JPH0799416B2 - 液晶装置 - Google Patents
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- JPH0799416B2 JPH0799416B2 JP60287108A JP28710885A JPH0799416B2 JP H0799416 B2 JPH0799416 B2 JP H0799416B2 JP 60287108 A JP60287108 A JP 60287108A JP 28710885 A JP28710885 A JP 28710885A JP H0799416 B2 JPH0799416 B2 JP H0799416B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、面積階調方式を用いた階調表示用液晶素子及
びその駆動方向に関し、詳しくは双安定性下の強誘電性
液晶を用いた液晶テレビジヨンの様な表示パネルに適し
た階調表示用液晶装置に関する。
びその駆動方向に関し、詳しくは双安定性下の強誘電性
液晶を用いた液晶テレビジヨンの様な表示パネルに適し
た階調表示用液晶装置に関する。
従来のアクテイブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジヨンパネルでは、薄膜トランジスタ（TFT）を画素
毎にマトリクス配置し、TFTにゲートオンパルスを印加
してソースとドレイン間を導通状態とし、この時映像画
像信号がソースから印加され、キヤパシタに蓄積され、
この蓄積された画像信号に対応して液晶（例えばツイス
テツド・ネマチツク−TN液晶）が駆動し、同時に映像信
号の電圧を変調することによって階調表示が行なわれて
いる。
ビジヨンパネルでは、薄膜トランジスタ（TFT）を画素
毎にマトリクス配置し、TFTにゲートオンパルスを印加
してソースとドレイン間を導通状態とし、この時映像画
像信号がソースから印加され、キヤパシタに蓄積され、
この蓄積された画像信号に対応して液晶（例えばツイス
テツド・ネマチツク−TN液晶）が駆動し、同時に映像信
号の電圧を変調することによって階調表示が行なわれて
いる。
しかし、この様なTN液晶を用いたアクテイブマトリクス
駆動方式のテレビジヨンパネルでは、使用するTFTが複
雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高い製
造コストがネツクとなっている上に、TFTを構成してい
る薄膜半導体（例えば、ポリシリコン、アモルフアスシ
リコン）を広い面積に亘って被膜形成することが難しい
などの問題点がある。
駆動方式のテレビジヨンパネルでは、使用するTFTが複
雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高い製
造コストがネツクとなっている上に、TFTを構成してい
る薄膜半導体（例えば、ポリシリコン、アモルフアスシ
リコン）を広い面積に亘って被膜形成することが難しい
などの問題点がある。
一方、低い製造コストで製造できるものとしてTN液晶を
用いたパツシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知ら
れているが、この表示パネルでは走査線（Ｎ）が増大す
るに従って、１画面（１フレーム）を走査する間に１つ
の選択点に有効な電界が印加されている時間（デユーテ
イー比）が1/Nの割合で減少し、このためクロストーク
が発生し、しかも高コントラストの画像とならないなど
の欠点を有している上、デユーテイー比が低くなると各
画素の階調を電圧変調により制御することが難しくなる
など、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビジヨ
ンパネルには適していない。
用いたパツシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知ら
れているが、この表示パネルでは走査線（Ｎ）が増大す
るに従って、１画面（１フレーム）を走査する間に１つ
の選択点に有効な電界が印加されている時間（デユーテ
イー比）が1/Nの割合で減少し、このためクロストーク
が発生し、しかも高コントラストの画像とならないなど
の欠点を有している上、デユーテイー比が低くなると各
画素の階調を電圧変調により制御することが難しくなる
など、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビジヨ
ンパネルには適していない。
この様な従来のTN液晶がもつ根本的な問題点を解決する
ものとして、クラークとラガーウオルらの米国特許第43
67924号公報などで双安定性を持つ強誘電性液晶素子が
提案されている。
ものとして、クラークとラガーウオルらの米国特許第43
67924号公報などで双安定性を持つ強誘電性液晶素子が
提案されている。
しかしながら、前述の双安定性をもつ強誘電性液晶を使
用した画像表示においては、強誘電液晶分子の状態がメ
モリ性を有する状態であると、２つの双安定状態のいず
れかに安定しようとして、中間的な分子位置を少なくと
