JPH0586111B2

JPH0586111B2 -

Info

Publication number: JPH0586111B2
Application number: JP62280425A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ikeuchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-11-06
Filing date: 1987-11-06
Publication date: 1993-12-09
Also published as: JPH01122272A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、テレビジヨン受像機等の偏向装置に
関し、特にフライバツクトランスの高圧コイル
（二次コイル）のレアシヨートに起因して発生す
る火災等の防止手段を備えてなる偏向装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図にはテレビジヨン受像機や一般のCRT
デイスプレイ装置に用いられている偏向装置の一
般的な基本回路が示されている。

この基本回路は水平偏向出力回路１と、高圧回
路２とを有している。前記水平偏向出力回路１
は、水平出力トランジスタ３と、ダンパーダイオ
ード４と、共振コンデンサ５と水平偏向コイル６
と、Ｓ字補正コンデンサ７とからなる。水平出力
トランジスタ３は図示されていない水平ドライブ
回路から送られてくる電圧パルスを受けてスイツ
チング作用を行い、ダンパーダイオード４との協
同によつて水平偏向コイル６に鋸歯状波電流を加
える。その一方において、共振コンデンサ５と水
平偏向コイル６はその共振作用によつてフライバ
ツクパルスを発生させ、これを高圧回路２に加え
る。

高圧回路２はフライバツクトランス８と、高圧
整流ダイオード１０とからなる。前記フライバツ
クトランス８の低圧コイル（一次コイル）１２の
一方側端子はダンパーダイオード４のカソード、
水平偏向コイル６および共振コンデンサ５の共通
端子に接続されており、また、低圧コイル１２の
他端側端子は入力電源１３に接続されている。一
方、フライバツクトランス８の高圧コイル（二次
コイル）１４の高圧側端子は前記高圧整流ダイオ
ード１０を介してブラウン管１５のアノード１６
に接続されている。かかる構成において、高圧回
路２は前記水平偏向出力回路１から加えられるフ
ライバツクパルスをフライバツクトランス８によ
つて昇圧し、さらに高圧整流ダイオード１０によ
つて信号整流を行い、その整流出力E_Hをアノー
ド１６に加えるのである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の基本回路を有する偏向装置を動作させた
場合、回路設計や製造時のミスが生じるとフライ
バツクトランス８の高圧コイル１４にレアシヨー
ト等の異常が発生し、火災等の災害を引き起こす
場合がある。前記回路設計のミスとしては、フラ
イバツクトランス８のコア１１や高圧コイル１４
の異常発熱、あるいはコイル１２，１４間やコイ
ル積層間の耐圧不良等が考えられる。また、製造
時のミスとしては、コイル１２，１４の巻線作業
時のミスによるレアシヨートの発生、あるいはコ
イル１２，１４の絶縁処理ミスによる内部放電等
が考えられる。

偏向装置の設計および製造に関しては上記ミス
が生じないように管理されているのであるが、十
分な注意を払つてもそのミスを皆無にすることは
困難である。そのため、例えば、フライバツクト
ランス８内に、低圧コイル１２あるいは入力電源
１３に直列に接続された温度ヒユーズを配設し、
前記ミスに起因してフライバツクトランスが異常
発熱したとき、その異常な高温発熱を利用してヒ
ユーズを溶断し、フライバツクトランス８への電
圧印加を阻止して前記災害発生を未然に防止する
ことが考えられる。

