JPH058683Y2 - - Google Patents
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- JPH058683Y2 JPH058683Y2 JP13969885U JP13969885U JPH058683Y2 JP H058683 Y2 JPH058683 Y2 JP H058683Y2 JP 13969885 U JP13969885 U JP 13969885U JP 13969885 U JP13969885 U JP 13969885U JP H058683 Y2 JPH058683 Y2 JP H058683Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gauge
- semiconductor
- output terminal
- voltage supply
- gauge body
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、半導体圧力センサに使用される剪断
形ピエゾ抵抗式ゲージの出力の効率の改善に関す
るものである。
形ピエゾ抵抗式ゲージの出力の効率の改善に関す
るものである。
＜従来の技術＞
剪断形ゲージは、米国特許第3213681号「剪断
形ゲージ圧力測定素子」あるいは、特許出願公表
昭57−500491号「シリコン圧力センサ」等に示さ
れている。
形ゲージ圧力測定素子」あるいは、特許出願公表
昭57−500491号「シリコン圧力センサ」等に示さ
れている。
第６図、第７図、第８図は従来より一般に使用
されている従来例の構成説明図である。
されている従来例の構成説明図である。
図において、１は結晶面が１００の面方向の半
導体単結晶からなくダイアフラムである。２はダ
イアフラム１に設けられ、結晶軸が１００方向に
形成されたＰ形剪断形ゲージである。剪断形ゲー
ジ２は、第８図に示す如く、ゲージ本体２１、電
圧供給端子２２と出力端子２３を有する。ゲージ
本体２１は結晶軸が１００方向に形成され、Ｐ形
半導体よりなり、矩形状をなす。電圧供給端子２
２はゲージ本体２１の両端に設けられ定電圧Vs
が供給されている。出力端子２３はゲージ本体２
１に電圧供給端子２２に直交して設けられてい
る。
導体単結晶からなくダイアフラムである。２はダ
イアフラム１に設けられ、結晶軸が１００方向に
形成されたＰ形剪断形ゲージである。剪断形ゲー
ジ２は、第８図に示す如く、ゲージ本体２１、電
圧供給端子２２と出力端子２３を有する。ゲージ
本体２１は結晶軸が１００方向に形成され、Ｐ形
半導体よりなり、矩形状をなす。電圧供給端子２
２はゲージ本体２１の両端に設けられ定電圧Vs
が供給されている。出力端子２３はゲージ本体２
１に電圧供給端子２２に直交して設けられてい
る。
以上の構成において、ダイアフラム１に測定圧
力Pmが加えられると、出力端子２３から測定力
Pmに対応した出力電圧Eoutが得られる。
力Pmが加えられると、出力端子２３から測定力
Pmに対応した出力電圧Eoutが得られる。
＜考案が解決しようとする問題点＞
本考案の目的は、高出力の剪断形ゲージが得ら
れるようにして、Ｓ／Ｎ比の大きな高信頼性の半
導体圧力センサを提供するにある。
れるようにして、Ｓ／Ｎ比の大きな高信頼性の半
導体圧力センサを提供するにある。
＜問題点を解決するための手段＞
この目的を達成するために、本願は測定圧を受
圧し結晶面が１００の面方向の半導体単結晶から
なるダイアフラムと、該ダイアフラムに設けられ
半導体からなるゲージ本体と該ゲージ本体に取付
けられた電圧供給端子と出力端子とを備える剪断
形ゲージとを具備する半導体圧力センサにおい
て、前記ゲージ本体が電圧供給端子から出力端子
へ徐々に広がるテーパー形状をなすことを特徴と
する半導体圧力センサを構成したものである。
圧し結晶面が１００の面方向の半導体単結晶から
なるダイアフラムと、該ダイアフラムに設けられ
半導体からなるゲージ本体と該ゲージ本体に取付
けられた電圧供給端子と出力端子とを備える剪断
形ゲージとを具備する半導体圧力センサにおい
て、前記ゲージ本体が電圧供給端子から出力端子
へ徐々に広がるテーパー形状をなすことを特徴と
する半導体圧力センサを構成したものである。
以下、実施例について説明する。
＜実施例＞
第１図は、本考案の一実施例の要部構成説明図
である。
である。
図において、第６図、第７図、第８図と同一記
号は同一機能を示す。
号は同一機能を示す。
以下、第６図、第７図、第８図と相違部分のみ
説明する。
説明する。
２４は、ゲージ本体で、結晶軸が１００方向に
形成され、Ｐ形半導体よりなる。而して、電圧供
給端子２２から出力端子２３へ徐々に広がるテー
パー形状をなしている。
形成され、Ｐ形半導体よりなる。而して、電圧供
給端子２２から出力端子２３へ徐々に広がるテー
パー形状をなしている。
以上の構成において、第２図に示す如く、電圧
供給端子２２に供給された定電圧電源からの供給
電圧Vsにより、電流I1は出力端子２３へと流れ
る。
供給端子２２に供給された定電圧電源からの供給
電圧Vsにより、電流I1は出力端子２３へと流れ
る。
一方、第６図従来例においては、第３図に示す
如く、電圧供給端子２２に供給された供給電圧
Vsにより、電流I2は出力端子２３へと流れる。
この場合、図示Ａ部分において電圧降下Vdが生
じ、図の左右方向（図示Ｂ部分）に加わる電圧
が、Vs−Vdと小さくなるので、出力端子２３で
のゲージ出力は小さくなる。
如く、電圧供給端子２２に供給された供給電圧
Vsにより、電流I2は出力端子２３へと流れる。
この場合、図示Ａ部分において電圧降下Vdが生
じ、図の左右方向（図示Ｂ部分）に加わる電圧
が、Vs−Vdと小さくなるので、出力端子２３で
のゲージ出力は小さくなる。
本考案においては、第３図に示すＡ部分に相当
