JPH0588154A - 強誘電液晶素子 - Google Patents
強誘電液晶素子Info
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- JPH0588154A JPH0588154A JP3276293A JP27629391A JPH0588154A JP H0588154 A JPH0588154 A JP H0588154A JP 3276293 A JP3276293 A JP 3276293A JP 27629391 A JP27629391 A JP 27629391A JP H0588154 A JPH0588154 A JP H0588154A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶素子の液晶駆動時にセル内での液晶分子
の移動を抑え、表示品質を向上させる。 【構成】 複数の平行な帯状の表示電極１１ａ，１２
ａ，１１ｂ，１２ｂからなる層と絶縁層１３ａ，１３ｂ
と配向膜１４ａ，１４ｂとの少なくとも３つの層を表面
に有する一対の電極基板１ａ，１ｂを対向させ、両基板
間に強誘電液晶１６を封入した液晶表示素子において、
少なくとも一方の電極基板の画素間１７に前記表示電極
よりも高さの高い壁１８を設けたことを特徴とする。
の移動を抑え、表示品質を向上させる。 【構成】 複数の平行な帯状の表示電極１１ａ，１２
ａ，１１ｂ，１２ｂからなる層と絶縁層１３ａ，１３ｂ
と配向膜１４ａ，１４ｂとの少なくとも３つの層を表面
に有する一対の電極基板１ａ，１ｂを対向させ、両基板
間に強誘電液晶１６を封入した液晶表示素子において、
少なくとも一方の電極基板の画素間１７に前記表示電極
よりも高さの高い壁１８を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電液晶を用いた表
示素子に関する。
示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電液晶を用いた表示素子に関して
は、特開昭６１−９４０２３号公報などに示されている
ように、１ミクロンから３ミクロン位のセルギャップを
保って２枚の内面に透明電極を形成し配向処理を施した
ガラス基板を向かい合わせて構成した液晶セルに、強誘
電液晶を注入したものが知られている。
は、特開昭６１−９４０２３号公報などに示されている
ように、１ミクロンから３ミクロン位のセルギャップを
保って２枚の内面に透明電極を形成し配向処理を施した
ガラス基板を向かい合わせて構成した液晶セルに、強誘
電液晶を注入したものが知られている。
【０００３】強誘電液晶を用いた上記表示素子の特徴
は、強誘電液晶が自発分極を持つことにより外部電界と
自発分極の結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
できることである。
は、強誘電液晶が自発分極を持つことにより外部電界と
自発分極の結合力をスイッチングに使えることと、強誘
電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に
対応しているため外部電界の極性によってスイッチング
できることである。
【０００４】強誘電液晶は、一般にカイラル・スメクチ
ック液晶（ＳｍＣ＊．ＳｍＨ＊）を用いるので、バルク
状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、上述の
１ミクロンから３ミクロン位のセルギャップのセルにい
れることによって液晶分子長軸のねじれを解消すること
ができる（Ｐ２１３−Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＬＡＲＫｅｔ
ａｌ，ＭＣＬＣ，１９８３，Ｖｏｌ ９４）。
ック液晶（ＳｍＣ＊．ＳｍＨ＊）を用いるので、バルク
状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、上述の
１ミクロンから３ミクロン位のセルギャップのセルにい
れることによって液晶分子長軸のねじれを解消すること
ができる（Ｐ２１３−Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＬＡＲＫｅｔ
ａｌ，ＭＣＬＣ，１９８３，Ｖｏｌ ９４）。
【０００５】実際の強誘電液晶セルの構成は、図２に示
すような単純マトリックス基板を用いていた。同図にお
いて、３１はガラス基板、３２はＩＴＯのストライプ状
表示電極、３３はＳｉＯ2 の絶縁膜、３４はポリイミド
の配向膜、３５はシール部材、３６は強誘電液晶であ