も理想的には取らないため、従来のアナログ的な分子挙
動を取り得ず、階調表現に不向きであると考えられてい
た。だからと言って、デイザ法による階調表示では、解
像度を低下させることになり、表示品質上の要求に答え
られず、特に、電極をエツチングで形成する場合には１
画素のサイズに限界があるので好ましくなかった。
用した画像表示においては、強誘電液晶分子の状態がメ
モリ性を有する状態であると、２つの双安定状態のいず
れかに安定しようとして、中間的な分子位置を少なくと
も理想的には取らないため、従来のアナログ的な分子挙
動を取り得ず、階調表現に不向きであると考えられてい
た。だからと言って、デイザ法による階調表示では、解
像度を低下させることになり、表示品質上の要求に答え
られず、特に、電極をエツチングで形成する場合には１
画素のサイズに限界があるので好ましくなかった。
〔問題点を解決しようとする手段〕及び〔作用〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しく
は広い面積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に
液晶テレビジヨンパネルにおける階調表示のための液晶
装置を提供することにある。
は広い面積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に
液晶テレビジヨンパネルにおける階調表示のための液晶
装置を提供することにある。
すなわち、本発明は、a.間隔を置いて交差配置した第１
のストライプ形状電極と第２のストライプ形状電極とを
有し、該第１のストライプ形状電極と第２のストライプ
形状電極とが交差した交差部内に、第１のストライプ形
状電極の短手方向に沿って異なる電極間距離を形成する
様に、第１のストライプ形状電極を第２のストライプ形
状電極に対して間隔を置いて対向配置したマトリクス電
極、第１のストライプ形状電極の上に設けられ、且つ該
第１のストライプ形状電極の長手方向に沿った一軸性配
向処理を施した配向制御膜、及び第１のストライプ形状
電極と第２のストライプ形状電極との間隔に配置したカ
イラルスメクチック液晶を備えた液晶パネル、並びに b.前記第１のストライプ形状電極に順次走査信号を印加
し、該走査信号が印加された第１のストライプ形状電極
上の第２のストライプ形状電極との交差部に、階調情報
に応じた電圧信号が印加される様に、該走査信号と同期
させて第２のストライプ形状電極に情報信号を印加する
マトリクス駆動手段、又は前記第２のストライプ形状電
極に順次走査信号を印加し、該走査信号が印加された第
２のストライプ形状電極上の第１のストライプ形状電極
との交差部に、階調情報に応じた電圧信号が印加される
様に、該走査信号と同期させて第１のストライプ形状電
極に情報信号を印加するマトリクス駆動手段 を有する液晶装置に特徴がある。
のストライプ形状電極と第２のストライプ形状電極とを
有し、該第１のストライプ形状電極と第２のストライプ
形状電極とが交差した交差部内に、第１のストライプ形
状電極の短手方向に沿って異なる電極間距離を形成する
様に、第１のストライプ形状電極を第２のストライプ形
状電極に対して間隔を置いて対向配置したマトリクス電
極、第１のストライプ形状電極の上に設けられ、且つ該
第１のストライプ形状電極の長手方向に沿った一軸性配
向処理を施した配向制御膜、及び第１のストライプ形状
電極と第２のストライプ形状電極との間隔に配置したカ
イラルスメクチック液晶を備えた液晶パネル、並びに b.前記第１のストライプ形状電極に順次走査信号を印加
し、該走査信号が印加された第１のストライプ形状電極
上の第２のストライプ形状電極との交差部に、階調情報
に応じた電圧信号が印加される様に、該走査信号と同期
させて第２のストライプ形状電極に情報信号を印加する
マトリクス駆動手段、又は前記第２のストライプ形状電
極に順次走査信号を印加し、該走査信号が印加された第
２のストライプ形状電極上の第１のストライプ形状電極
との交差部に、階調情報に応じた電圧信号が印加される
様に、該走査信号と同期させて第１のストライプ形状電
極に情報信号を印加するマトリクス駆動手段 を有する液晶装置に特徴がある。
以下、本発明を図面に従って説明する。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、加えられる電界
に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的安定状態
とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態
を有する物質、特にこのような性質を有する液晶が用い
られる。
に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的安定状態
とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態
を有する物質、特にこのような性質を有する液晶が用い
