JPH11330652A - 基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス基板上にメッキ層を設けた従来の基板
には、導電パターンの配線抵抗が大きくなる、成膜プロ
セスに、高温での熱処理が必要である、等の解決すべき
課題があった。 【解決手段】 ガラス基板上にニッケルを主成分とする
層と、パラジウムを主成分とする層を積層し、該パラジ
ウム層上に導電層を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板上に導
電パターンを形成して構成した回路基板等に適用可能な
基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりガラス基板上に導電パターンを
形成した基板及びその製造方法としては、以下に示すも
のが知られている。一例として、Ａｇペーストをガラス
基板上に印刷して、所望の導電パターンを形成し、これ
を焼成することで定着するものがある。また、他の例と
して、ＺｎＯもしくはＷＯ₃ からなる半導体層をガラス
基板上に形成した後、この上に、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａ
ｇなどをメッキし、しかる後に、Ｃｕなどの半導性層を
メッキして、導電パターンとしたものがある（特開平４
−１７２１１号公報および特開平６−６１６１９号公報
を参照。）。さらに、他の例としては、無電解メッキに
より、ガラス基板上にニッケル下地金属層を形成した
後、これに所定のパターンで絶縁層を形成し、下地金属
層が露出している部分に、電気銅メッキにより金属層を
積層し、更に、前記絶縁層を除去後に、露出しているニ
ッケル下地金属層をエッチング除去して、所望の導電パ
ターンとしたものがある（特開平８−２２７６５６号公
報を参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理方法で得られた、ガラス基板上のメッキ層には、以
下のような問題点があった。即ち、Ａｇペーストをガラ
ス基板上に印刷して、導電パターンを形成する場合に
は、ガラス基板との密着力を向上させるために、鉛ガラ
スなどをペースト中に添加して置く必要があり、そのた
めに、バルクのＡｇに比べて、出来上がった導電パター
ンの配線抵抗が大きくなる。また、配線と基板との密着
力を向上させるために、更に５００℃近辺での熱処理が
必要で、エネルギーコストが高くなるばかりでなく、青
板ガラスなどを基板として使用する場合には、反りや歪
みが生じ易くなるという問題も加わる。

【０００４】同様に、ＺｎＯあるいはＷＯ₃ からなる半
導体層をガラス基板上に形成し、下引き層とする場合に
も、これらの半導体層を形成するための成膜プロセス
に、高温での熱処理が必要であり、ガラス基板の反りや
歪みが生じ易い。

【０００５】また、無電解めっき法により、ガラス部材
上に形成されたニッケルめっき層のみを下地層として用
いる場合には、印刷プロセスにおいて必要な高温での焼
成が不要であるが、基板への熱処理が不要になったわけ
ではない。このプロセスを用いた場合にも、ガラス基体
とニッケルめっき層との界面での密着力を強化するため
の熱処理が必要である。なぜならば、この熱処理を省略
して、配線となり得る厚さのめっき層を基板上に形成し
た場合には、膜応力の増大による剥離の危険性が大きく
なるからである。

【０００６】しかし、無電解ニッケルめっき層を、例え
ば、１５０℃〜３００℃程度の温度にて焼成した場合、
めっき層の表面に酸化膜が形成されてしまい、以降の積
層膜との密着性を疎外するという問題が生じる。さら
に、この酸化膜を薬剤にて除去しようとした場合には、
酸化膜のみならず、ガラス部材とニッケルめっき層との
界面部分までもが薬剤の影響によるダメージを受け、密
着性が劣化するという問題がしばしば生じる。

【０００７】本発明は、以上のような問題点に鑑みて成
された。本発明の目的は、ガラス基板に反りや歪みを与
えるような高温のプロセスを用いなくとも、ガラス基板
と導電パターンとの密着性が得られるような、ガラス基
板上での積層構造を持った基板及びその製造方法を提供
するにある。

【０００８】本発明の別の目的は、ガラス基板上にニッ
ケルを主成分とする層と、パラジウムを主成分とする層
とを積層し、該パラジウム層上に導電層を積層して構成
したことを特徴とする基板を提供することにある。

【０００９】本発明の更に別の目的は、ガラス基板上に
ニッケルを主成分とする層を形成する工程、該ニッケル
層上にパラジウムを主成分とする層を形成する工程、及
び該パラジウム層上に導電層を形成する工程を有するこ
とを特徴とする基板の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の基板は、ニッケ
ルを主成分とする層のガラス基板への密着を向上させる
為に、ガラス基板表面への触媒核の付与等、前処理を施
した後にニッケル層、パラジウムを主成分とする層、及
び導電層を積層して構成することもできる。

【００１１】本発明の基板の製造方法においては、ニッ
ケルを主成分とする層とガラス基板への密着力向上及び
ニッケル層とパラジウムを主成分とする層との密着力向
上のため熱処理を施すこともできる。更に、パラジウム
層と、この層上に形成する導電層との密着力を向上させ
る為に、パラジウム層表面の活性化処理を施すこともで
きる。

【００１２】更にパラジウム層の形成あるいは導電層の
形成に際し、無電解メッキを採用する場合、金属析出時
の主たる副反応として水素を生じさせない還元剤を使用
することもできる。

【００１３】本発明の基板及びその製造方法は、上述し
た構成のものである。

【００１４】本発明によれば、ガラス基板上に、下地メ
ッキ層として、第１層にニッケルを主成分とする層、第
２層としてパラジウムを主成分とする層を積層すること
により、ガラス基板に反りや歪みを与えるような高温の
プロセスを用いなくとも、それ以降のパターンメッキに
よる主導電層形成を、充分な密着力をもって行ない得
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳し
く説明する。なお、図１の（ａ）〜（ｅ）および図２〜
図４は、本発明の代表的な層構成を示す模式図である。
また、本発明において使用可能なガラス基板１の材料と
しては、一般に青板ガラスやフロートガラスとして知ら
れるアルカリ含有ガラス（一例として、日本板硝子製の
商品名：Ｕ．Ｆ．Ｆ Ｇｌａｓｓ）、および、一般にホ
ウ珪酸ガラスとして知られるアルカリ成分をほとんど含
有しないもの（一例として、コーニング製の商品名：＃
７０５９）、更に、フロートガラス表面にＳｉＯ₂ など
のアルカリ漏洩保護膜を形成したもの（一例として、日
本板硝子製の商品名：Ｈコートガラス）、その他を利用
することができる。

【００１６】ガラス基板１上にニッケルを主成分とする
層２を無電解メッキ形成する（図１（ａ），図２，図
３，図４）。

【００１７】ニッケルを主成分とする層（以下、単に
「ニッケル層」ともいう。）を形成するに際しては、ガ
ラス基板を清浄にするための前処理を行う。また、ニッ
ケル層の形成に先立って、ニッケル層を析出しやすくす
る為に、触媒核をガラス基板の表面に付与することが好
ましい。

【００１８】ガラス基板の清浄化のための処理は、通
常、数段階に渡って行われ、この際の清浄剤には、溶剤
系、水系のどちらの薬品でも使用することができる。ま
た、ガラス基板として、青板ガラスなどの、表面が変質
し易い材料を使用する場合には、まず、表面の変質層を
除去するために、三酸化クロムを硫酸に溶解し、これを
純水で希釈して、所要の水溶液（以下、クロム酸・硫酸
と呼称）を作り、これに基板を浸漬することが望まし
い。

【００１９】この際、水系のガラス洗浄剤としては、水
酸化ナトリウム水溶液および市販のアルカリ性表面調整
剤を使用することができる。市販品の一例としては、ヘ
ンケルジャパン製のＰ₃ ｓｉｌｉｒｏｎＬ、あるいは、
Ｐ₃ ｓｉｌｉｒｏｎＨＳ、奥野製薬製のＯＰＣ−３８０
コンディクリーンＭ、メルテックス製のメルクリーナ−
ＩＴＯ−１７０、その他を使用できる。

【００２０】また、ガラス基板１上への触媒核付与に
は、基板表面に吸着させたＳｎをＰｄにて置換し、触媒
核とする方法、基板表面にＰｄ−Ｓｎコロイドを吸着し
た後にＳｎを除去し、触媒核とする方法、Ｓｎフリーの
Ｐｄ錯体を基板表面に吸着させた後に還元して、０荷の
金属Ｐｄ触媒核を形成する方法、同じく、Ｓｎフリーの
Ｐｄコロイドを基板表面に吸着させた後に還元して、０
荷の金属Ｐｄ触媒核を形成する方法などがある。

【００２１】さらに、これらと併用して、触媒核の前駆
体を補足し、ガラス基板表面への触媒核の定着率を向上
させるアミノシランカップリング剤などの、アミノ基を
分子鎖の一端に持つ薬剤を、ガラス基板へ塗布する方法
も知られている。なお、上記の多様な核付与方法は、使
用するガラス基板の特性や、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液の
特性により、選択・使用することが望ましい。

【００２２】以上のようにして、触媒核を付与したガラ
ス基板１を、無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、ニッ
ケルメッキ層２（下地金属層）を形成する。

【００２３】本発明において、ニッケルを主成分とする
層とは、無電解メッキにより形成されたニッケルを主成
分として含有する膜のことである。このようなニッケル
を主成分とする層の具体例としては、ニッケルメッキ
膜、ニッケル−リンメッキ膜や、ニッケルにホウ素を含
んだ膜等が挙げられる。いずれにしても、ニッケルを主
成分として含んでいれば良い。

【００２４】また、本発明において使用する無電解ニッ
ケルメッキ液は、ガラス基材上に直接成膜する必要か
ら、なるべく緻密で、欠陥の少ない膜形態である必要が
あり、析出速度を過度に大きくすることは、避けなけれ
ばならない。

【００２５】本発明者が行った実験によると、無電解ニ
ッケルメッキ液の析出速度が、最終的な膜質に大きな影
響を与えることが明らかになった。即ち、ニッケル・リ
ンメッキの析出速度を０．０１（μｍ／分）〜０．１５
（μｍ／分）に制御することが、ガラス基材とメッキ層
との界面の密着性を向上させるために有効であり、この
ような析出速度を保つように、表面調整および触媒核付
与を含めた前処理系と無電解ニッケルメッキ液の成分設
計とを整合させる必要がある。析出速度が０．０１（μ
ｍ／分）〜０．１５（μｍ／分）以外の場合、例えば、
析出速度が０．０１（μｍ／分）よりも小さいと、島状
の不連続なめっき膜となりやすく、また析出速度が０．
１５（μｍ／分）よりも大きいと、めっき膜の均一性が
損なわれるために、どちらも好ましくない。

【００２６】以上の条件を満たすような、前処理条件と
メッキ液の組み合わせであれば、市販の無電解ニッケル
メッキ液でも、本発明の製造方法に好適に使用すること
ができる。

【００２７】次いで、ニッケルメッキ層２上にパラジウ
ムを主成分とする層３を形成する（図（ａ），図２，図
３，図４）。本発明において、パラジウムを主成分する
層とは、無電解メッキにより形成されたパラジウムを主
成分として含有する膜のことである。このようなパラジ
ウムを主成分として含有する層の具体例としては、パラ
ジウムメッキ膜、パラジウム−リンメッキ膜等が挙げら
れるが、いずれにしてもパラジウムを主成分として含ん
でいる膜であれば良い。本発明において形成するニッケ
ルメッキ層２は、この層の上に形成される導電層の下地
金属層として機能する。