る。強誘電液晶は以下ＦＬＣという。
すような単純マトリックス基板を用いていた。同図にお
いて、３１はガラス基板、３２はＩＴＯのストライプ状
表示電極、３３はＳｉＯ2 の絶縁膜、３４はポリイミド
の配向膜、３５はシール部材、３６は強誘電液晶であ
る。強誘電液晶は以下ＦＬＣという。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のセル構成を用い
た場合には、液晶セルの耐久性に次のような問題点があ
った。
た場合には、液晶セルの耐久性に次のような問題点があ
った。
【０００７】すなわち、ＦＬＣ分子はマトリックス駆動
時の非選択信号によってもある程度動くことが知られて
いる。これは、非選択信号を印加した画素の光学応答を
取ると印加パルスと同期して光量に変動を生じているこ
となどからも明らかである。いわゆるスプレイ配向（上
下基板間で分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）
では、このような分子のゆらぎは、それによって分子の
安定位置が変化（スイッチング）することがなければ表
示内容を保持できるので、若干のコントラストの低下以
外には問題とはならなかった。ところが、上下基板間で
の分子長軸方向の角度の変化の比較的少ない配向（以下
ユニホーム配向という）のセルにおいては、液晶分子が
電圧（例えば非選択信号）の印加によって層内を移動す
るという現象が見られる。
時の非選択信号によってもある程度動くことが知られて
いる。これは、非選択信号を印加した画素の光学応答を
取ると印加パルスと同期して光量に変動を生じているこ
となどからも明らかである。いわゆるスプレイ配向（上
下基板間で分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）
では、このような分子のゆらぎは、それによって分子の
安定位置が変化（スイッチング）することがなければ表
示内容を保持できるので、若干のコントラストの低下以
外には問題とはならなかった。ところが、上下基板間で
の分子長軸方向の角度の変化の比較的少ない配向（以下
ユニホーム配向という）のセルにおいては、液晶分子が
電圧（例えば非選択信号）の印加によって層内を移動す
るという現象が見られる。
【０００８】この現象を図２および図３を用いて詳しく
説明する。図３（ａ）は電圧印加前のセル状態、（ｂ）
は電圧印加後のセル状態を示す。ＦＬＣ３６は表面に配
向膜３４を形成されたガラス基板３１間においてシール
部材３５内に封止される。配向膜３４としてはポリイミ
ド薄膜を用い、ラビング方向は図３（ａ）、（ｂ）とも
に下から上に向かって上下基板とも平行に行なってい
る。このような処理を行なうと、スメクチック層は図３
（ｃ）に示すようにラビング方向と直交した方向に生成
される。
説明する。図３（ａ）は電圧印加前のセル状態、（ｂ）
は電圧印加後のセル状態を示す。ＦＬＣ３６は表面に配
向膜３４を形成されたガラス基板３１間においてシール
部材３５内に封止される。配向膜３４としてはポリイミ
ド薄膜を用い、ラビング方向は図３（ａ）、（ｂ）とも
に下から上に向かって上下基板とも平行に行なってい
る。このような処理を行なうと、スメクチック層は図３
（ｃ）に示すようにラビング方向と直交した方向に生成
される。
【０００９】セル厚をらせんピッチを解除できる位に充
分に薄くした場合において、ＦＬＣ分子は２つの安定状
態を取り得るが、その内の１つの状態にセル内の全分子
の方向を揃えておく。
分に薄くした場合において、ＦＬＣ分子は２つの安定状
態を取り得るが、その内の１つの状態にセル内の全分子
の方向を揃えておく。
【００１０】この状態を＋θの状態（図３（ｄ））とす
ると、層法線に対してほぼ対称に−θの位置に他の安定
状態が存在する。
ると、層法線に対してほぼ対称に−θの位置に他の安定
状態が存在する。
【００１１】この状態（＋θ）下でセル全面に電界（例
えば、１０Ｈｚ、±８Ｖの矩形波）を印加すると、液晶
分子は＋θの層法線に対する傾きを保ったまま図３
（ａ）中の点Ａから点Ｂの方向へ層内を移動し始める。
えば、１０Ｈｚ、±８Ｖの矩形波）を印加すると、液晶
分子は＋θの層法線に対する傾きを保ったまま図３
（ａ）中の点Ａから点Ｂの方向へ層内を移動し始める。
【００１２】その結果、電圧印加を長時間続けると図３
（ｂ）に示すように、Ａ端には液晶のない部分Ｅを生じ
セル厚はＢ部の方がＡ部より厚くなる。このような現象
は、液晶分子が−θの状態にある場合にはＢ端からＡ端
に向って層内を液晶が移動してＥ部のような液晶のない
空隙部がＢ端に生じる。