られる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クチツクＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmC＊）の液晶が適し
ている。この強誘電性液晶については、“ル・ジユール
ナル・ド・フイジーク・ルテール”（“LE JOURNAL DE
PHYSIQUE LETTER"）1975年，36（Ｌ−69）号，「フエロ
エレクトリツク・リキツド・クリスタルス」（「Ferroe
lectric Liquid Crystals」）；“アプライド・フイジ
ツクス・レターズ”（“Applied Physics Lettere"（19
80年，36（11）号，「サブミクロ・セカンド・バイステ
イブル・エチクトロオプチツク・スイツチング・イン・
リキツド・クリスタルス」（「Submicro Second Bistab
le Electrooptic Switching in Liquid Crystals」）；
“固体物理"1981年，16（141）号，「液晶」等に記載さ
れていて、本発明においても、これらに開示された強誘
電性液晶を使用する。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クチツクＣ相（SmC＊）又はＨ相（SmC＊）の液晶が適し
ている。この強誘電性液晶については、“ル・ジユール
ナル・ド・フイジーク・ルテール”（“LE JOURNAL DE
PHYSIQUE LETTER"）1975年，36（Ｌ−69）号，「フエロ
エレクトリツク・リキツド・クリスタルス」（「Ferroe
lectric Liquid Crystals」）；“アプライド・フイジ
ツクス・レターズ”（“Applied Physics Lettere"（19
80年，36（11）号，「サブミクロ・セカンド・バイステ
イブル・エチクトロオプチツク・スイツチング・イン・
リキツド・クリスタルス」（「Submicro Second Bistab
le Electrooptic Switching in Liquid Crystals」）；
“固体物理"1981年，16（141）号，「液晶」等に記載さ
れていて、本発明においても、これらに開示された強誘
電性液晶を使用する。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、ヘ
キシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ
プロピルシンナメート（HOBACPC）および４−ｏ−（２
−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチルア
ニリン（MBRA8）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、ヘ
キシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ
プロピルシンナメート（HOBACPC）および４−ｏ−（２
−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチルア
ニリン（MBRA8）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がSmC＊相又はSmH＊相となるような温度状態に保持す
る為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブ
ロツク等により支持することができる。
物がSmC＊相又はSmH＊相となるような温度状態に保持す
る為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブ
ロツク等により支持することができる。
又、前述のSmC＊やSmH＊の他にカイラルスメクチツクＩ
相（SmI＊）、Ｊ相（SmJ＊）、Ｇ相（SmG＊）、Ｆ相（S
mF＊）、Ｋ相（SmK＊）などで現われる強誘電性液晶を
用いることもできる。
相（SmI＊）、Ｊ相（SmJ＊）、Ｇ相（SmG＊）、Ｆ相（S
mF＊）、Ｋ相（SmK＊）などで現われる強誘電性液晶を
用いることもできる。
又、本発明では、前述の双安定性カイラルスメクチツク
液晶の他に、少なくとも２つの安定配向状態をもつカイ
ラルスメクチツク液晶にも適用することができる。
液晶の他に、少なくとも２つの安定配向状態をもつカイ
ラルスメクチツク液晶にも適用することができる。
第10図は強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもので
ある。1aと1bは、In2O3，SnO2やITO（Indium-Tin Oxid
e）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう
配向したSmC＊相が液晶が封入されている。太線で示し
た線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、
その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）４
