JPH0587167B2 - - Google Patents
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- JPH0587167B2 JPH0587167B2 JP62280859A JP28085987A JPH0587167B2 JP H0587167 B2 JPH0587167 B2 JP H0587167B2 JP 62280859 A JP62280859 A JP 62280859A JP 28085987 A JP28085987 A JP 28085987A JP H0587167 B2 JPH0587167 B2 JP H0587167B2
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- capacitor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/255—Means for correcting the capacitance value
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/20—Arrangements for preventing discharge from edges of electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミツクコンデンサーの分野に関
し、特に削減可能な（trimable）セラミツクコン
デンサー、即ち或る用途に必要な精密な許容誤差
に調節することができるコンデンサーに関する。
更に本発明は、もし望むなら削減することもでき
る非アーク発生性コンデンサーに関する。
し、特に削減可能な（trimable）セラミツクコン
デンサー、即ち或る用途に必要な精密な許容誤差
に調節することができるコンデンサーに関する。
更に本発明は、もし望むなら削減することもでき
る非アーク発生性コンデンサーに関する。
本発明を理解するための手引きとして、多くの
用途で正確な許容誤差範囲に調整或は調節される
一体的セラミツクコンデンサーを与えることが必
要なことに注意していただきたい。セラミツクコ
ンデンサーを製造する通常の手順では、必要な誤
差精度をもつセラミツクコンデンサーを繰り返し
可能な基準でつくることは実際上不可能である。
これは本当であり、コンデンサーが生のセラミツ
ク層の厚さ、用いられる処理条件、処理される与
えられたバツチ中の組成及びセラミツク粒子の粒
径の如き因子に大きく依存するためである。
用途で正確な許容誤差範囲に調整或は調節される
一体的セラミツクコンデンサーを与えることが必
要なことに注意していただきたい。セラミツクコ
ンデンサーを製造する通常の手順では、必要な誤
差精度をもつセラミツクコンデンサーを繰り返し
可能な基準でつくることは実際上不可能である。
これは本当であり、コンデンサーが生のセラミツ
ク層の厚さ、用いられる処理条件、処理される与
えられたバツチ中の組成及びセラミツク粒子の粒
径の如き因子に大きく依存するためである。
前述の精確な値をもつセラミツクコンデンサー
を得ることの困難性を考慮して、従来コンデンサ
ーを大略の誤差範囲に製造し、そのコンデンサー
を成形した後、削減することにより静電容量を調
節することが行なわれている。そのような後成形
による許容誤差調節を教示している米国特許の代
表的な例には次のような番号のものがある： 3394386（Wellerその他），4074340（Leigh）， 3456170（Hatch），4190854（Redfern）， 3688361（Bonini），4466045（Coleman）， 3694710（Kirschner），4467393（Kupfer）， 3898541（Weller），4470096（Guertin）。
を得ることの困難性を考慮して、従来コンデンサ
ーを大略の誤差範囲に製造し、そのコンデンサー
を成形した後、削減することにより静電容量を調
節することが行なわれている。そのような後成形
による許容誤差調節を教示している米国特許の代
表的な例には次のような番号のものがある： 3394386（Wellerその他），4074340（Leigh）， 3456170（Hatch），4190854（Redfern）， 3688361（Bonini），4466045（Coleman）， 3694710（Kirschner），4467393（Kupfer）， 3898541（Weller），4470096（Guertin）。