（ｂ）に示すように、Ａ端には液晶のない部分Ｅを生じ
セル厚はＢ部の方がＡ部より厚くなる。このような現象
は、液晶分子が−θの状態にある場合にはＢ端からＡ端
に向って層内を液晶が移動してＥ部のような液晶のない
空隙部がＢ端に生じる。
【００１３】このような現象は２０時間〜５０時間とい
う比較的短い時間に生じる。Ｅ部のような電気光学的に
コントロールのできない部分の存在が表示品質上望まし
くないのはもちろんのこと、Ａ部とＢ部のセル厚が時間
によって変化するのでは液晶パネル全体の駆動制御が難
しく、ＦＬＣを用いた光学素子としては大きな問題とな
っていた。
う比較的短い時間に生じる。Ｅ部のような電気光学的に
コントロールのできない部分の存在が表示品質上望まし
くないのはもちろんのこと、Ａ部とＢ部のセル厚が時間
によって変化するのでは液晶パネル全体の駆動制御が難
しく、ＦＬＣを用いた光学素子としては大きな問題とな
っていた。
【００１４】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなさ
れたものであって、液晶駆動時にセル内での液晶分子の
移動を抑え、表示品質を向上させた液晶表示素子の提供
を目的とする。
れたものであって、液晶駆動時にセル内での液晶分子の
移動を抑え、表示品質を向上させた液晶表示素子の提供
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明によれば、複数の平行な帯状の表示電極から
なる層と絶縁層と配向膜との少なくとも３つの層を表面
に有する一対の電極基板を対向させ、両基板間に強誘電
液晶を封入した液晶表示素子において、少なくとも一方
の電極基板の画素間に前記電極よりも高さの高い壁を設
けたことを特徴とする。
め、本発明によれば、複数の平行な帯状の表示電極から
なる層と絶縁層と配向膜との少なくとも３つの層を表面
に有する一対の電極基板を対向させ、両基板間に強誘電
液晶を封入した液晶表示素子において、少なくとも一方
の電極基板の画素間に前記電極よりも高さの高い壁を設
けたことを特徴とする。
【００１６】ここで画素間とは、液晶層の上下、少なく
とも一方に表示電極がない部分を呼び画素内とは液晶層
の上下に表示電極のある部分を言う。
とも一方に表示電極がない部分を呼び画素内とは液晶層
の上下に表示電極のある部分を言う。
【００１７】
【作用】すなわち、本発明は、画素内における液晶分子
の移動を他の画素へ拡大させないために、画素間に壁を
設け、液晶分子の移動を防止しようとするものである。
の移動を他の画素へ拡大させないために、画素間に壁を
設け、液晶分子の移動を防止しようとするものである。
【００１８】壁はＦＬＣ分子の移動を抑制する目的で設
けられるため、表示電極（透明電極、例えばＩＴＯ膜な
ど）よりも高く設定する必要がある。この高さが（表示
電極の高さ＋０．４μｍ）よりも低いとＦＬＣの移動を
防ぐことができない。該高さは、液晶分子の移動を抑制
するだけなら高ければ高い程良く、該壁の上方の配向膜
表面が対向基板に接すれば完全に長距離に渡る移動を抑
えることができる。しかし、この場合にはセル化すると
言う点から重大な欠陥が生じる。すなわち、ＦＬＣを注
入する工程でＦＬＣをセル全体に渡って均一に注入、充
填できなくなる点である。将来、現行の真空注入方式が
全く別の、例えば印刷技術と貼合わせ技術の大きな進歩
が可能とならない限り、基板表面が対向基板に接するよ
うな壁を設けることは実際上、極めて不都合である。そ
こで、現行技術で効率良く注入できる間隔を研究した結
果、０．２μｍ以上離れていれば良いことがわかった。
以上のことから、本発明においては機能とセル化技術の
整合性のある範囲として、壁の高さを表示電極より０．
４μｍ以上高い高さ以上で、両基板の表面間が０．２μ
ｍ以上離れる距離を望ましい範囲とした。
けられるため、表示電極（透明電極、例えばＩＴＯ膜な
ど）よりも高く設定する必要がある。この高さが（表示
電極の高さ＋０．４μｍ）よりも低いとＦＬＣの移動を
防ぐことができない。該高さは、液晶分子の移動を抑制
するだけなら高ければ高い程良く、該壁の上方の配向膜
表面が対向基板に接すれば完全に長距離に渡る移動を抑
えることができる。しかし、この場合にはセル化すると
言う点から重大な欠陥が生じる。すなわち、ＦＬＣを注
入する工程でＦＬＣをセル全体に渡って均一に注入、充
填できなくなる点である。将来、現行の真空注入方式が
全く別の、例えば印刷技術と貼合わせ技術の大きな進歩
が可能とならない限り、基板表面が対向基板に接するよ
うな壁を設けることは実際上、極めて不都合である。そ