しかしながら、上記の温度ヒユーズを配設する
場合、温度ヒユーズと高圧コイル１４との間には
極端に大きい電位差があるため、温度ヒユーズを
同コイル１４に近接配置すると両者間に放電が生
じるという問題があり、このような放電を回避す
るための絶縁処理は極めて難しい。また、前記放
電を防止するために、温度ヒユーズを高圧コイル
１４から離すことも考えられるが、そうすると、
高圧コイル１４のレアシヨートによる異常発熱の
温度が温度ヒユーズに伝わりずらくなり、安全動
作（ヒユーズ溶断動作）が遅れ、火災等の発生を
防止できないという不都合がある。さらに、フラ
イバツクトランス８の駆動周波数は一般に、
15.75KHz〜130KHzと高いため、低圧コイル１２
と高圧側コイル１４との電磁結合度を高めておく
必要があるが、前記のように、温度ヒユーズのよ
うな形状の大きいものをフライバツクトランス内
（例えば両コイル１２，１４間）に配設すると、
その電磁結合度が低くなり、フライバツクトラン
ス８の基本性能が害されるという問題もある。

本発明は上記従来の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、フライバツクト
ランスのレアシヨート等による異常を迅速かつ確
実に検出して災害発生を未然に防止し得る手段を
講じ、しかも、その手段を講じることによつては
フライバツクトランスの基本性能に悪影響をほと
んどおよぼすことがない偏向装置を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、次のよう
に構成されている。すなわち、本発明は、水平ド
ライブ回路からの出力信号を受け、フライバツク
パルスを発生させる水平偏向出力回路と；この水
平偏向出力回路からのフライバツクパルスを昇圧
しその出力電力をブラウン管のアノード側に加え
るフライバツクトランスと；を含む偏向装置にお
いて、前記フライバツクトランスの低圧コイルに
直接的又は間接的に接続される保護ヒユーズと；
前記フライバツクトランスの低圧コイルに流れる
電流を検出する一次側電流検出回路と；前記フラ
イバツクトランスの高圧コイルに流れる高圧電流
を検出する二次側電流検出回路と；前記一次側電
流検出回路によつて検出された電流容量が二次側
電流検出回路によつて検出された電流の基準容量
よりも大きくなつたときに動作信号を出力する検
出値比較回路と、該検出値比較回路からの動作信
号を受けたときにゲートを開いて溶断電流を流し
前記保護ヒユーズを溶断して前記フライバツクト
ランスの低圧コイルへの電圧印加を阻止するゲー
ト回路と；を有していることを特徴として構成さ
れている。

〔作用〕

上記のように構成されている本発明において、
フライバツクトランスに異常が生じていない正常
時においては、一次側電流検出回路によつて検出
された電流容量は二次側電流検出回路によつて検
出された電流の基準容量以下になつており、した
がつて、ゲート回路のゲートは閉じられ、保護ヒ
ユーズに溶断電流が流れることはない。

これに対し、フライバツクトランスの高圧コイ
ルにレアシヨート等の異常が生じると、低圧コイ
ルに流れる電流が急激に増加する。この結果、一
次側電流検出回路によつて検出される電流容量が
二次側電流検出回路によつて検出される電流（こ
の電流は高圧コイルのレアシヨートを発生しても
ほとんど電流増加を生じない）の基準容量よりも
大きくなり、検出値比較回路からゲート回路へ動
作信号が加えられ、ゲート回路のゲートが開かれ
る。このゲートの解放により、保護ヒユーズに大
容量の溶断電流が流れ、ヒユーズの溶断が行われ
る。このヒユーズの溶断によつて、低圧コイルへ
の電圧印加が阻止される。フライバツクトランス
の動作が停止し、フライバツクトランスの異常発
熱に起因する火災等の発生は未然に防止されるこ
とになる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において従来例と同
一の回路部分には同一の符号を付し、その重複説
明は省略する。

第１図には本発明の一実施例を示す偏向装置の
回路構成が示されている。図において、偏向装置
は水平発振回路（図示せず）と、水平ドライプ回
路１７と、水平偏向出力回路１と、高圧回路２
と、異常検出・安全保護回路１８とからなる。こ
のうち、異常検出・安全保護回路１８以外の回路
は公知であるので、それらの公知回路の説明は簡
単化する。

