JPH0586112B2

JPH0586112B2 -

Info

Publication number: JPH0586112B2
Application number: JP62285056A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ikeuchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-11-11
Filing date: 1987-11-11
Publication date: 1993-12-09
Also published as: JPH01126079A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、テレビジヨン受像機等の偏向装置に
関し、特にフライバツクトランスの高圧コイル
（二次コイル）のレアシヨートに起因して発生す
る火災等の防止手段を備えてなる偏向装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図にはテレビジヨン受像機や一般のCRT
デイスプレイ装置に用いられている偏向装置の一
般的な基本回路が示されている。

この基本回路は水平偏向出力回路１と、高圧回
路２とを有している。前記水平偏向出力回路１は
水平出力トランジスタ３と、ダンパーダイオード
４と、共振コンデンサ５と水平偏向コイル６と、
Ｓ字補正コンデンサ７とからなる。水平出力トラ
ンジスタ３は図示されていない水平ドライブ回路
から送られてくる電圧パルスを受けてスイツチン
グ作用を行い、ダンパーダイオード４との協同に
よつて水平偏向コイル６に鋸歯状波電流を加え
る。その一方において、共振コンデンサ５と水平
偏向コイル６はその共振作用によつてフライバツ
クパルスを発生させ、これを高圧回路２に加え
る。

高圧回路２はフライバツクトランス８と、高圧
整流ダイオード１０とからなる。前記フライバツ
クトランス８の低圧コイル（一次コイル）１２の
一方側端子はダンパーダイオード４のカソード、
水平偏向コイル６および共振コンデンサ５の共通
端子に接続されており、また、低圧コイル１２の
他端側端子は入力電源１３に接続されている。一
方、フライバツクトランス８の高圧コイル（二次
コイル）１４の高圧側端子は前記高圧整流ダイオ
ード１０を介してブラウン管１５のアノード１６
に接続されている。かかる構成において、高圧回
路２は前記水平偏向出力回路１から加えられるフ
ライバツクパルスをフライバツクトランス８によ
つて昇圧し、さらに高圧整流ダイオード１０によ
つて信号整流を行い、その整流出力E_Hをアノー
ド１６に加えるのである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の基本回路を有する偏向装置を動作させた
場合、設計や製造時のミスが生じるとフライバツ
クトランス８の高圧回路１４にレアシヨート等の
異常が発生し、火災等の災害を引き起こす場合が
ある。前記設計のミスとしては、フライバツクト
ランス８のコア１１や高圧コイル１４の異常発
熱、あるいは、コイル１２，１４間やコイル積層
間の耐圧不良等が考えられる。また、製造時のミ
スとしては、コイル１２，１４の巻線作業時のミ
スによるレアシヨートの発生、あるいはコイル１
２，１４の絶縁処理ミスによる内部放電等が考え
られる。

偏向装置の設計および製造に関しては上記ミス
が生じないように管理されているのであるが、十
分な注意を払つてもそのミスを皆無にすることは
困難である。そのため、例えば、フライバツクト
ランス８内に、低圧コイル１２あるいは入力電源
１３に直列に接続された温度ヒユーズを配設し、
前記ミスに起因してフライバツクトランスが異常
発熱したとき、その異常な高温発熱を利用してヒ
ユーズを溶断し、フライバツクトランス８への電
圧印加を阻止して前記災害発生を未然に防止する
ことが考えられる。

しかしながら、上記の温度ヒユーズを配設する
場合、温度ヒユーズと高圧コイル１４との間には
極端に大きい電位差があるため、温度ヒユーズを
同コイル１４に近接配置すると両者間に放電が生
じるという問題があり、このような放電を回避す
るための絶縁処理は極めて難しい。また、前記放
電を防止するために、温度ヒユーズを高圧コイル
１４から離すことも考えられるが、そうすると、
高圧コイル１４のレアシヨートによる異常発熱の
温度が温度ヒユーズに伝わりずらくなり、安全動
作（ヒユーズ溶断動作）が遅れ、火災等の発生を
防止できないという不都合がある。さらに、フラ
イバツクトランス８の駆動周波数は一般に、
15.75KHz〜130KHzと高いため、低圧コイル１２
と高圧側コイル１４との電磁結合度を高めておく
必要があるが、前記のように、温度ヒユーズのよ
うな形状の大きいものをフライバツクトランス内
（例えば両コイル１２，１４間）に配設すると、
その電磁結合度が低くなり、フライバツクトラン
ス８の基本性能が害されるという問題もある。

