基準電圧に対して出力側の電圧が大
きいときには複数の励磁電源から任意数を切り離
して低電圧で励磁するようにして励磁回路での消
費電力を低減する構成が開示されている。
励磁電源から給電する励磁電流の流入方向を交互
に変えて方形波の励磁電流を励磁コイルに供給す
る場合に、この励磁コイルに流れる励磁電流を検
出してデユーテイサイクルに変換しこのデユーテ
イサイクルでスイツチング素子を制御して励磁電
流をオン／オフしこの励磁電流を一定にする一
方、基準電圧とスイツチング素子の出力側の電圧
とを比較して基準電圧に対して出力側の電圧が大
きいときには複数の励磁電源から任意数を切り離
して低電圧で励磁するようにして励磁回路での消
費電力を低減する構成が開示されている。
＜発明が解決しようとする問題点＞
しかしながら、この様な励磁回路には次のよう
な問題点がある。
な問題点がある。
この励磁回路は励磁電流を定電流化する手段と
して、スイツチング素子を用いるのでこのスイツ
チング素子でチヨツピングされた励磁電圧は励磁
コイルのインダクタンスで平滑されて一定値の励
磁電流として励磁コイルに印加されるが、チヨツ
ピングされた高周波電圧が励磁コイルへのケーブ
ルに印加され、これによつて信号回路或いは近接
する他の計器に誘導ノイズとして影響を与えると
いう問題がある。
して、スイツチング素子を用いるのでこのスイツ
チング素子でチヨツピングされた励磁電圧は励磁
コイルのインダクタンスで平滑されて一定値の励
磁電流として励磁コイルに印加されるが、チヨツ
ピングされた高周波電圧が励磁コイルへのケーブ
ルに印加され、これによつて信号回路或いは近接
する他の計器に誘導ノイズとして影響を与えると
いう問題がある。
また、消費電流を適正にするために、励磁コイ
ルのインピーダンスに応じて複数の励磁電源を個
別に設定することが必要であるが、汎用の回路定
数を決めることが難しい。。
ルのインピーダンスに応じて複数の励磁電源を個
別に設定することが必要であるが、汎用の回路定
数を決めることが難しい。。
＜問題点を解決するための手段＞
この発明は、以上の問題を解決するため、各辺
に切替スイツチを持ちこれ等の切替スイツチに逆
並列に接続されたダイオードを持つブリツジの出
力端に励磁コイルを接続し各切替スイツチを開閉
することにより励磁コイルに流れる励磁電流の方
向を反転させるブリツジ回路と、直流電源とブリ
ツジの電源端との間に制御スイツチを介して接続
され励磁電流を検出してこれと基準電圧を比較し
てその偏差でアナログ制御素子を制御し基準電圧
で設定された定電流値になるよう制御する定電流
回路と、定電流値に関連する電圧を検出し定電流
値に達しないときには制御スイツチをオンとして
定電流回路の電源電圧を増大させた定電流値に達
したときは制御スイツチをオン／オフ制御する制
御手段と、定電流が流れる方向とは逆方向に流れ
る極性で定電流回路に並列に接続されたダイオー
ドとを具備するようにしたものである。
に切替スイツチを持ちこれ等の切替スイツチに逆
並列に接続されたダイオードを持つブリツジの出
力端に励磁コイルを接続し各切替スイツチを開閉
することにより励磁コイルに流れる励磁電流の方
向を反転させるブリツジ回路と、直流電源とブリ
ツジの電源端との間に制御スイツチを介して接続
され励磁電流を検出してこれと基準電圧を比較し
てその偏差でアナログ制御素子を制御し基準電圧
で設定された定電流値になるよう制御する定電流
回路と、定電流値に関連する電圧を検出し定電流
値に達しないときには制御スイツチをオンとして
定電流回路の電源電圧を増大させた定電流値に達
したときは制御スイツチをオン／オフ制御する制
御手段と、定電流が流れる方向とは逆方向に流れ
る極性で定電流回路に並列に接続されたダイオー
ドとを具備するようにしたものである。
＜作用＞
励磁電流の立上りのときには定電流回路と導通
状態にすると共に制御スイツチをオンとして大き
な直流電圧を励磁コイルに印加し、励磁電流が所