前記水平ドライプ回路１７は、ドライブトラン
ジスタ２０とドライブトランス２１とを有してお
り、水平発振回路から送り込まれてくる水平パル
スを増幅し、かつ波型整形を行つた電圧パルスを
水平偏向出力回路１に加えるものである。

水平偏向出力回路１は、第３図の場合と同様に
構成され、水平偏向コイル６に鋸歯状波電流を加
えるとともに、フライバツクパルスを発生させ、
これを高圧回路２に加える。

高圧回路２はフライバツクトランス８と、高圧
整流ダイオード１０とからなり、第３図の場合と
同様に前記水平偏向出力回路１から加えられるフ
ライバツクパルスをフライバツクトランス８によ
つて昇圧し、さらに高圧整流ダイオード１０によ
つて信号整流を行い、その整流出力をアノード１
６に加える。

異常検出・安全保護回路１８は前記フライバツ
クトランス８の高圧コイル１４に発生するレアシ
ヨート等の異常を確実に検出するもので、本実施
例の特徴的な回路である。この異常検出・安全保
護回路１８は、一次側電流検出回路１９と、二次
側電流検出回路２３と、ゲート回路２４と、保護
ヒユーズ２５と、検出値比較回路２６とからな
る。

前記一次側電流検出回路１９は、低圧コイル１
２を流れる電流I_Bのうち交流成分を除去する交流
パスコンデンサ２７と、交流成分が除去された前
記電流I_Bの直流成分を電圧に変換して検出する第
１の検出抵抗器２８との並列回路からなり、その
一次側電流検出回路（並列回路）１９の一端側は
低圧コイル１２の低圧側（巻き始め側）に接続さ
れ、同回路１９の他端部は保護ヒユーズ２５を介
して入力電源１３の正側に接続されており、ま
た、入力電源１３の負側は基準電位側（図ではア
ース側）に接続されている。

前記二次側電流検出回路２３は、高圧コイル１
４を流れる高圧電流I_Hを検出する第２の検出抵抗
器３０と、該高圧電流I_Hの交流成分を除去する交
流パスコンデンサ３１と、ノイズを除去するコン
デンサ４０と、バイアス電源３２とからなる。前
記第２の検出抵抗器３０とコンデンサ４０とは並
列回路を形成しており、この並列回路の一端部は
バイアス電源３２を介して前記一次側電流検出回
路１９と保護ヒユーズ２５との共通接続部に接続
され、同並列回路の他端部は抵抗器３３を介して
高圧コイル１４の低圧側（巻き始め側）に接続さ
れている。そして、交流パスコンデンサ３１は一
端部が前記抵抗器３３と高圧コイル１４の低圧側
との共通接続部に接続され、他端部はアース側に
接続されている。

また、本実施例では、検出値比較回路２６はト
ランジスタ３４によつて構成されており、ゲート
回路２４はサイリスタ３５によつて構成されてい
る。前記トランジスタ３４のベース側は低圧コイ
ル１２の抵圧側、つまり、一次側電流検出回路１
９の一端側に接続され、また、同トランジスタ３
４のエミツタ側は二次側電流検出回路２３の一端
側、すなわち、第２の検出抵抗器３０と抵抗器３
３との共通接続部側にコレクタ側は抵抗器３６を
介してサイリスタ３５のゲート側にそれぞれ接続
されている。

そして、サイリスタ３５のゲート側には、さら
に、抵抗器３７とノイズ除去用のコンデンサ３８
との並列回路が接続され、その並列回路の他端部
はサイリスタ３５のカソード側に接続され、これ
ら並列回路とカソード側の接続部はさらに基準電
位側（図ではアース側）に接続されている。

一方、サイリスタ３５のアノード側は一次側電
流検出回路１９の他端側、つまり、同検出回路１
９と保護ヒユーズ２５との共通接続部に接続され
ている。

また、高圧コイル１４の低圧側は交流パスコン
デンサ３１を介してアース側、つまり、サイリス
タ３５のカソードと抵抗器３７とコンデンサ３８
との共通接続部側に接続されており、また、同コ
イル１４の低圧側とコンデンサ３１との接続部は
ABL（Automatic Brightness Limitter）に通じ
ている。