する部分がないので、出力端子２３でのゲージ出
力は大きな出力が得られる。
する部分がないので、出力端子２３でのゲージ出
力は大きな出力が得られる。
第４図、第５図は本考案の他の実施例の構成説
明図である。
明図である。
第４図実施例においては、ゲージ本体２４を円
形状に構成したものであり、第５図実施例におい
ては、変形菱形状に構成したものである。
形状に構成したものであり、第５図実施例におい
ては、変形菱形状に構成したものである。
なお、前述の実施例においては、ゲージ本体２
４を菱形状等に形成したものについて説明した
が、これに限ることはなく、要するには、電圧供
給端子２２から出力端子２３へ徐々に広がるテー
パー形状をなすものであればよい。
４を菱形状等に形成したものについて説明した
が、これに限ることはなく、要するには、電圧供
給端子２２から出力端子２３へ徐々に広がるテー
パー形状をなすものであればよい。
また、ゲージ本体２４はＰ形半導体からなるも
のについて説明したが、ｎ形半導体であつてもよ
く、要するに、剪断形ゲージであればよい。
のについて説明したが、ｎ形半導体であつてもよ
く、要するに、剪断形ゲージであればよい。
＜考案の作用効果＞
以上説明したように、本願は、測定圧を受圧し
結晶面が１００の面方向の半導体結晶からなるダ
イアフラムと、ダイアフラムに設けられ半導体か
らなるゲージ本体とゲージ本体に取付けられた電
圧供給端子と出力端子とを備える剪断形ゲージと
を具備する半導体圧力センサにおいて、ゲージ本
体が電圧供給端子から出力端子へ徐々に広がるテ
ーパー形状をなすことを特徴とする半導体圧力セ
ンサを構成したので、供給電力の損失が少く高出
力が得られる半導体圧力センサを得ることができ
る。
結晶面が１００の面方向の半導体結晶からなるダ
イアフラムと、ダイアフラムに設けられ半導体か
らなるゲージ本体とゲージ本体に取付けられた電
圧供給端子と出力端子とを備える剪断形ゲージと
を具備する半導体圧力センサにおいて、ゲージ本
体が電圧供給端子から出力端子へ徐々に広がるテ
ーパー形状をなすことを特徴とする半導体圧力セ
ンサを構成したので、供給電力の損失が少く高出
力が得られる半導体圧力センサを得ることができ
る。
したがつて、本考案によれば、高出力の剪断形
ゲージが得られるようにして、Ｓ／Ｎ比の大きな
高信頼性の半導体圧力センサを実現することがで
きる。
ゲージが得られるようにして、Ｓ／Ｎ比の大きな
高信頼性の半導体圧力センサを実現することがで
きる。
第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図、第３図は第１図の動作説明図、第４図、
第５図はそれぞれ本考案の実施例の構成説明図、
第６図、第７図、第８図は従来より一般に使用さ
れている従来例の構成説明図である。 １……ダイアフラム、２……剪断形ゲージ、２
２……電圧供給端子、２３……出力端子、２４…
…ゲージ本体。
第２図、第３図は第１図の動作説明図、第４図、
第５図はそれぞれ本考案の実施例の構成説明図、
第６図、第７図、第８図は従来より一般に使用さ
れている従来例の構成説明図である。 １……ダイアフラム、２……剪断形ゲージ、２
２……電圧供給端子、２３……出力端子、２４…
…ゲージ本体。
Claims (1)
- 測定圧を受圧し結晶面が１００の面方向の半導
体単結晶からなるダイアフラムと、該ダイアフラ
ムに設けられ半導体からなるゲージ本体と該ゲー
ジ本体に取付けられた電圧供給端子と出力端子と
を備える剪断形ゲージとを具備する半導体圧力セ
ンサにおいて、前記ゲージ本体が電圧供給端子か
ら出力端子へ徐々に広がるテーパー形状をなすこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969885U JPH058683Y2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13969885U JPH058683Y2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247150U JPS6247150U (ja) | 1987-03-23 |
| JPH058683Y2 true JPH058683Y2 (ja) | 1993-03-04 |
Family
ID=31045847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13969885U Expired - Lifetime JPH058683Y2 (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH058683Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019028435A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 上海天馬微電子有限公司 | 表示基板、表示パネルおよび表示装置 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP13969885U patent/JPH058683Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019028435A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 上海天馬微電子有限公司 | 表示基板、表示パネルおよび表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6247150U (ja) | 1987-03-23 |
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