一般にそのようなコンデンサーに関連して含ま
れている調節手段には、誘電体及び上方の一つ以
上の電極を少しずつ腐食又は摩耗し、誘電体及び
電極の重なつた面積を、静電容量が希望の値に減
少するまで、少しずつ減少させることが含まれて
いる。腐食は静電容量を連続的に測定しながら行
なつてもよい。
れている調節手段には、誘電体及び上方の一つ以
上の電極を少しずつ腐食又は摩耗し、誘電体及び
電極の重なつた面積を、静電容量が希望の値に減
少するまで、少しずつ減少させることが含まれて
いる。腐食は静電容量を連続的に測定しながら行
なつてもよい。
セラミツクコンデンサーの許容誤差調節をし易
くするために、セラミツクの一番外側の層の上に
表面露出電極を適用し、一層耐久性のあるセラミ
ツク成分を腐食する必要なく、露出した電極層の
みを一部分腐食することにより最終的な許容誤差
調節を行なうことが提案されきてている。コンデ
ンサー調節を行なうために表面電極の腐食を用い
る試みは商業的には利用できないことがこれまで
判明してきている。これまで説明されていない理
由から、特定の静電容量値へ修正されるコンデン
サーは、ある時間に亘つて値が変化し、それを使
用するのが不適当になることが判明している。更
に表面電極層を有するコンデンサーは、アーク発
生問題、即ち電極の表面周辺とコンデンサーの末
端端子との間に電気放電が起きる問題を極めて起
こし易かつた。
くするために、セラミツクの一番外側の層の上に
表面露出電極を適用し、一層耐久性のあるセラミ
ツク成分を腐食する必要なく、露出した電極層の
みを一部分腐食することにより最終的な許容誤差
調節を行なうことが提案されきてている。コンデ
ンサー調節を行なうために表面電極の腐食を用い
る試みは商業的には利用できないことがこれまで
判明してきている。これまで説明されていない理
由から、特定の静電容量値へ修正されるコンデン
サーは、ある時間に亘つて値が変化し、それを使
用するのが不適当になることが判明している。更
に表面電極層を有するコンデンサーは、アーク発
生問題、即ち電極の表面周辺とコンデンサーの末
端端子との間に電気放電が起きる問題を極めて起
こし易かつた。
本発明は、改良された非アーク発生性削減可能
なセラミツクコンデンサーに関するものとして要
約することができる。本発明は、これまで知られ
ていた表面電極調節可能なコンデンサーに関し起
きていた誤差の変化及びアーク発生問題を、表面
電極の縁がセラミツク誘電体材料によつて覆わ
れ、然もコンデンサーの値の調節を可能にし且つ
（又は）電極と接触できるように、表面電極の中
心部分を除去できるように露出したままで残して
おくような枠又は窓を表面電極の上に重ねること
により解消することができると言う発見に基づい
て発明されてものである。特に、表面電極及び特
に一度調節された表面電極が調節後変化する傾向
は、表面電極材料が、それが固定されているセラ
ミツク層の表面から微細な距離剥がれる傾向があ
ることによることが発見された。そのような剥離
は非常に小さいので目で見ることはできない。し
かし電極材料がコンデンサー表面から僅かに移動
すると言うことは、コンデンサーの値の変化をも
たらし、そのため削減可能で調節可能な層を与え
る利点をなくすことになる。
なセラミツクコンデンサーに関するものとして要
約することができる。本発明は、これまで知られ
ていた表面電極調節可能なコンデンサーに関し起
きていた誤差の変化及びアーク発生問題を、表面
電極の縁がセラミツク誘電体材料によつて覆わ
れ、然もコンデンサーの値の調節を可能にし且つ
（又は）電極と接触できるように、表面電極の中
心部分を除去できるように露出したままで残して
おくような枠又は窓を表面電極の上に重ねること
により解消することができると言う発見に基づい
て発明されてものである。特に、表面電極及び特
に一度調節された表面電極が調節後変化する傾向
は、表面電極材料が、それが固定されているセラ
ミツク層の表面から微細な距離剥がれる傾向があ
ることによることが発見された。そのような剥離
は非常に小さいので目で見ることはできない。し
かし電極材料がコンデンサー表面から僅かに移動
すると言うことは、コンデンサーの値の変化をも
たらし、そのため削減可能で調節可能な層を与え
る利点をなくすことになる。
従つて、本発明の目的は、コンデンサーの製造
業者或は購入者のどちらにとつても容易に調節す
ることができる容易に削減可能なコンデンサーを
与えることである。本発明の更に他の目的は、静
電容量を容易に調節することができる表面電極を