を有している。基板1aと1b上の電極間に一点の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電界方向に向
くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。
液晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子（クロス偏光手段）を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えば１μ）には、第11図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、ほどけ
（非らせん構造）、その双極子モーメントPa又はPbは上
向き（4a）又は下向き（4b）のどちらかの状態をとる。
このようなセルに第４図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異る電界Ea又はEbを所定時間付与すると、双極子モ
ーメントは電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向
き4a又は、下向き4bと向きを変え、それに応じて液晶分
子は第一の配向状態5aかあるいは第二の配向状態5bの何
れか一方に配向する。
ある。1aと1bは、In2O3，SnO2やITO（Indium-Tin Oxid
e）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう
配向したSmC＊相が液晶が封入されている。太線で示し
た線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、
その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）４
を有している。基板1aと1b上の電極間に一点の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電界方向に向
くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。
液晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子（クロス偏光手段）を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えば１μ）には、第11図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、ほどけ
（非らせん構造）、その双極子モーメントPa又はPbは上
向き（4a）又は下向き（4b）のどちらかの状態をとる。
このようなセルに第４図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異る電界Ea又はEbを所定時間付与すると、双極子モ
ーメントは電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して上向
き4a又は、下向き4bと向きを変え、それに応じて液晶分
子は第一の配向状態5aかあるいは第二の配向状態5bの何
れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２の液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第11図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第一の配向状態5aに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第二の配向状態5b
に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。又、与える電極Eaが一
定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり
維持されている。このような応答速度の速さと、双安定
性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には、0.5μ〜20μ、特に１μ
〜５μが適している。この種の強誘電性液晶を用いたマ
トリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例え
ばクラークとラガバルにより、米国特許第4367924号明
細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２の液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第11図によって説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第一の配向状態5aに配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第二の配向状態5b