【００２８】パラジウム層の形成に際しては、パラジウ
ム析出時の主たる副反応として水素を生じない還元剤を
含有した無電解パラジウムめっき液を採用することもで
きる。

【００２９】本発明において、無電解パラジウムめっき
に使用する還元剤は、金属析出時の主たる副反応とし
て、水素を生じないようなものを採用することもできる
が、一般に、無電解めっきに使用される還元剤として
は、以下に示すようなものが知られている。

【００３０】すなわち、その一例を挙げれば、次亜リン
酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ホルムアルデ
ヒド、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラ
ン、メチルモルフォリノボラン、ジイソピルアミンボラ
ン、Ｌ−アスコルピン酸ナトリウム、亜リン酸ナトリウ
ム、酒石酸、ぶどう糖、グリセリン、Ｎ−Ｎ−ジエチル
グリシンナトリウム、蟻酸ナトリウム、クエン酸ナトリ
ウム、三塩化チタン、ヒドラジン、チオ尿素、メチルチ
オ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ−エチルチオ尿素、ヒ
ドロキノン、２価のコバルト化合物などであり、これら
以外にも多数のものが使用可能である。

【００３１】ここで、無電解パラジウムめっきを実行す
る際に、パラジウム析出時の主たる副反応として水素を
生じるか否かは、酸化還元電位のほかに、めっき浴のｐ
Ｈや使用する錯体の種類により左右されるが、一般に
は、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、
ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウムなどを還元剤
として使用した場合に水素が発生し、ヒドラジン、チオ
尿素、メチルチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ−エチ
ルチオ尿素、ヒドロキノン、ギ酸ナトリウム、クエン酸
などを使用した場合には、水素が発生しない場合が多
い。

【００３２】このような、パラジウム析出時の主たる副
反応として水素を生じない還元剤を含有した無電解パラ
ジウムめっき液を使用することで、熱処理により界面の
密着力が十分に強化されていない、ガラス部材上のニッ
ケル・リンめっき薄膜上に、水素吸蔵による膜剥離の危
険を回避しながらパラジウムめっき層を積層することが
できる。

【００３３】本発明においては、無電解パラジウムめっ
き液への浸漬に先立って、無電解パラジウムめっき液よ
り金属分を除去した溶液に浸漬する処理を施すこともで
きる。この処理を行うことにより、パラジウムめっき層
３の膜厚の更なる均一性向上が図れる。

【００３４】本発明において使用する無電解メッキ液
は、析出した膜の応力が小さいものを使用するのが望ま
しいことは勿論であるが、基板表面の粗化を最小限に抑
えて、ガラス基板が本来持つ平滑性を生かそうとした場
合には、トータル膜厚に、以下のような適性範囲が生じ
る。

【００３５】即ち、Ｎｉメッキ層２（下地金属層）の膜
厚をＡ（μｍ）、Ｐｄメッキ層３（下地金属層）の膜厚
をＢ（μｍ）とした時、本発明によれば、両メッキ層の
合計膜厚：Ａ＋Ｂは、０．０５≦（Ａ＋Ｂ）≦１．５、
好ましくは０．０６≦（Ａ＋Ｂ）≦１．０であり、メッ
キ層２の膜厚Ａは、０．０４≦Ａ、好ましくは０．０５
≦Ａである必要があり、メッキ層３の膜厚Ｂは、０．０
２≦Ｂ、好ましくは０．０３≦Ｂである必要がある。

【００３６】何故ならば、上述の条件において、Ａが
０．０４よりも小さいと、連続膜にならず、Ｂが０．０
２よりも小さいと、Ｐｄメッキ層を積層した効果が得ら
れず、更に、（Ａ＋Ｂ）が０．０５よりも小さいと、ポ
ーラスなメッキ膜となり、導電パターンメッキの時に、
膜剥離が発生し易くなり、（Ａ＋Ｂ）が１．５よりも大
きいと、メッキ液中にて、膜応力の増大による剥離が発
生する危険性が大きくなるからである。

【００３７】また、本発明において使用するＮｉメッキ
液は、ガラス基板上に直接、成膜する必要から、なるべ
く緻密で、欠陥の少ない膜の形態を持つ必要があり、析
出速度を過度に大きくすることは、避けることが望まし
い。

【００３８】本発明者が行った実験によると、Ｎｉ−Ｐ
メッキの析出速度が、最終的な膜質に大きな影響を与え
ることが明らかになった。即ち、Ｎｉ−Ｐメッキの析出
速度を０．０１（μｍ／分）〜０．０３（μｍ／分）に
制御することが、良質な下地層の形成に必要である。こ
のような析出速度を保つように、前処理系とＮｉ−Ｐメ
ッキを整合させた場合の一例として、膜厚とメッキ時間
との相互関係を図６のグラフに示す。

【００３９】以上の条件を満たすような、前処理条件と
メッキ液との組み合わせであれば、市販の無電解Ｎｉ−
Ｐメッキ液でも、本発明の基板及びその製造方法に好適
に使用することができる。

【００４０】また、この時、メッキ層２上に積層するメ
ッキ層３としては、導電パターンが耐熱性を重視する場
合に、Ｐを含有しない無電解Ｐｄメッキ層を、耐熱性よ
りもパターンメッキ時の密着性を重視する場合に、無電
解Ｐｄ−Ｐメッキ層を、それぞれ、選択して用いること
が望ましい。そして、これらのメッキ層２，３をガラス
基板１上に積層した後、ガラス基板をイオン交換水にて
十分に洗浄する（更に、エアーブローにて、付着する水
を除去しても良い）。この後、例えば１５０℃〜２５０
℃の雰囲気中にて、ガラス基板の熱処理（アニール処
理）を３０分以上行なっても良い。

【００４１】この熱処理の目的は、メッキ層２（下地金
属層）中に吸蔵された例えばＮｉ−Ｐ析出反応の副生成
物である水素を放出させて、ガラス基板１とメッキ層２
との密着力を向上させることであり、引き続いて行われ
る、フォトリソ・エッチングプロセス中に、膜剥離が起
きないようにする点にある。

【００４２】次いで、感光性のフォトレジストをパラジ
ウム層表面にコートする。ここで使用する感光性フォト
レジストは、次工程の、混酸よりなるエッチング液に対
して耐性があるものならば、使用することが可能であ
る。これらの条件を満たす市販品としては、東京応化製
のＯＦＰＲ＃７００、同じく、ＯＭＲ＃８３、及び、オ
ーディルα３４０などがある。

【００４３】これらのレジストを、Ｐｄメッキ層３の表
面に塗布し、露光・現像した後にベーキングし、所望の
導電パターン上に、保護レジスト４を形成した際の模式
図は、図１の（ｂ）である。

【００４４】次に、この保護レジストパターンを形成し
たガラス部材を、ｃｏｎｃ硝酸：ｃｏｎｃ塩酸：酢酸＝
１０：１０：１の体積率で混合した溶液（以下、混酸と
呼称する）に室温で浸漬し、保護レジスト４に覆われて
いない部分のめっき層をエッチング・除去した後に、イ
オン交換水により水洗し、更に、レジスト４を除去する
薬品中に浸漬し、不要になった保護レジストを除去す
る。

【００４５】ここで使用するレジスト４除去用の薬品と
しては、各使用レジストに対応する市販の専用リムーバ
ー、例えば、東京応化製のＮＭＤ−３などを使用でき、
これ以外にも、水酸化ナトリウムによりアルカリ性にし
た水溶液にグルコン酸などのキレート剤を添加し７０℃
程度に加温したものなどをリムーバーとして好適に使用
することができる。

【００４６】また、ニッケルめっき層２、及び、パラジ
ウムめっき層３の膜厚や熱処理温度により、エッチング
条件が変わってくるため、前記混酸の混合比率や濃度を
適当に調整しても良い。さらに、部材に細線パターンが
ある場合などには、混酸によるエッチングに先立って、
ウシオ電気製の誘電体バリア放電オキシマランプなどを
用いて、エキシマ光を照射し、露出するパラジウムめっ
き層２の水濡れ性を向上させても良い。

【００４７】このようにして形成されたパターンの模式
図は、図１（ｃ）となる。

【００４８】本発明においては、メッキ層とパターン形
成した基板上に導電層を形成する前に、図１（ｃ）に示
した基板を熱処理する工程を付加することもできる。こ
の熱処理は、例えば１００℃〜３５０℃、好ましくは２
５０℃〜３５０℃の雰囲気で例えば３０分〜６０分かけ
て行うことができる。

【００４９】この熱処理の目的は、エッチングにより露
出したＮｉメッキパターンの断面を酸化させ、パターン
メッキ以降の、薬品によるガラス基板１とＮｉメッキ層
２との間に生じるサイドエッチを最小限に留めることで
ある。なお、ここで、熱処理温度の上限を３５０℃に留
止めたのは、これ以上の雰囲気温度による処理で、Ｐｄ
メッキ層３に表面酸化を引き起こさせるのを避けるため
であり、Ｐｄメッキ層３上に形成される導電層の密着性
の向上を図るためである。好ましい熱処理温度の下限を
２５０℃としたものは、これよりも低い温度では、Ｎｉ
メッキパターンの断面酸化の効果が薄れるからである。

【００５０】次いで、本発明の方法においては、導電層
５の形成を行なう（図１（ｄ））。

【００５１】導電層５は、電気メッキ層で構成すること
もできるし、無電解メッキ層で構成することもできる。

【００５２】図１（ｄ）及び（ｅ）に電気銀（Ａｇ）メ
ッキを採用した際の模式図を示す。また電気メッキは、
銀のみに限定されるものではなく、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｐｄ、その他の金属も、その用途に合わせて、任
意にパターンメッキすることができる。これらの代表例
として、図２〜図４には、Ａｇ以外の金属をパターンメ
ッキした際の模式図が示されている。即ち、図２はパタ
ーニングしたメッキ層（下地金属層）２，３上に、Ａｕ
メッキ層６を、置換金メッキ法により、積層したときの
模式図である。同様に、図３は、パターニングしたメッ
キ層（下地金属層）２，３上にＰｔメッキ層７を、無電
解メッキ法により、積層したときの模式図であり、図４
はパターニングしたメッキ層（下地金属層）２，３上に
Ｃｕメッキ層８を、電気メッキ法により、積層したとき
の模式図である。

【００５３】以上のように、本発明における層構造を基
板に設けることで、ガラス基板１上の導電パターンは、
パターン幅が５０μｍの細線の形成時でも、膜剥離が見
られず、粘着テープによる密着・剥離試験も合格であっ
た。これに対して、本発明に示した層構成によらずに、
無電解Ｎｉメッキ層のみを、下地金属層として、ガラス
基板の上部に、電気Ａｇメッキによるパターンメッキ層
を形成した場合には、図５の（ａ）〜（ｅ）に示した状
況になる。これを以下に、順を追って説明する。

