JPS6196347U - - Google Patents

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JPS6196347U
JPS6196347U JP18204184U JP18204184U JPS6196347U JP S6196347 U JPS6196347 U JP S6196347U JP 18204184 U JP18204184 U JP 18204184U JP 18204184 U JP18204184 U JP 18204184U JP S6196347 U JPS6196347 U JP S6196347U
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pressure
diaphragm
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semiconductor
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例のセンサ部の構成を
示す構成図、第２図はせん断応力ゲージの構成を
示す構成図、第３図は不純物濃度に対する各係数
の特性を示す特性図、第４図は第１図に示すせん
断応力ゲージを用いて被測定圧力に対応した出力
電圧を得るブロツク図、第５図は本考案の他の実
施例のダイヤフラムの要部平面図、第６図は第５
図に示す垂直応力ゲージを用いて被測定圧力に対
応した出力電圧を得るブロツク図である。 １…ダイヤフラム、２…凹部、３…起歪部、４
…固定部、５…連通孔、６…基板、７…ガラス薄
膜、８，９…電源端、１０，１１…出力端、Ｇｓ
１，Ｇｓ２…せん断応力ゲージ、Ｇｖ１，Ｇｖ２
…垂直応力ゲージ、Ｐ…被測定圧力、ＰＣＣ…演
算回路、Ｖｓ…定電圧。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体単結晶のダイヤフラムを有し前記ダイヤ
    フラムに印加される被測定圧力を検出する半導体
    圧力変換器において、前記ダイヤフラムの起歪部
    上に形成された不純物濃度の異なる少くとも２個
    の圧力ゲージと、前記圧力ゲージを定電圧で駆動
    したときの前記圧力ゲージの出力電圧Ｅ１および
    Ｅ２の任意の圧力印加の状態での基準温度におけ
    る前記各圧力ゲージの出力の比ｂと前記各圧力ゲ
    ージのピエゾ抵抗係数の温度係数の比ａとを用い
    てＥ０＝（Ｅ２−ａｂＥ１）／（１−ａ）なる出
    力電圧Ｅ０を演算する演算手段とを具備し、前記
    被測定圧力に対応した出力電圧を出力することを
    特徴とした半導体圧力変換器。
JP18204184U 1984-11-30 1984-11-30 Expired JPH041472Y2 (ja)

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JPS6196347U true JPS6196347U (ja) 1986-06-20
JPH041472Y2 JPH041472Y2 (ja) 1992-01-20

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013205403A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Toshiba Corp 圧力センサ及びマイクロフォン
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US10067021B2 (en) 2015-09-18 2018-09-04 Smc Corporation Pressure sensor having resistive bodies

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Publication number Publication date
JPH041472Y2 (ja) 1992-01-20

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