なお、図中４１はフライバツクトランスのユニ
ツトを示し、また、P₁〜P₅は同ユニツトのター
ミナル（端子）を示している。

上記のように構成されている本実施例におい
て、回路駆動中にブラウン管１５の輝度を上げて
行くと、該ブラウン管１５のアノード１６に加え
られる高圧出力電流I_Hが増加する。一方、この高
圧出力電流I_Hが増加すれば入力電源１３から低圧
コイル１２に流れる電流I_Bも増加する。この電流
I_Bは交流成分と直流成分を含んでおり、その直流
成分の電流I_BDCと高圧出力電流I_Hとの関係が第２
図に示されている。この図によれば電流I_BDCは、
一定直流成分I_BDCOに、高圧出力電流I_Hの増加に比
例して増加する変化直流成分i_Bが加わつた格好と
なつており、I_Hが０から動作範囲の最大値I_HMま
で変化したとき、I_BDCはΔI_BDCだけ変化する。この
I_BDCの実際の電流には大きな鋸歯状波成分が含ま
れるが、第２図ではその平均電流値でもつてI_BDC
を表している。

前述のように、ブラウン管１５の輝度変化に際
し、低圧コイル１２には電流I_Bが、高圧コイル１
４には高圧電流I_Hがそれぞれ流れる。そして、低
圧コイル１２を流れる電流I_Bの直流分の電流I_BDC
は一次側電流検出回路１９によつて次のように検
出される。すなわち、I_Bの交流成分の電流は交流
パスコンデンサ２７によつて除去される結果、同
コンデンサ２７の両端部には完全に平滑され、
I_BDCに比例する電圧が現れる。つまり、直流成分
の電流I_BDCと第１の検出抵抗器２８の抵抗値R₁と
の積、つまりe_B＝R₁×I_BDCの電圧が現れ、直流成
分の電流容量I_BDCが間接的に電圧値e_Bに変換され
て検出される。そして第１図の回路のＱ点を基準
点としてこの検出値e_Bがトランジスタ３４のベー
スに加えられている。

一方、高圧コイル１４を流れる高圧電流I_Hは二
次側電流検出回路２３によつて次のように検出さ
れる。すなわち、高圧電流I_Hが第２の検出抵抗器
３０を通つて高圧コイル１４に流れるとき、該第
２の検出抵抗器３０の抵抗値をR₂とすれば、同
抵抗器３０にe_H＝I_H×R₂のリツプルのない直流の
電圧が現れる。このことは、高圧電流I_Hが間接的
に電圧e_Hに変換されて検出されることを意味す
る。そして、Ｑ点を基準点としてバイアス電源３
２の電圧E_Sにこの検出値e_Hを加えた二次側電流検
出回路２３の出力電圧はトランジスタ３４のエミ
ツタに加えられている。

このバイアス電源３２は両検出回路１９，２３
の検出電流容量のバランスをとるたに装備されて
いる。

つまり、Ｑ点を基準点としたとき低圧コイル１
２に流れる負の直流成分I_BDC（Ｑ点を基準点とし
て見ると、低圧コイル１２に流れる電流は負の電
流となる）は既述の如く、一定成分I_BDCOと変化成
分i_Bとの和であり、この一定成分I_BDCOと釣り合わ
せるために、バイアス電源３２から該I_BDCOに対応
する負の電圧を第２の検出抵抗器３０に加えてい
るのである。この結果、e_Bとe_Hとの平衡関係は低
圧コイル１２を流れる直流変化成分i_Bと高圧コイ
ル１４を流れる高圧電流I_Hとの関係に置き換えら
れることになる。