本発明は上記従来の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、フライバツクト
ランスのレアシヨート等による異常を迅速かつ確
実に検出して災害発生を未然に防止し得る手段を
講じ、しかも、その手段を講じることによつては
フライバツクトランスの基本性能に悪影響をほと
んどおよぼすことがない偏向装置を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、次のよう
に構成されている。すなわち、本発明は、水平ド
ライブ回路からの出力信号を受け、フライバツク
パルスを発生させる水平偏向出力回路と；この水
平偏向出力回路からのフライバツクパルスを昇圧
しその出力電力をブラウン管のアノード側に加え
るフライバツクトランスと；を含む偏向装置にお
いて、前記フライバツクトランスの低圧コイルの
低圧側に接続される保護ヒユーズと；前記フライ
バツクトランスの低圧コイルに流れる電流を検出
する一次側電流検出回路と；前記フライバツクト
ランスの高圧コイルに流れる高圧電流を検出する
二次側電流検出回路と；前記一次側電流検出回路
によつて検出された電流容量が二次側電流検出回
路によつて検出された電流の基準容量よりも大き
くなつたときにゲートを開くゲート回路と；前記
低圧コイルと保護ヒユーズとゲート回路との直列
接続部を含む閉回路として構成されゲート回路の
ゲートが開のときにヒユーズ溶断電流が流れる保
護回路と；を有していることを特徴として構成さ
れている。

〔作用〕

上記のように構成されている本発明において、
フライバツクトランスに異常が生じていない正常
時においては、一次側電流検出回路によつて検出
された電流容量は二次側電流検出回路によつて検
出された電流の基準容量以下になつており、した
がつて、ゲート回路のゲートは閉じられ、保護回
路の保護ヒユーズに溶断電流が流れることはな
い。

これに対し、フライバツクトランスの高圧コイ
ルにレアシヨート等の異常が生じると、低圧コイ
ルに流れる電流が急激に増加する。この結果、一
次側電流検出回路によつて検出される電流容量が
二次側電流検出回路によつて検出される電流（こ
の電流は高圧コイルにレアシヨートを発生しても
ほとんど電流増加を生じない）の基準容量よりも
大きくなり、ゲート回路のゲートが開かれる。こ
のゲートの解放により、保護回路に大容量の溶断
電流（パルス電流）が流れ、保護ヒユーズの溶断
が行われる。このヒユーズの溶断によつて、低圧
コイルへの電圧印加が阻止される。フライバツク
トランスの動作が停止し、フライバツクトランス
の異常発熱に起因する火災等の発生は未然に防止
されることになる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において従来例と同
一の回路部分には同一の符号を付し、その重複説
明は省略する。

第１図には本発明の一実施例を示す偏向装置の
回路構成が示されている。図において、偏向装置
は水平発振回路（図示せず）と、水平ドライプ回
路１７と、水平偏向出力回路１と、高圧回路２
と、異常検出・安全回路１８とからなる。このう
ち、異常検出・安全回路１８以外の回路は公知で
あるので、それらの公知回路の説明は簡単化す
る。

前記水平ドライプ回路１７は、ドライブトラン
ジスタ２０とドライブトランス２１とを有してお
り、水平発振回路から送り込まれてくる水平パル
スを増幅し、かつ波型整形を行つた電圧パルスを
水平偏向出力回路１に加えるものである。

