JPH0585103B2

JPH0585103B2 -

Info

Publication number: JPH0585103B2
Application number: JP62144949A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ikeuchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-06-10
Filing date: 1987-06-10
Publication date: 1993-12-06
Also published as: JPS63309068A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、テレビジヨン受像機の偏向装置に関
し、特に、フライバツクトランスに生じるレアシ
ヨートの検出手段を備えてなる偏向装置に関する
ものである。

〔従来の技術〕

周知のように、テレビジヨン受像機の偏向装置
にはCRTブラウン管に高電圧を加えるためのフ
ライバツクトランスが備えられている。ところ
で、このフライバツクトランスの高圧出力コイル
にレアシヨート等の異常が発生すると、受像機の
焼損や火災等の危険がある。そこで、このような
危険を回避するため、近年の偏向装置には、かか
るフライバツクトランスの異常を検出して偏向装
置の電源を切る等、何らかの安全保護手段が備え
られている。

この種の安全保護手段として、特開昭61−
24210号公報に開示されているレアシヨート検出
装置が知られている。この装置は、第５図および
第６図に示すように、フライバツクトランス１の
高圧側コイル（二次コイル）２と低圧側コイル
（一次コイル）３とを同軸上に巻装するとともに、
該低圧側コイル３の両端に分巻した一対の検出コ
イル４，５を配置している。そして、この各検出
コイル４，５の検出信号を論理和出力（制御電
圧）V_CNTとして水平発振回路６に加え、別途こ
の水平発振回路６に加えられている一定の基準電
圧V_REFよりも論理和出力が大きくなつたときに、
装置は自動的に高圧側コイル２のレアシヨート状
態と判断し、水平発振回路６の発振動作を停止し
ようとするものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

一般に、フライバツクトランスにあつては、高
圧側コイル２と低圧側コイル３との間隔は磁気的
結合度を上げるうえで、できるだけ近接した方が
望ましい。その反面、両コイル２，３間の絶縁を
図る観点から、該コイル２，３間に必要最小限の
絶縁距離を確保することが必要となる。

しかしながら、従来の偏向装置においては、高
圧側コイル２と低圧側コイル３との間に検出コイ
ル４，５が介設されるものであるため、前記両コ
イル２，３の間隔が広くなりすぎて磁気的結合が
悪化する上に前記両コイル間に必要最小限の微小
な絶縁距離を確保することができないという問題
があつた。

本発明は上記従来の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的はフライバツクトラ
ンスの磁気的結合の悪化を防止するとともに、高
圧側コイルと低圧側コイルとの間に必要最小限の
絶縁距離を確保し、しかも高圧側コイルはもちろ
んのこと低圧側コイルのレアシヨートをも確実に
検出することができる偏向装置を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、次のよう
に構成されている。すなわち、本発明は、ブラウ
ン管の水平走査駆動を行う水平ドライブ回路と；
この水平ドライブ回路の出力を昇圧しその出力電
圧をブラウン管のアノードに加えるフライバツク
トランスと；を含む偏向装置において、前記フラ
イバツクトランスの低圧側コイルに直接的又は間
接的に接続されるヒユーズと；このヒユーズに溶
断電流を供給するヒユーズ溶断電源と；前記フラ
イバツクトランスの低圧側コイルに流れる交流電
流成分を検出しその電流値の大きさに対応する直
流電圧を出力するレアシヨート検出回路と；この
レアシヨート検出回路の出力電圧が基準値を越え
たときにゲートを開いて前記ヒユーズ溶断電源か
ら直接溶断電流を流し前記ヒユーズを溶断して前
記フライバツクトランスの低圧側コイルへの電圧
印加を阻止するゲート回路と；を有していること
を特徴として構成されている。

〔作用〕

上記のように構成されている本発明において、
フライバツクトランスの低圧側コイルや高圧側コ
イルにレアシヨートが発生すると低圧側コイルに
流れる交流電流が増加する。したがつて、この電
流増加に対応してレアシヨート検出回路から出力
される直流電圧も増加し、この直流電圧値は予め
ゲート回路に与えられている電圧の基準値を越え
る結果、ゲート回路のゲートが開かれる。そし
て、低圧側コイルに直接的又は間接的に接続され
ているヒユーズにヒユーズ溶断電源から溶断電流
が流れ、該ヒユーズが溶断される。このヒユーズ
の溶断によつて低圧側コイルへの駆動電圧の入力
が断たれることとなり、これによりレアシヨート
による危険防止が達成されるのである。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。