定値に達したときは定電流回路が動作して所定の
励磁電流になるようにアナログ制御すると共に定
電流回路の出力電圧が所定値になるように制御ス
イツチを制御し、励磁電流の立下りのときは励磁
コイルに保持されたエネルギーがブリツジの各辺
を成すダイオードと定電流回路に並列に逆接続さ
れたダイオードを介して電源側に放電させて励磁
電流を立下げるがこのときにこの放電方向とは逆
方向に直流電圧から電流を流してこれ等の合成電
流として励磁電流の立下りを早める。
状態にすると共に制御スイツチをオンとして大き
な直流電圧を励磁コイルに印加し、励磁電流が所
定値に達したときは定電流回路が動作して所定の
励磁電流になるようにアナログ制御すると共に定
電流回路の出力電圧が所定値になるように制御ス
イツチを制御し、励磁電流の立下りのときは励磁
コイルに保持されたエネルギーがブリツジの各辺
を成すダイオードと定電流回路に並列に逆接続さ
れたダイオードを介して電源側に放電させて励磁
電流を立下げるがこのときにこの放電方向とは逆
方向に直流電圧から電流を流してこれ等の合成電
流として励磁電流の立下りを早める。
＜実施例＞
以下、本発明の実施例について図面に基づき説
明する。第１図は本発明の１実施例の構成を示す
回路図である。
明する。第１図は本発明の１実施例の構成を示す
回路図である。
１０は電源部であり、例えば商用電源Ｖをダイ
オードD1とコンデンサC1で構成された整流平滑
回路で平滑してその出力端に入力電圧Viを出力
する。この場合は、商用電源Ｖの代わりにスイツ
チング電源の２次側の電源を用いても良い。
オードD1とコンデンサC1で構成された整流平滑
回路で平滑してその出力端に入力電圧Viを出力
する。この場合は、商用電源Ｖの代わりにスイツ
チング電源の２次側の電源を用いても良い。
１１は電圧制御部であり、入力電圧Viをチヨ
ツピングする制御スイツチSW1、このチヨツピン
グした電圧をコンデンサC2、インダクタンスL1、
ダイオードD2で構成された平滑回路で平滑して
励磁電圧Veを出力する。この場合に制御スイツ
チSW1は、基準電圧E1と後述する定電流制御部
の出力である励磁電圧Voとを比較する比較器Q1
の出力でその開閉が制御される。さらに、制御ス
イツチSW1には入力電圧Viによつて流される電
流とは逆方向になるような極性でダイオードD3
が並列に接続され、このダイオードD3により励
磁コイルからのキツクバツク電流を電源部１０に
戻す。
ツピングする制御スイツチSW1、このチヨツピン
グした電圧をコンデンサC2、インダクタンスL1、
ダイオードD2で構成された平滑回路で平滑して
励磁電圧Veを出力する。この場合に制御スイツ
チSW1は、基準電圧E1と後述する定電流制御部
の出力である励磁電圧Voとを比較する比較器Q1
の出力でその開閉が制御される。さらに、制御ス
イツチSW1には入力電圧Viによつて流される電
流とは逆方向になるような極性でダイオードD3
が並列に接続され、このダイオードD3により励
磁コイルからのキツクバツク電流を電源部１０に
戻す。
１２は定電流制御部であり、励磁電圧Veが供
給され、励磁電流Ifを検出する抵抗R1とFETトラ
ンジスタQ2とを介してその出力端に励磁のため
の励磁電流Ifを出力する。この場合にFETトラン
ジスタQ2は抵抗R1で検出された励磁電流Ifによる
電圧と基準電圧E2とを誤差増幅器Q3で比較して
その出力でその内部抵抗を制御して励磁電流Ifを
制御する。FETトランジスタQ2には励磁電圧Ve
によつて流される電流とは逆方向になるような極
性でダイオードD4が並列に接続され、このダイ
オードD4により励磁の切り替えのときの励磁コ
イルからのキツクバツク電流を電源部１０に戻
す。
給され、励磁電流Ifを検出する抵抗R1とFETトラ
ンジスタQ2とを介してその出力端に励磁のため
の励磁電流Ifを出力する。この場合にFETトラン
ジスタQ2は抵抗R1で検出された励磁電流Ifによる