前記トランジスタ３４は高圧コイル１４にレア
シヨートがない正常時、すなわち、（E_S＋e_H）≧e_B
のときはオフ状態を保つ。これに対し、高圧コイ
ル１４にレアシヨートが発生すると、低圧コイル
１２に流れる直流電流の変化成分i_Bが正常時の倍
近く大きくなり（E_S＋e_H）＜e_Bの状態となる。す
なわち、高圧コイル１４にレアシヨートが発生す
ると低圧コイル１２に流れる電流が大きく増加す
る。一方、高圧コイル１４側ではレアシヨートに
よつて作り出されるコイルのシヨートによる局部
閉回路の部分に大きな電流がぐるぐる還流するが
高圧コイル１４の全体を流れる電流はほとんどレ
アシヨートの発生によつて変化しない（もちろん
レアシヨート部分がアース側に短絡したときは高
圧コイルに大電流が流れるが、通常レアシヨート
が発生してもこのレアシヨート部分がアースに短
絡されることはない）。このことにより、本実施
例（本発明）では高圧コイルのレアシヨートによ
つてほとんど変化しない高圧コイル１４の検出電
流を基準値とし、この基準値と一次側（低圧コイ
ル側）電流の検出値とを比較してレアシヨートの
発生検出を行つている。トランジスタ３４は前記
（E_S＋e_H）＜e_Bのときにオン動作して動作信号（コ
レクタ電圧）をサイリスタ３５のゲートに加え
る。この場合、コレクタ電圧はかなり大きくなる
ので、そのままの電圧をサイリスタ３５に加える
のは望ましくない。そこで、第１図の回路では、
コレクタ電圧を抵抗器３６，３７によつて分割
し、トランジスタ３４がオン動作したとき、サイ
リスタ３５のカソード側の基準電圧よりも大きな
電圧となる動作信号をサイリスタ３５のゲートに
加えるようにしている。

サイリスタ３５はこの動作信号が入力したとき
にゲートを開き、溶断電流を保護ヒユーズ２５に
流して、同ヒユーズ２５を溶断する。このよう
に、本実施例の回路においては、検出抵抗器２
８，３０の抵抗値R₁，R₂と、バイアス電源３２
の電圧E_Sをいかに決定するかによつて、トランジ
スタ３４の動作、つまりサイリスタ３５の動作点
が決定されることになる。

これら、R₁，R₂E_Sの決定経過を数式によつて
示せば次のようになる。

まず、低圧コイル１２を流れる直流成分I_BDC
は、I_BDC＝AI_H＋I_BDCO ……(1) （ただしＡは定数）で表される。

また、e_H，e_Bも第１図のＱ基準点として次のよ
うに表される。

−e_H＝I_H×R₂ ……(2) −e_B＝I_BDC×R₁ ……(3) (1)式を(3)式に代入すると、 −e_B＝Ａ×I_H×R₁＋I_BDCO×R₁ フライバツクトランスにレアシヨートのない正
常動作においては低圧コイル１２に流れる直流成
分電流I_BDCの電流容量と高圧コイル１４に流れる
電流I_Hの電流容量をつり合わせる条件としてe_B＝
E_S＋e_Hとおけるから、 I_H×R₂＋E_S＝Ａ×I_H×R₁ ＋I_BDCO×R₁ よつて、I_H×R₂＝Ａ×I_H×R₁ ∴R₂＝Ａ×R₁ E_S＝I_BDCO×R₁ つまり、R₁，R₂，E_Sが決定すべき回路定数と
なる。今、E_Sを先に決定すると、R₁，R₂は、R₁
＝E_S／I_BDCO，R₂＝Ａ×E_S／I_BDCOとして求められ
る。

本実施例では回路のバラツキ等を考慮し、E_Sの
値を余裕をもつて適当に大きくしておけば、正常
動作時において、サイリスタ３５は常にオフ状態
を維持し、ゲートが開かれることがない。

