JPH0588035A - 石英系光導波路作成方法 - Google Patents
石英系光導波路作成方法Info
- Publication number
- JPH0588035A JPH0588035A JP24745891A JP24745891A JPH0588035A JP H0588035 A JPH0588035 A JP H0588035A JP 24745891 A JP24745891 A JP 24745891A JP 24745891 A JP24745891 A JP 24745891A JP H0588035 A JPH0588035 A JP H0588035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- gel
- optical waveguide
- silica
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 7
- 229940099259 vaseline Drugs 0.000 abstract 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004264 Petrolatum Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000004952 furnace firing Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229940066842 petrolatum Drugs 0.000 description 1
- 235000019271 petrolatum Nutrition 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011240 wet gel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大幅なコストダウンがはかれ、即ち、原料面
でも、製造装置の面でも、製造技術の面でも、簡単化で
き、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方法を提
供することを目的とする 【構成】石英系ガラス光導波路の作成方法において、ゾ
ルゲル法でガラスゲル粉末を作成し、そのガラスゲル粉
末を原料に用いて、ゲル・ペ−ストを作成し、次に、乾
燥時に発生するクラックを防止するために、グリ−ス、
ワセリンから選択した塗布剤を塗った基板表面の上に、
前記ゲル・ペ−ストを塗布し、ガラス・ゲル・コ−ティ
ング層を形成し、その後、その形成されたガラス・ゲル
・コ−ティング層を熱処理し、多孔質ガラス薄膜とし、
更に、熱処理し、透明ガラス化し、石英系光導波路とす
ることを特徴とする前記石英系光導波路作成方法であ
る。
でも、製造装置の面でも、製造技術の面でも、簡単化で
き、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方法を提
供することを目的とする 【構成】石英系ガラス光導波路の作成方法において、ゾ
ルゲル法でガラスゲル粉末を作成し、そのガラスゲル粉
末を原料に用いて、ゲル・ペ−ストを作成し、次に、乾
燥時に発生するクラックを防止するために、グリ−ス、
ワセリンから選択した塗布剤を塗った基板表面の上に、
前記ゲル・ペ−ストを塗布し、ガラス・ゲル・コ−ティ
ング層を形成し、その後、その形成されたガラス・ゲル
・コ−ティング層を熱処理し、多孔質ガラス薄膜とし、
更に、熱処理し、透明ガラス化し、石英系光導波路とす
ることを特徴とする前記石英系光導波路作成方法であ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光計測等に利
用する石英系光導波路作成方法に関する。
用する石英系光導波路作成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信等の発達にとものない、光
導波路を基本構造として、いろいろな機能を持った素子
を集積化した光集積回路の必要性が大きくなってきた。
その中でも石英系ガラスの導波路を用いた光受動部品
は、一般の加入者網を光通信化する時に、必須の装置で
ある。それには、光部品の小型化、高密度化、複合化、
低コスト化が必要である。特に、普及レベルの加入者に
対応するためには、低コスト化が再重点課題になってき
た。
導波路を基本構造として、いろいろな機能を持った素子
を集積化した光集積回路の必要性が大きくなってきた。
その中でも石英系ガラスの導波路を用いた光受動部品
は、一般の加入者網を光通信化する時に、必須の装置で
ある。それには、光部品の小型化、高密度化、複合化、
低コスト化が必要である。特に、普及レベルの加入者に