水平偏向出力回路１は、第３図の場合と同様に
構成され、水平偏向コイル６に鋸歯状電流を加え
るとともに、フライバツクパルスを発生させ、こ
れを高圧回路２に加える。

高圧回路２はフライバツクトランス８と、高圧
整流ダイオード１０とからなり、第３図の場合と
同様に前記水平偏向出力回路１から加えられるフ
ライバツクパルスをフライバツクトランス８によ
つて昇圧し、さらに高圧整流ダイオード１０によ
つて信号整流を行い、その整流出力をアノード１
６に加える。

異常検出・安全回路１８は前記フライバツクト
ランス８の高圧コイル１４に発生するレアシヨー
ト等の異常を確実に検出するもので、本実施例の
特徴的な回路である。この異常検出・安全回路１
８は、一次側電流検出回路２２と、二次側電流検
出回路２３と、ゲート回路２４と、保護回路２５
とからなる。

前記一次側電流検出回路２２は、低圧コイル１
２を流れる電流I_Bのうち交流成分を除去する交流
パスコンデンサ２９と、交流成分が除去された前
記電流I_Bの直流成分を検出する第１の検出抵抗器
２６との並列回路からなり、この並列回路２２の
一端側は、入力電源１３の正側に接続されおり、
同並列回路２２の他端部は保護回路２５側に接続
される。なお、入力電源１３の負側はアース側に
接続されている。

前記二次側電流検出回路２３は、高圧コイル１
４を流れる高圧電流I_Hを検出する第２の検出抵抗
器２７と、バイアス電源２８と、高圧電流I_Hの交
流成分を除去する交流パスコンデンサ３０と、抵
抗器３１，３２とからなり、第２の検出抵抗器２
７の一端側は、それぞれの抵抗器３１，３２の一
端側に接続されており、同検出抵抗器２７の他端
側はバイアス電源２８の負側に接続されている。
また、同電源２８の正側は前記一次側電流検出回
路２２の一端側、つまり、入力電源１３の正側に
接続されている。そして、前記抵抗器３１の他端
は二股に分岐され、その一方側には前記交流パス
コンデンサ３０の一端が接続されそのコンデンサ
３０の他端は基準電位（図ではアース側）に接続
されている。そして、前記抵抗器３１の他方の分
岐側は高圧コイル１４の低圧側（巻き始め側）に
接続されている。なお、この抵抗器３１と高圧コ
イル１４との接続部はABL（Automatic
Briteness Limitter）側に通じている。

一方、ゲート回路２４は本実施例ではサイリス
タ３３とノイズ除去用のコンデンサ３４とによつ
て構成されており、このサイリスタ３３のカソー
ド側は前記一次側電流検出回路２２の出力端、つ
まり、交流パスコンデンサ２９の一端と第１の検
出抵抗器２６の一端との共通端子側に接続されて
いる。また、サイリスタ３３のゲート側は二次側
電流検出回路２３の出力端、つまり、抵抗器３２
の他端側に接続されている。また、コンデンサ３
４はサイリスタ３３のカソードとゲート間に接続
されている。

前記保護回路２５は前記低圧コイル１２と、保
護ヒユーズ３５と、ダイオード３６と、平滑コン
デンサ３７と、前記サイリスタ３３とからなる。
前記サイリスタ３３のカソードと平滑コンデンサ
３７の一端側と保護ヒユーズ３５の一端側は前記
一次側電流検出回路２２の一端側に共通接続され
ており、保護ヒユーズ３５の他端側は低圧コイル
１２の一端側（低圧側）に接続されている。この
低圧コイルの適宜の位置には中間タツプが設けら
れ、この中間タツプにダイオード３６のアノード
側が接続され、また、同ダイオード３６のカソー
ド側はサイリスタ３３のアノード側とコンデンサ
３７の他端側との共通接続部に接続されること
で、閉回路の保護回路２５が形成されている。