電圧と基準電圧E2とを誤差増幅器Q3で比較して
その出力でその内部抵抗を制御して励磁電流Ifを
制御する。FETトランジスタQ2には励磁電圧Ve
によつて流される電流とは逆方向になるような極
性でダイオードD4が並列に接続され、このダイ
オードD4により励磁の切り替えのときの励磁コ
イルからのキツクバツク電流を電源部１０に戻
す。
１３は励磁電流の極性反転部であり、スイツチ
SW2，SW3，SW4，SW5，でブリツジの各辺を構
成し、その電源端には励磁電圧Voが印加されそ
の出力端には励磁コイルL2が接続されて励磁電
流Ifが流される。この場合に、スイツチSW2と
SW5、およびSW3とSW4はそれぞれ図示しないタ
イミング信号により同時に開閉され、かつ前者の
スイツチ群と後者のスイツチ群とは互いに逆極性
で切り替えられて励磁コイルへの励磁電流Ifの流
れる方向が反転される。なお、各スイツチSW2，
SW3，SW4，SW5にはそれぞれ逆並列にダイオー
ドD5，D6，D7，D8が接続され、励磁コイルに保
持されたエネルギをスイツチを切り替えた際に流
す。
SW2，SW3，SW4，SW5，でブリツジの各辺を構
成し、その電源端には励磁電圧Voが印加されそ
の出力端には励磁コイルL2が接続されて励磁電
流Ifが流される。この場合に、スイツチSW2と
SW5、およびSW3とSW4はそれぞれ図示しないタ
イミング信号により同時に開閉され、かつ前者の
スイツチ群と後者のスイツチ群とは互いに逆極性
で切り替えられて励磁コイルへの励磁電流Ifの流
れる方向が反転される。なお、各スイツチSW2，
SW3，SW4，SW5にはそれぞれ逆並列にダイオー
ドD5，D6，D7，D8が接続され、励磁コイルに保
持されたエネルギをスイツチを切り替えた際に流
す。
次に、以上のように構成された励磁回路の動作
について第２図を参照して説明する。
について第２図を参照して説明する。
スイツチSW2とSW5、およびSW3とSW4を第２
図ロに示すように図示しないタイミング信号によ
り開閉することによつて第２図イに示す励磁電流
Ifを得る。スイツチSW2とSW5がオンのときは励
磁コイルL2には正の向きに励磁電流Ifが流れ、ス
イツチSW3とSW4がオンのときは逆向きに流れ
る。スイツチSW2〜SW5のすべてがオフのときは
励磁電流If＝０となる。
図ロに示すように図示しないタイミング信号によ
り開閉することによつて第２図イに示す励磁電流
Ifを得る。スイツチSW2とSW5がオンのときは励
磁コイルL2には正の向きに励磁電流Ifが流れ、ス
イツチSW3とSW4がオンのときは逆向きに流れ
る。スイツチSW2〜SW5のすべてがオフのときは
励磁電流If＝０となる。
正及び逆の励磁電流Ifの立上りのときは定電流
制御部１２の基準電圧E2と抵抗R1の両端の電圧
VR（＝IfR1）との関係は、 VR＜E2 ……(2) であるので、FETトランジスタQ2がオンとなり、
励磁電流I′fは励磁コイルL2の時定数τ（τ＝Lc／
ｒ、但し、Lc、ｒはそれぞれ励磁コイルL2のイ
ンダクタンス成分、抵抗成分）に依存して If＝Ve（１−ｅ×ｐ（ｔ／τ））／ｒ ……(3) の関係にしたがつて増大し、 If＝Ifp＝E2／R1 ……(4) まで到達し、以後(4)式が成立するように誤差増幅
器Q3がFETトランジスタQ2を制御する。
制御部１２の基準電圧E2と抵抗R1の両端の電圧
VR（＝IfR1）との関係は、 VR＜E2 ……(2) であるので、FETトランジスタQ2がオンとなり、
励磁電流I′fは励磁コイルL2の時定数τ（τ＝Lc／
ｒ、但し、Lc、ｒはそれぞれ励磁コイルL2のイ
ンダクタンス成分、抵抗成分）に依存して If＝Ve（１−ｅ×ｐ（ｔ／τ））／ｒ ……(3) の関係にしたがつて増大し、 If＝Ifp＝E2／R1 ……(4) まで到達し、以後(4)式が成立するように誤差増幅
器Q3がFETトランジスタQ2を制御する。