こで、現行技術で効率良く注入できる間隔を研究した結
果、０．２μｍ以上離れていれば良いことがわかった。
以上のことから、本発明においては機能とセル化技術の
整合性のある範囲として、壁の高さを表示電極より０．
４μｍ以上高い高さ以上で、両基板の表面間が０．２μ
ｍ以上離れる距離を望ましい範囲とした。
【００１９】上記構成により、ＦＬＣの移動を防止する
ことができる。
ことができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００２１】図１は、本発明の一実施例に係る強誘電液
晶表示素子の構成を示す。図１において、１ａ，１ｂは
ガラス基板、１１ａ，１１ｂはガラス基板上にスパッタ
法でストライプ状に形成された約１５０ｎｍのＩＴＯパ
ターンからなる透明電極（表示電極）、１２ａ，１２ｂ
はＩＴＯパターン上の少なくとも一部にスパッタ法で形
成された約１００〜２００ｎｍの金属補助電極（Ａｌま
たはＭｏ等）、１３ａ，１３ｂは電極上に形成された約
２００ｎｍの絶縁膜（Ｔａ2Ｏ5 等）、１４ａ，１４ｂ
はＦＬＣを配向させるための約２０ｎｍの配向膜、１５
は均一なセルギャップを得るためのギャップ材（ＳｉＯ
2）、１６はＦＬＣ材料、１７は画素間、１８は本発明
の特徴とする画素間に形成された壁を示す。上記に示し
た材料および膜厚などの値は、数ある組合わせの一例で
あって、特に該数値例に限られるものではない。
晶表示素子の構成を示す。図１において、１ａ，１ｂは
ガラス基板、１１ａ，１１ｂはガラス基板上にスパッタ
法でストライプ状に形成された約１５０ｎｍのＩＴＯパ
ターンからなる透明電極（表示電極）、１２ａ，１２ｂ
はＩＴＯパターン上の少なくとも一部にスパッタ法で形
成された約１００〜２００ｎｍの金属補助電極（Ａｌま
たはＭｏ等）、１３ａ，１３ｂは電極上に形成された約
２００ｎｍの絶縁膜（Ｔａ2Ｏ5 等）、１４ａ，１４ｂ
はＦＬＣを配向させるための約２０ｎｍの配向膜、１５
は均一なセルギャップを得るためのギャップ材（ＳｉＯ
2）、１６はＦＬＣ材料、１７は画素間、１８は本発明
の特徴とする画素間に形成された壁を示す。上記に示し
た材料および膜厚などの値は、数ある組合わせの一例で
あって、特に該数値例に限られるものではない。
【００２２】１８で示した壁を耐熱性の優れた感光性ポ
リイミド・ポリアミドを用い、表示電極のＩＴＯ膜より
も、０．４μｍ高く（すなわちガラス面から０．５５μ
ｍの高さ）、画素間１７に沿って形成した。耐熱性の優
れた材料を用いた理由は、配向膜を高温で（２５０℃以
上）形成した方が、ＦＬＣの配向が優れているためであ
る。
リイミド・ポリアミドを用い、表示電極のＩＴＯ膜より
も、０．４μｍ高く（すなわちガラス面から０．５５μ
ｍの高さ）、画素間１７に沿って形成した。耐熱性の優
れた材料を用いた理由は、配向膜を高温で（２５０℃以
上）形成した方が、ＦＬＣの配向が優れているためであ
る。
【００２３】上記のＩＴＯパターン、金属補助電極およ
び配向膜を形成された基板１ａ，１ｂを、セルギャップ
が画素内で１．３μｍになるように対向させ、ＦＬＣを
注入した液晶表示素子を作製して駆動したところ、５０
０時間経過してもセル厚が変化することなく、表示品位
の良い素子となった。
び配向膜を形成された基板１ａ，１ｂを、セルギャップ
が画素内で１．３μｍになるように対向させ、ＦＬＣを
注入した液晶表示素子を作製して駆動したところ、５０
０時間経過してもセル厚が変化することなく、表示品位
の良い素子となった。
【００２４】
【他の実施例】実施例１と同等の構成において、セルギ
ャップを１．５μｍとした。画素間に設けた壁はその上
方の配向膜表面の対向基板表面からの距離が０．２μｍ
となるように予め高さを設定した。
ャップを１．５μｍとした。画素間に設けた壁はその上
方の配向膜表面の対向基板表面からの距離が０．２μｍ
となるように予め高さを設定した。
【００２５】このセルは実施例１のセルに比べ、ＦＬＣ
を注入する時間は長くかかった（２日ほど）が、注入欠
陥はなく、また、該セルを駆動しても、１０００時間経
過してもセル厚が変化することなく、表示品位の良い素
子となった。
を注入する時間は長くかかった（２日ほど）が、注入欠
陥はなく、また、該セルを駆動しても、１０００時間経
過してもセル厚が変化することなく、表示品位の良い素
子となった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素間にＦＬＣの移動を防止する壁を設けることによ
り、ＦＬＣ表示素子の信頼性の欠点であったセル厚変化
を防ぐ効果がある。
画素間にＦＬＣの移動を防止する壁を設けることによ