に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電界を
切ってもこの状態に留っている。又、与える電極Eaが一
定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり
維持されている。このような応答速度の速さと、双安定
性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には、0.5μ〜20μ、特に１μ
〜５μが適している。この種の強誘電性液晶を用いたマ
トリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例え
ばクラークとラガバルにより、米国特許第4367924号明
細書で提案されている。
本発明は、少なくとも２つの安定状態をもつ強誘電性液
晶、特に前述した強誘電性液晶の双安定性を有する状態
下で使用する場合、セル構造に工夫を加えるものであ
り、詳しくは強誘電性液晶の層厚を連続的又は段階的に
変化させ、この層厚変化に対応させて一対の電極間の間
隔をやはり連続的又は段階的に変化させることにより、
所望の階調表示を可能とするものである。
晶、特に前述した強誘電性液晶の双安定性を有する状態
下で使用する場合、セル構造に工夫を加えるものであ
り、詳しくは強誘電性液晶の層厚を連続的又は段階的に
変化させ、この層厚変化に対応させて一対の電極間の間
隔をやはり連続的又は段階的に変化させることにより、
所望の階調表示を可能とするものである。
先に述べたように、双安定性を有する強誘電性液晶素子
は２つの異なる極性電界をそれぞれ印加することによ
り、液晶の配向方向を変化させ、これにより光学変調を
行うことができる。
は２つの異なる極性電界をそれぞれ印加することによ
り、液晶の配向方向を変化させ、これにより光学変調を
行うことができる。
本発明では、強誘電性液晶を用いた素子を駆動するに
は、一般には矩形パルスを一対の電極間から液晶層に印
加することによって行なわれる。強誘電性液晶は、矩形
パルスにより与えられる電界に対して急俊な閾値特性を
持っている。すなわち、ある電界以下では応答はしない
が、ある電界以上で、例えば２つの安定状態間の転移が
なされる。本発明では、一画素内の液晶層膜および電極
間隔に変化分布を持たせて、画素内にある電圧のパルス
が印加された際の電界強度に差を発生させ、その電界強
度により画素内に反転する領域と反転しない領域ができ
るため、その反転領域の割合によって階調を制御するこ
とを可能とすることができる。
は、一般には矩形パルスを一対の電極間から液晶層に印
加することによって行なわれる。強誘電性液晶は、矩形
パルスにより与えられる電界に対して急俊な閾値特性を
持っている。すなわち、ある電界以下では応答はしない
が、ある電界以上で、例えば２つの安定状態間の転移が
なされる。本発明では、一画素内の液晶層膜および電極
間隔に変化分布を持たせて、画素内にある電圧のパルス
が印加された際の電界強度に差を発生させ、その電界強
度により画素内に反転する領域と反転しない領域ができ
るため、その反転領域の割合によって階調を制御するこ
とを可能とすることができる。
第１図は、本発明の液晶素子の代表例を示す断面図であ
る。
る。
第１図に示す階調表示用液晶素子11は、強誘電性液晶12
の膜厚が段階的にd1，d2，d3及びd4と変化した分布を有
しており、この変化分布に対応して一対の透明電極13a
（ステツプ電極）と13b（フラツト電極）の間隔が段階
的に変化した分布を有している。前述の変化した分布を
有する膜厚と変化した分布を有する電極間隔を形成する
ためにガラス板やプラスチツクフイルムなどの基体14a
の上にステツプ絶縁膜15が形成される。又、それぞれ透
明電極13aと13bの上には強誘電性液晶12のスメクチツク
分子層を一方向に優先して配向させる壁効果をもつ配向
制御膜16aと16bを形成することができる。
の膜厚が段階的にd1，d2，d3及びd4と変化した分布を有
しており、この変化分布に対応して一対の透明電極13a
（ステツプ電極）と13b（フラツト電極）の間隔が段階
的に変化した分布を有している。前述の変化した分布を
有する膜厚と変化した分布を有する電極間隔を形成する
ためにガラス板やプラスチツクフイルムなどの基体14a
の上にステツプ絶縁膜15が形成される。又、それぞれ透
明電極13aと13bの上には強誘電性液晶12のスメクチツク
分子層を一方向に優先して配向させる壁効果をもつ配向
制御膜16aと16bを形成することができる。
前述した様に、膜厚d1，d2，d3及びd4の強誘電性液晶12
に印加される電界強度がそれぞれの膜厚領域で異なって
いるので、階調に応じた電圧波高値のパルス信号あるい
は階調に応じたパルス幅又はパルス数の信号を印加し、
膜厚d1〜d4に応じて画素内で反転閾値電圧を越えた領域
と、越えない領域を形成することによって階調性を表現
することができる。
に印加される電界強度がそれぞれの膜厚領域で異なって
いるので、階調に応じた電圧波高値のパルス信号あるい
は階調に応じたパルス幅又はパルス数の信号を印加し、
膜厚d1〜d4に応じて画素内で反転閾値電圧を越えた領域