対応するためには、低コスト化が再重点課題になってき
た。
【0003】また、光集積回路を構成する時に、基本構
造としてクラッド−コア−クラッドと積層されたプレン
ナ−光導波路を作成する必要がある。従来、いくつかの
方法が提案されてきた。その作製方法としては、次のよ
うなものが考えられる。 a.イオン交換ガラス導波路作製法は、ガラスに外部か
ら他のイオンを相互拡散させることにより、部分的に屈
折率を増加させ、導波路を作成する方法である。そのた
めに、交換するイオンとしては、K+、Rb+、Cs+、
Tl+、Ag+等を用いる。 b.スパッタ−ガラス導波路作製法は、基板ガラスの上
に、高周波スパッタリングにより薄膜導波路を作製する
方法である。基板には、石英系ガラス、パイレックス
等、シリコン基板等が用いられる。 c.一般的に最も良く用いられ、考えられるCVDガラ
ス導波路作製法には、次の3種類の堆積法が考えられ
る。
造としてクラッド−コア−クラッドと積層されたプレン
ナ−光導波路を作成する必要がある。従来、いくつかの
方法が提案されてきた。その作製方法としては、次のよ
うなものが考えられる。 a.イオン交換ガラス導波路作製法は、ガラスに外部か
ら他のイオンを相互拡散させることにより、部分的に屈
折率を増加させ、導波路を作成する方法である。そのた
めに、交換するイオンとしては、K+、Rb+、Cs+、
Tl+、Ag+等を用いる。 b.スパッタ−ガラス導波路作製法は、基板ガラスの上
に、高周波スパッタリングにより薄膜導波路を作製する
方法である。基板には、石英系ガラス、パイレックス
等、シリコン基板等が用いられる。 c.一般的に最も良く用いられ、考えられるCVDガラ
ス導波路作製法には、次の3種類の堆積法が考えられ
る。
【0004】即ち、1.火炎堆積法は、光ファイバ−製
造に使用されている技術の応用であり、SiCl4、T
iCl4を主成分とする混合ガスを酸化させ、微粉末に
し、基板上に堆積させるものである。その後、熱処理し
ガラス化し、導波路を作製する方法である。屈折率は原
料ガスの組成、モ−ドは堆積量により制限される。 2.熱CVD、プラズマCVD法は、熱プラズマCVD
法で、SiO2薄膜を作成し導波路を作製する方法であ
る。SiO2薄膜は比較的高い屈折率を有し、低い損失
の導波路になる。この方法は、半導体装置作成技術の応
用である。 3.レ−ザCVD法は、レ−ザ光掃引により薄膜を基板
上に選択形成して、チャンネル導波路を直接作製する方
法である。 更に、d.一般的には、ゾル−ゲル法による導波路の作
製も考えられ、即ち、ゾル−ゲルを用いると融液状態を
経ることなく、ガラスを作製することができると考えら
れる。
造に使用されている技術の応用であり、SiCl4、T
iCl4を主成分とする混合ガスを酸化させ、微粉末に
し、基板上に堆積させるものである。その後、熱処理し
ガラス化し、導波路を作製する方法である。屈折率は原
料ガスの組成、モ−ドは堆積量により制限される。 2.熱CVD、プラズマCVD法は、熱プラズマCVD
法で、SiO2薄膜を作成し導波路を作製する方法であ
る。SiO2薄膜は比較的高い屈折率を有し、低い損失
の導波路になる。この方法は、半導体装置作成技術の応
用である。 3.レ−ザCVD法は、レ−ザ光掃引により薄膜を基板
上に選択形成して、チャンネル導波路を直接作製する方
法である。 更に、d.一般的には、ゾル−ゲル法による導波路の作
製も考えられ、即ち、ゾル−ゲルを用いると融液状態を
経ることなく、ガラスを作製することができると考えら
れる。
【0005】これらの考えられる種々の作製方法の中
で、aのイオン交換ガラス導波路作製方法は、基板に多
成分ガラスを用いるため、ガラスファイバ−に接合する
時に、整合性、安定性に不安があること、装置を集積化
する時に、シリコン等の基板を用いる必要があるが、多
成分ガラス以外では作成できないため、装置の集積化は
困難なことがあり、現在、実用化されていない。また、
bのスパッタ−ガラス導波路作成方法は、膜厚が1ミク
ロン程度にしかできないため、厚膜作成が望ましい時
に、問題がある。更に、dのゾル−ゲル法による導波路
作製法は、ゲルを乾燥する時に、大幅に堆積収縮が生じ
るため、基板に被覆しても、クラックが入ったり、激し
かったりする等の問題があり、現在、実用化がされてい
ない。
で、aのイオン交換ガラス導波路作製方法は、基板に多
成分ガラスを用いるため、ガラスファイバ−に接合する
時に、整合性、安定性に不安があること、装置を集積化
する時に、シリコン等の基板を用いる必要があるが、多
成分ガラス以外では作成できないため、装置の集積化は
困難なことがあり、現在、実用化されていない。また、
bのスパッタ−ガラス導波路作成方法は、膜厚が1ミク
ロン程度にしかできないため、厚膜作成が望ましい時
に、問題がある。更に、dのゾル−ゲル法による導波路
作製法は、ゲルを乾燥する時に、大幅に堆積収縮が生じ