有するコンデンサーを与えることである。そのコ
ンデンサーは電極分離による静電容量の変化を起
こす傾向をもたない。本発明の更に別な目的は、
アーク発生問題を起こさず、表面電極との接触を
可能にする上述の型のコンデンサーを与えること
である。これらの目的及び、以下に指摘し、或は
ここで明らかになるような更に他の目的を達成す
るために、図面を参照して記述する。
業者或は購入者のどちらにとつても容易に調節す
ることができる容易に削減可能なコンデンサーを
与えることである。本発明の更に他の目的は、静
電容量を容易に調節することができる表面電極を
有するコンデンサーを与えることである。そのコ
ンデンサーは電極分離による静電容量の変化を起
こす傾向をもたない。本発明の更に別な目的は、
アーク発生問題を起こさず、表面電極との接触を
可能にする上述の型のコンデンサーを与えること
である。これらの目的及び、以下に指摘し、或は
ここで明らかになるような更に他の目的を達成す
るために、図面を参照して記述する。
図面、特に第１図に関し、そこには従来の如
く、一連の交互になつたセラミツク誘電体材料層
１１と、それら層の間に綴じ込まれた反対の極性
をもつ電極１２，１３とからなるコンデンサー１
０が記載されている。従来の如く、同じ極性をも
つ電極はコンデンサーの同じ端の所に露出されて
いる。例えば、電極１２は一体化した構造体の端
１４の所で縁の部分が露出しており、電極１２の
反対側の縁はコンデンサーの他の端１５に達しな
い所で終わつている。電極１３の縁は端１５の所
で露出し、その端１５から遠い方の電極１３の縁
はコンデンサーの反対の端１４に達しない所で終
わつている。
く、一連の交互になつたセラミツク誘電体材料層
１１と、それら層の間に綴じ込まれた反対の極性
をもつ電極１２，１３とからなるコンデンサー１
０が記載されている。従来の如く、同じ極性をも
つ電極はコンデンサーの同じ端の所に露出されて
いる。例えば、電極１２は一体化した構造体の端
１４の所で縁の部分が露出しており、電極１２の
反対側の縁はコンデンサーの他の端１５に達しな
い所で終わつている。電極１３の縁は端１５の所
で露出し、その端１５から遠い方の電極１３の縁
はコンデンサーの反対の端１４に達しない所で終
わつている。
上述の如く、コンデンサーは全く慣用的な構造
をしている。本発明によれば、コンデンサーを正
確な値に調節或は削減できるようにするため、長
方形の表面電極１６をコンデンサーの最も外側の
誘電体表面１７上に付着してある。表面電極１６
は、コンデンサーの端１４まで伸びている一番外
側の縁１８を有する。このように表面電極１６の
縁１８は電極１２の端と一致して終つており、従
つて、端子１９（薄く描かれている）をコンデン
サーの端１４に適用した時、電極１６は一連の電
極１２に電気的に結合されるようになつているこ
とがわかるであろう。
をしている。本発明によれば、コンデンサーを正
確な値に調節或は削減できるようにするため、長
方形の表面電極１６をコンデンサーの最も外側の
誘電体表面１７上に付着してある。表面電極１６
は、コンデンサーの端１４まで伸びている一番外
側の縁１８を有する。このように表面電極１６の
縁１８は電極１２の端と一致して終つており、従
つて、端子１９（薄く描かれている）をコンデン
サーの端１４に適用した時、電極１６は一連の電
極１２に電気的に結合されるようになつているこ
とがわかるであろう。
第１図から最もよくわかるように、電極１６の
側縁２０，２１はコンデンサーの隣合つた側縁２
２，２３に対し離れて終つている。同様に表面電
極１６の端縁２４はコンデンサーの端１５に対し
離れた所で終わつている。
側縁２０，２１はコンデンサーの隣合つた側縁２
２，２３に対し離れて終つている。同様に表面電
極１６の端縁２４はコンデンサーの端１５に対し
離れた所で終わつている。
セラミツク誘電体材料の被覆層２５は表面電極
１６の上に適用されている。被覆層２５はコンデ
ンサー形成過程中に適用され、従つて、一体的構
造体の一部を形成することは判るであろう。被覆
層２５は表面電極１６のための部分的枠を定める
切り取られた部分即ち窓２６を有する。特に、切
り取られた部分即ち窓２６は側縁２７，２８によ
つて限定されており、それらの側縁はそれぞれ電
極の側縁２１，２０と重なつている。窓の端縁２
９は電極材料１６の端縁２４に重なつている。
１６の上に適用されている。被覆層２５はコンデ
ンサー形成過程中に適用され、従つて、一体的構
造体の一部を形成することは判るであろう。被覆