これに対し、フライバツクトランス８の高圧コ
イル１４にレアシヨート等の異常が発生すると、
前述したように、高圧コイル１４に流れる電流変
化はほとんど生じないのに対し、低圧コイル１２
に流れる電流の変化成分i_Bが急増し、特に、フラ
イバツクトランス８が発火に至るような異常の場
合には、そのi_Bの増加分は第２図のΔI_BDCの２倍近
くにもなる。この結果、e_B＞（e_H＋E_S）となり、
発火に至る充分前の時点でトランジスタ３４が動
作し、サイリスタ３１がオンとなつて、ゲートが
開かれる。このゲートの解放により保護ヒユーズ
２５は直ちに断となるから、フライバツクトラン
ス８の動作が停止され、前記フライバツクトラン
ス８のレアシヨート等に起因する火災等の発生は
未然に防止される。

上記実施例においては、レアシヨートを検出し
てその安全を図るための回路、すなわち、一次側
と二次側の各電流検出回路１９，２３、ゲート回
路２４、検出値比較回路２６等の回路がトランス
ユニツト４１内にコンパクトに形成され、同ユニ
ツト４１の外部から一切動作信号を導入しないで
所期の目的を達成できる。したがつて、トランス
ユニツト４１のターミナルの端子数を増加する必
要もなく、従来のトランスユニツト内に回路を追
加するだけで上記目的を達できるから、装置の製
造組立が容易となり、また、その取り扱いも極め
て便利となる。

なお、上記実施例では、高圧回路と水平偏向出
力回路とを分離しない回路構成を示したが、これ
を分離する場合は水平偏向コイル６とＳ字補正コ
ンデンサ７は不要となる。しかしこの場合におい
ても水平偏向コイル６だけをダミーインダクタン
スとして用いることもできる。

また、本発明は第１図に示す回路構成に限定さ
れることがなく、各種の回路変更が可能であり、
例えば、上記実施例ではバイアス電源３２を二次
側電流検出回路２３側に設け、低圧コイル１２に
流れる電流のうち、一定の直流成分I_BDCOとバラン
スをとつているが、これと異なり、正の直流電圧
を付加するバイアス電源を一次側電流検出回路１
９に設け、前記負の直流電流成分I_BDCOを打ち消す
ようにしてもよい。

さらに、第１図の回路では高圧コイル１４を分
割巻きにしていないが、これを複数に分割巻きす
ることによりマルチシングラータイプとしてもよ
い。この場合は、各分割巻きされたコイル間にダ
イオードをシリーズに接続することになる。

さらに、本実施例では、ノイズを除去するコン
デンサ３８，４０を設けているが、これを省略し
てもよい。

さらに、本実施例では、ゲート回路としてサイ
リスタ３５を用いているが、これを、トランジス
タ等、他の回路素子により構成してもよい。ま
た、上記実施例では検出値比較回路をトランジス
タ３４により構成した、これをサイリスタや差動
アンプ等で構成してもよい。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したように構成したものであ
から、フライバツクトランスのレアシヨート等に
よる異常を迅速かつ確実に検出して、その安全対
策を施すことができ、該フライバツクトランスの
異常に起因して生じる火災等の災害発生を未然に
防止できる。

また、その異常検出のために、温度ヒユーズを
フライバツクトランス内に配設することも不要と
なるから、フライバツクトランスの基本性能を害
することもなく、そのうえ、回路構成が簡易であ
るから、技術的にも経済的にも非常に優れた偏向
装置を提供することが可能となる。さらに、本発
明ではフライバツクトランスの高圧コイルにレア
シヨートが発生しても高圧コイルに流れる電流は
ほとんど変化しないことに着目し、二次側電流検
出回路によつて検出される電流容量を一次側電流
検出回路によつて検出される電流容量と比較する
めの基準容量（基準値）として機能させているの
で、一次側電流検出容量と比較するための専用の
基準電源を別途用意する必要がなく、これによ
り、回路構成の簡易化と装置の低コスト化および
小型化が可能となる。