【００５４】図５の（ａ）は、青板基板１上に、無電解
メッキ法により、Ｎｉ−Ｐメッキ層（下地金属層）２を
形成した模式図である。また、図５の（ｂ）は、上記基
板を１７０℃の雰囲気温度中にて、２時間焼成した後
に、前述したような保護レジスト層（保護パターン）４
を形成した模式図である。更に、図５の（ｃ）は、上記
基板を、前述の混酸にて、エッチングした後、保護パタ
ーン４を除去し、基板１上にＮｉ−Ｐによるパターンを
形成した模式図であり、また、図５（ｄ）および（ｅ）
は、上記基板上に、電気メッキ法により、Ａｇメッキ層
５をパターンメッキしたときの模式図である。特に、図
５の（ｅ）には、パターンメッキプロセス以降におい
て、Ｎｉ−Ｐメッキ層（下地金属層）２がサイドエッチ
ングおよびパターンメッキ層５の回り込みを受けている
状態が拡大して示してある。

【００５５】このようなサイドエッチング、及びパター
ンメッキ層の回り込みを受けた状態で、２００μｍ以下
の細線パターンを形成した場合には、パターンメッキ中
に膜剥離を起こす危険性が高くなる。また、サイドエッ
チングを防止するために、図５の（ｃ）の段階で、基板
を３００℃の雰囲気温度中にて、１時間焼成したとこ
ろ、Ｎｉ−Ｐメッキ層２の上面にも酸化層が形成され、
電気メッキにより積層したＡｇメッキ層が、メッキ後の
水洗処理中に、剥離してしまった。

【００５６】導電層５の形成法として無電解メッキ法を
用いる場合には種々の無電解メッキ法を採用することが
できる。無電解メッキ法のなかでも金属析出時の主たる
副反応として、水素を生じないような還元剤を含有する
無電解めっき液を用いて行うことが望ましく、電気めっ
き法を用いて行うときには、電流効率が１００％に近い
ような電気めっき液を用いて行うことが望ましい。

【００５７】ここで、導電層の形成は、前述した第二層
目のパラジウム層形成時とは異なり、ガラス部材とめっ
き層との密着力強化のための熱処理が施された後とする
のが望ましい。この場合水素吸蔵に対する界面の耐性は
格段に良くなっており、副反応に水素生成をするような
還元剤を含有する無電解めっき液や、電流効率のあまり
高くない電気めっき液を用いて積層を行うことも十分に
可能であるが、積層膜の厚膜化や細線へのパターンめっ
きの場合には、水素吸蔵を少なくしたプロセスを用いる
ことが好ましい。

【００５８】以下に副反応にて水素を生じにくい還元剤
を含有する無電解めっき液を用いて導電層を積層したと
きの例について図７，図８（ａ）及び図８（ｂ）を用い
て説明する。

【００５９】図７は、ガラス部材上に形成したニッケル
・リン／パラジウムのパターン上に、ヒドラジンを還元
剤とする無電解白金めっき液を用いて、白金めっき層４
を積層したときの模式図である。

【００６０】図８（ａ）は、同じく、ヒドラジンを還元
剤とする無電解銀めっき液を用いて、銀めっき層５ａを
積層したときの模式図である。

【００６１】図８（ｂ）は、同じく、チオ尿素系化合物
を還元剤とする無電解金めっき液を用いて、金めっき層
６ａを積層したときの模式図である。

【００６２】また、高電流効率の電気めっき液を用い
て、導電層を積層したときの例について図８（ｃ），図
８（ｄ），図９（ａ）を用いて説明する。

【００６３】図８（ｃ）は、ガラス部材上に形成したニ
ッケル・リン／パラジウムのパターン上に、電気銀めっ
き液を用いて、銀めっき層５ｂを積層したときの模式図
である。

【００６４】図８（ｄ）は、同じく、電気銅めっき液を
用いて、銅めっき層７を積層したときの模式図である。

【００６５】図９（ａ）は、同じく、電気金めっき液を
用いて、金めっき層６ｂを積層したときの模式図であ
る。

【００６６】なお、導電層としては、上述したもの以外
にも、ニッケル、パラジウム、その他の湿式にてめっき
可能な金属を第三層目以降に積層することができ、それ
らの一例についての模式図を、図９（ｂ）、図９（ｃ）
に示す。

【００６７】図９（ｂ）は、図８（ａ）に示した積層パ
ターンの銀めっき層５ａの表層部分を置換金めっき法に
より置換し、金メッキ層６ｃを積層したときの模式図で
ある。

【００６８】図９（ｃ）は、図８（ｄ）に示した積層パ
ターンの銅めっき層７上に、無電解パラジウムめっき層
３を積層し、さらに無電解金めっき層６ａを積層したと
きの模式図である。

【００６９】本発明においては、ガラス基板上に、ニッ
ケル層、パラジウム層を形成後、パターニングを施し、
導電層５を形成する前に、パラジウム層表面を活性化す
ることにより、導電層の更なる密着性向上を図ることが
できる。

【００７０】活性化処理としては、例えば、以下に示す
［ａ］，［ｂ］，［ｃ］の処理の１種類以上の実施が挙
げられる。 ［ａ］金属キレート剤を含有するアルカリ性の水溶液と
接触させる。 ［ｂ］塩酸系、硫酸系、鉄塩系の薬剤を少なくとも１種
類以上含有する酸性の水溶液と接触させる。 ［ｃ］紫外領域の波長を有する光を照射する。

【００７１】この処理の目的は、密着性向上のために行
うことが望ましい。１５０℃〜２５０℃の熱処理により
メッキ層表面に形成される酸化膜、及び、保護レジスト
除去後にメッキ層へ付着した有機物を除去し、積層時の
メッキの反応性、及び、界面の密着性を更に向上させる
いうものである。

【００７２】ここで実施する［ａ］の処理の場合、使用
する金属キレート剤としては、グルコン酸ナトリウム、
トリエチレンテトラミン６酢酸６ナトリウムなどを使用
することができ、これらと水酸化ナトリウム又は、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドをイオン交換水に溶
解し、５０℃〜８０℃前後に加温し、基材を浸漬するこ
とで活性化処理を行う。

【００７３】また、［ｂ］の処理の場合、塩酸、硫酸、
などをイオン交換水で希釈した水溶液の他、これらに、
さらに鉄塩系の薬品を加えた水溶液に浸漬することで活
性化処理を行うことができる。このような混合系の活性
化剤の市販品としては、奥野製薬製のＯＰＣ−９１など
を使用することができる。

【００７４】さらに、［ｃ］の処理の場合、照射する紫
外領域の波長の光として、１７２（ｎｍ）の波長に分光
分布のピークを有するエキシマ光を用いて活性化処理を
行うことができ、このような波長の光を照射する装置と
して、ウシオ電気（株）製の誘電体バリア放電エキシマ
ランプを内蔵した、エキシマ光照射装置などを使用でき
る。

【００７５】上記［ａ］，［ｂ］，［ｃ］の処理は、そ
れぞれ単独でも活性化処理として十分に効果があるが、
組み合わせて用いることも可能である。即ち、まず、
［ｃ］の処理を行い、引き続いて、［ａ］の処理を行
い、イオン交換水で十分に水洗した後に、［ｂ］の処理
を行うなどであり、これにより、それぞれの処理時間を
短縮することができ、基材、及び、メッキ層がダメージ
を受けるリスクを最小にすることができる。

【００７６】本発明における板製造プロセスによりガラ
ス基板上に導電パターンを形成することで、ガラス基板
の表面が可視光の透過率をほとんど減じないような平滑
な状態であっても、ライン・アンド・スペース（以降に
おいては単にＬ／Ｓと表記する）が５（μｍ）／５（μ
ｍ）前後の積層パターンに至るまで、優れた密着性を発
揮させることができる。

【００７７】本発明によれば、以上に説明した方法を用
いることにより、平滑なガラス部材上でも、ガラス部材
の変形や歪みを抑制しながら、高密着性で、膜欠陥が少
なく、耐薬品性、パタニング性、積層性に優れた、金属
化ガラス部材を作製することができ、このようにして得
られた金属化ガラス部材は、一例を挙げれば、フラット
パネル・ディスプレイなどの配線や電極に使用すること
が可能であるばかりか、はんだバンプ用のめっきパター
ンとしても利用することができる。

【００７８】これは、ガラス基板／ニッケル層／パラジ
ウム層という層構成の積層を連続的に行い、その後に、
熱処理やパタニング、積層を行うことで、薄膜でも積層
化のための下地膜として十分な強度と均一性を有する膜
にすることが可能なためである。この場合、ニッケル単
膜で熱処理を行ったときに問題になった、活性化処理の
際のニッケルめっき粒子間の低膜厚部分への薬剤のアタ
ックを防ぐことができるためである。

【００７９】

【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明
するが本発明は、これら実施例に限定されるものではな
い。

【００８０】〔実施例１〕ガラス基板として、１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ×厚さ１．１ｍｍの青板ガラス（日本板
ガラス製）を使用し、以下の手順に従って基板の前処理
を行った。

【００８１】前処理１：三酸化クロム１００（ｇ／
Ｌ）、ｃｏｎｃ硫酸２００（ｇ／Ｌ）を混合して、イオ
ン交換水により、全量１（Ｌ）とし、６０℃に加温した
溶液中に１時間浸漬した後、イオン交換水により水洗。

【００８２】前処理２：１０（Ｎ）のＮａＯＨ水溶液
で、浴温７０℃にて、超音波振動を行いながら、１時間
浸漬した後、イオン交換水により水洗。

【００８３】前処理３：ヘンケルジャパン製のＰ₃ ｓｉ
ｌｉｒｏｎＨＳをイオン交換水中に３ｗｔ％溶解して、
この水溶液中にて、浴温７０℃で、超音波振動を行いな
がら、１時間浸漬した後、イオン交換水により水洗。

【００８４】前処理４：フッ化アンモンを含有する薬剤
をイオン交換水に溶解し、この酸性水溶液中にて、浴温
２５℃で、液循環を行いながら、２０分間浸漬した後、
イオン交換水により水洗。

【００８５】前処理５：アミノ基を含有する薬剤をイオ
ン交換水に溶解し、この弱アルカリ性水溶液中にて、浴
温２５℃で、液循環を行いながら、２分間浸漬した後、
イオン交換水により水洗。

【００８６】前処理６：ＰｄＣｌ₂ を０．５２（ｇ／
Ｌ）となるようにイオン交換水に溶解し、アルカリによ
りｐＨ６．５に調整した溶液中にて、浴温２５℃で、２
分間浸漬した後、イオン交換水中に浸漬。

【００８７】前処理７：次亜りん酸塩をイオン交換水に
溶解して、ｐＨ５．３とした溶液中にて、浴温２５℃
で、１分間浸漬した後、イオン交換水中に浸漬。

【００８８】以上（１）〜（７）の前処理を施したガラ
ス基板を、図６のグラフに示したような析出速度を持つ
無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液中に投入し、６分間メッキを行
い、その後、５０℃に加温したイオン交換水中にて、基
板表面に付着する無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液を水洗し、６
０℃に加温した無電解Ｐｄメッキ液中に基板を投入し、
１分間メッキを行った。なお、本実施例にて使用した無
電解Ｐｄメッキ液は、Ｐｄ析出時にＰ、Ｂを共析しない
タイプのもの（例えば、小島化学薬品製の商品名：ＰＡ
ＲＥＤ）である。