るため、基板に被覆しても、クラックが入ったり、激し
かったりする等の問題があり、現在、実用化がされてい
ない。
【0006】従来法で最も実用化されているのは、cの
うち、火炎堆積法による導波路作製であり、この技術
は、膜厚、屈折率を制御できる利点があるためである
が、装置作製コストが高くなり、微妙な技術、ノウハウ
が必要なため、どうしてもコストアップとなってしまう
問題がある。これは、普及レベルの一般加入者網に使用
する光学装置としては致命的な問題である。
うち、火炎堆積法による導波路作製であり、この技術
は、膜厚、屈折率を制御できる利点があるためである
が、装置作製コストが高くなり、微妙な技術、ノウハウ
が必要なため、どうしてもコストアップとなってしまう
問題がある。これは、普及レベルの一般加入者網に使用
する光学装置としては致命的な問題である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、前
記のように、従来の石英系光導波路作成方法の欠点を解
消し、大幅なコストダウンがはかれる石英系光導波路作
成方法を提供することを目的とする。即ち、本発明は、
原料面でも、製造装置の面でも、製造技術の面でも、簡
単化でき、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方
法を提供することを目的とする。また、本発明は、焼成
処理の際に,ガラス・コ−ティングにクラックの生じ難
く、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方法を提
供することを目的とする。
記のように、従来の石英系光導波路作成方法の欠点を解
消し、大幅なコストダウンがはかれる石英系光導波路作
成方法を提供することを目的とする。即ち、本発明は、
原料面でも、製造装置の面でも、製造技術の面でも、簡
単化でき、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方
法を提供することを目的とする。また、本発明は、焼成
処理の際に,ガラス・コ−ティングにクラックの生じ難
く、コストダウンが大きい石英系光導波路作成方法を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の技術的
な課題の解決のために、石英系ガラス光導波路の作成方
法において、ゾルゲル法でガラスゲル粉末を作成し、そ
のガラスゲル粉末を原料に用いて、ゲル・ペ−ストを作
成し、次に、乾燥時に発生するクラックを防止するため
に、グリ−ス、ワセリンから選択した塗布剤を塗った基
板表面の上に、前記ゲル・ペ−ストを塗布し、ガラス・
ゲル・コ−ティング層を形成し、その後、その形成され
たガラス・ゲル・コ−ティング層を熱処理し、多孔質ガ
ラス薄膜とし、更に、熱処理し、透明ガラス化し、石英
系光導波路とすることを特徴とする前記石英系光導波路
作成方法を提供する。
な課題の解決のために、石英系ガラス光導波路の作成方
法において、ゾルゲル法でガラスゲル粉末を作成し、そ
のガラスゲル粉末を原料に用いて、ゲル・ペ−ストを作
成し、次に、乾燥時に発生するクラックを防止するため
に、グリ−ス、ワセリンから選択した塗布剤を塗った基
板表面の上に、前記ゲル・ペ−ストを塗布し、ガラス・
ゲル・コ−ティング層を形成し、その後、その形成され
たガラス・ゲル・コ−ティング層を熱処理し、多孔質ガ
ラス薄膜とし、更に、熱処理し、透明ガラス化し、石英
系光導波路とすることを特徴とする前記石英系光導波路
作成方法を提供する。
【0009】現在実用化されている火炎堆積法は、一般
に、ガスの組成、流量を調整して、ガラスにした時に、
必要な屈折率、膜厚を有する多孔質ガラス薄膜を作製
し、その後、加熱してガラス薄膜を作製する方法であ
る。このとき、この多孔質ガラスを作製するために、高
価な装置とノウハウを必要とするために、どうしても、
高コストになってしまう。
に、ガスの組成、流量を調整して、ガラスにした時に、
必要な屈折率、膜厚を有する多孔質ガラス薄膜を作製
し、その後、加熱してガラス薄膜を作製する方法であ
る。このとき、この多孔質ガラスを作製するために、高
価な装置とノウハウを必要とするために、どうしても、
高コストになってしまう。
【0010】そこで、本発明者らは、低コストで、容易
に多孔質ガラスを作製する方法を開発したものである。
これは、出発原料にゲルから作成したガラスゲル粉末を
用い、ガラス化したときに、必要な屈折率になるよう
に、配合し、均一に混合できるものを使用することがで
きる。更に、本発明によると、バインダ−等を用い、ガ
ラス化した時に、必要な膜厚になるように、基板上に、
塗布し、乾燥させるものである。塗布、乾燥した後に、
熱処理することにより、その薄膜を焼結し、ガラス化し
た時に、必要な屈折率、膜厚になるような配合の多孔質