なお、第１図中３８はトランスユニツトを示
し、P₁〜P₅は同トランスユニツト３８のターミ
ナル（端子）を示している。

上記のように構成されている本実施例におい
て、回路駆動作中にブラウン管１５の輝度を上げ
て行くと、該ブラウン管１５のアノード１６に加
えられる高圧出力電流I_Hが増加する。一方、この
高圧出力電流I_Hが増加すれば入力電源１３から低
圧コイル１２に流れる電流I_Bも増加する。この電
流I_Bは交流成分と直流成分を含んでおり、その直
流成分の電流I_BDCと高圧出力電流I_Hとの関係が第
２図に示されている。この図によれば電流I_BDC
は、一定直流成分I_BDCOに、高圧出力電流I_Hの増加
に比例して増加する変化直流成分i_Bが加わつた格
好となつており、I_Hが０から動作範囲の最大値
I_HMまで変化したとき、I_BDCはΔI_BDCだけ変化する。
このI_BDCの実際の電流には大きな鋸歯状波成分が
含まれるが、第２図ではその平均電流値でもつて
I_BDCを表している。

前述のように、ブラウン管１５の輝度変化に際
し、低圧コイル１２には電流I_Bが、高圧コイル１
４には高圧電流I_Hがそれぞれ流れる。そして、低
圧コイル１２を流れる電流I_Bの直流分の電流I_BDC
は一次側電流検出回路２２によつて次のように検
出される。すなわち、I_Bの交流成分の電流は交流
パスコンデンサ２９によつて除去される結果、同
コンデンサ２９の両端部には完全に平滑され、
I_BDCに比例する直流電圧が現れる。（その極性は
図で＋側が正となる）。つまり、直流成分の電流
I_BDCと第１の検出抵抗器２８の抵抗値R₁との積、
つまりe_B＝R₁×I_BDCの電圧が現れ、直流成分の電
流容量I_BDCが間接的に電圧値e_Bに変換されて検出
される。そしてこの検出値e_Bがサイリスタ３３の
カソードに加えられている。

一方、高圧コイル１４を流れる高圧電流I_Hは二
次側電流検出回路２３によつて次のように検出さ
れる。すなわち、高圧電流I_Hが二次側電流検出回
路２３を流れるとき、その交流成分は交流パスコ
ンデンサ３０によつて除去され、該第２の検出抵
抗器２７の抵抗値をR₂とすれば、同抵抗器２７
にe_R2＝I_H×R₂のリツプルのない直流の電圧が現
れる。このことは、高圧電流I_Hが間接的に電圧
e_R2に変換されて検出されることを意味し、この
検出値e_R2は抵抗器３２を通してサイリスタ３３
のゲートに加えられている。

本実施例では、両検出回路２２，２３の検出電
流容量のバランスをとるため、二次側電流検出回
路２３にバイアス電源２８が接続されている。

つまり、第１図の回路のＱ点を基準点としたと
き、低圧コイル１２に流れる負の直流成分（Ｑ点
を基準点として見ると、低圧コイル１２に流れる
電流は負の電流となる）I_BDCは既述の如く、一定
成分I_BDCOと変化成分i_Bとの和であり、この一定成
分I_BDCOと釣り合わせるために、バイアス電源２８
から該I_BDCOに対応する負の電圧を第２の検出抵抗
器２７に加えているのである。この結果、e_Bとe_H
との平衡関係は低圧コイル１２を流れる直流変化
成分i_Bと高圧コイル１４を流れる高圧電流I_Hとの
関係に置き換えられることになる。

サイリスタ３３は第１図の回路のＱ点を基準と
して前記検出電圧値e_R2とバイアス電源２８の電
圧値E_Sとの負の電圧の和e_Hよりもカソード側の負
の電圧e_Bが負側に大きくなつたとき、つまり、ゲ
ート側の印加電圧レベルがカソード側の印加電圧
レベルよりも大きくなつたときにゲートを開き、
その逆に、負の電圧e_Hが負の電圧e_Bよりみ負側に
大きくなつたとき、換言すれば、サイリスタ３３
のカソード側の印加電圧レベルがゲート側の印加
電圧レベルよりも大きくなつた｜e_H｜≧｜e_Bのと
き、つまり高圧コイル１４にレアシヨートがない
正常時にはゲートを閉じている。したがつて、本
実施例の回路においては、検出抵抗器２６，２７
の抵抗値R₁，R₂と、バイアス電源２８の電圧E_S
をいかに決定するかによつて、サイリスタ３３の
動作点が決定されることになる。