と、越えない領域を形成することによって階調性を表現
することができる。
又、本発明では前述の階調信号を印加するに先立って、
画素を明状態か暗状態のうち何れか一方の状態にする消
去ステツプを経てから、その状態を反転させる反転電圧
が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加される様
にしておくことが必要である。
画素を明状態か暗状態のうち何れか一方の状態にする消
去ステツプを経てから、その状態を反転させる反転電圧
が階調に応じて制御されて強誘電性液晶に印加される様
にしておくことが必要である。
第２図は電気信号の印加方法を模式的に示したものであ
り、第３図及び第４図は電気信号である。第３図は、第
２図の駆動回路23で発生するシグナル（ａ）の波形を、
第４図（ａ）〜（ｅ）は第２図の駆動回路23で発生する
シグナル（ｂ）の波形を表わしている。
り、第３図及び第４図は電気信号である。第３図は、第
２図の駆動回路23で発生するシグナル（ａ）の波形を、
第４図（ａ）〜（ｅ）は第２図の駆動回路23で発生する
シグナル（ｂ）の波形を表わしている。
さてシグナル（ａ）として12Vの1msecパルスを又シグナ
ル（ｂ）として、−8Vの1msecパルスをあらかじめ同期
して与える（これを消去パルスと呼ぶ）消去ステツプを
設ける。すると、液晶は第１の安定状態にスイツチング
され、画素Ａ全体が明状態となる（このようにクロス偏
光板を配置した）。この状態より、第４図（ａ）〜
（ｅ）に示されるような種々のパルスをもつ階調信号を
シグナル（ｂ）として透明ステツプ電極13aに第３図の
パルスに同期させて印加し、これによって画素Ａの光学
状態を第５図（ａ）〜（ｅ）に示す状態に設定させるこ
とができる。
ル（ｂ）として、−8Vの1msecパルスをあらかじめ同期
して与える（これを消去パルスと呼ぶ）消去ステツプを
設ける。すると、液晶は第１の安定状態にスイツチング
され、画素Ａ全体が明状態となる（このようにクロス偏
光板を配置した）。この状態より、第４図（ａ）〜
（ｅ）に示されるような種々のパルスをもつ階調信号を
シグナル（ｂ）として透明ステツプ電極13aに第３図の
パルスに同期させて印加し、これによって画素Ａの光学
状態を第５図（ａ）〜（ｅ）に示す状態に設定させるこ
とができる。
第５図（ａ）に示す表示状態は、第４図（ａ）に示すパ
ルス（OV）が印加された時の状態で、先の消去ステツプ
時の明状態51がそのまま維持される。第５図（ｂ）〜
（ｄ）に示す表示状態は、それぞれ中間調信号に相当す
る第４図（ｂ）〜（ｄ）に示すパルスが印加され、明状
態51が膜厚d1〜d4に応じて暗状態52に反転された状態を
表わしている。
ルス（OV）が印加された時の状態で、先の消去ステツプ
時の明状態51がそのまま維持される。第５図（ｂ）〜
（ｄ）に示す表示状態は、それぞれ中間調信号に相当す
る第４図（ｂ）〜（ｄ）に示すパルスが印加され、明状
態51が膜厚d1〜d4に応じて暗状態52に反転された状態を
表わしている。
すなわち、第５図（ｂ）は、第４図（ｂ）に示す−2V,1
msecのパルスを印加した時、画素Ａ内の膜厚d1に対応し
た領域が暗状態に反転した表示状態を表わしている。第
５図（ｃ）は、第４図（ｃ）に示す−4V,1msecのパルス
を印加した時、画素Ａ内の膜厚d1とd2に対応した領域が
暗状態に反転した表示状態を表わし、又第５図（ｄ）は
第４図（ｄ）に示す−6V,1msecのパルスを印加した時、
画素Ａ内の膜厚d1，d2とd3に対応した領域が暗状態に反
転した表示状態を表わしている。
msecのパルスを印加した時、画素Ａ内の膜厚d1に対応し
た領域が暗状態に反転した表示状態を表わしている。第
５図（ｃ）は、第４図（ｃ）に示す−4V,1msecのパルス
を印加した時、画素Ａ内の膜厚d1とd2に対応した領域が
暗状態に反転した表示状態を表わし、又第５図（ｄ）は
第４図（ｄ）に示す−6V,1msecのパルスを印加した時、
画素Ａ内の膜厚d1，d2とd3に対応した領域が暗状態に反
転した表示状態を表わしている。
そして、第５図（ｅ）の表示状態は画素Ａ内の膜厚d1，
d2，d3とd4に対応した領域、すなわち、画素Ａの全体が
暗状態52に反転した状態である。
d2，d3とd4に対応した領域、すなわち、画素Ａの全体が
暗状態52に反転した状態である。
又、本発明は、第２図に示す透明フラツト電極13bをス
トライプ形状とし、同様に透明ステツプ電極13aをスト
ライプ形状とし、それぞれの透明電極13aと13bとを互い
に交差させたマトリクス電極構造とすることができる。
トライプ形状とし、同様に透明ステツプ電極13aをスト
ライプ形状とし、それぞれの透明電極13aと13bとを互い
に交差させたマトリクス電極構造とすることができる。
本発明の駆動法では、周波数を階調に応じて変化させる
ことによって階調性を再現することができる。第６図そ
の具体例を表わしている。すなわち、第６図（ａ）〜
（ｅ）に示す様に、階調に応じたパルス幅の信号を、例
えば前述した第４図（ａ）〜（ｅ）のパルスに代えて印
加することによっても、第５図に示す階調の表示を行な