従つて、励磁電流Ifの立上りを速くするには励
磁電圧Veを大きくする必要がある。
磁電圧Veを大きくする必要がある。
一方、励磁電流If＝０に戻る励磁電流Ifの立下
りのときにはスイツチSW2〜SW5はすべてオフと
なるので、励磁コイルL2に保持されている電流
は各スイツチSW2〜SW5と逆並列に接続されてい
るダイオードD5〜D8およびFETトランジスタ
Q2、スイツチSW1にぞれぞれ逆並列に接続され
たダイオードD4、D3を介して電源部１０に流れ
込む。このときのキツクバツク電流Ihの減衰は次
の(5)式で示される。
りのときにはスイツチSW2〜SW5はすべてオフと
なるので、励磁コイルL2に保持されている電流
は各スイツチSW2〜SW5と逆並列に接続されてい
るダイオードD5〜D8およびFETトランジスタ
Q2、スイツチSW1にぞれぞれ逆並列に接続され
たダイオードD4、D3を介して電源部１０に流れ
込む。このときのキツクバツク電流Ihの減衰は次
の(5)式で示される。
Ih＝Ifpexp（−ｔ／τ） ……(5)
この式で現されるキツクバツク電流の減衰は励
磁コイルL2の時定数τに依存するので、励磁コ
イルの検討条件によつて長い減衰時間を必要とす
ることもある。
磁コイルL2の時定数τに依存するので、励磁コ
イルの検討条件によつて長い減衰時間を必要とす
ることもある。
また、励磁コイル側から電源部１０に(5)式で示
されるキツクバツク電流Ihが流れている間は励磁
コイルL2のキツクバツク電流Ihと同じパスを介し
て励磁電圧Vcが励磁コイルL2に印加され、キツ
クバツク電流Ihとは逆向きの励磁電流If′ If′＝−Vi（１−exp（−ｔ／τ））／ｒ ……(6) がキツクバツク電流Ihが減少させる方向に流れ
る。
されるキツクバツク電流Ihが流れている間は励磁
コイルL2のキツクバツク電流Ihと同じパスを介し
て励磁電圧Vcが励磁コイルL2に印加され、キツ
クバツク電流Ihとは逆向きの励磁電流If′ If′＝−Vi（１−exp（−ｔ／τ））／ｒ ……(6) がキツクバツク電流Ihが減少させる方向に流れ
る。
従つて、励磁電流の立下りの期間の励磁電流If
は(5)、(6)式の合成して次の(7)式のようになる。
は(5)、(6)式の合成して次の(7)式のようになる。
If＝If′＋Ih＝Ifpexp（−ｔ／τ）
−Vi（１−exp（−ｔ／τ）） ……(7)
従つて、後述する電圧制御部１１でVi≒Veに
なるように励磁電圧を制御することによつて、励
磁電流IfがIfpから０に減衰するまでの時間は(7)式
の第１項の分だけ励磁電流の立上り時間（０から
Ifpに達するまでの時間）より小さいことになる。
これは、励磁電流の立上り／立下りの速さは励磁
電圧Veの大きさにより決めることができること
を示している。
なるように励磁電圧を制御することによつて、励
磁電流IfがIfpから０に減衰するまでの時間は(7)式
の第１項の分だけ励磁電流の立上り時間（０から
Ifpに達するまでの時間）より小さいことになる。
これは、励磁電流の立上り／立下りの速さは励磁
電圧Veの大きさにより決めることができること
を示している。
第２図ハは定電流制御部１２の出力端の励磁電
圧Voを示している。励磁電流Ifが所定の定電流
値Ifpに達するまでの間は入力電圧Viが直接に励
磁コイルL2に印加されるが、If＝Ifpに達すると励
磁コイルL2に印加される励磁電圧VLは励磁コイ
ルの抵抗成分ｒと所定の定電流値Ifpとの積とな
る。
圧Voを示している。励磁電流Ifが所定の定電流
値Ifpに達するまでの間は入力電圧Viが直接に励
磁コイルL2に印加されるが、If＝Ifpに達すると励
磁コイルL2に印加される励磁電圧VLは励磁コイ
ルの抵抗成分ｒと所定の定電流値Ifpとの積とな
る。
VL＝rIfp ……(8)
従つて、例えば電圧制御部１１を設けないで定
電流制御部１２の入力端の励磁電圧Veが電源電
圧Viに等しい一定の大きさになつている場合に