ガラス膜を作製が可能である。その後、熱処理し、ガラ
ス化し、導波路形成にする。
に多孔質ガラスを作製する方法を開発したものである。
これは、出発原料にゲルから作成したガラスゲル粉末を
用い、ガラス化したときに、必要な屈折率になるよう
に、配合し、均一に混合できるものを使用することがで
きる。更に、本発明によると、バインダ−等を用い、ガ
ラス化した時に、必要な膜厚になるように、基板上に、
塗布し、乾燥させるものである。塗布、乾燥した後に、
熱処理することにより、その薄膜を焼結し、ガラス化し
た時に、必要な屈折率、膜厚になるような配合の多孔質
ガラス膜を作製が可能である。その後、熱処理し、ガラ
ス化し、導波路形成にする。
【0011】然し乍ら、コスト面では、ゾル・ゲル法が
最も有利である。それは、A.ゾル−ゲル法で作成した
薄膜は、1100〜1200℃でガラス化するため、高
温まで上げる必要がなく、高価な電気炉、ガス炉等を必
要としない:B.原料のアルコシキドが安価である:
C.簡単な器具でゲル薄膜の作成することができる。然
し乍ら、実用化されないのは、ゲルペ−ストを塗布した
後に、乾燥する時に、大幅に収縮するために、ゲル・コ
−ティング厚膜を作成するときに、クラックが入ってし
まうためである。
最も有利である。それは、A.ゾル−ゲル法で作成した
薄膜は、1100〜1200℃でガラス化するため、高
温まで上げる必要がなく、高価な電気炉、ガス炉等を必
要としない:B.原料のアルコシキドが安価である:
C.簡単な器具でゲル薄膜の作成することができる。然
し乍ら、実用化されないのは、ゲルペ−ストを塗布した
後に、乾燥する時に、大幅に収縮するために、ゲル・コ
−ティング厚膜を作成するときに、クラックが入ってし
まうためである。
【0012】このようなクラックが発生する理由は、2
つある。1つは、ウエットゲルが乾燥する時に、大幅に
収縮するためである。もう1つは、基板のゲルとゲル表
面とで収縮率が異なるので、薄膜内部に応力が発生し、
クラックになるためである。然し乍ら、ゾル−ゲル法
で、バルク石英ガラスは、作成されている。体積が大き
く、収縮による応力が大きい筈であるが、クラックは入
らない。それは、ゲルが、容器の中で乾燥するときに、
容器表面とゲルとの間に摩擦が余りないため、均一にゲ
ルが収縮するためである。
つある。1つは、ウエットゲルが乾燥する時に、大幅に
収縮するためである。もう1つは、基板のゲルとゲル表
面とで収縮率が異なるので、薄膜内部に応力が発生し、
クラックになるためである。然し乍ら、ゾル−ゲル法
で、バルク石英ガラスは、作成されている。体積が大き
く、収縮による応力が大きい筈であるが、クラックは入
らない。それは、ゲルが、容器の中で乾燥するときに、
容器表面とゲルとの間に摩擦が余りないため、均一にゲ
ルが収縮するためである。
【0013】そこで、基板とゲルとの摩擦を小さくする
ために、グリ−ス等を塗り、ゲル膜を小さくするため
に、グリ−ス等を塗り、ゲル膜を作成し、乾燥したとこ
ろ、膜全体が均一に収縮し、クラックの発生が防止する
ことができた。このようなゲル膜を達成し、ガラス化
し、石英系ガラス導波路を作成した。
ために、グリ−ス等を塗り、ゲル膜を小さくするため
に、グリ−ス等を塗り、ゲル膜を作成し、乾燥したとこ
ろ、膜全体が均一に収縮し、クラックの発生が防止する
ことができた。このようなゲル膜を達成し、ガラス化
し、石英系ガラス導波路を作成した。
【0014】本発明のよる石英系光導波路作成方法の工
程は、図1に示す順で行なわれる。
程は、図1に示す順で行なわれる。
【0015】本発明によると、図1に示すように、先
ず、原料に金属アルコキシドを用い、ゾル−ゲル法によ
り、酸化珪素、酸化チタンの粉末を作製する。作製した
粉末は、全て1ミクロン以下の粒径であった。その粉末
にバインダ−を添加し、塗布するために適当な粘度を有
するペ−ストにする。このペ−ストを、表面をグリ−ス
等で塗ったシリコンウエハ−上に、厚さ15〜50ミク
ロンで均一に塗布する。塗布したシリコンウエハ−を十
分に乾燥させ、シリコニット又はカンタル線ヒ−タ−の
電気炉で、1000〜1200℃に加熱する。これによ
り、バインダ−を飛散させ、粉体同志を固相反応させ
る。特に、ゾル−ゲル法で得られた粉体は、粒子が非常
に細かいので、従来法よりも低温で固相反応し、簡単に
多孔質ガラス膜を作製することができる。
ず、原料に金属アルコキシドを用い、ゾル−ゲル法によ
り、酸化珪素、酸化チタンの粉末を作製する。作製した
粉末は、全て1ミクロン以下の粒径であった。その粉末
にバインダ−を添加し、塗布するために適当な粘度を有
するペ−ストにする。このペ−ストを、表面をグリ−ス
等で塗ったシリコンウエハ−上に、厚さ15〜50ミク
ロンで均一に塗布する。塗布したシリコンウエハ−を十
分に乾燥させ、シリコニット又はカンタル線ヒ−タ−の