り、ＦＬＣ表示素子の信頼性の欠点であったセル厚変化
を防ぐ効果がある。
【図１】 本発明の一実施例に係る強誘電液晶表示素子
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】 従来の液晶セルの断面図および電極パターン
図である。
図である。
【図３】 従来技術の説明図である。
１ａ，１ｂ：ガラス基板、１１ａ，１１ｂ：透明電極
（表示電極）、１２ａ，１２ｂ：金属補助電極、１３
ａ，１３ｂ：絶縁膜、１４ａ，１４ｂ：配向膜、１５：
ギャップ材、１６：ＦＬＣ材料、１７：画素間、１８：
ＦＬＣ移動防止壁、３１：ガラス基板、３２：ＩＴＯス
トライプ電極、３３：ＳｉＯ2 絶縁膜、３４：ポリイミ
ド配向膜、３５：シール部材、３６：液晶。
（表示電極）、１２ａ，１２ｂ：金属補助電極、１３
ａ，１３ｂ：絶縁膜、１４ａ，１４ｂ：配向膜、１５：
ギャップ材、１６：ＦＬＣ材料、１７：画素間、１８：
ＦＬＣ移動防止壁、３１：ガラス基板、３２：ＩＴＯス
トライプ電極、３３：ＳｉＯ2 絶縁膜、３４：ポリイミ
ド配向膜、３５：シール部材、３６：液晶。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の平行な帯状の表示電極からなる層
と絶縁層と配向膜との少なくとも３つの層を表面に有す
る一対の電極基板を対向させ、両基板間に強誘電液晶を
封入した液晶表示素子において、少なくとも一方の電極
基板の画素間に前記電極よりも高さの高い壁を設けたこ
とを特徴とする強誘電液晶素子。 - 【請求項２】 前記壁の高さが、前記表示電極の高さよ
りも少なくとも０．４μｍ以上高く、かつ前記両電極基
板の表面間の間隔が前記壁の上方で少なくとも０．２μ
ｍ以上離れていることを特徴とする請求項１に記載した
強誘電液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276293A JPH0588154A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 強誘電液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276293A JPH0588154A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 強誘電液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588154A true JPH0588154A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17567435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3276293A Pending JPH0588154A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 強誘電液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0588154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8344700B2 (en) | 2008-03-03 | 2013-01-01 | Panasonic Corporation | Charging method and charger |
| US9583959B2 (en) | 2010-10-12 | 2017-02-28 | Nec Corporation | Charging apparatus |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3276293A patent/JPH0588154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8344700B2 (en) | 2008-03-03 | 2013-01-01 | Panasonic Corporation | Charging method and charger |
| US9583959B2 (en) | 2010-10-12 | 2017-02-28 | Nec Corporation | Charging apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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