これら、R₁，R₂E_Sの決定経過を数式によつて
示せば次のようになる。

まず、低圧コイル１２を流れる直流成分I_BDC
は、 I_BDC＝AI_H＋I_BDCO ……(1) （ただしＡは定数）で表される。

また、Ｑ点を基準点としたとき、e_H，e_Bは次の
ように表される。

−e_H＝I_H×R₂＋E_S ……(2) −e_B＝I_BDC×R₁ ……(3) (1)式を(3)式に代入すると、 −e_B＝Ａ×I_H×R₁＋I_BDCO×R₁ フライバツクトランスにレアシヨートのない正
常動作においては低圧コイル１２に流れる直流成
分電流I_BDCの電流容量と高圧コイル１４に流れる
電流I_Hの電流容量をつり合わせる条件としてe_B＝
e_Hとおけるから、 I_H×R₂＋E_S＝Ａ×I_H×R₁ ＋I_BDCO×R₁ よつて、I_H×R₂＝Ａ×I_H×R₁ ∴R₂＝Ａ×R₁ E_S＝I_BDCO×R₁ つまり、R₁，R₂，E_Sが決定すべき回路定数と
なる。今、E_Sを先に決定すると、R₁，R₂は、R₁
＝E_S／I_BDCO，R₂＝Ａ×E_S／I_BDCOとして求められ
る。

本実施例では回路のバラツキ等を考慮し、E_Sの
値を余裕をもつて適当に大きくしておけば、フラ
イバツクトランスにレアシヨートのない正常動作
時においては、サイリスタ３３は常にオフ状態を
維持し、ゲートが開かれることがない。

これに対し、フライバツクトランス８の高圧コ
イル１４にレアシヨート等の異常が発生すると、
低圧コイル１２に流れる電流の変化成分i_Bが急増
し、特に、フライバツクトランス８が発火に至る
ような異常の場合には、そのi_Bの増加分は第２図
のΔI_BDCの２倍近くにもなる。すなわち、高圧コ
イル１４にレアシヨートを発生すると前記の如
く、低圧コイル１２に流れる電流が大きく増加す
る。一方、高圧コイル１４側ではレアシヨートに
よつて作り出されるコイルのシヨートによる局部
閉回路の部分に大きな電流がぐるぐる還流するが
高圧コイル１４の全体を流れる電流はほとんどレ
アシヨートの発生によつて変化しない（（もちろ
んレアシヨート部分がアース側に短絡したときは
高圧コイルに大電流が流れるが、通常レアシヨー
トが発生してもこのレアシヨート部分がアースに
短絡されることはない）。このことにより、本実
施例（本発明）では高圧コイルのレアシヨートに
よつてほとんど変化しない高圧コイル１４の検出
電流を基準値とし、この基準値と一次側（低圧コ
イル側）電流の検出値とを比較してレアシヨート
の発生検出を行つている。前記の如く、レアシヨ
ートによりi_Bが急増する結果、一次側電流検出回
路２２で検出される電流容量に対応する負の検出
電圧e_Bが、二次側電流検出回路２３で検出される
基準電流容量に対応する負の検出電圧e_Hよりも負
側に大きくなり、発火に至る充分前の時点でサイ
リスタ３３がオンとなり、ゲートが開かれる。こ
のゲートの開放により保護回路２５に大きなパル
ス電流（溶断電流）が流れ、保護ヒユーズ３５は
直ちに断となる。この保護ヒユーズ３５の溶断に
より、フライバツクトランス８の動作が停止さ
れ、前記フライバツクトランス８のレアシヨート
等に起因する火災等の発生は未然に防止される。