層２５は表面電極１６のための部分的枠を定める
切り取られた部分即ち窓２６を有する。特に、切
り取られた部分即ち窓２６は側縁２７，２８によ
つて限定されており、それらの側縁はそれぞれ電
極の側縁２１，２０と重なつている。窓の端縁２
９は電極材料１６の端縁２４に重なつている。
一体的構造体の端１５の所で露出している電極
１３の縁は、明確に例示するため、同様に薄く示
された端子３０によつて相互に連結されている。
１３の縁は、明確に例示するため、同様に薄く示
された端子３０によつて相互に連結されている。
前述の記載から明らかなように、端子１９と３
０との間には、静電容量が定められ、その値は電
極１２と１３の重なつた面積及びその他露出した
電極１６と電極群１３のうち最も近く隣接した電
極との重複した面積の関数である。コンデンサー
１０の静電容量を減少させるため、窓２６によつ
て容易に到達することができる露出した電極１６
を少しずつ腐食しさえすれば良い。腐食方法は窓
２６を通して金属層１６の方へ向けたレーザーを
使用することによつて行なわれるのが好ましい。
レーザーは金属を蒸発させ、層１６によつて与え
られた付加的な静電容量を、レーザーによつて除
かれた金属の量の関数として減少させることは判
るであろう。層１６を腐食させる別の方法即ち機
械的或は化学的方法を用いもよい。好ましくはコ
ンデンサー１０の静電容量は除去工程中連続的に
検査され、除去工程は希望の静電容量が得られた
時に中断する。
０との間には、静電容量が定められ、その値は電
極１２と１３の重なつた面積及びその他露出した
電極１６と電極群１３のうち最も近く隣接した電
極との重複した面積の関数である。コンデンサー
１０の静電容量を減少させるため、窓２６によつ
て容易に到達することができる露出した電極１６
を少しずつ腐食しさえすれば良い。腐食方法は窓
２６を通して金属層１６の方へ向けたレーザーを
使用することによつて行なわれるのが好ましい。
レーザーは金属を蒸発させ、層１６によつて与え
られた付加的な静電容量を、レーザーによつて除
かれた金属の量の関数として減少させることは判
るであろう。層１６を腐食させる別の方法即ち機
械的或は化学的方法を用いもよい。好ましくはコ
ンデンサー１０の静電容量は除去工程中連続的に
検査され、除去工程は希望の静電容量が得られた
時に中断する。
前に述べたように、誘電体表面から電極が分離
するため調整された値が時間と共に徐々に変化す
る、今まで知られた表面電極層を用いた削減可能
なコンデンサーとは対照的に、表面電極の縁に重
なつた表面誘電体部材を適用すると、重なつた領
域のみならず、窓２６を通して露出した中心部領
域で、電極材料が誘電体表面から分離するのをあ
る程度防ぐ機能を発揮することが発見されてい
る。更に表面電極１６の縁２０，２１及び２４は
表面誘電体層によつて覆われているので、コンデ
ンサーはアークを発生する傾向をもたない。
するため調整された値が時間と共に徐々に変化す
る、今まで知られた表面電極層を用いた削減可能
なコンデンサーとは対照的に、表面電極の縁に重
なつた表面誘電体部材を適用すると、重なつた領
域のみならず、窓２６を通して露出した中心部領
域で、電極材料が誘電体表面から分離するのをあ
る程度防ぐ機能を発揮することが発見されてい
る。更に表面電極１６の縁２０，２１及び２４は
表面誘電体層によつて覆われているので、コンデ
ンサーはアークを発生する傾向をもたない。
第３図及び第４図で、そこには本発明の更に別
の具体例が記載されている。第３図及び第４図の
具体例に従えば、一体的コンデンサー４０は、一
対の誘電体層４１，４２と、それらの間に配置さ
れた電極層４３とからなる。誘電体層４２の上部
表面４４には、複数の表面電極４５，４６，４
７，４８がそのうえに形成されている。誘電体材
料の被覆層４９が誘電体層４２の上に重ねられて
おり、層４９は四つの窓４５′，４６′、４７′、
４８′を有し、それらはそれぞれ電極領域４５〜
４８に整合している。窓は電極領域４５〜４８よ
りも小さく、従つて電極領域の縁は誘電体層４９
によつて覆われ、同時に窓を通して電極の表面部
分を露出している。
の具体例が記載されている。第３図及び第４図の
具体例に従えば、一体的コンデンサー４０は、一
対の誘電体層４１，４２と、それらの間に配置さ
れた電極層４３とからなる。誘電体層４２の上部
表面４４には、複数の表面電極４５，４６，４
７，４８がそのうえに形成されている。誘電体材
料の被覆層４９が誘電体層４２の上に重ねられて
おり、層４９は四つの窓４５′，４６′、４７′、