は第２図ニに斜線で示す部分の電力Rl Rl＝（Vi−VL）Ifp ……(9) はFETトランジスタQ2で消費されねばならない。
従つて、励磁電流Ifの立上りを急峻にするため、
Ve＝Vi（一定）として入力電圧Viを大きくする
と(9)式で示されるパワーロスが増大する。
電流制御部１２の入力端の励磁電圧Veが電源電
圧Viに等しい一定の大きさになつている場合に
は第２図ニに斜線で示す部分の電力Rl Rl＝（Vi−VL）Ifp ……(9) はFETトランジスタQ2で消費されねばならない。
従つて、励磁電流Ifの立上りを急峻にするため、
Ve＝Vi（一定）として入力電圧Viを大きくする
と(9)式で示されるパワーロスが増大する。
そこで、このパワーロスをの増大を低減するた
めに電圧制御部１１を設ける。
めに電圧制御部１１を設ける。
電圧制御部１１ではFETトランジスタQ2のド
レイン／ソース間に印加される電圧ΔV（＝Ve−
R1If−Vo≒Ve−Vo）を検出し、比較器Q1で基準
電圧E1と比較する。比較器Q1はヒステリシスε
を持つており、 ΔV−ε／２＜E1のときSW1をオン ΔV＋ε／２＞E1のときSW1をオフ としてΔVを一定の大きさの中に制御する。
レイン／ソース間に印加される電圧ΔV（＝Ve−
R1If−Vo≒Ve−Vo）を検出し、比較器Q1で基準
電圧E1と比較する。比較器Q1はヒステリシスε
を持つており、 ΔV−ε／２＜E1のときSW1をオン ΔV＋ε／２＞E1のときSW1をオフ としてΔVを一定の大きさの中に制御する。
以上の点について、第２図ホ，へを参照してさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
まず、励磁電流Ifが０から定常値Ifpに移行する
過度期間t1ではFETトランジスタQ2が導通状態
となり、ΔV≒０となるのでスイツチSW1がオン
となりVi＝Ve＝voとなる。従つて、励磁コイル
L2の両端には第２図ヘに示すようにViの電圧が
印加される。
過度期間t1ではFETトランジスタQ2が導通状態
となり、ΔV≒０となるのでスイツチSW1がオン
となりVi＝Ve＝voとなる。従つて、励磁コイル
L2の両端には第２図ヘに示すようにViの電圧が
印加される。
次に、励磁電流Ifが定常値＋Ifp（−Ifp）に達し
た励磁期間t2では、FETトランジスタQ2がイン
ピーダンスを持ち、そのドレイン／ソース間に印
加される電圧ΔVが ΔV＝E1±ε／２ の範囲になるように比較器Q1で制御され、第２
図ヘに示すように一定の電圧LLが励磁コイルに
印加される。
た励磁期間t2では、FETトランジスタQ2がイン
ピーダンスを持ち、そのドレイン／ソース間に印
加される電圧ΔVが ΔV＝E1±ε／２ の範囲になるように比較器Q1で制御され、第２
図ヘに示すように一定の電圧LLが励磁コイルに
印加される。
さらに、スイツチSW2〜SW5の全てがオフとな
り励磁電流Ifが０となる期間t3では、ΔV＝０とな
り、励磁コイルL2に印加される電圧は第２図ヘ
に示すように０となる。従つて、スイツチSW1が
オンとなりVi＝Ve＝Voとなる。
り励磁電流Ifが０となる期間t3では、ΔV＝０とな
り、励磁コイルL2に印加される電圧は第２図ヘ
に示すように０となる。従つて、スイツチSW1が
オンとなりVi＝Ve＝Voとなる。
ここで、制御スイツチSW1がオンのときに流れ
込む電流はダイオードD2、インダクタンスL1コ
ンデンサC1で構成される平滑回路で平滑されて
励磁電圧Veとされるが、この平滑回路の時定数
を励磁電流Ifの立上り／立下りの時間に比べて充
分小さくすることによつて、励磁電流の立上げ／
立下げのときのみ励磁コイルの印加電圧を入力電
圧Viに等しくし、所定の定電流IfpのときにはIfｒ
としたまま、定電流制御部１２でのパワーロスを
減少させることができる。すなわち、電圧制御部
１１の動作によつて定電流制御部１２でのIf＝Ifp