上記実施例においては、レアシヨートを検出し
てその安全を図るための回路、すなわち、一次側
と二次側の各電流検出回路２２，２３、ゲート回
路２４、保護回路２５等の回路がトランスユニツ
ト３８内にコンパクトに形成され、同ユニツト３
８の外部から一切動作信号を導入しないで所期の
目的を達成できる。したがつて、トランスユニツ
ト３８のターミナルの端子数を増加する必要もな
く、従来のトランスユニツト内に回路を追加する
だけで上記目的を達成できるから、装置の製造組
立が容易となり、また、その取り扱いも極めて便
利となる。

なお、上記実施例では、高圧回路と水平偏向出
力回路とを分離しない回路構成を示したが、これ
を分離する場合は水平偏向コイル６とＳ字補正コ
ンデンサ７は不要となる。しかしこの場合におい
ても水平偏向コイル６だけをダミーインダクタン
スに変更することもできる。

また、本発明は第１図に示す回路構成に限定さ
れることがなく、各種の回路変更が可能であり、
例えば、上記実施例ではバイアス電源２８を二次
側電流検出回路２３側に設け、低圧コイル１２に
流れる電流のうち、一定の直流成分I_BDCOとバラン
スをとつているが、これと異なり、正の直流電圧
を付加するバイアス電源を一次側電流検出回路２
２に設け、前記負の直流電流成分I_BDCOを打ち消す
ようにしてもよい。

また、第１図の回路では高圧コイル１４を分割
巻きにしていないが、これを複数に分割巻きにす
ることによりマルチシングラータイプとしてもよ
い。この場合は、各分割巻きされたコイル間にダ
イオードをシリーズに接続することになる。

さらに、本実施例では、サイリスタ３３のゲー
ト側に抵抗器３２を接続しているが、この抵抗器
３２は省略してもよく、また、サイリスタ３３の
カソードとアノード間に接続されて平滑コンデン
サ３７も必要に応じ省略できる。さらに、本実施
例では、ゲート回路としてサイリスタ３３を用い
ているが、これを、トランジスタ等、他の回路素
子により構成してもよい。

さらに、本実施例では低圧コイル１２に中間タ
ツプを設け、そこにダイオード３６のアノードを
接続しているが、この中間タツプを省略し、同ダ
イオード３６のアノードを同コイル１２の高圧側
に接してもよい。ただ、そうすると、サイリスタ
３３に高い電圧がかかり、サイリスタ３３の耐圧
上問題となる場合があり得る。したがつて、中間
タツプを設けてダイオード３６を接続すれば、サ
イリスタ３３に加わる電圧が小さくなるから耐圧
上の問題は生じない。この中間タツプを設ける場
合には、そのタツプ位置はサイリスタ３３に使用
される石に応じ、その耐圧上安全な巻線位置に設
けることになる。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したように構成したものであ
るから、フライバツクトランスのレアシヨート等
による異常を迅速かつ確実に検出して、その安全
対策を施すことができ、該フライバツクトランス
の異常に起因して生じる火災等の災害発生を未然
に防止できる。

また、その異常検出のために、温度ヒユーズを
フライバツクトランス内に配設することも不要と
なるから、フライバツクトランスの基本性能を害
することもなく、そのうえ、回路構成が簡易であ
るから、技術的にも経済的にも非常に優れた偏向
装置を提供することが可能となる。さらに、本発
明ではフライバツクトランスの高圧コイルにレア
シヨートが発生しても高圧コイルに流れる電流は
ほとんど変化しないことに着目し、二次側電流検
出回路によつて検出される電流容量を一次側電流
検出回路によつて検出される電流容量と比較する
ための基準容量（基準値）として機能させている
ので、一次側電流検出容量と比較するための専用
の基準電源を別途用意する必要がなく、これによ
り、回路構成の簡易化と装置の低コスト化および
小型化が可能となる。

さらに、本発明では保護回路を閉回路として構
成し、この閉経路中に低圧コイルと保護ヒユーズ
とゲート回路を含んでいるので、高圧コイルにレ
アシヨートが発生すると、トランス結合している
フライバツクトランスの一次側の前記閉回路がシ
ヨート回路として働いて閉回路に極めて大きいシ
ヨート電流が流れ、保護ヒユーズを瞬時のうちに
溶断することができることとなり、レアシヨート
の発生に対する安全動作の応答性は非常に優れた
ものとなる。