電気炉で、1000〜1200℃に加熱する。これによ
り、バインダ−を飛散させ、粉体同志を固相反応させ
る。特に、ゾル−ゲル法で得られた粉体は、粒子が非常
に細かいので、従来法よりも低温で固相反応し、簡単に
多孔質ガラス膜を作製することができる。
【0016】次に、電気炉を用いヘリウム雰囲気中で、
塗布面を加熱し、多孔質ガラスを溶融させ、ガラスに
し、ガラスコ−ティング層を作製する。 そして、最後
に、作成されたガラス厚膜層を、エッチングして、3次
元導波路を作製するものである。
塗布面を加熱し、多孔質ガラスを溶融させ、ガラスに
し、ガラスコ−ティング層を作製する。 そして、最後
に、作成されたガラス厚膜層を、エッチングして、3次
元導波路を作製するものである。
【0017】本発明において、上記のように、多孔質ガ
ラスコ−ティングの作成が特に、重要であり、ガラス・
ゲル・ペ−スト塗る前に、基板の表面にグリ−ス等を塗
布する。そうすると、バインダ−除去のための高温処理
の際に、その薄膜に、クラックが発生することなく、熱
処理することができる。また、一般的に、ゲルガラス
は、共沈降法、或いはオ−トクレ−ブを利用して、作成
することができる。
ラスコ−ティングの作成が特に、重要であり、ガラス・
ゲル・ペ−スト塗る前に、基板の表面にグリ−ス等を塗
布する。そうすると、バインダ−除去のための高温処理
の際に、その薄膜に、クラックが発生することなく、熱
処理することができる。また、一般的に、ゲルガラス
は、共沈降法、或いはオ−トクレ−ブを利用して、作成
することができる。
【0018】多孔質ガラス層をガラス化する温度は、1
100〜1200℃である。多孔質ガラスが焼結して、
多孔が消えることが必要である。このように、本発明に
よる石英系光導波路作成方法では、低温でガラス化が可
能であり、非常に経済的な方法である。
100〜1200℃である。多孔質ガラスが焼結して、
多孔が消えることが必要である。このように、本発明に
よる石英系光導波路作成方法では、低温でガラス化が可
能であり、非常に経済的な方法である。
【0019】塗布する方法としては、バインダ−と混合
された作成したゲルペ−ストを、ドクタ−ブレ−ドで、
塗布することが好適である。これに限らず、スピンコ−
ト、吹き付け塗布、溶射塗布、刷毛塗布等を用いて行な
うことができる。
された作成したゲルペ−ストを、ドクタ−ブレ−ドで、
塗布することが好適である。これに限らず、スピンコ−
ト、吹き付け塗布、溶射塗布、刷毛塗布等を用いて行な
うことができる。
【0020】次に、本発明を具体的に実施例により説明
するが、本発明はそれらによって限定されるものではな
い。
するが、本発明はそれらによって限定されるものではな
い。
【0021】
【実施例】先ず、所定のシリコン、チタニウムの配合割
合になる割合の金属アルコキシドを、溶媒に溶解し、加
水分解をし、ゲル化させる。得られたゲル・ペ−スト
に、6〜10重量%のポリビニルブチラ−ルをバインダ
−として添加した。次に、表面を酸化処理したシリコン
ウエハ−の端に、1ミリ程度の壁を作り、ゲル・ペ−ス
トが、シリコンウェハ−からこぼれ落ちないようにす
る。
合になる割合の金属アルコキシドを、溶媒に溶解し、加
水分解をし、ゲル化させる。得られたゲル・ペ−スト
に、6〜10重量%のポリビニルブチラ−ルをバインダ
−として添加した。次に、表面を酸化処理したシリコン
ウエハ−の端に、1ミリ程度の壁を作り、ゲル・ペ−ス
トが、シリコンウェハ−からこぼれ落ちないようにす
る。
【0022】次に、シリコングリ−スをシリコンウェハ
−と壁の表面に均一に塗布する。これにより、ゲルとシ
リコンウェハ−が反応して、結合することを防止する。
図2Aに示すように、ゲル・ペ−スト2をシリコンウェ
ハ−1の表面に流し込み、温度を制御した容器の中で、
1〜7日間乾燥させる。その後、電気炉中で、1200
℃で、焼成し、図2Bに示すように、ゲルをガラス化さ
せる。
−と壁の表面に均一に塗布する。これにより、ゲルとシ
リコンウェハ−が反応して、結合することを防止する。
図2Aに示すように、ゲル・ペ−スト2をシリコンウェ
ハ−1の表面に流し込み、温度を制御した容器の中で、
1〜7日間乾燥させる。その後、電気炉中で、1200
℃で、焼成し、図2Bに示すように、ゲルをガラス化さ
せる。
【0023】同様な工程により、更に、屈折率を変えた
ガラスコ−ティングを積層させる。更に、エッチングを
して、導波路を作製し、同様な工程で、図2Eに示すよ
うに、ガラスコ−ティングを導波路上にコ−ティング
し、石英系ガラスの光導波路を作製する。
ガラスコ−ティングを積層させる。更に、エッチングを
して、導波路を作製し、同様な工程で、図2Eに示すよ
うに、ガラスコ−ティングを導波路上にコ−ティング
し、石英系ガラスの光導波路を作製する。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の石英系光