（一定）のときのパワーロースは Pl′＝（E1−R1Ifp）Ifp） ……(10) となり、制御しない(9)式の場合に比べて充分に小
さくすることができる。
込む電流はダイオードD2、インダクタンスL1コ
ンデンサC1で構成される平滑回路で平滑されて
励磁電圧Veとされるが、この平滑回路の時定数
を励磁電流Ifの立上り／立下りの時間に比べて充
分小さくすることによつて、励磁電流の立上げ／
立下げのときのみ励磁コイルの印加電圧を入力電
圧Viに等しくし、所定の定電流IfpのときにはIfｒ
としたまま、定電流制御部１２でのパワーロスを
減少させることができる。すなわち、電圧制御部
１１の動作によつて定電流制御部１２でのIf＝Ifp
（一定）のときのパワーロースは Pl′＝（E1−R1Ifp）Ifp） ……(10) となり、制御しない(9)式の場合に比べて充分に小
さくすることができる。
第３図は本発明の第２の実施例を示すブロツク
図である。
図である。
第１図で示す実施例ではFETトランジスタQ2
のソース／ドレイン間電圧を検出し、励磁電圧
Veを制御をしたが、第３図に示すように励磁電
流Ifによつて励磁電圧Veを制御しても良い。
のソース／ドレイン間電圧を検出し、励磁電圧
Veを制御をしたが、第３図に示すように励磁電
流Ifによつて励磁電圧Veを制御しても良い。
すなわち、励磁電流Ifの大きさが十分小さい期
間は励磁電圧Veを大きくして(2)式で示すように
励磁電流の立上りを急峻にし、If＝Ifpの期間では
励磁電圧Veが小さくなるように制御することに
よつてIf＝Ifpの期間でのパワーロスを小さくする
ことができる。
間は励磁電圧Veを大きくして(2)式で示すように
励磁電流の立上りを急峻にし、If＝Ifpの期間では
励磁電圧Veが小さくなるように制御することに
よつてIf＝Ifpの期間でのパワーロスを小さくする
ことができる。
＜発明の効果＞
以上、実施例と共に具体的に説明したように本
発明によれば、励磁電流の切り替えの際の立上
り／立下りを急峻にすると共に定常状態での定電
流回路のパワーロスを小さくして効率の良い励磁
回路を実現し、しかも定電流制御をアナログ的に
実行するようにしたのでスイツチングに伴なう高
周波電圧を発生させて近くの計器に有害な誘導を
起こさせる危険を生じることもない。
発明によれば、励磁電流の切り替えの際の立上
り／立下りを急峻にすると共に定常状態での定電
流回路のパワーロスを小さくして効率の良い励磁
回路を実現し、しかも定電流制御をアナログ的に
実行するようにしたのでスイツチングに伴なう高
周波電圧を発生させて近くの計器に有害な誘導を
起こさせる危険を生じることもない。
また、励磁回路のパワーロスは励磁コイルのイ
ンピーダンス値に依存しないので、汎用の励磁回
路が実現できる。
ンピーダンス値に依存しないので、汎用の励磁回
路が実現できる。
第１図は本発明の１実施例を示す回路図、第２
図は第１図に示す実施例の動作を説明する波形
図、第３図は本発明の他の実施例を示すブロツク
図である。 １０……電源部、１１……電圧制御部、１２…
…定電流制御部、１３……極性反転部、Q1……
比較器、Q2……FETトランジスタ、Q3……誤差
増幅器、Vi……入力電圧、Ve，Vo……励磁電
圧、If……励磁電流。
図は第１図に示す実施例の動作を説明する波形
図、第３図は本発明の他の実施例を示すブロツク
図である。 １０……電源部、１１……電圧制御部、１２…
…定電流制御部、１３……極性反転部、Q1……
比較器、Q2……FETトランジスタ、Q3……誤差
増幅器、Vi……入力電圧、Ve，Vo……励磁電
圧、If……励磁電流。
Claims (1)
- １ 各辺に切替スイツチを持ちこれ等の切替スイ
ツチに逆並列に接続されたダイオードを持つブリ
ツジの出力端に励磁コイルを接続し前記各切替ス
イツチを開閉することにより前記励磁コイルに流
れる励磁電流の方向を反転させるブリツジ回路