説明の順序として、まず、具体例を述べる前に
本発明の背景を述べると、本発明は、フライバツ
クトランスの低圧側コイルや高圧側コイルにレア
シヨートが発生したとき、フライバツクトランス
の低圧側コイルを流れる交流電流成分が次のよう
に増加することに着目してレアシヨートの検出を
行い、その危険防止を図るものである。

すなわち、製造時のミス等によりフライバツク
トランスの例えば高圧側コイルに例えば１ターン
当たりのレアシヨートが発生した場合、偏向回路
の等価回路は第４図のように表すことができる。
ただし、高圧側コイル２５のリーケージインダク
タンス、分布容量および各素子内の抵抗分は無視
する。

図中、C_Oはレアシヨートの発生により影響を
与える共振容量を低圧側コイル側（一次コイル
側）に換算した全共振容量であり、またL₁はフ
ライバツクトランスの低圧側コイル２３の正常時
のインダクタンスである。

このとき、 L₁＝Ａ×（N₁）² ……(1) ただし、Ａは定数、N₁は低圧側コイル２３の
巻数である。

したがつて、フライバツクトランスの１ターン
当たりのインダクタンスL_X′は L_X′＝Ａ×N² ……(2) となり、ただし、Ｎはレアシヨートのターン数 (1)、(2)両式により、 L_X′＝L₁×N²／（N₁）² ……(3) このL_X′が低圧側コイル２３の１ターン巻線の
端に負荷されたことに相当し、従つてこれを低圧
側コイル２３のN₁ターンに換算したものがL_Xで
ある。

∵L_X＝（N₁）²×L_X′＝L₁×N² ……(4) また、低圧側コイル２３を流れる交流電流成分
i_Bは、 i_B＝ｔ×E_B／L₁′ ……(5) （ただしｔは時間、E_Bは入力電源２４の電圧、
L₁′はレアシヨート発生時の一次側インダクタン
スである。）そして、 L₁′＝（L₁×L_X）／（L₁＋L_X） ……(6) となる。

さらに、T_Hを偏向周期、T_Rを帰線期間、T_Sを
走査期間とすれば、 T_R＝〓（L_O×C_O）^1/2 ……(7) ただし、L_Oはフライバツクトランスの低圧側
コイルと偏向コイルを並列に接続した場合の低圧
側の総合インダクタンス T_H＝T_R＋T_S ……(8) そして、前記交流電流成分i_Bのピーク間の電流
値I_BM（第３図参照）は、 I_BM＝T_S×E_B／L₁′ ＝（T_H−T_R）×E_B ×（L₁＋L_X）／（L₁×L_X） ……(9) ここで、T_Rはレアシヨートのターン数により
小さくなるが、もともとT_RはT_Hに対し約15％程
度なので、T_H−T_R＝T_S′＝一定と仮定すると、
(9)式は I_BM＝T_S′×E_B（L₁＋L_X）／（L₁×L_X）＝（T_S′×E_B）／L₁×（１＋L₁／L_X） ……(10) となる。

(10)式に(4)式の関係を入れると、 I_BM＝（T_S′×E_B）／L₁×２となり、I_BMは定常時
の約２倍の大きさになる。しかし、実際にはレア
シヨートコイル部の抵抗分があるため、２倍には
ならないが、レアシヨートの発生によりI_BMが増
加することは上式で証明した通りであり、この
I_BMの増加は低圧側コイルがレアシヨートしたと
きにも生じ、この低圧側コイルがレアシヨートし
たときも受像機の焼損や火災に結びつくため、こ
のI_BMの増加に着目してレアシヨートの検出とそ
の安全対策を施そうとするものである。

第１図には本発明の一実施例を示す偏向装置の
回路構成（図示せず）と、水平ドライブ回路７
と、水平偏向出力回路８と、高圧回路１０と、レ
アシヨート検出・安全回路１１とからなる。この
うち、レアシヨート検出・安全回路１１以外の回
路は公知であるので、それらの公知回路の説明は
簡単化する。

前記水平ドライブ回路７は、ドライブトランジ
スタ１２とドライブトランス１３とを有してお
り、水平発振回路から送り込まれてくる水平パル
スを増幅し、かつ波型整形を行つた電圧パルスを
水平偏向出力回路８に加えるものである。

水平偏向出力回路８は、水平出力トランジスタ
１４と、ダンパーダイオード１５と、共振コンデ
ンサ１６と水平偏向コイル１７と、Ｓ字補正コン
デンサ１８とからなる。水平出力トランジスタ１
４は水平ドライブ回路７から送られてくる電圧パ
ルスを受けてスイツチング作用を行い、ダンパー
ダイオード１５との協同によつて水平偏向コイル
１７に鋸歯状波電流を加える。その一方におい
て、共振コンデンサ１６と水平偏向コイル１７は
その共振作用によつてフライバツクパルスを発生
させ、これを高圧回路１０に加える。

高圧回路１０はフライバツクトランス２０と、
高圧整流ダイオード２１と、コンデンサ２２と、
入力電源２４とからなる。前記フライバツクトラ
ンス２０の低圧側コイル（一次コイル）２３の高
圧側端子は水平偏向コイル１７および共振コンデ
ンサ１６の共通端子に接続されており、また、低
圧側コイル２３の低圧側端子は入力電源２４に接
続されている。一方、フライバツクトランス２０
の高圧側コイル（二次コイル）２５の高圧側端子
は前記高圧整流ダイオード２１を介してCRTブ
ラウン管２６のアノード２７に接続されている。
かかる構成において、高圧回路１０は前記水平偏
向出力回路８から加えられるフライバツクパルス
をフライバツクトランス２０によつて昇圧し、さ
らに高圧整流ダイオード２１によつて信号整流を
行い、その整流出力をアノード２７に加えるので
ある。

レアシヨート検出・安全回路１１は前記フライ
バツクトランス２０の高圧側コイル２５に発生す
るレアシヨートを確実に検出するもので、本実施
例の特徴的な回路である。このレアシヨート検
出・安全回路１１は、レアシヨート検出回路２８
と、ゲート回路３０と、ヒユーズ回路３１とから
なる。

前記レアシヨート検出回路２８は抵抗器３８
と、検出トランス３２と、整流回路とてのダイオ
ード３３と、平滑回路としてのコンデンサ３４
と、分圧用の分配抵抗器３５，３６とからなり、
前記検出トランス３２の一次側コイル３７の一端
側は入力電源２４に接続され、また同コイル３７
の他端側は基準電位（本実施例ではアース電位）
に接続されている。そして、この一次側コイル３
７には抵抗器３８が並列に接続されている。一
方、検出トランス３２の二次側コイル４０の一端
側は基準電位（本実施例ではアース電位）に接続
されており、また同コイル４０の他端側はダイオ
ード３３のアノードに接続されている。このダイ
オード３３のカソードはコンデンサ３４と分配抵
抗器３５の一端側に接続され、さらに分配抵抗器
３５の他端側は分配抵抗器３６の一端側とゲート
回路としてのサイリスタ４３のゲート側にそれぞ
れ接続されている。そして、サイリスタ４３のカ
ソード側と前記コンデンサ３４および抵抗器３６
のそれぞれ他端側は基準電位側（本実施例ではア
ース電位）に接続されている。前記分配抵抗器３
５，３６はコンデンサ３４に生ずる直流電圧を分
圧してサイリスタ４３のゲートに加えるものであ
る。

一方、サイリスタ４３のアノードはヒユーズ回
路３１に接続されている。このヒユーズ回路３１
はヒユーズ溶断電源として機能する直流電源４４
と、ヒユーズ４５と、抵抗器４６とからなり、サ
イリスタ４３のアノードはヒユーズ４５を介して
直流電源４４に接続されるとともに、さらに該ア
ノードは抵抗器４６を介して既述したドライブト
ランス１３の一次側コイル端子Ａに接続されてい
る。

上記のように構成されている本実施例におい
て、回路稼動中にあつては、フライバツクトラン
ス２０の低圧側コイル２３には第３図に示すよう
に、直流成分の電流I_BDCと、偏向周期T_Hを一周期
とする交流成分の電流i_Bが流れている。この電流
i_Bはフライバツクトランス２０の低圧側コイル２
３や高圧側コイル２５にレアシヨートが発生する
と増加するが、レアシヨートが生じていない正常
時には増減のない一定の交流電流となる。これ
ら、直流成分と交流成分の電流が流れることによ
り、一次側コイル３７の両端にはe₁＝（I_BDC＋i_B）
R₁の電圧が発生する。ただし、R₁は抵抗器３８
の抵抗値である。つまり、e₁は直流成分の電圧
R₁×I_BDCと交流成分の電圧R₁×i_Bとを合成したも
のであるが、そのうち、交流成分の電圧のみが検
出トランス３２によつて分離され、昇圧状態で二
次側コイル４０に電圧e₂として取り出される。つ
まり、e₂＝R₁×i_B×ｎの電圧として表される。た
だし、ｎは二次側コイル４０と一次側コイル３７
との巻数比である。

そして、この電圧e₂はダイオード３３によつて
半波整流され、さらにコンデンサ３４によつて平
滑される。この結果コンデンサ３４の両端にはe₂
に比例した交流電圧、換言すれば、一次側コイル
３７を流れる交流電流i_Bのピーク間の電流値I_BMに
比例した直流電圧e₃が発生する。この直流電圧e₃
は分配抵抗器３５，３６によつて分圧され、抵抗
器３５の抵抗値をR₂、抵抗器３６の抵抗値をR₃
とすれば、e₄＝e₂×R₃／（R₂＋R₃）の電圧がサ
イリスタ４３のゲートに加えられることになる。

サイリスタ４３は予め与えられている電圧の基
準値よりもゲート側の電圧が大きくなつたときに
ゲートを開く。したがつて、フライバツクトラン
ス２０にレアシヨートが発生すると既述の如く
I_BMが増加し、それに対応してゲートに加えられ
る直流電圧e₄も大きくなり、このe₄はサイリスタ
４３の電圧基準値を越える。この結果、サイリス
タ４３のゲートが開かれ、直流電源４４からヒユ
ーズ４５に直接大容量の溶断電流が流れるため、
ヒユーズ４５が溶断され、直流電源４４から抵抗
器４６をを通つてドライブトランス１３の一次コ
イル端Ａに加えられる電圧が断たれる。つまり、
フライバツクトランス２０の低圧側コイル２３に
印加される駆動電圧が断たれる結果、前記レアシ
ヨートに起因する火災等の危険を防止することが
できるのである。

なお、抵抗値R₂，R₃を種々変えることにより
電圧でe₃の分配率が変化できるので、レアシヨー
トの判断時点、つまり１ターン当たりのレアシヨ
ートで異常状態と判断するかあるいは２ターン当
たりのレアシヨートで異常状態と判断するかの如
く、その判断時点を任意に設定できる。

上述のように、本実施例によれば、フライバツ
クトランス２０の低圧側コイル２３と高圧側コイ
ル２５との間に従来例のような検出コイル５を介
設することがないから、フライバツクトランスの
磁気結合が悪化することがなく、また、両コイル
２３，２５間に必要最小限の適切な絶縁距離を確
保でき、そのうえ、レアシヨートによる危険防止
を確実に図ることができるのである。

なお、上記実施例では、高圧出力と水平偏向出
力とを分離しない回路構成を示したが、これを分
離する場合は水平偏向コイル１７とＳ字補正コン
デンサ１８は不要となる。しかしこの場合におい
ても水平偏向コイル１７だけをダミーインダクタ
ンスに変更することもできる。

また、本発明は第１図に示す回路構成に限定さ
れることがなく、各種の回路変更が可能であり、
例えば、上記実施例では検出トランス３２の一次
側コイル３７に抵抗器３８を設けているがこれを
省略してもよい。この場合は、一次側コイル３７
にe₁′＝Ｌ×di_B／dtの電圧が発生し（Ｌはコイル
３７のインダクタンス）、i_Bの交流変化成分を検
出できる。

また、本実施例では、二次側コイル４０に取り
出された交流電圧e₂をダイオード３３により半波
整流しているが、これを全波整流としてもよい。
さらに、第１図に示す回路にあつては、ヒユーズ
４５を水平ドライブ回路７と水平偏向出力回路８
を介して間接的に低圧側コイル２３に接続してい
るが、もちろんヒユーズ４５を低圧側コイル２３
に直接的に接続してもよい。さらに第１図の回路
では、低圧側コイル２３の交流成分を検出トラン
ス３２を用いて取り出しているが、このように、
検出トランス３２を用いることにより、回路全体
を該検出トランス３２とフライバツクトランス２
０によつていわゆるトランス２０，３２の一次側
であるコールド側とトランス二次側のホツト側に
AC絶縁ができるという利益が得られる。

もちろん、低圧側コイル２３の交流成分を検出
トランス３２を用いずに取り出すとも可能であ
り、この場合は、例えば第２図に示すように抵抗
器４１，４２とコンデンサ５０を用いて回路を形
成すればよい。さらに、本実施例では、ゲート回
路としてサイリスタ４３を用いているが、これ
を、トランジスタ等、他の回路素子により構成し
てもよいことはもとよりのことである。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したようにフライバツクトラ
ンスの低圧側コイルと高圧側コイル間にコイル等
の回路素子を介設することなく構成できるもので
あるから、両コイル間の電磁結合が悪化すること
がなく、また、両コイル間に必要最小限の適切な
絶縁距離を確保できる。また、本発明はフライバ
ツクトランスの低圧側コイルに流れる電流を検出
してレアシヨートを検出するものであるから、フ
ライバツクトランスの高圧側コイルにレアシヨー
トが発生した場合はもちろんのこと、低圧側コイ
ルにレアシヨートが発生した場合も確実にその検
出ができ、レアシヨート発生に対する安全は万全
なものとなる。

さらに、レアシヨートの発生がレアシヨート検
出回路で検出されたときにはゲート回路のゲート
が開けられてヒユーズ溶断電源から直接溶断電流
が流れるので、ヒユーズの溶断が瞬時のうちに行
われることとなり、安全動作の信頼性は格段に高
いものとなる。

さらに、レアシヨートの検出はフライバツクト
ランスの低圧側コイルの電流を検出して行う構成
としたので、フライバツクトランスからレアシヨ
ート検出用の配線を別途引き出す必要がなく、こ
れにより、配線の複雑化を避け、配線作業の容易
化と装置コストの低減化を図ることができる。ま
た、フライバツクトランスの低圧側コイルの電流
を検出してレアシヨートを検出する構成としたの
で、高圧側コイルの出力側回路仕様に左右されず
にレアシヨート検出が可能となり、その実用的価
値も頗る大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図、
第２図は本発明の他の実施例の要部回路図、第３
図はフライバツクトランスの低圧側コイルを流れ
る交流成分の電圧と電流の偏向周期における波形
図、第４図はレアシヨート発生時における偏向回
路の等価回路、第６図は従来例のレアシヨート検
出手段を示す高圧発生回路の回路図、第６図は第
５図のフライバツクトランスの巻線部分における
詳細構造を示す断面図である。１…フライバツクトランス、２…高圧側コイ
ル、３…低圧側コイル、４，５…検出コイル、６
…水平発振回路、７…水平ドライブ回路、８…水
平偏向回路、１０…高圧回路、１１…レアシヨー
ト検出・安全回路、１２…ドライブトランジス
タ、１３…ドライブトランス、１４…水平出力ト
ランジスタ、１５…ダンパーダイオード、１６…
共振コンデンサ、１７…水平偏向コイル、１８…
Ｓ字補正コンデンサ、２０…フライバツクトラン
ス、２１…高圧整流ダイオード、２２…コンデン
サ、２３…低圧側コイル、２４…入力電源、２５
…高圧側コイル、２６…CRTブラウン管、２７
…アノード、２８…レアシヨート検出回路、３０
…ゲート回路、３１…ヒユーズ回路、３２…検出
トランス、３３…ダイオード、３４…コンデン
サ、３５，３６…分配抵抗器、３８，４１，４
２，４６…抵抗器、３７…一次側コイル、４０…
二次側コイル、４３…サイリスタ、４４…直流電
源、４５…ヒユーズ、、５０…コンデンサ。

Claims

【特許請求の範囲】１ブラウン管の水平走査駆動を行う水平ドライ
ブ回路と；この水平ドライブ回路の出力を昇圧し
その出力電力をブラウン管のアノードに加えるフ
ライバツクトランスと；を含む偏向装置におい
て、前記フライバツクトランスの低圧側コイルに
直接的又は間接的に接続されるヒユーズと；この
ヒユーズに溶断電流を供給するヒユーズ溶断電源
と；前記フライバツクトランスの低圧側コイルに
流れる交流電流成分を検出し、その電流値の大き
さに対応する直流電圧を出力するレアシヨート検
出回路と；このレアシヨート検出回路の出力電圧
が基準値を越えたときにゲートを開いて前記ヒユ
ーズ溶断電源から直接溶断電流を流し前記ヒユー
ズを溶断して前記フライバツクトランスの低圧側
コイルへの電圧印加を阻止するゲート回路と；を
有していることを特徴とする偏向装置。２レアシヨート検出回路は、フライバツクトラ
ンスの低圧側コイルの一端側に一次コイルが接続
される検出トランスと、この検出トランスの二次
コイルの一端に接続される整流回路と、この整流
回路の出力電圧を平滑する平滑回路と、この平滑
回路の直流出力電圧を分圧する分配抵抗器とを有
していることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の偏向装置。３ゲート回路はサイリスタからなり、このサイ
リスタのカソードは基準電位側に、アノードはヒ
ユーズ側に、そしてゲートはレアシヨート検出回
路の出力側にそれぞれ接続されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の偏
向装置。４整流回路はダイオードによつて構成され、ま
た、平滑回路はコンデンサによつて構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
偏向装置。５検出トランスの一次コイルには抵抗器が並列
接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の偏向装置。