うことができる。この際、第６図（ｂ）〜（ｃ）のパル
スが中間調信号に対応している。又、本発明では、パル
ス数変化によっても同様の階調表示を行なうことができ
る。
ことによって階調性を再現することができる。第６図そ
の具体例を表わしている。すなわち、第６図（ａ）〜
（ｅ）に示す様に、階調に応じたパルス幅の信号を、例
えば前述した第４図（ａ）〜（ｅ）のパルスに代えて印
加することによっても、第５図に示す階調の表示を行な
うことができる。この際、第６図（ｂ）〜（ｃ）のパル
スが中間調信号に対応している。又、本発明では、パル
ス数変化によっても同様の階調表示を行なうことができ
る。
又、第１図及び第２図で示す液晶素子は、片側の透明電
極のみを透明ステツプ電極としたが、本発明の液晶素子
では、両側の対となっている２つの透明電極を透明ステ
ツプ電極とすることができる。
極のみを透明ステツプ電極としたが、本発明の液晶素子
では、両側の対となっている２つの透明電極を透明ステ
ツプ電極とすることができる。
第７図は、本発明の液晶素子の別の態様を表わす断面図
である。第７図に示す液晶素子は、一対の電極の間隔と
強誘電性液晶の膜厚がともに連続的に変化した分布を形
成するために、くさび形状の絶縁膜72とその上に形成し
た透明電極71が設けられている。
である。第７図に示す液晶素子は、一対の電極の間隔と
強誘電性液晶の膜厚がともに連続的に変化した分布を形
成するために、くさび形状の絶縁膜72とその上に形成し
た透明電極71が設けられている。
本発明で用いる配向制御膜16aと16bとしては、例えば、
一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フツ化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂や
アクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した
膜にラビング処理などの一軸性配向処理を施した配向制
御膜を用いることができる。
一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フツ化マグネシウム、酸化セリウム、フツ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂や
アクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した
膜にラビング処理などの一軸性配向処理を施した配向制
御膜を用いることができる。
又、本発明の液晶素子で用いるステツプ絶縁膜15は、フ
オトリソグラフイー技術を繰返すことによって得ること
ができ、この際に用いる絶縁物質としては、フオトレジ
ス樹脂が好適であるが、その他にポリビニルアルコー
ル、ポリスチレン、セルロース樹脂、ポリアミドやポリ
イミドなどの樹脂なども使用可能である。
オトリソグラフイー技術を繰返すことによって得ること
ができ、この際に用いる絶縁物質としては、フオトレジ
ス樹脂が好適であるが、その他にポリビニルアルコー
ル、ポリスチレン、セルロース樹脂、ポリアミドやポリ
イミドなどの樹脂なども使用可能である。
第８図は、本発明による階調表現方式をマトリクス駆動
に適用した際の具体例を表わしている。
に適用した際の具体例を表わしている。
第８図に示す表示パネルは、ガラス基板上にストライプ
状透明ステツプ電極81（81a,81b,−−−−81g）が複数
配列されている。この透明ステツプ電極81に対向するス
トライプ状透明フラツト電極82（82a,82b,−−−−82
f）が、透明ステツプ電極81と交差して配線され、この
一対の透明電極81と82との間に強誘電性液晶が配置され
ている。
状透明ステツプ電極81（81a,81b,−−−−81g）が複数
配列されている。この透明ステツプ電極81に対向するス
トライプ状透明フラツト電極82（82a,82b,−−−−82
f）が、透明ステツプ電極81と交差して配線され、この
一対の透明電極81と82との間に強誘電性液晶が配置され
ている。
本発明のマトリクス駆動法では、書込みに先立ってスト
ライプ状透明ステツプ電極81とストライプ状透明フラツ
ト電極82との交差部で形成される画素の全部又は所定部
を一時に明状態か暗状態の何れか一方の状態としてか
ら、行毎に順次階調信号を伴なう書込み信号を行上の画
素に印加することによって階調画像を書込む方式を用い
ることができ、又、１ラインの書込みに先立って行上の
画素の全部又は所定部を明状態か暗状態のうちの何れか
一方の状態としてから、行上の画素に階調信号を伴う書
込み信号を印加するステツプを行毎に順次行なうことに
よって階調画素を書込む方式を用いることができる。こ
れらの駆動法は、例えば特開昭59-193427号公報、特開
昭60-156047号公報などに開示されており、本発明では
好適な駆動例である。
ライプ状透明ステツプ電極81とストライプ状透明フラツ
ト電極82との交差部で形成される画素の全部又は所定部
を一時に明状態か暗状態の何れか一方の状態としてか
ら、行毎に順次階調信号を伴なう書込み信号を行上の画
素に印加することによって階調画像を書込む方式を用い