導波路作成方法により、次のような顕著な技術的効果が
得られた。第1に、原料として、ゲルから作成した粉末
を用いているため、生成粒子の径を容易に調整できるた
めに、ゲルから作成したガラス粒子は従来方法よりも低
い温度で固相反応が起こり、多孔質ガラスが得易く、こ
のために、多孔質ガラスを作製するのに、低コストの電
気炉の使用で可能であり、大幅なコスト低減できる石英
系光導波路作成方法を提供する。即ち、ガラス粉末を配
合、混合して、屈折率を調整することができるため、作
製方法は簡単で、簡単な器具により、容易に作製するこ
とが可能である。また、主に、原料として、珪素のアル
コシキドを用いるために、原料が非常に安価で、大幅に
低減できるコストで作製できる。更に、以上のような種
々のコストダウンが可能になり、且つ、加入者光装置を
作製するのに最大の問題になるコストダウンが可能にな
る。
導波路作成方法により、次のような顕著な技術的効果が
得られた。第1に、原料として、ゲルから作成した粉末
を用いているため、生成粒子の径を容易に調整できるた
めに、ゲルから作成したガラス粒子は従来方法よりも低
い温度で固相反応が起こり、多孔質ガラスが得易く、こ
のために、多孔質ガラスを作製するのに、低コストの電
気炉の使用で可能であり、大幅なコスト低減できる石英
系光導波路作成方法を提供する。即ち、ガラス粉末を配
合、混合して、屈折率を調整することができるため、作
製方法は簡単で、簡単な器具により、容易に作製するこ
とが可能である。また、主に、原料として、珪素のアル
コシキドを用いるために、原料が非常に安価で、大幅に
低減できるコストで作製できる。更に、以上のような種
々のコストダウンが可能になり、且つ、加入者光装置を
作製するのに最大の問題になるコストダウンが可能にな
る。
【0025】第2に、SiO2にTi成分を添加するこ
とにより屈折率を変化させる等の場合のように、多成分
を配合するときに、均一に混合され、セラミックを安価
に自由に膜厚が容易に自由にできる石英系ガラス光導波
路が作成される。第3に、また、本発明の方法では、簡
単な容器で作製できるため、大幅なコストダウンにでき
る石英系光導波路作成方法を提供する。
とにより屈折率を変化させる等の場合のように、多成分
を配合するときに、均一に混合され、セラミックを安価
に自由に膜厚が容易に自由にできる石英系ガラス光導波
路が作成される。第3に、また、本発明の方法では、簡
単な容器で作製できるため、大幅なコストダウンにでき
る石英系光導波路作成方法を提供する。
【図1】本発明の石英系光導波路作成方法を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図2】本発明の石英系光導波路作成方法を説明するた
めの工程順に示す断面図である。
めの工程順に示す断面図である。
1 Si基板 2 ゲルペ−スト 3 多孔質ガラス 4 ガラス層
Claims (1)
- 【請求項1】 石英系ガラス光導波路の作成方法におい
て、 ゾルゲル法でガラスゲル粉末を作成し、そのガラスゲル
粉末を原料に用いて、ゲル・ペ−ストを作成し、次に、
乾燥時に発生するクラックを防止するために、グリ−
ス、ワセリンから選択した塗布剤を塗った基板表面の上
に、前記ゲル・ペ−ストを塗布し、ガラス・ゲル・コ−
ティング層を形成し、その後、その形成されたガラス・
ゲル・コ−ティング層を熱処理し、多孔質ガラス薄膜と
し、更に、熱処理し、透明ガラス化し、石英系光導波路
とすることを特徴とする前記石英系光導波路作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24745891A JP3067860B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 石英系光導波路作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24745891A JP3067860B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 石英系光導波路作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588035A true JPH0588035A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3067860B2 JP3067860B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17163751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24745891A Expired - Fee Related