さらに、本発明はフライバツクトランスの低圧
コイルを流れる電流を検出し、これを基準電流容
量と比較してフライバツクトランスのレアシヨー
トを検出しているので、フライバツクトランスの
低圧コイルにレアシヨートが発生した場合にも、
低圧コイルの電流急増変化を検出してこのレアシ
ヨートを確実に検出することができ、レアシヨー
トに対する安全の信頼性は格段に高いものとな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図は低圧コイルを流れる直流成分の電流I_BDCと高
圧コイルを流れる高圧電流I_Hとの関係を示す特性
図、第３図は偏向装置の一般的な基本回路図であ
る。１…水平偏向出力回路、２…高圧回路、３…水
平出力トランジスタ、４…ダンパーダイオード、
５…共振コンデンサ、６…水平偏向コイル、７…
Ｓ字補正コンデンサ、８…フライバツクトラン
ス、１０…高圧整流ダイオード、１１…コア、１
２…低圧コイル、１３…入力電源、１４…高圧コ
イル、１５…ブラウン管、１６…アノード、１７
…水平ドライプ回路、１８…異常検出・安全回
路、２０…ドライブトランジスタ、２１…ドライ
ブトランス、２２…一次側電流検出回路、２３…
二次側電流検出回路、２４…ゲート回路、２５…
保護回路、２６…第１の検出抵抗器、２７…第２
の検出抵抗器２８…バイアス電源、２９…交流パ
スコンデンサ、３０…交流パスコンデンサ、３
１，３２…抵抗器、３３…サイリスタ、３４…コ
ンデンサ、３５…保護ヒユーズ、３６…ダイオー
ド、３７…平滑コンデンサ、３８…トランスユニ
ツト。

Claims

【特許請求の範囲】１水平ドライブ回路からの出力信号を受け、フ
ライバツクパルスを発生させる水平偏向出力回路
と；この水平偏向出力回路からのフライバツクパ
ルスを昇圧しその出力電力をブラウン管のアノー
ド側に加えるフライバツクトランスと；を含む偏
向装置において、前記フライバツクトランスの低
圧コイルの低圧側に接続される保護ヒユーズと；
前記フライバツクトランスの低圧コイルに流れる
電流を検出する一次側電流検出回路と；前記フラ
イバツクトランスの高圧コイルに流れる高圧電流
を検出する二次側電流検出回路と；前記一次側電
流検出回路によつて検出された電流容量が二次側
電流検出回路によつて検出された電流の基準容量
よりも大きくなつたときにゲートを開くゲート回
路と；前記低圧コイルと保護ヒユーズとゲート回
路との直列接続部を含む閉回路として構成されゲ
ート回路のゲートが開のときにヒユーズ溶断電流
が流れる保護回路と；を有していることを特徴と
する偏向装置。２ゲート回路はサイリスタによつて構成されて
おり、保護回路は、サイリスタのカソード側が保
護ヒユーズの一端に、同ヒユーズの他端側は低圧
コイルの低圧側に、同低圧コイルの中間タツプ位
置にはダイオードのアノードが、同ダイオードの
カソード側はサイリスタのアノード側にそれぞれ
接続されることによつて形成されており、また、
サイリスタのカソード側は一次側電流検出回路の
出力端に、同サイリスタのゲート側は二次側電流
検出回路の出力端にそれぞれ接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の偏向装
置。３一次側電流検出回路と二次側電流検出回路に
は、それぞれ検出電流の交流成分を除去するコン
デンサと、このコンデンサによつて得られた直流
の検出電流値を電圧値に変換する抵抗器とが内蔵
され、サイリスタのカソード側とゲート側には前
記各電流検出回路の対応する抵抗器によつて変換
された電圧が印加されていることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の偏向装置。４一次側電流検出回路と二次側電流検出回路の
一方側にはバイアス電流を加えるためのバイアス
電源が装備されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第３項のいずれか１つに記載の
偏向装置。