４８′を有し、それらはそれぞれ電極領域４５〜
４８に整合している。窓は電極領域４５〜４８よ
りも小さく、従つて電極領域の縁は誘電体層４９
によつて覆われ、同時に窓を通して電極の表面部
分を露出している。
上述から明らかなように、電極４５〜４８の
各々は、電極層４３と共に個々の静電容量を定め
る。定められたコンデンサーは共通の端子５０を
含み別々の端子５１，５２，５３，５４は電極領
域４５〜４８にそれぞれつけられている。このよ
うにして形成された個々の静電容量の各々は、も
し必要ならば上で論じたように、窓４５′〜４
８′を通して露出された電極の一部分を腐食して
除去することにより個々に削減してもよい。いず
れにせよ電極４５，４６，４７，４８の境界がセ
ラミツク材料を重ねることにより覆われているの
で、静電容量は一定のままであり、その装置は従
来の表面電極で起きるアーク発生問題を起こさな
い。
各々は、電極層４３と共に個々の静電容量を定め
る。定められたコンデンサーは共通の端子５０を
含み別々の端子５１，５２，５３，５４は電極領
域４５〜４８にそれぞれつけられている。このよ
うにして形成された個々の静電容量の各々は、も
し必要ならば上で論じたように、窓４５′〜４
８′を通して露出された電極の一部分を腐食して
除去することにより個々に削減してもよい。いず
れにせよ電極４５，４６，４７，４８の境界がセ
ラミツク材料を重ねることにより覆われているの
で、静電容量は一定のままであり、その装置は従
来の表面電極で起きるアーク発生問題を起こさな
い。
本発明によるコンデンサーは一体的セラミツク
コンデンサーを形成するのに従来用いられていた
のと同じ方法を用いて作られてもよい。本発明に
含まれる製造方法の唯一の相違点は、誘電体材料
の一番外側の層が、上述した具体例の窓の位置に
相当してフイルム中に打ち抜かれた穴を有する生
のセラミツクフイルムからなると言うことにあ
る。
コンデンサーを形成するのに従来用いられていた
のと同じ方法を用いて作られてもよい。本発明に
含まれる製造方法の唯一の相違点は、誘電体材料
の一番外側の層が、上述した具体例の窓の位置に
相当してフイルム中に打ち抜かれた穴を有する生
のセラミツクフイルムからなると言うことにあ
る。
当業者にはわかるように、本明細書の記載に通
じれば、本発明の範囲から離れることなく、構造
の詳細な点について多くの変更を加えることがで
きるであろう。
じれば、本発明の範囲から離れることなく、構造
の詳細な点について多くの変更を加えることがで
きるであろう。
例えば、第１の記載した具体例に示したのと実
質的に同じようなコンデンサーで、表面電極がコ
ンデンサーの端部分から絶縁されており、表面電
極と、埋められた一連の電極の一方又は他方との
間の接触が外部からの連結線によつて行なわれる
ようにしたコンデンサーを作ることができる。同
様に本発明によれば、最終的削減操作を行なつた
後、露出した表面電極を従来の多くの成形或は漬
法のいずれかによつて被覆することも意図されて
いる。従つて、上記記載は限定的な意味をもつも
のと取るべきできなく、本発明は特許請求の範囲
に記載の範囲で広く解釈されるべきである。
質的に同じようなコンデンサーで、表面電極がコ
ンデンサーの端部分から絶縁されており、表面電
極と、埋められた一連の電極の一方又は他方との
間の接触が外部からの連結線によつて行なわれる
ようにしたコンデンサーを作ることができる。同
様に本発明によれば、最終的削減操作を行なつた
後、露出した表面電極を従来の多くの成形或は漬
法のいずれかによつて被覆することも意図されて
いる。従つて、上記記載は限定的な意味をもつも
のと取るべきできなく、本発明は特許請求の範囲
に記載の範囲で広く解釈されるべきである。
第１図は、本発明によるコンデンサーの概略的
部分的斜視図である。第２図は、第１図の線２−
２に沿つた断面図である。第３図は本発明の更に
別の具体例の分解した斜視図である。第４図は第
３図の線４−４に沿つてとつた断面図である。 １０……コンデンサー、１１……誘電体材料
層、１２，１３……電極、１４，１５……端、１
６……表面電極、２５……誘電体材料被覆層、２
６……窓、１９，２０……端子。
部分的斜視図である。第２図は、第１図の線２−
２に沿つた断面図である。第３図は本発明の更に
別の具体例の分解した斜視図である。第４図は第
３図の線４−４に沿つてとつた断面図である。 １０……コンデンサー、１１……誘電体材料
層、１２，１３……電極、１４，１５……端、１
６……表面電極、２５……誘電体材料被覆層、２