【００８９】Ｐｄメッキ終了後に、基板をイオン交換水
の流水により、十分に水洗し、エアーブローを行って、
基板に付着するイオン交換水を除去後、１７０℃の雰囲
気中にて２時間の熱処理を行い、図１の（ａ）に示した
層構成を有する基板を作製した。

【００９０】そして、この熱処理済の基板を室温まで徐
冷した後に、東京応化工業製のＯＦＰＲ−８００を、ス
ピンコーターにより、基板上に塗布し、９０℃の雰囲気
中にて、３０分間、プリベークし、５０（μｍ）のパタ
ーンを有するマスクを用いて露光を行い、更に、東京応
化工業製のＮＭＤ−３にてパターンを現像した後、イオ
ン交換水の流水にて水洗し、１４０℃の雰囲気中で、３
０分間のポストベーキングを行い、図１の（ｂ）に示し
た保護パターンを持つ基板を作製した。

【００９１】この保護パターンを持つ基板を、前述の混
酸溶液中にて、室温で１分間浸漬し、イオン交換水の流
水にて、十分に水洗し、図１の（ｃ）に示した下地金属
層のパターンを作製した。なお、本実施例においては、
上記下地金属層のパターン上に電気メッキによりＡｇを
パターンメッキする前に、３００℃の雰囲気にて、３０
分間の熱処理を行った。

【００９２】この熱処理済の基板のメッキ面の平均表面
粗さ、および、メッキ剥離後のガラス基板表面の平均表
面粗さを、Ｔｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置により
測定したところ、Ｐｄメッキ層３の平均表面粗さは、Ｒ
ａ₁ ＝８．５（オングストローム）、メッキ剥離後のガ
ラス基板表面の平均表面粗さは、Ｒａ₂ ＝３．９（オン
グストローム）であった。

【００９３】また、ここで使用した電気Ａｇメッキ液
は、エヌ・イーケムキャット製のＳ−９００であり、浴
温６０℃、電流密度０．２（Ａ／ｃｍ² ）にて、２分間
メッキを行い、イオン交換水にて水洗後、さらに、２０
０℃の雰囲気中にて、基板の焼成を１時間行った。以上
のようにして作製したパターンメッキ基板は、図１の
（ｄ）に示したような層構成を有しており、テープによ
る引きはがし試験においても、剥離したラインは無かっ
た。

【００９４】〔実施例２〕前記実施例１において、無電
解Ｐｄメッキ液の代わりに、奥野製薬製の無電解Ｐｄ−
Ｐメッキ液を用いた点以外は、実施例１と同一の条件
で、図１の（ｄ）に示したような層構成を有する基板を
作製した。ここで用いた無電解Ｐｄ−Ｐメッキ条件は、
以下に示す通りである。

【００９５】薬品名：無電ノーブルＰｄ メッキ浴温度：５２℃ メッキ時間：３分 このようにして得られた基板は、図１（ｄ）に示したよ
うな層構成を有しており、テープによる引きはがし試験
においても、剥離したラインは無かった。

【００９６】〔実施例３〕前記実施例１において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、大和化成製の無電解Ａｕメッ
キ液を用いた点以外は、実施例１と同一の条件で、図２
に示したような、Ａｕメッキ層６を有する基板を作製し
た。ここで用いた無電解Ａｕメッキ条件は、以下に示す
通りである。

【００９７】薬品名：ダインゴールドＥＬ−２ メッキ浴温度：７０℃ メッキ時間：２０分 このようにして得られた基板は、図２に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【００９８】〔実施例４〕前記実施例２において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、大和化成製の無電解Ａｕメッ
キ液を用いた点以外は、実施例２と同一の条件で、図２
に示したような、Ａｕメッキ層６を有する基板を作製し
た。ここで用いた無電解Ａｕメッキ条件は、以下に示す
通りである。

【００９９】薬品名：ダインゴールドＥＬ−２ メッキ浴温度：７０℃ メッキ時間：２０分 このようにして得られた基板は、図２に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【０１００】〔実施例５〕前記実施例１において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、エヌ・イーケムキャット製の
無電解Ｐｔメッキ液を用いた点以外は、実施例１と同一
の条件で、図３に示したようなＰｔメッキ層７を有する
基板を作製した。ここで用いた無電解Ｐｔメッキ条件
は、以下に示す通りである。

【０１０１】薬品名：ＥＬ−Ｐｔ（Ｐｔ濃度３ｇ／Ｌ） メッキ浴温度：７０℃ メッキ時間：５分 このようにして得られた基板は、図３に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【０１０２】〔実施例６〕前記実施例２において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、エヌ・イーケムキャット製の
無電解Ｐｔメッキ液を用いた点以外は、実施例２と同一
の条件で、図３に示したようなＰｔメッキ層７を有する
基板を作製した。ここで用いた電気Ｐｔメッキ条件は、
以下に示す通りである。

【０１０３】薬品名：ＥＬ−Ｐｔ（Ｐｔ濃度３ｇ／Ｌ） メッキ浴温度：７０℃ メッキ時間：５分 このようにして得られた基板は、図３に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【０１０４】〔実施例７〕前記実施例１において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、電気Ｃｕメッキ液を用いた点
以外は、実施例１と同一の条件で、図４に示したような
Ｃｕメッキ層８を有する基板を作製した。ここで用いた
電気Ｃｕメッキの組成及び条件は、以下に示す通りであ
る。

【０１０５】 組成：硫酸銅７５（ｇ／Ｌ）、硫酸１９０（ｇ／Ｌ）、 塩素イオン５０（ｐｐｍ） 日本リーロナール製カパーグリームＣＬＸ−Ａ ５（ｍ
ｌ／Ｌ） 日本リーロナール製カパーグリームＣＬＸ−Ｃ ５（ｍ
ｌ／Ｌ） メッキ浴温度：３０℃ 電流密度：０．０２５（Ａ／ｃｍ² ） メッキ時間：５分 このようにして得られた基板は、図４に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【０１０６】〔実施例８〕前記実施例２において、電気
Ａｇメッキ液の代わりに、電気Ｃｕメッキ液を用いた点
以外は、実施例２と同一の条件で、図４に示したような
Ｃｕメッキ層８を有する基板を作製した。ここで用いた
無電解Ｃｕメッキの組成及び条件は、以下に示す通りで
ある。

【０１０７】 組成：硫酸銅７５（ｇ／Ｌ）、硫酸１９０（ｇ／Ｌ）、 塩素イオン５０（ｐｐｍ） 日本リーロナール製カパーグリームＣＬＸ−Ａ ５（ｍ
ｌ／Ｌ） 日本リーロナール製カパーグリームＣＬＸ−Ｃ ５（ｍ
ｌ／Ｌ） メッキ浴温度：３０℃ 電流密度：０．０２５（Ａ／ｃｍ² ） メッキ時間：５分 このようにして得られた基板は、図４に示したような層
構成を有しており、テープによる引きはがし試験におい
ても、剥離したラインは無かった。

【０１０８】〔比較例１〕実施例１と同一の前処理を青
板ガラス基板上に施し、同一の無電解Ｎｉ−Ｐメッキ条
件にて、図５の（ａ）に示すような金属化基板を製作
し、これを１７０℃の雰囲気中にて、２時間の焼成処理
を行った。そして、このＮｉ−Ｐメッキ層上に、実施例
１と同一の処理条件にて、図５の（ｂ）に示すような保
護層４を形成した後、混酸にてエッチングし、図５の
（ｃ）に示したようなＮｉ−Ｐメッキパターンを形成し
た。

【０１０９】なお、本比較例においては、上記エッチン
グ後に十分な水洗を行うのみで、熱処理は行わずに、実
施例１と同一の電気Ａｇメッキを行い、図５の（ｄ）に
示すような層構成を有するパターンメッキ基板を製作し
た。このとき、上記電気Ａｇメッキ後のイオン交換水に
よる流水において、５０（μｍ）パターンの一部が剥離
した。

【０１１０】〔比較例２〕図５の（ｃ）に示すＮｉ−Ｐ
メッキパターンを、その形成まで、実施例１と同一の処
理で行ったが、本比較例においては、上記Ｎｉ−Ｐパタ
ーン基板を十分に水洗した後、これを３００℃の雰囲気
中にて、１時間の焼成処理を行った。そして、この基板
に、実施例１と同様なパターンＡｇメッキを施したとこ
ろ、Ａｇメッキ層が膜状に析出せず、メッキ後のイオン
交換水による水洗中に完全に剥離してしまった。

【０１１１】なお、上述した実施例は、本発明を基に製
作された導電パターンを有するガラス基板の一例を示し
たに過ぎず、本発明は、前記の特定の実施例に限定され
るものではなく、本発明の技術的範囲内において、数々
の変形が可能であることは勿論である。

【０１１２】〔実施例９〕ガラス基材として、１００
（ｍｍ）×１００（ｍｍ）×厚さ１．１（ｍｍ）のフロ
ートガラス基板（日本板ガラス製）を使用し、以下の手
順にしたがって前処理を行った。

【０１１３】〔ガラス基材の前処理（１）〕三酸化クロ
ム（無水クロム酸）６０（ｇ／Ｌ）、ｃｏｎｃ硫酸１８
０（ｇ／Ｌ）を混合して、イオン交換水により全量１
（Ｌ）とし、これを７０℃に加温して基板を１時間浸漬
後に、イオン交換水により水洗。

【０１１４】〔ガラス基材の前処理（２）〕１０（Ｎ）
のＮａＯＨ水溶液中を７０℃に加温した浴中にて、超音
波振動を行いながら基板を１時間浸漬後に、５０℃に加
温したイオン交換水中にて超音波振動を行いながら水洗
し、さらに室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１１５】〔ガラス基材の前処理（３）〕ヘンケルジ
ャパン製のＰ₃ ｓｉｌｉｒｏｎＨＳを３（ｇ／Ｌ）とな
るように、イオン交換水に溶解した水溶液を７０℃に加
温した浴中にて、超音波振動を行いながら基板を１時間
浸漬後に、５０℃に加温したイオン交換水中にて超音波
振動を行いながら水洗し、さらに室温のイオン交換水に
て水洗する。

【０１１６】〔ガラス基材の前処理（４）〕フッ化アン
モンを含有する薬剤をイオン交換水に溶解した酸性水溶
液を２５±２℃に制御し、液循環を行いながら基板を５
分間浸漬後に、室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１１７】〔ガラス基材の前処理（５）〕アミノ基を
含有する薬剤をイオン交換水に溶解した水溶液を２５±
２℃に制御し、液循環を行いながら基板を２分間浸漬後
に、室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１１８】〔ガラス基材の前処理（６）〕塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ₂ ）を０．５（ｇ／Ｌ）となるようにイ
オン交換水に溶解し、さらに、アルカリによりｐＨ６．
５に調整後、浴温を２５±２℃に制御して基板を２時間
浸漬後に、室温のイオン交換水中に浸漬する。

【０１１９】〔ニッケル・リンメッキ層の形成〕以上
（１）〜（６）に示した前処理を施したガラス基板を、
前述したような析出速度を有する、７０℃に加温した無
電解ニッケル・リンメッキ液中に浸漬し、３分間メッキ
を行い、基板全面にニッケル・リン合金メッキ層を０．
２（μｍ）形成する。