さらに、本発明はフライバツクトランスの低圧
コイルを流れる電流を検出し、これを基準電流容
量と比較してフライバツクトランスのレアシヨー
トを検出しているので、フライバツクトランスの
低圧コイルにレアシヨートが発生した場合にも、
低圧コイルの電流急増変化を検出してこのレアシ
ヨートを確実に検出することができ、レアシヨー
トに対する安全の信頼性は格段に高いものとな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図は低圧コイルを流れる直流成分の電流I_BDCと高
圧コイルを流れる高圧電流I_Hとの関係を示す特性
図、第３図は偏向装置の一般的な基本回路図であ
る。１…水平偏向出力回路、２…高圧回路、３…水
平出力トランジスタ、４…ダンパーダイオード、
５…共振コンデンサ、６…水平偏向コイル、７…
Ｓ字補正コンデンサ、８…フライバツクトラン
ス、１０…高圧整流ダイオード、１１…コア、１
２…低圧コイル、１３…入力電源、１４…高圧コ
イル、１５…ブラウン管、１６…アノード、１７
…水平ドライプ回路、１８…異常検出・安全保護
回路、１９…一次側電流検出回路、２０…ドライ
ブトランジスタ、２１…ドライブトランス、２３
…二次側電流検出回路、２４…ゲート回路、２５
…保護ヒユーズ、２６…検出値比較回路、２７…
交流パスコンデンサ、２８…第１の検出抵抗器、
３０…第２の検出抵抗器、３１…交流パスコンデ
ンサ、３２…バイアス電源、３３…抵抗器、３４
…トランジスタ、３５…サイリスタ、３６…抵抗
器、３７…抵抗器、３８…コンデンサ、４０…コ
ンデンサ、４１…トランスユニツト。

Claims

【特許請求の範囲】１水平ドライブ回路からの出力信号を受け、フ
ライバツクパルスを発生させる水平偏向出力回路
と；この水平偏向出力回路からのフライバツクパ
ルスを昇圧しその出力電力をブラウン管のアノー
ド側に加えるフライバツクトランスと；を含む偏
向装置において、前記フライバツクトランスの低
圧コイルに直接的又は間接的に接続される保護ヒ
ユーズと；前記フライバツクトランスの低圧コイ
ルに流れる電流を検出する一次側電流検出回路
と；前記フライバツクトランスの高圧コイルに流
れる高圧電流を検出する二次側電流検出回路と；
前記一次側電流検出回路によつて検出された電流
容量が二次側電流検出回路によつて検出された電
流の基準容量よりも大きくなつたときに動作信号
を出力する検出値比較回路と、該検出値比較回路
からの動作信号を受けたときにゲートを開いて溶
断電流を流し前記保護ヒユーズを溶断して前記フ
ライバツクトランスの低圧コイルへの電圧印加を
阻止するゲート回路と；を有していることを特徴
とする偏向装置。２検出値比較回路はトランジスタによつて構成
され、一次側電流検出回路と二次側電流検出回路
は、それぞれ検出電流の交流成分を除去するコン
デンサと、このコンデンサによつて得られた直流
の検出電流値を電圧値に変換する抵抗器とを含
み、ゲート回路はサイリスタによつて構成されて
おり、前記トランジスタのベース側は一次側電流
検出回路に接続されて同回路から一次側の検出電
流に対応する電圧が印加され、同トランジスタの
エミツタ側は二次側電流検出回路に接続されて同
回路から二次側の検出電流に対応する電圧が印加
されており、また、同トランジスタのコレクタ側
は前記サイリスタのゲート側に抵抗器を介して接
続され、同サイリスタのカソード側は基準電位側
に、同サイリスタのアノード側は保護ヒユーズの
一端側にそれぞれ接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の偏向装置。３一次側電流検出回路と二次側電流検出回路の
一方側にはバイアス電流を加えるためのバイアス
電源が装備されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の偏向装置。