６……窓、１９，２０……端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極と、セラミツク誘電体材料との交互にな
つた層からなる、一定の値をもつ削減可能な一体
的非アーク発生性セラミツクコンデンサーであつ
て、交互になつた電極層は前記一体的な構造体の
相対する端の所で露出しており、前記一体的構造
体構造体は外側の誘電体層と、その外側層の上に
形成された表面電極で、前記外側層の全てよりは
少ない部分を覆つている表面電極と、前記表面電
極を覆つている更に付加された誘電体層で、前記
表面電極の部分と整合した穴を有し、前記表面電
極の縁と重なつている更に別の誘電体層とを有す
るセラミツクコンデンサー。 ２ 表面電極の一方の縁が一体的構造体の一方の
端と同じ所で終つており、前記表面電極の前記一
方の縁と反対側の縁が前記一体的構造体の他方の
端とは離れており、前記他方の端の所の第一端子
部材は、前記他方の端の所に露出した電極を結合
しており、第二端子部材が前記一方の端の所の電
極と、前記表面電極の一方の縁とを結合している
特許請求の範囲第１項に記載のコンデンサー。 ３ 付加された層中の穴が一体的構造体の一方の
端の所まで延びている特許請求の範囲第２項に記
載のコンデンサー。 ４ 付加された層が、一方の端の表面電極の縁の
部分を除き表面電極の縁の全ての部分を覆つてい
る特許請求の範囲第３項に記載のコンデンサー。 ５ 重ねられた一対の誘電体材料層で、その間に
電極層が配置されており、しかもその電極層の一
つの端部分が前記誘電体層の一つの縁まで延びて
いる一対の誘電体材料層と、前記誘電体層の一つ
の露出した表面上に形成された少なくとも一つの
表面電極層と、前記一つの誘電体層の前記露出し
た表面上に重ねられた被複誘電体層でその被覆誘
電体層中に形成された穴が前記表面電極層と整合
しており、前記表面電極の縁が前記被覆誘電体層
によつて覆われている被覆誘電体層とからなる、
一定の値をもつ非アーク発生性一体的セラミツク
コンデンサー。 ６ 誘電体層の縁の所で電極に結合された第一端
子と、穴を通つて延び、表面電極と接触している
第二端子を有する特許請求の範囲第５項に記載の
コンデンサー。 ７ 生のセラミツク材料と、電極材料との交互に
なつた層からなるセラミツクコンデンサー前成形
物を与え、一つの前記生のセラミツク層の最も外
側の表面に更に電極層を適用し、しかもその付加
した電極層が前記最も外側層の表面の全てよりは
少ない部分を覆い。それによつて前記付加した電
極を取り巻く形で前記最も外側の部分が露出され
ているようにし、然る後前記最も外側の層と前記
付加した電極層の上に更に生のセラミツク層を重
ね、しかも前記更に付加したセラミツク層が、前
記付加した電極層の縁と、その付加電極層を取り
巻く前記最も外側の層の部分との上に重ねられた
部分を有し、前記付加セラミツク層が前記付加電
極層と整合した穴を有するようになつており、然
る後前記前成形物を処理して最終的コンデンサー
を定める諸工程からなる非アーク発生性の容量調
節可能なセラミツクコンデンサーの製造方法。 ８ 付加セラミツク層中の穴を通して露出した付
加電極層を少しずつ除去し、それによつてコンデ
ンサーの有効値を変える工程を更に含む特許請求
の範囲第７項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46098 | 1987-05-05 | ||
| US07/046,098 US4731697A (en) | 1987-05-05 | 1987-05-05 | Arc resistant trimable ceramic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276210A JPS63276210A (ja) | 1988-11-14 |
| JPH0587167B2 true JPH0587167B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62280859A Granted JPS63276210A (ja) | 1987-05-05 | 1987-11-06 | 削減可能なセラミックコンデンサー |
Country Status (5)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS63276210A (ja) |
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