【０１２０】〔パラジウムメッキ層の形成〕その後、５
０℃に加温したイオン交換水中にて、基板表面に付着す
る無電解ニッケル・リンメッキ液を水洗し、６５℃に加
温した無電解パラジウムメッキ液中に基板を浸漬して、
４５秒間メッキを行い、パラジウムメッキ層を０．１
（μｍ）積層した。なお、本実施例にて使用した無電解
ニッケル・リンメッキ液は、還元剤として次亜燐酸塩を
含有するものである。

【０１２１】また、無電解パラジウムメッキ液は、パラ
ジウム析出時にＰやＢを共析するような還元剤、すなわ
ち、りん酸塩系、および、アミン・ボラン系の還元剤を
含有していないものであり、さらに、メッキ析出の副反
応として水素を発生させるような還元剤を使用していな
いものである。この条件に適する市販の無電解パラジウ
ムメッキ液の一例としては、小島化学薬品製の商品名：
ＰＡＲＥＤなどがある。

【０１２２】〔熱処理工程〕Ｐｄメッキ終了後に、基板
をイオン交換水により、十分に水洗し、窒素ブローを行
って、基板に付着するイオン交換水を除去後、１７０℃
の大気雰囲気中にて１時間キープし、図１０（ａ）に示
した層構成を有する基板を作製した。

【０１２３】そして、この熱処理済み基板を室温まで冷
却した後に、ウシオ電気（株）製の誘電体バリア放電エ
キシマランプを内蔵するエキシマ光照射装置により、１
７２（ｎｍ）の波長に分光分布のピークを有するエキシ
マ光を基板より５（ｍｍ）の位置から３０秒間照射し
た。

【０１２４】〔パターン形成工程〕次に、この基板上に
東京応化工業製のレジストである商品名ＯＦＰＲ−８０
０を、スピンコーターにより塗布した後に、９０℃の雰
囲気中にて３０分間のプリベークを行い、これに、密着
力評価用のライン・アンド・スペース（以降においては
Ｌ／Ｓと表記する）が５０（μｍ）／５０（μｍ）のパ
ターン、及び、解像力解析用の細線パターンを有するマ
スクを用いて露光を行い、さらに、東京応化工業製の現
像剤である商品名ＮＭＤ−３にてパターンを現像した
後、イオン交換水の流水により水洗し、窒素ブローにて
水分を除去した後に、１４０℃の雰囲気中で、３０分間
のポストベークを行い、室温まで冷却後に、再度、上記
のエキシマ光を３０秒間照射して、図１０（ｂ）に示し
た保護パターンを有する基板を作製した。なお、前述し
たエキシマ光の照射は、形成する保護レジストのパター
ン幅が広い場合には、省略することができる。

【０１２５】以上のような保護パターンを有する基板
を、前述の保護溶液中に、室温にて、４５秒間浸漬して
露出するメッキ層をエッチング除去後、イオン交換水の
流水にて、十分に水洗し、さらに、レジスト剥離液中に
浸漬して、保護レジストを除去した。ここで使用したレ
ジスト剥離液は、イオン交換中１（Ｌ）中に、水酸化ナ
トリウムを１５０（ｇ）、及びグルコン酸ナトリウムを
１０（ｇ）溶解し、７０℃に加温したものであり、この
浴中に基板を２０秒間浸漬後、水洗して、図１０（ｃ）
に示した積層構造を有する基板を作製した。

【０１２６】〔活性化工程〕次に、このパタニング基板
に付着する水分を除去後、前記のエキシマ光を１分間照
射し、水酸化ナトリウム２００（ｇ）とグルコン酸ナト
リウム２０（ｇ）をイオン交換水に溶解して７０℃に加
熱した溶液中に１分間浸漬し、イオン交換水にて十分に
水洗して、活性化処理とした。この活性化処理は、被処
理基板の表面状態にもよるが、通常は、エキシマ光の照
射のみで、露出するメッキ表面の濡れ性が十分に回復す
る。

【０１２７】〔表面金属層の形成工程〕さらに、上記の
活性化処理を施した基板を無電解銀メッキ液中に浸漬
し、銀メッキ層４を形成し、図１０（ｄ）に示した積層
パターンを作製した。ここで使用した無電解銀メッキ液
は、Ｎ．Ｅ．ケムキャット（株）製の商品名ＥＬ−Ａｇ
＃３１であり、ｐＨ１０にて、浴温７３℃で１時間メッ
キし、銀メッキ層を１．３（μｍ）積層した。

【０１２８】〔結果〕このようにして作製したパターン
メッキ基板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）の
パターンに、テープによる引きはがし試験を実施したと
ころ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察さ
れず、良好な密着性を示した。

【０１２９】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１３０】さらに、基板上に露出している、ガラス基
板１の表面を、Ｔｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置で
ある、商品名Ｐ−１０により計測したところ、その平均
表面粗さは、０．８（ｎｍ）であった。

【０１３１】〔実施例１０〕前記実施例９における無電
解銀メッキ済みの、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μ
ｍ）のパターン上に、電気銀メッキ法により、さらに、
銀メッキ層を４（μｍ）積層した。ここで使用した電気
銀メッキ液は、Ｎ．Ｅ．ケムキャット社製の商品名Ｓ−
９００であり、メッキ条件は、浴温６０℃、電流密度
０．２（Ａ／ｃｍ ² ）であった。

【０１３２】以上のようにして作製したパターンメッキ
基板は、図１０（ｄ）に示したような積層パターンを有
しており、この基板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０
（μｍ）のパターンに、テープによる引きはがし試験を
実施したところ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥
離は観察されず、良好な密着性を示した。

【０１３３】〔実施例１１〕前記実施例９、及び、１０
において、銀メッキ層４の上に、さらに酸化防止のため
の金メッキ層６を０．０５（μｍ）積層し、図１２に示
したような積層構造を有する基板を作製した。

【０１３４】ここで使用した金メッキ液は、大和化成
（株）製の無電解金メッキ液、商品名：ダインゴールド
であり、浴温７０℃にてメッキを行った。

【０１３５】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１３６】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１３７】〔実施例１２〕実施例９と同様にして、ガ
ラス基板上にニッケル・リンメッキ層２、及び、パラジ
ウムメッキ層３のパターンを形成し、これを活性化後
に、銅メッキ層５を積層してから、同じく、実施例９と
同様にして、銀メッキ層４を１．０（μｍ）積層して、
図１１に示したような積層構造を有する基板を作製し
た。

【０１３８】ここで使用した銅メッキ液は、日立化成工
業（株）製の無電解銅メッキ液、商品名：ＣＵＳＴ−２
０００であり、浴温４０℃にて、２分間メッキを行い、
銅メッキ層５を０．６（μｍ）積層した。

【０１３９】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１４０】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１４１】〔実施例１３〕前記実施例１２における無
電解銀メッキ済みの、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μ
ｍ）のパターン上に、電気銀メッキ法により、さらに、
銀メッキ層４を４（μｍ）積層した。ここで使用した電
気銀メッキ液は、Ｎ．Ｅ．ケムキャット社製の商品名Ｓ
−９００であり、メッキ条件は、浴温６０℃、電流密度
０．２（Ａ／ｃｍ² ）であった。

【０１４２】以上のようにして作製したパターンメッキ
基板は、図１１に示したような積層パターンを有してお
り、この基板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）
のパターンに、テープによる引きはがし試験を実施した
ところ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察
されず、良好な密着性を示した。

【０１４３】〔実施例１４〕前記実施例１２、及び、１
３において、銀メッキ層４の上に、さらに酸化防止のた
めの金メッキ層６を０．０５（μｍ）積層し、図１３に
示したような積層構造を有する基板を作製した。

【０１４４】ここで使用した金メッキ液は、大和化成
（株）製の無電解金メッキ液、商品名：ダインゴールド
であり、浴温７０℃にてメッキを行った。

【０１４５】このようにして作製したパターンメッキ基
板は、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１４６】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１４７】〔実施例１５〕前記実施例９〜１４におい
て実施した活性化処理を以下に示すような条件にて行
い、その他の処理は同様にして、図１０（ｄ）〜図１３
に示したような積層構造を有する基板を作製した。

【０１４８】すなわち、保護レジストを除去して、図１
０（ｃ）に示した状態まで処理を行った基板に、活性化
処理として、前述したエキシマ光の照射を１分間行い、
次に、トリエチレンテトラミン６酢酸６ナトリウム（４
０〜４５％水溶液）８０（ｇ）、及び水酸化ナトリウム
２００（ｇ）をイオン交換水に溶解して１（Ｌ）とした
処理液を７０℃に加温したものに５分間浸漬し、さら
に、イオン交換水にて水洗後に、奥野製薬製の商品名Ｏ
ＰＣ−９１の２％水溶液中に室温にて２０秒間浸漬し、
イオン交換水で水洗した。

【０１４９】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１５０】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１５１】〔実施例１６〕前記実施例９〜１５におい
て使用したアルカリ含有ガラスの代わりに、一般にホウ
珪酸ガラスなどとして知られる、アルカリ成分をほとん
ど含有しないガラス基板である、コーニング社製の商品
名：＃７０５９を使用した。これ以外の処理条件は、前
記実施例９〜１５と同一にして、図１０〜１３に示した
ような積層構造を有する基板を作製した。

【０１５２】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１５３】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１５４】〔実施例１７〕前記実施例９〜１６におい
て使用したガラス基板の代わりに、フロートガラスの表
面にアルカリ漏洩保護膜として、ＳｉＯ₂ 層を形成した
ものである、日本板硝子（株）製の商品名：Ｈコートガ
ラスを使用した。これ以外の処理条件は、前記実施例９
〜１５と同一にして、図１０〜１３に示したような積層
構造を有する基板を作製した。

【０１５５】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１５６】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１５７】〔比較例３〕アルカリガラス基板上に、実
施例９と同一の条件で前処理を行い、ニッケル・リンメ
ッキ層２を０．３μｍ積層後、１７０℃の大気雰囲気中
にて１時間キープし、同じく、実施例１と同一の条件で
パタニングを行い、保護レジストを除去した。本発明と
は、パラジウムメッキ層が無い点で異なる。

【０１５８】このパターンに、銀メッキ層を積層するに
あたり、活性化処理として、実施例１と同じ、グルコン
酸ナトリウムと水酸化ナトリウムを含有する水溶液を用
いたところ、ニッケル・リンメッキ層２が変質してしま
った。そこで、活性化処理を、エキシマ光の照射、及
び、希塩酸への短時間の浸漬とし、基板を無電解銀メッ
キ液中に浸漬した。

【０１５９】ところが、無電解銀メッキ液中において
も、銀メッキ層４の形成とニッケル・リンメッキ層２の
劣化が同時に起こり、テープによる引きはがし試験を実
施したところ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥離
が観察された。このような状態での模式図を図１４に示
す。

【０１６０】以上、上述した実施例は、本発明を基に製
作されたガラス基板上へのパターン形成方法の一例を示
したに過ぎず、本発明は、前記の特定の実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の技術的範囲内において、数
々の変形が可能であることは勿論である。

【０１６１】〔実施例１８〕ガラス基材として、１００
（ｍｍ）×１００（ｍｍ）×厚さ１．１（ｍｍ）のフロ
ートガラス基板（日本板ガラス製）を使用し、以下の手
順にしたがって前処理を行った。