JP3067860B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 石英系光導波路作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067860B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095459A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung planarer optischer wellenleiter |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP24745891A patent/JP3067860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095459A1 (de) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung planarer optischer wellenleiter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067860B2 (ja) | 2000-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07140336A (ja) | 光導波路 | |
| US5114738A (en) | Direct optical fiber glass formation techniques using chemically and/or physically removable filamentary substrates | |
| JP3067860B2 (ja) | 石英系光導波路作成方法 | |
| JP3283922B2 (ja) | プレーナ光導波路の作製方法及び得られたデバイス | |
| JPH0588034A (ja) | 石英系光導波路作成方法 | |
| US5261022A (en) | Optical waveguide of silica glass film on ceramic substrate | |
| US5378256A (en) | Method of manufacturing silica waveguide optical components | |
| US5198270A (en) | Method of forming a fiber preform with dopants dissolved in a liquid | |
| JPH09222525A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH01189614A (ja) | 石英系光導波路及びその製造方法 | |
| JPH05181030A (ja) | 石英系ガラス導波路の作製方法 | |
| JP2842874B2 (ja) | 導波路型光デバイスの製造方法 | |
| JPH05155636A (ja) | 石英系ガラス導波路作製方法 | |
| JPH05181029A (ja) | 石英系ガラス導波路の作製方法 | |
| JPH05181031A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| KR100221550B1 (ko) | 산화물 입자를 이용한 후막 형성방법 | |
| JP3293411B2 (ja) | 石英系ガラス導波路素子の製造方法 | |
| JPH05157926A (ja) | 石英系ガラス導波路作製方法 | |
| JPH06263452A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6212620A (ja) | 制御された屈折率を有するケイ酸塩ガラスの製造法およびそれを備えた光学装置 | |
| JPH08292335A (ja) | 光導波路作製方法 | |
| KR20010047296A (ko) | 에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법 | |
| JP2756378B2 (ja) | ガラス膜付基板及びその製造方法 | |
| JPH02137787A (ja) | ガラス被覆炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH039057B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080519 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |