JPH0584947U - 電子閃光装置の発光制御回路 - Google Patents

電子閃光装置の発光制御回路

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JPH0584947U
JPH0584947U JP2435792U JP2435792U JPH0584947U JP H0584947 U JPH0584947 U JP H0584947U JP 2435792 U JP2435792 U JP 2435792U JP 2435792 U JP2435792 U JP 2435792U JP H0584947 U JPH0584947 U JP H0584947U
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秀樹 松井
亮太郎 高柳
宏 坂本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子閃光管の発光とほぼ同時に適正露光とな
る場合に生じやすい電圧作動スイッチの破壊を防止する
ことを目的とする。 【構成】 電子閃光装置の発光制御回路は、発光開始信
号が出力された後の一定時間は発光停止信号を無効にす
る手段(51,61)と、発光停止信号が出力された後
の一定時間は発光開始信号を無効にする手段(52,6
2)とを備えることを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は電子閃光装置の発光制御回路に関するものであり、特に、発光管の発 光を制御する素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下、IGBT [INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]と略す)又は、カスコード接続された サイリスタ素子とMOSFETとが1チップ上に形成された半導体素子(以下、 ESC[EMITTER SHORTED COLLECTOR ]と略す)を用いたものに関するものであ る。
【0002】
【従来の技術】
電圧作動スイッチ素子(IGBT,ESC)を用いた電子閃光装置の発光制御 回路は、例えば特開昭64−17033、特開平4−27164等多くの技術が 知られている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの技術によれば、発光管の発光時に発光開始信号に応答 して電圧作動スイッチ素子を導通させ、発光停止信号に応答して電圧作動スイッ チ素子を非導通にさせていた。そのため、例えば撮影条件として被写体までの 距離が非常に近い、撮影に用いるフィルムが高感度である、撮影レンズの絞 り値が開放側にある、被写体輝度が高い、高速繰り返し発光を行う、などの 条件が重なった場合には、被写体輝度は電子閃光装置の発光とほぼ同時に適正光 量になる場合もあり、この時には発光開始信号が出力された直後に発光停止信号 が出力されることになる。
【0004】 ところが、電圧作動スイッチ素子のゲートに印加され予め決められたゲート電 圧に達するまでの時間は、電圧作動スイッチ素子のゲート・エミッタ間にも容量 が存在するため多少の時間がかかる。 従って、発光開始信号が出力された直後に発光停止信号が出力されると電圧作 動スイッチ素子のゲート電圧の印加が予め決められたゲート電圧になる前にゲー トの電圧消失動作になる場合が生じてくる。この時、発光管は励起状態が継続し ているため、発光管のインピーダンスは非常に小さくなっている。
【0005】 一方、電圧作動スイッチ素子は、その特性上ゲート電圧に応じて最大コレクタ 電流が決められているが、発光管のインピーダンスが非常に小さいときに電圧作 動スイッチ素子のコレクタ電流がゲート電圧を無視して流れることになる。 その結果、電圧作動スイッチ素子の耐圧を越えてコレクタ電流が流れ、電圧作 動スイッチ素子が破壊する場合が生じる。
【0006】 そこで、本考案は、発光開始信号が出力された後の一定時間内は発光停止信号 を受け付けないようにし、また発光停止信号が出力された後の一定時間は、発光 開始信号を受け付けないようにして、電圧作動スイッチ素子の破壊を防止するこ とを目的とする。
【0007】
【考案が解決するための手段】
本考案の電子閃光装置の発光制御回路は、発光開始信号が出力された後の一定 時間は発光停止信号を無効にする手段(51,61)と、発光停止信号が出力さ れた後の一定時間は発光開始信号を無効にする手段(52,62)とを備えるこ とを特徴とする。
【0008】
【作用】
発光開始信号の出力後電圧作動スイッチ素子のゲート電圧が予め決められた電 圧に到達するまで発光停止信号を無効にし、発光停止信号の出力後電圧作動スイ ッチ素子のゲート電圧が完全に消失するまで発光開始信号を無効にしているので 、特に高速繰り返し発光等の場合でも電圧作動スイッチ素子が破壊することがな い。
【0009】
【実施例】
図1(a)は、本実施例の回路図を示したものであり、絶縁ゲート型バイポー ラトランジスタ(以下、IGBT[INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR]と略 す)を用いたものである。 図1(a)において、電源2は、昇圧トランジスタ4のエミッタと後述する制 御回路400の電源ラインVCCに接続される。
【0010】 昇圧回路100は、昇圧トランジスタ4と、抵抗5,6,7,10と、昇圧制 御トランジスタ8と、昇圧トランス9と、ダイオード11,13と、コンデンサ 12とで構成される。 電圧検知回路200は、電圧検知用のモニタコンデンサ14と、抵抗15,1 7と、可変抵抗16と、ダイオード18とで構成される。
【0011】 メインコンデンサ19は、発光管34を発光させるための電荷を蓄えるコンデ ンサーであり、昇圧回路100で昇圧された電圧がメインコンデンサ19に蓄え られる。 トリガ回路300は、トリガコンデンサ37と、トリガコンデンサ37を充電 するための充電抵抗36と、トリガトランス35と、IGBT32と、抵抗31 と、ダイオード33とで構成される。
【0012】 IGBT32のゲートは、ツェナーダイオード27と抵抗26との接点に接続 されており、抵抗26を介してトランジスタ25のコレクタに接続される。トラ ンジスタ25のゲートは、抵抗23,24の接点に接続され、抵抗24を介して トランジスタ22のコレクタに接続される。そして、トランジスタ22のゲート には、抵抗20,21が接続される。ツェナーダイオード27と、トランジスタ 22,25と、抵抗20,21,23,24とでIGBTのゲート電圧生成回路 を構成している。
【0013】 また、IGBT32のゲートには、抵抗31を介してトランジスタ30のコレ クタに接続されており、トランジスタ30と、トランジスタ30のベースに接続 された抵抗28,29とでIGBT32のゲート電圧消失回路を構成している。 制御回路400は、本実施例の電子閃光装置の動作を制御する回路であり、発 光管34を発光させるためのスイッチ70の入力端子であるX端子と、電源であ るVCC端子と、基準電位であるGND端子と、昇圧回路100の昇圧動作を制御 するための出力端子であるBLK端子と、メインコンデンサ19の充電電圧を監 視する入力端子であるMON端子と、発光開始信号を出力するTG端子と、発光 停止信号を出力するSTP端子と、発光停止信号の出力を途中で停止させるため に監視する入力端子であるSTPRST端子と、発光開始信号の出力を途中で停 止させるために監視する入力端子であるTGRST端子と、被写体の明るさを受 光する受光素子40によって光量積分する測光回路500からの信号を受け取る INTG端子とを備えている。
【0014】 ANDゲート51の一方の入力端子は、制御回路400のTG端子に接続され 、ANDゲート51の他方の入力端子は後述するタイマー61の出力に接続され る。ANDゲート51の出力端子は、タイマー62と抵抗20に接続され、かか る接点には、制御回路400のSTPRST端子も接続される。タイマー62の 出力は、ANDゲート52の入力端子に接続され、ANDゲート52の他方の入 力端子は、制御回路400のSTP端子に接続される。ANDゲート52の出力 端子は、タイマー61と抵抗28に接続され、かかる接点には、制御回路400 のTGRST端子も接続される。
【0015】 ここに、タイマー61とANDゲート51は発光開始信号が出力された後一定 時間発光停止信号を無効にさせるためのものであり、タイマー62とANDゲー ト52は発光停止信号が出力された後一定時間発光開始信号を無効にさせるため のものである。 以上のように構成された本実施例の電子閃光装置の動作を説明する。
【0016】 電源スイッチ1を閉成すると制御回路400のVCC端子及び昇圧回路100に 電源が供給され、制御回路400のBLK端子は昇圧信号(『H』レベル)を出 力する。昇圧信号は抵抗6を介して昇圧制御トランジスタ8のベースに入力され 、昇圧制御トランジスタ8のコレクタ・エミッタ間は導通する。これによって昇 圧回路100は公知の昇圧動作を開始する。
【0017】 昇圧回路100の昇圧動作によってモニタコンデンサ14及びメインコンデン サ19は徐々に充電されていき、その充電電圧は電圧検知回路200によって制 御回路400のMON端子に伝達される。MON端子の電圧が所定の電圧を越え ると制御回路400はBLK端子からの昇圧信号の出力を停止する(『L』レベ ル)。
【0018】 なお、このとき昇圧回路100の昇圧動作によってトリガコンデンサ37も抵 抗36を介して充電される。 この状態で発光開始スイッチ70を閉成した場合の電子閃光装置の単発発光の タイムチャートを図2に示す。なお、図2の右端に記載されるX,TG等は制御 回路400の端子を示し、a〜dは図1に引き出し線で示す位置を示す。以下、 タイムチャートの説明をする。
【0019】 発光開始スイッチ70が閉成されると、その状態がX端子に入力される(図2 時刻T0)。 すると、制御回路400はX信号の入力(立ち下がり)に応答して発光開始信 号をTG端子から出力する。発光開始信号はANDゲート51の一端の入力端子 に入力し、他端の入力端子aは通常『H』レベルを出力しているので発光開始信 号の出力に応答してANDゲート51の出力端子bおよび制御回路400のST PRST端子も『H』レベルとなる。
【0020】 タイマー62は、入力信号の立ち上がりでセットされる構成になっており、出 力端子cは入力信号の立ち上がりに応答して一定時間『L』レベルの信号を出力 する(本実施例においては図2の時刻T0から時刻T1までの時間)。 また、発光開始信号は、抵抗20を介してトランジスタ22のベースに入力さ れる。これによってトランジスタ22のコレクタ・エミッタ間は導通し、更にト ランジスタ25のエミッタ・コレクタ間も導通する。そして、トランジスタ25 の導通によってIGBT32のゲートにはメインコンデンサ19の電圧が抵抗2 6を介してツェナーダイオード27で発生した電圧が抵抗31を介して印加され 、IGBT32のコレクタ・エミッタ間が導通する。
【0021】 IGBT32が導通することによってトリガコンデンサ37の電荷は、ダイオ ード33、IGBT32のコレクタ・エミッタ、トリガトランス35の1次側巻 線を介して放電され、発光管34には数千ボルトのトリガ電圧が印加される。こ れによって発光管34は発光を開始する。発光管34の発光によって受光素子4 0を介して測光回路500では光量積分が開始され、被写体が適正光量になった 時点で制御回路400のINTG端子に適正信号を出力する(図2の時刻T2から 時刻T3迄の時間)。
【0022】 制御回路400は、INTG信号の入力によって発光停止信号をSTP端子か ら出力する。発光停止信号はANDゲート52の一端の入力端子に入力され、他 端の入力端子cは既に時刻T1を経過して『H』レベルになっているので、AND ゲート52の出力端子dも『H』レベルになる。 この『H』レベル信号は抵抗28を介してトランジスタ30のベースに入力し 、これによってトランジスタ30のコレクタ・エミッタ間は導通し、IGBT3 2のゲート電圧は消失される。更にANDゲート52の出力信号は制御回路40 0のTGRST端子にも入力し、これによって制御回路400は発光開始信号の TG端子出力を停止する。
【0023】 タイマー61は、ANDゲート52の出力端子dの立ち上がりで動作を開始す るように構成されており、出力端子aは一定時間『L』レベルの信号を出力する (図2の時刻T2から時刻T4迄の時間)。 なお、STP端子から出力される発光停止信号の出力時間は予め制御回路40 0で決められており、所定時間(図2の時刻T2から時刻T5迄の時間)経過すると 発光停止信号は『H』から『L』になる(図2の時刻T5)。以上が単発発光の場 合の動作である。
【0024】 次に、高速繰り返し発光等を行った場合の動作を図3のタイムチャートを用い て説明する。ほとんどの動作は図2を用いて説明したのと同じであるのでここで は異なるものについて説明する。 発光開始スイッチ70の閉成によってX端子には立ち下がりの信号が入力され 、これによってTG端子から発光開始信号が出力され、IGBT32のゲートに は所定の電圧が印加される。またタイマー62も動作を開始する。同時に発光管 34も発光を開始し、発光管34の発光開始に応答して測光回路500も受光素 子40を介して発光量を光量積分し、所定の値になった時点でINTG端子に適 正信号を出力する。制御回路400はINTG信号の入力(図3の時刻T11)に よって発光停止信号をSTP端子から出力し、ANDゲート52の入力端子の一 端に入力される。
【0025】 ところが他端の入力端子cはタイマー62の出力が『L』レベルのため(図3 の時刻T11)、ANDゲート52の出力端子dの出力はタイマー62の出力が『 H』レベルになるまで変化しない(図3の時刻T12)。この期間(図3の時刻T11 から時刻T12迄の時間)が発光停止信号を無効にしている状態である。その後I NTG信号の入力が終了する(図3の時刻T12から時刻T13迄の時間)。
【0026】 ANDゲート52の出力端子dが『H』レベルになった時点(図3の時刻T12 )でその状態がTGRST端子にも伝達され、これによって、発光開始信号のT G端子出力は停止する。また、タイマー61の出力端子aも一定時間『L』レベ ルになる(図3の時刻T12から時刻T15迄の時間)。
【0027】 この期間中に再び発光開始スイッチ70が閉成されると(図3の時刻T14)、 その状態がX端子に入力され、制御回路400は発光開始信号をTG端子から出 力し、ANDゲート51の入力端子の一端に『H』レベルが入力される。 しかし、発光停止信号をSTP端子から出力し(図3の時刻T11)、ANDゲ ート52の入力端子の一端に入力され、その出力端子dの『H』レベルによって 起動したタイマー61の出力端子aが『L』レベルのため(図3の時刻T14)、 ANDゲート51の出力端子bはタイマー61の出力端子aが『H』レべルにな るまで(図3の時刻T15迄の時間)変化しない。この期間(図3の時刻T14から、 時刻T15迄の時間)が発光開始信号を無効にしている状態である。
【0028】 タイマー61の出力端子aが『H』レベルになると、ANDゲート51の出力 端子bは『H』レベルになり、タイマー62の出力端子cが一定期間『L』レベ ルになる(図3の時刻T15から時刻T16迄の時間)。また、STPRST端子も『 H』レベルになるのでSTP端子の発光停止信号の出力を途中で停止させるので 、出力端子dおよびTGRST端子が『L』レベルになる。
【0029】 その後、時刻T17でINTG端子に適性信号が入力されると図2で説明したと 同様の動作によってSTP端子から発光停止信号が出力し、それによって発光開 始信号が停止する。 また発光停止信号は所定の時間出力した後停止する(時刻T20)。 なお、トリガコンデンサ36への充電はIGBT32のコレクタ・エミッタ管 が非導通になった時点で発光管34を介して発光電流で急速に充電されるので高 速繰り返し発光をさせる場合でも確実に発光管34にトリガ電圧を印加させるこ とができる。
【0030】 なお本実施例において所定の時間発光停止信号の入力を無効にしているため発 光管34の発光停止が遅れることになるが、この程度の遅れでは実質的な露光オ ーバーにはならない。 図1(b)は、電圧作動スイッチ素子であって、カスコード接続されたサイリ スタ素子とMOSFETとが1チップ上に形成された半導体素子(以下、ESC [EMITTER SHORTED COLLECTOR ]と略す)38である。
【0031】 このESC38を、本実施例のトリガ回路300のIGBT32とダイオード 33と置き換えてもよい。すなわち、ESC38のアノードを発光管34に接続 し、ESC38のゲートを抵抗31に接続し、ESC38のソースをGNDに接 続することで置き換えることができる。この場合も、図2および図3で説明した 動作と同じである。
【0032】
【考案の効果】
以上述べてきたように本考案によれば、発光開始信号の出力直後に発光停止信 号が出力されたような場合でも予め設定された時間内は発光停止信号を無効し、 発光停止信号の出力直後に発光開始信号が出力された場合でも予め設定された時 間内は発光開始信号を無効にしているので、電圧作動スイッチ素子を破壊するこ とがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例の図である。
【図2】発光のシーケンスを示したタイミングチャート
である。
【図3】発光のシーケンスを示したタイミングチャート
である。
【符号の説明】
1 電源スイッチ 19 メインコンデンサ 32 IGBT 34 発光管 38 ESC 40 受光素子 51 ANDゲート 52 ANDゲート 61 タイマー 62 タイマー 100 昇圧回路 200 電圧検知回路 300 トリガ回路 400 制御回路 500 測光回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 萩生田 進義 東京都品川区西大井1丁目6番3号 株式 会社ニコン大井製作所内

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源を所定の電圧に昇圧する昇圧回路
    と、 前記昇圧回路を介して充電されるメインコンデンサと、 前記メインコンデンサに充電された電荷によって発光す
    る発光管と、 前記発光管と直列に接続された電圧作動素子と、 発光開始信号に応答して前記電圧作動素子のゲートに電
    圧を印加する手段と、 発光停止信号に応答して前記電圧作動素子のゲート電圧
    を消失する手段とを備えた電子閃光装置において、 前記発光開始信号の出力に応答して予め決められた時間
    内は前記発光停止信号を無効にする手段と、 前記発光停止信号の出力に応答して予め決められた時間
    内は前記発光開始信号を無効にする手段とを備えたこと
    を特徴とする電子閃光装置の発光制御回路。
  2. 【請求項2】 前記電圧作動素子は、絶縁ゲート型バイ
    ポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1に
    記載の電子閃光装置の発光制御回路。
  3. 【請求項3】 前記電圧作動素子は、カスコード接続さ
    れたサイリスタ素子とMOSFETとが1チップ上に形
    成された半導体素子であることを特徴とする請求項1に
    記載の電子閃光装置の発光制御回路。
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