【０１６２】〔ガラス基板の前処理（１）〕三酸化クロ
ム（無水クロム酸）６０（ｇ／Ｌ）、ｃｏｎｃ硫酸１８
０（ｇ／Ｌ）を混合して、イオン交換水により全量ｌ
（Ｌ）とし、これを７０℃に加温して基板を１時間浸漬
後に、イオン交換水により水洗。

【０１６３】〔ガラス基板の前処理（２）〕１０（Ｎ）
のＮａＯＨ水溶液中を７０℃に加温した浴中にて、超音
波振動を行いながら基板を１時間浸漬後に、５０℃に加
温したイオン交換水中にて超音波振動を行いながら水洗
し、さらに室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１６４】〔ガラス基板の前処理（３）〕ヘンケルジ
ャパン製のＰ₃ ３ｓｉｌｉｒｏｎＨＳを３（ｇ／Ｌ）と
なるように、イオン交換水に溶解した水溶液を７０℃に
加温した浴中にて、超音波振動を行いながら基板を１時
間浸漬後に、５０℃に加温したイオン交換水中にて超音
波振動を行いながら水洗し、さらに室温のイオン交換水
にて水洗する。

【０１６５】〔ガラス基板の前処理（４）〕フッ化アン
モンを含有する薬剤をイオン交換水に溶解した酸性水溶
液を２５±２℃に制御し、液循環を行いながら基板を５
分間浸漬後に、室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１６６】〔ガラス基板の前処理（５）〕アミノ基を
含有する薬剤をイオン交換水に溶解した水溶液を２５±
２℃に制御し、液循環を行いながら基板を２分間浸漬後
に、室温のイオン交換水にて水洗する。

【０１６７】〔ガラス基板の前処理（６）〕塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ₂ ）を０．５（ｇ／Ｌ）となるようにイ
オン交換水に溶解し、さらに、アルカリによりｐＨ６．
５に調整後、浴温を２５±２℃に制御して基板を２分間
浸漬後に、室温のイオン交換水中に浸漬する。

【０１６８】〔メッキ層２、３の形成工程〕以上（１）
〜（６）に示した前処理を施したガラス基板を、前述し
たような析出速度を有する、７０℃に加温した無電解ニ
ッケル・リンメッキ液中に浸漬し、３分間メッキを行
い、基板全面にニッケル・リン合金メッキ層を０．２
（μｍ）形成後、５０℃に加温したイオン交換水中に
て、基板表面に付着する無電解ニッケル・リンメッキ液
を水洗し、６５℃に加温した無電解パラジウムメッキ液
中に基板を浸漬して、４５秒間メッキを行い、パラジウ
ムメッキ層を０．１（μｍ）積層した。なお、本実施例
にて使用した無電解ニッケル・リンメッキ液は、還元剤
として次亜燐酸塩を含有するものである。

【０１６９】また、無電解パラジウムメッキ液は、パラ
ジウム析出時にＰやＢを共析するような還元剤、すなわ
ち、リン酸塩系、および、アミン・ボラン系の還元剤を
含有していないものであり、さらに、メッキ析出の副反
応として水素を発生させるような還元剤を使用していな
いものである。この条件に適する市販の無電解パラジウ
ムメッキ液の一例としては、小島化学薬品製の商品名：
ＰＡＲＥＤなどがある。

【０１７０】〔低温プロセスによる熱処理工程〕Ｐｄメ
ッキ終了後に、基板をイオン交換水により、十分に水洗
し、窒素ブローを行って、基板に付着するイオン交換水
を除去後、１７０℃の大気雰囲気中にて１時間キープ
し、図１０（ａ）に示した層構成を有する基板を作製し
た。

【０１７１】そして、この熱処理済み基板を室温まで冷
却した後に、ウシオ電気（株）製の誘電体バリア放電エ
キシマランプを内蔵するエキシマ光照射装置により、１
７２（ｎｍ）の波長に分光分布のピークを有するエキシ
マ光を基板より５（ｍｍ）の位置から３０秒間照射した
（これは、基板の漏れ性を良くしてレジストの均一塗布
性を良くするための処理であり、省略することもでき
る。）。

【０１７２】〔パタニング工程〕次に、この基板上に東
京応化工業製のレジストである商品名ＯＦＰＲ−８００
を、スピンコーターにより塗布した後に、９０℃の雰囲
気中にて３０分間のプリベークを行い、これに、密着力
評価用のライン・アンド・スペース（以降においてはＬ
／Ｓと表記する）が５０（μｍ）／５０（μｍ）のパタ
ーン、及び、解像力解析用の細線パターンを有するマス
クを用いて露光を行い、さらに、東京応化工業製の現像
剤である商品名ＮＭＤ−３にてパターンを現像した後、
イオン交換水の流水により水洗し、窒素ブローにて水分
を除去した後に、１４０℃の雰囲気中で、３０分間のポ
ストベークを行い、室温まで冷却後に、再度、上記のエ
キシマ光を３０秒間照射して、図１０（ｂ）に示した保
護パターンを有する基板を作製した。なお、前述したエ
キシマ光の照射は、形成する保護レジストのパターン幅
が広い場合には、省略することができる。

【０１７３】以上のような保護パターンを有する基板
を、前述の混酸溶液中に、室温にて、４５秒間浸漬して
露出するメッキ層をエッチング除去後、イオン交換水の
流水にて、十分に水洗し、さらに、レジスト剥離液中に
浸漬して、保護レジストを除去した。ここで使用したレ
ジスト剥離液は、イオン交換中１（Ｌ）中に、水酸化ナ
トリウムを１５０（ｇ）、及びグルコン酸ナトリウムを
１０（ｇ）溶解し、７０℃に加温したものであり、この
浴中に基板を２０秒間浸漬後、水洗して、図１０（ｃ）
に示した積層構造を有する基板を作製した。

【０１７４】〔活性化工程〕次に、このパタニング基板
に付着する水分を除去後、前記のエキシマ光を１分間照
射し、水酸化ナトリウム２００（ｇ）とグルコン酸ナト
リウム２０（ｇ）をイオン交換水に溶解して７０℃に加
熱した溶液中に１分間浸漬し、イオン交換水にて十分に
水洗して、活性化処理とした。この活性化処理は、被処
理基板の表面状態にもよるが、通常は、エキシマ光の照
射のみで、露出するメッキ表面の濡れ性が十分に回復す
る。

【０１７５】〔白金メッキ工程〕さらに、上記の活性化
処理を施した基板を無電解白金メッキ液中に浸漬し、白
金メッキ層４を形成し、図１０（ｄ）に示した積層パタ
ーンを作製した。ここで使用した無電解白金メッキ液
は、白金析出の副反応として水素を生成しないタイプの
ものである、Ｎ．Ｅ．ケムキャット（株）製の商品名Ｅ
Ｌ−Ｐｔであり、ｐＨ１０にて、浴温７０℃で３０分間
メッキし、白金メッキ層を０．２４（μｍ）積層した。

【０１７６】〔結果〕このようにして作製したパターン
メッキ基板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）の
パターンに、テープによる引きはがし試験を実施したと
ころ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察さ
れず、良好な密着性を示した。

【０１７７】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１７８】さらに、基板上に露出している、ガラス基
板１の表面を、Ｔｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置で
ある、商品名Ｐ−１０により計測したところ、その平均
表面粗さは、０．８（ｎｍ）であった。

【０１７９】〔実施例１９〕活性化処理までは、前記実
施例１８と同様にして行い、図１０（ｃ）に示した層構
成のＬ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン上
に、電気白金メッキ法により、白金メッキ層を０．５
（μｍ）積層した。

【０１８０】ここで使用した電気白金メッキ液は、Ｎ．
Ｅ．ケムキャット社製の商品名Ｐｔ−７４５であり、メ
ッキ条件は、ｐＨ１２．５、浴温７７℃、電流密度０．
３（Ａ／ｃｍ² ）であった。

【０１８１】以上のようにして作製したパターンメッキ
基板は、図１０（ｄ）に示したような積層パターンを有
しており、この基板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０
（μｍ）のパターンに、テープによる引きはがし試験を
実施したところ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥
離は観察されず、良好な密着性を示した。

【０１８２】〔実施例２０〕前記実施例１８、１９にお
いて使用したアルカリ含有ガラスの代わりに、一般にホ
ウ珪酸ガラスなどとして知られる、アルカリ成分をほと
んど含有しないガラス基板である、コーニング社製の商
品名：＃７０５９を使用した。これ以外の処理条件は、
前記実施例１８、１９と同一にして、図１０（ｄ）に示
したような積層構造を有する基板を作製した。

【０１８３】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１８４】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１８５】〔実施例２１〕前記実施例１８〜２０にお
いて使用したガラス基板の代わりに、フロートガラスの
表面にアルカリ漏洩保護膜として、ＳｉＯ₂ 層を形成し
たものである、日本板硝子（株）製の商品名：Ｈコート
ガラスを使用した。これ以外の処理条件は、前記実施例
１８〜２０と同一にして、図１０（ｄ）に示したような
積層構造を有する基板を作製した。

【０１８６】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０１８７】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、電子顕微鏡
写真により確認した。

【０１８８】〔比較例４〕アルカリガラス基板上に、実
施例１８と同一の条件で前処理を行い、ニッケル・リン
メッキ層２を０．３μｍ積層後、１７０℃の大気雰囲気
中にて１時間熱処理を行い、同じく、実施例１８と同一
の条件でパタニングを行い、保護レジストを除去した。

【０１８９】このパターンに、白金メッキ層を積層する
にあたり、活性化処理として、実施例１８と同じ、グル
コン酸ナトリウムと水酸化ナトリウムを含有する水溶液
を用いたところ、ニッケル・リンメッキ層２が変質して
しまった。そこで、活性化処理を、エキシマ光の照射、
及び、希硫酸への短時間の浸漬とし、イオン交換水で水
洗後、基板を実施例１と同じ無電解白金メッキ液中に浸
漬した。

【０１９０】ところが、無電解白金メッキ液中におい
て、白金メッキ層４の形成とニッケル・リンメッキ層２
の劣化が同時に起こり、テープによる引きはがし試験を
実施したところ、ガラス基板とメッキ層との界面での剥
離が観察された。このような状態での模式図を図１４
（ａ）、及び、図１４（ｂ）に示す。

【０１９１】〔比較例５〕アルカリガラス基板上に、実
施例１８と同一の条件で処理を行い、図１０（ｄ）に示
したパターンを形成した。これに、同じく実施例１８と
同様の活性化処理を施し、無電解白金メッキ液中に基板
を投入した。ここで使用した無電解白金メッキ液は、白
金析出の副反応として水素を生成するような還元剤を含
有していない、強酸性（本発明で用いるアルカリ性でな
い）のメッキ液である、日本高純度化学（株）製のＩＭ
−ＰＴであり、浴温５５℃において、図１０（ｄ）に示
したパタニング基板を投入した。

【０１９２】ところが、時間の経過とともに、ガラス基
板とメッキ層との界面より剥離が起こった。これは、無
電解白金メッキ液による、パラジウムメッキ層、及び、
ニッケル・リンメッキ層のエッチングが進行したためで
あると考えられる。このような状態での模式図を図１５
に示す。