と、直流電源と前記ブリツジの電源端との間に制
御スイツチを介して接続され前記励磁電流を検出
してこれと基準電圧を比較してその偏差でアナロ
グ制御素子を制御し前記基準電圧で設定された定
電流値になるように制御する定電流回路と、前記
定電流値に関連する電圧を検出し前記定電流値に
達しないときには前記制御スイツチをオン／オフ
４とし前記定電流値に達したときは前記制御スイ
ツチをオフに制御する制御手段と、前記定電流が
流れる方向とは逆方向に流れる極性で前記定電流
回路に並列に接続されたダイオードとを具備する
ことを特徴とする電磁流量計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16809887A JPS6412226A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Electromagnetic flowmeter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16809887A JPS6412226A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Electromagnetic flowmeter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6412226A JPS6412226A (en) | 1989-01-17 |
| JPH0584847B2 true JPH0584847B2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=15861801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16809887A Granted JPS6412226A (en) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | Electromagnetic flowmeter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6412226A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2716105B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 交番定電流回路 |
| JP5555654B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-23 | アズビル株式会社 | 電磁流量計 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5666817U (ja) * | 1979-10-29 | 1981-06-03 | ||
| JPS58182514A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 電磁流量計の励磁回路 |
| JPH0229174B2 (ja) * | 1982-12-20 | 1990-06-28 | Yokogawa Electric Corp | Denjiryuryokeinoreijikairo |
-
1987
- 1987-07-06 JP JP16809887A patent/JPS6412226A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6412226A (en) | 1989-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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