【０１９３】以上、上述した実施例は、本発明を基に製
作されたガラス基材上へのパターン形成方法の一例を示
したに過ぎず、本発明は、前記の特定の実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の技術的範囲内において、数
々の変形が可能であることは勿論である。

【０１９４】〔実施例２２〕ガラス基材として、１００
（ｍｍ）×１００（ｍｍ）×厚さ１．１（ｍｍ）のフロ
ートガラス基板（日本板ガラス製）を使用し、以下の手
順にしたがって前処理を行った。 前処理（１） 三酸化クロム（無水クロム酸）６０（ｇ／Ｌ）、ｃｏｎ
ｃ硫酸１８０（ｇ／Ｌ）を混合して、イオン交換水によ
り全量ｌ（Ｌ）とし、これを７０℃に加温して基板を１
時間浸漬。 前処理（２） １０（Ｎ）のＮａＯＨ水溶液を７５℃に加温した浴中に
て、超音波振動を行いながら基板を１５分間浸漬し、５
０℃に加温したイオン交換水中にて超音波振動を行いな
がら水洗。 前処理（３） ヘンケルジャパン製のＰ₃ ｓｉｌｉｒｏｎＨＳを３（ｇ
／Ｌ）となるように、イオン交換水に溶解した水溶液を
７０℃に加温した浴中にて、超音波振動を行いながら基
板を１０分間浸漬し、５０℃に加温したイオン交換水中
にて超音波振動を行いながら水洗。 前処理（４） アミノ基を含有する薬剤をイオン交換水に溶解した水溶
液を２５±２℃に制御し、液循環を行いながら基板を２
分間浸漬。 前処理（５） 塩化パラジウムを０．５（ｇ／Ｌ）となるようにイオン
交換水に溶解し、さらに水酸化ナトリウムによりｐＨ
６．５に調整した後、浴温を２５±２℃に制御して基板
を２分間浸漬。

【０１９５】以上（１）〜（５）に示した前処理を施し
たガラス基板を、前述したような析出速度を有する、７
０℃に加温したｐＨが４．６の無電解ニッケル・リンめ
っき液（次亜燐酸塩を還元剤とする）中に浸漬し、３分
間めっきを行い、基板全面にニッケル・リンめっき層２
を０．２５（μｍ）形成後、５０℃に加温したイオン交
換水中にて、基板表面に付着する無電解ニッケル・リン
めっき液を水洗した。

【０１９６】さらに、これを９０℃に加温したｐＨが６
の無電解パラジウムめっき液（ギ酸塩を還元剤とする）
中に浸漬して３分間めっきを行い、パラジウムめっき層
を０．２（μｍ）積層した。

【０１９７】Ｐｄメッキ終了後に、基板をイオン交換水
により、十分に水洗し、窒素ブローを行い、基板に付着
するイオン交換水を除去後、１７０℃の大気雰囲気中に
て１時間の焼成を行い、図１（ａ）に示した層構成を有
する基板を作製した。

【０１９８】そして、この熱処理済み基板を室温まで冷
却した後に、ウシオ電気（株）製の誘電体バリア放電エ
キシマランプを内蔵するエキシマ光照射装置により、１
７２（ｎｍ）の波長に分光分布のピークを有するエキシ
マ光を基板より５（ｍｍ）の位置から３０秒間照射し
た。

【０１９９】次に、この基板上に東京応化工業製のレジ
ストである商品名ＯＦＰＲ−８００を、スピンコーター
により塗布した後に、９０℃の雰囲気中にて３０分間の
プリベークを行い、これに、密着力評価用としてＬ／Ｓ
が５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン、及び、解像
力解析用の細線パターンを有するマスクを用いて露光を
行い、さらに、東京応化工業製の現像剤である商品名Ｎ
ＭＤ−３にてパターンを現像した後、イオン交換水の流
水により水洗し、窒素ブローにて水分を除去した後に、
１４０℃の雰囲気中で、３０分間のポストベークを行
い、室温まで冷却後に、再度、上記のエキシマ光を３０
秒間照射して、図１（ｂ）に示した保護パターンを有す
る基板を作製した。なお、前述したエキシマ光の照射
は、形成する保護レジストのパターン幅が広い場合に
は、省略することができる。

【０２００】以上のような保護パターンを有する基板
を、前述の混酸溶液中に、室温にて、８０秒間浸漬して
露出するメッキ層をエッチング除去後、イオン交換水の
流水にて十分に水洗し、さらに、レジスト剥離液中に浸
漬して、保護レジストを除去した。

【０２０１】ここで使用したレジスト剥離液は、イオン
交換中１（Ｌ）中に、水酸化ナトリウムを１５０
（ｇ）、及び、グルコン酸ナトリウムを１０（ｇ）溶解
し、７０℃に加温したものであり、この浴中に基板を２
０秒間浸漬後、水洗して、図１（ｃ）に示した積層構造
を有する基板を作製した。

【０２０２】このようにして作製した基板上の、Ｌ／Ｓ
が５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターンに、テープに
よる引きはがし試験を実施したところ、ガラス基板とめ
っき層との界面での剥離は観察されず、良好な密着性を
示した。

【０２０３】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、ＳＥＭ観察
により確認した。

【０２０４】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置である、商品名Ｐ−
１０により計測したところ、その平均表面粗さは、０．
６（ｎｍ）であった。

【０２０５】〔実施例２３〕前記実施例２２において作
製した、ニッケル・リン／パラジウムのパターンを有す
るガラス基板に、前記のエキシマ光を１分間照射し、さ
らに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド５０
（ｇ）とグルコン酸ナトリウム２０（ｇ）を１（Ｌ）の
イオン交換水に溶解して７０℃に加熱した溶液中に５分
間浸漬し、さらに、これを７０℃に加温したイオン交換
水中に１０秒間浸漬後、室温のイオン交換水にて十分に
水洗した。この基板をイオン交換水により硫酸の濃度が
２（ｍＬ／Ｌ）となるように調製した液中に、室温にて
１０秒間浸漬後、室温のイオン交換水にて十分に水洗し
た。

【０２０６】次に、イオン交換水に塩化パラジウムを溶
解し、塩化パラジウムの濃度が１５（ｐｐｍ）となるよ
うに調製した液中に室温にて２０秒間浸漬後、イオン交
換水にて十分に水洗した。

【０２０７】この基板を７０℃に加温したｐＨ１０の無
電解白金メッキ液（ヒドラジンを還元剤とする）中に浸
漬し、白金めっき層４を０．１（μｍ）積層して、図７
に示したようなパターンを作製した。

【０２０８】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とめっき層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２０９】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、ＳＥＭ観察
により確認した。

【０２１０】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２１１】〔実施例２４〕前記実施例２２において作
製したニッケル・リン／パラジウムのパターンを有する
ガラス基板に、前記実施例２３と同様の活性化処理を施
した。

【０２１２】この基板を７５℃に加温したｐＨ１０の無
電解銀めっき液（ヒドラジンを還元剤とする）中に浸漬
し、銀めっき層５ａを０．５（μｍ）積層して、図８
（ａ）に示したようなパターンを作製した。

【０２１３】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とめっき層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２１４】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、ＳＥＭ観察
により確認した。

【０２１５】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２１６】〔実施例２５〕前記実施例２２において作
製したニッケル・リン／パラジウムのパターンを有する
ガラス基板に、前記実施例２３と同様の活性化処理を施
した。

【０２１７】この基板を、７０℃に加温したｐＨ７の無
電解金メッキ液（チオ尿素を還元剤とする）中に浸漬
し、金メッキ層６ａを０．２（μｍ）積層して、図８
（ｂ）に示したようなパターンを作製した。

【０２１８】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とめっき層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２１９】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、ＳＥＭ観察
により確認した。

【０２２０】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２２１】〔実施例２６〕前記実施例２２と同様にし
て、ガラス基板上にニッケル・リン／パラジウムのパタ
ーンを作製した。活性化処理としては、前記のエキシマ
光を１分間照射し、さらに、水酸化ナトリウム４０
（ｇ）とグルコン酸ナトリウム２０（ｇ）を１（Ｌ）の
イオン交換水に溶解して７０℃に加熱した溶液中に５分
間浸漬し、これをイオン交換水にて十分に水洗した。

【０２２２】この基板を、電気銀メッキ液中に浸漬し、
銀メッキ層５ｂを３（μｍ）積層して、図８（ｃ）に示
したようなパターンを作製した。

【０２２３】ここで使用した電気銀めっき液は、Ｎ．
Ｅ．ケムキャット社製の商品名Ｓ−９００であり、めっ
き条件は、浴温６０℃、電流密度０．２（Ａ／ｃｍ² ）
であった。

【０２２４】このようにして作製したパターンめっき基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とめっき層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２２５】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２２６】〔実施例２７〕前記実施例２２と同様にし
て、ガラス基板上にニッケル・リン／パラジウムのパタ
ーンを作製した。活性化処理としては、前記のエキシマ
光を１分間照射し、さらに、水酸化ナトリウム４０
（ｇ）とグルコン酸ナトリウム２０（ｇ）を１（Ｌ）の
イオン交換水に溶解して７０℃に加熱した溶液中に５分
間浸漬し、これをイオン交換水にて十分に水洗した。

【０２２７】この基板を、電気銅めっき液中に浸漬し、
銅メッキ層７を３（μｍ）積層して、図８（ｄ）に示し
たようなパターンを作製した。

【０２２８】ここで使用した電気銅めっき液は、以下に
示す組成のものを用い、浴温３０℃にて、電流密度０．
０２５（Ａ／ｃｍ² ）でめっきを行った。 組成：硫酸銅７５（ｇ／Ｌ）、硫酸１９０（ｇ／Ｌ）、
塩素イオン５０（ｐｐｍ）、カパーグリームＣＬＸ−Ａ
５（ｍＬ／Ｌ）（日本リーロナール製）、カパーグリ
ームＣＬＸ−Ｃ ５（ｍＬ／Ｌ）（日本リーロナール
製） このようにして作製したパターンメッキ基板の、Ｌ／Ｓ
が５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターンに、テープに
よる引きはがし試験を実施したところ、ガラス基板とメ
ッキ層との界面での剥離は観察されず、良好な密着性を
示した。

【０２２９】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２３０】〔実施例２８〕前記実施例２２において作
製した、ニッケル・リン／パラジウムのパターンを有す
るガラス基板に、前記のエキシマ光を１分間照射し、さ
らに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド５０
（ｇ）とグルコン酸ナトリウム２０（ｇ）を１（Ｌ）の
イオン交換水に溶解して７０℃に加熱した溶液中に５分
間浸漬し、さらに、これを７０℃に加温したイオン交換
水中に１０秒間浸漬後、室温のイオン交換水にて十分に
水洗した。

【０２３１】この基板を、イオン交換水１（Ｌ）に奥野
製薬製のＯＰＣ−９１を１０（ｍＬ）添加した水溶液中
に、室温にて１０秒間浸漬後、室温のイオン交換水にて
十分に水洗した。

【０２３２】次に、イオン交換水に塩化パラジウムを溶
解し、塩化パラジウムの濃度が１５（ｐｐｍ）となるよ
うに調製した液中に、室温にて２０秒間浸漬後、イオン
交換水にて十分に水洗した。

【０２３３】この基板を、電気金めっき液中に浸漬し、
金メッキ層６ｂを０．１（μｍ）積層して、図９（ａ）
に示したようなパターンを作製した。

【０２３４】ここで使用した電気金めっき液は、小島化
学薬品（株）製のＫ−７１０ピュア・ゴールドであり、
浴温６０℃にて、電流密度０．２０（Ａ／ｃｍ² ）でめ
っきを行った。

【０２３５】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２３６】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２３７】〔実施例２９〕実施例２３と同様にして、
図８（ａ）に示したような積層パターンを作製し、これ
をイオン交換水にて十分に水洗後、置換金メッキ液中に
浸漬し、銀めっき層５ａの表層を金により置換して、金
めっき層６ｃを０．１（μｍ）形成し、図９（ｂ）に示
したようなパターンを作製した。

【０２３８】ここで使用した置換金メッキ液は、大和化
成（株）製のダインゴールドＥＬ−２であり、浴温７０
℃にて、基板を２０分間浸漬した。

【０２３９】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２４０】また、このとき、Ｌ／Ｓが５（μｍ）／５
（μｍ）のパターンにも断線がないことを、ＳＥＭ観察
により確認した。

【０２４１】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２４２】〔実施例３０〕実施例２７と同様にして、
図８（ｄ）に示したような積層パターンを作製し、これ
をイオン交換水にて十分に水洗した後、石原薬品（株）
製のパラジウム活性化剤であるＰＤＣ−１０を２００
（ｍＬ／Ｌ）含有する処理液中に、浴温３０℃にて、１
分間浸漬し、イオン交換水にて十分に水洗を行った。

【０２４３】次に、この基板を、実施例２２にて使用し
た無電解パラジウムめっき液中に浸漬して、パラジウム
めっき層３を０．２（μｍ）積層し、さらに十分に水洗
を行った後に、実施例２５にて使用した無電解金めっき
液中に浸漬して、金メッキ層６ａを０．１（μｍ）積層
し、図９（ｃ）に示したようなパターンを作製した。

【０２４４】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２４５】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２４６】〔実施例３１〕前記実施例において使用し
たフロートガラス基板（アルカリ含有ガラス基板）の代
わりに、一般にホウ珪酸ガラスなどとして知られてい
る、アルカリ成分をほとんど含有しないガラス部材であ
る、コーニング社製の商品名：＃７０５９を使用した。
これ以外の条件は、それぞれの前記実施例と同一にして
パターンめっき基板を作製した。

【０２４７】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２４８】また、無電解めっき法のみを用いて作製し
たパターンめっき基板については、Ｌ／Ｓが５（μｍ）
／５（μｍ）のパターンにも断線がないことをＳＥＭ観
察により確認した。

【０２４９】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２５０】〔実施例３２〕前記実施例において使用し
たガラス基板の代わりに、フロートガラスの表面にアル
カリ漏洩保護膜として、ＳｉＯ₂ 層を形成したものであ
る。日本板硝子（株）製の商品名：Ｈコートガラスを使
用した。これ以外の条件は、それぞれの前記実施例と同
一にしてパターンめっき基板を作製した。

【０２５１】このようにして作製したパターンメッキ基
板の、Ｌ／Ｓが５０（μｍ）／５０（μｍ）のパターン
に、テープによる引きはがし試験を実施したところ、ガ
ラス基板とメッキ層との界面での剥離は観察されず、良
好な密着性を示した。

【０２５２】また、無電解めっき法のみを用いて作製し
たパターンめっき基板については、Ｌ／Ｓが５（μｍ）
／５（μｍ）のパターンにも断線がないことをＳＥＭ観
察により確認した。

【０２５３】このときのガラス基板１の表面粗さを、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製の表面粗さ計測装置、商品名Ｐ−１０に
より計測したところ、その平均表面粗さは、０．６（ｎ
ｍ）であった。

【０２５４】〔比較例６〕実施例２２と同じ基板に、実
施例２２と同一の条件で前処理を行い、ニッケル・リン
メッキ層２を０．５（μｍ）積層後、１７０℃の大気雰
囲気中にて１時間焼成し、同じく、実施例２２と同一の
条件でパタニングを行い、保護レジストを除去した。

【０２５５】このパターンに、白金めっき層を積層する
にあたり、活性化処理として、実施例２３と同じ処理を
施したところ、ニッケル・リンめっき層２が変質してし
まった。このときの模式図を図１４（ａ）に示す。

【０２５６】そこで、活性化処理を、エキシマ光の照
射、及び、希硫酸への短時間の浸漬とし、イオン交換水
で水洗後、これを実施例２３と同じ無電解白金めっき液
中に浸漬した。

【０２５７】ところが、無電解白金めっき液中において
も、白金めっき層４の形成とニッケル・リンめっき層２
の劣化が同時に起こった。めっき終了後に、テープによ
る引きはがし試験を実施したところ、ガラス基板とメッ
キ層との界面での剥離が観察された。このときの模式図
を図１４（ｂ）に示す。

【０２５８】以上に記載した実施例は、本発明を基に制
作されたガラス部材の金属化方法の一例を示したに過ぎ
ず、本発明が前記の特定の実施例に限定されるものでは
なく、本発明の技術的範囲内において、数々の変形が可
能であることは勿論である。

【０２５９】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、ガラス基板上に、下地メッキ層として、第１層にニ
ッケルを主成分とする層、第２層としてパラジウムを主
成分とする層を積層することにより、ガラス基板に反り
や歪みを与えるような高温のプロセスを用いなくとも、
それ以降のパターンメッキによる主導電層形成を、充分
な密着力をもって行ない得る。

【０２６０】さらに本発明方法によれば、平滑なガラス
部材上でも、ガラス部材の変形や歪みを抑制しながら、
高密着性で、膜欠陥が少なく、耐薬品性、パタニング
性、積層性に優れた、金属化ガラス部材を作製すること
ができ、このようにして得られた金属化ガラス部材は、
フラットパネル・ディスプレイなどの配線や電極に使用
することが可能であるばかりか、はんだバンプ用のめっ
きパターンとしても利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図２】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図３】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図４】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図５】比較例の基板構成を示す模式図である。

【図６】無電解Ｎｉ−Ｐメッキの析出速度を示すグラフ
である。

【図７】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図８】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図９】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図１０】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図１１】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図１２】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図１３】本発明の基板の形態を示す模式図である。

【図１４】比較例の基板構成を示す模式図である。

【図１５】比較例の基板構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２，３ 層 ４ 保護レジスト ５ 導電層 ５ａ 銀めっき層 ５ｂ 銀めっき層 ６ Ａｕメッキ層 ６ａ，６ｂ，６ｃ 金メッキ層 ７ Ｐｔメッキ層 ８ Ｃｕメッキ層 ７ 銅メッキ層

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上にニッケルを主成分とする
   層と、パラジウムを主成分とする層と、を積層し、該パ
   ラジウム層上に導電層を積層して構成したことを特徴と
   する基板。
2. 【請求項２】 前記ニッケルを主成分とする層は、無電
   解メッキにより形成された請求項１に記載の基板。
3. 【請求項３】 前記パラジウムを主成分とする層は、無
   電解メッキにより形成された請求項１に記載の基板。
4. 【請求項４】 前記導電層は、無電解メッキにより形成
   された請求項１に記載の基板。
5. 【請求項５】 前記導電層は、電気メッキにより形成さ
   れた請求項１に記載の基板。
6. 【請求項６】 前記ニッケルを主成分とする層は、前記
   ガラス基板上に付与された触媒核に基づいて形成された
   請求項１に記載の基板。
7. 【請求項７】 前記導電層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
   ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏから選ばれた元素を主成分と
   するメッキ層で構成される請求項１に記載の基板。
8. 【請求項８】 前記ニッケルを主成分とする層及び前記
   パラジウムを主成分とする層は、パターニングされてい
   る請求項１記載の基板。
9. 【請求項９】 前記ニッケルを主成分とする層は、Ｎｉ
   −Ｐメッキ層である請求項２に記載の基板。
10. 【請求項１０】 前記パラジウムを主成分とする層は、
    Ｐｄメッキ層である請求項３に記載の基板。
11. 【請求項１１】 前記パラジウムを主成分とする層は、
    Ｐｄ−Ｐメッキ層である請求項３に記載の基板。
12. 【請求項１２】 ガラス基板上にニッケルを主成分とす
    る層を形成する工程、該ニッケル層上にパラジウムを主
    成分とする層を形成する工程、及び該パラジウム層上に
    導電層を形成する工程を有することを特徴とする基板の
    製造方法。
13. 【請求項１３】 前記パラジウムを主成分とする層を形
    成した後、熱処理を施す請求項１２に記載の基板の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 前記熱処理は、１００℃〜３５０℃の
    範囲の温度でなされる請求項１３に記載の基板の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 前記ニッケルを主成分とする層は、無
    電解メッキにより形成される請求項１２に記載の基板の
    製造方法。
16. 【請求項１６】 前記パラジウムを主成分とする層は、
    無電解メッキにより形成される請求項１２に記載の基板
    の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記パラジウムを主成分とする層は、
    金属析出時の副反応として水素を生じない還元剤を含有
    するメッキ液を用いて形成される請求項１６に記載の基
    板の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記導電層形成工程に先立って、前記
    パラジウム層表面の活性化処理を行なう請求項１２に記
    載の基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記活性化処理として、以下に示す
    （ａ），（ｂ），（ｃ）より選ばれる１種類以上の処理
    を施す請求項１８に記載の基板の製造方法。 （ａ）前記パラジウム層を、金属キレート剤を含有する
    アルカリ性の水溶液と接触させる； （ｂ）前記パラジウム層を、塩酸系、硫酸系、鉄塩系の
    薬剤を少なくとも１種類以上含有する酸性の水溶液と接
    触させる； （ｃ）前記パラジウム層に、紫外領域の波長を有する光
    を照射する；
20. 【請求項２０】 前記金属キレート剤を含有するアルカ
    リ性の水溶液が、グルコン酸塩またはトリエチレンテト
    ラミン６酢酸塩のどちらか、及び水酸化ナトリウムまた
    はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドのどちらかを
    少なくとも含有する請求項１９に記載の基板の製造方
    法。
21. 【請求項２１】 前記紫外線領域の波長を有する光が、
    １７２（ｎｍ）の波長に発光分布のピークを有している
    請求項１９に記載の基板の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記導電層は、無電解メッキにより形
    成される請求項１２に記載の基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記無電解メッキは、金属析出時の副
    反応として水素を生じない還元剤を含有するメッキ液を
    用いてなされる請求項２２に記載の基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記導電層は、電気メッキにより形成
    される請求項１２に記載の基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記ニッケルを主成分とする層は、前
    記ガラス基板上に付与された触媒核に基づいて形成され
    る請求項１２に記載の基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記導電層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
    ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏから選ばれた元素を主成分と
    するメッキ層で構成される請求項１２に記載の基板の製
    造方法。
27. 【請求項２７】 前記ニッケルを主成分とする層及び前
    記パラジウムを主成分とする層を、パターニングする工
    程を含む請求項１２記載の基板の製造方法。