ることができ、又、１ラインの書込みに先立って行上の
画素の全部又は所定部を明状態か暗状態のうちの何れか
一方の状態としてから、行上の画素に階調信号を伴う書
込み信号を印加するステツプを行毎に順次行なうことに
よって階調画素を書込む方式を用いることができる。こ
れらの駆動法は、例えば特開昭59-193427号公報、特開
昭60-156047号公報などに開示されており、本発明では
好適な駆動例である。
本発明の駆動法では、ストライプ状透明ステツプ電極81
を走査電極群として、これに走査信号を印加し、対向す
るストライプ状透明フラツト電極82を信号電極群とし
て、これに第４図又は第６図に示す階調信号を選択的に
印加することによって書込みを行なうことができ、又そ
の反対にストライプ状透明フラツト電極82に走査信号や
印加し、もう一方のストライプ状透明ステツプ電極81に
階調信号を選択的に印加することによっても書込みを行
なうことができる。
を走査電極群として、これに走査信号を印加し、対向す
るストライプ状透明フラツト電極82を信号電極群とし
て、これに第４図又は第６図に示す階調信号を選択的に
印加することによって書込みを行なうことができ、又そ
の反対にストライプ状透明フラツト電極82に走査信号や
印加し、もう一方のストライプ状透明ステツプ電極81に
階調信号を選択的に印加することによっても書込みを行
なうことができる。
以下、本発明の詳細な具体例を挙げて説明する。
実施例１ ガラス板上に第１図に示すステツプ絶縁膜をアクリル系
ネガレジスト樹脂（積水フアインケミカルの“RFG"）に
より形成し、そのステツプ絶縁膜の上にストライプ状透
明ステツプ電極となるITO膜を設け、さらに一面に亘っ
て膜厚1000Åのポリイミド膜（ポリイミド膜は、ピロメ
リツト酸二無水物と4,4′−ジアミドジフエニルエーテ
ルとの脱水縮合体であるポリアミツク酸の５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液を塗布した後、180℃の温度で加
熱による脱水閉環反応を起こさせて形成した）を設け、
ストライプ電極の長手方向に沿ってラビング処理を行な
った。これをＡ電極板とした。
ネガレジスト樹脂（積水フアインケミカルの“RFG"）に
より形成し、そのステツプ絶縁膜の上にストライプ状透
明ステツプ電極となるITO膜を設け、さらに一面に亘っ
て膜厚1000Åのポリイミド膜（ポリイミド膜は、ピロメ
リツト酸二無水物と4,4′−ジアミドジフエニルエーテ
ルとの脱水縮合体であるポリアミツク酸の５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液を塗布した後、180℃の温度で加
熱による脱水閉環反応を起こさせて形成した）を設け、
ストライプ電極の長手方向に沿ってラビング処理を行な
った。これをＡ電極板とした。
次に、別のガラス板を容易し、その上にストライプ形状
のITO膜を設けた後、Ａ電極板を作成した時に用いたも
のと同様の1000Åのポリイミド膜を設け、次いで、この
ストライプ状フラット電極の長手方向に対して垂直方向
にラビング処理を施した。これをＢ電極板とした。
のITO膜を設けた後、Ａ電極板を作成した時に用いたも
のと同様の1000Åのポリイミド膜を設け、次いで、この
ストライプ状フラット電極の長手方向に対して垂直方向
にラビング処理を施した。これをＢ電極板とした。
次いで、それぞれのストライプ状電極が互いに直交する
様に（それぞれのラビング方向が平行となる様に）、Ａ
電極板とＢ電極板とを重ね合わせ、その周辺をエポキシ
接着剤で注入口なる個所を除いてシーリングしてセルを
作成した。その後、等方相下の下記組成物を真空下のセ
ル内に注入口した後、注入口を封止した。次いで、0.5
℃／時間の割合で徐冷して双安定性カイラルスメクチツ
ク相の強誘電性液晶素子を作成した。
様に（それぞれのラビング方向が平行となる様に）、Ａ
電極板とＢ電極板とを重ね合わせ、その周辺をエポキシ
接着剤で注入口なる個所を除いてシーリングしてセルを
作成した。その後、等方相下の下記組成物を真空下のセ
ル内に注入口した後、注入口を封止した。次いで、0.5
℃／時間の割合で徐冷して双安定性カイラルスメクチツ
ク相の強誘電性液晶素子を作成した。
組成物 上述組成物の相転移モードは、下記のとおりであった。
相転移モード 式中、chはコレステリツク相、SmAはスメクチツクＡ
相、SmBはスメクチツクＢ相を示す） この組成物のカイラルスメクチツク相での電界応答特性
を第９図に示す（但し、この時の液晶膜厚は1.0μｍで
あった）。第９図に示す特性曲線は、1.0μｍ膜厚の双
安定性カイラルスメクチツク相のセルに直交ニコル下で
1msecパルス幅の矩形パルスを印加した際の透過光量を
測定することによって得られたものである。第９図によ
れば、パルス幅1msecの矩形パルス印加時に13V/μｍの
電界強度で第１の安定配向状態から第２の安定配向状態
に反転スイツチングされていることが判る。
相、SmBはスメクチツクＢ相を示す） この組成物のカイラルスメクチツク相での電界応答特性
を第９図に示す（但し、この時の液晶膜厚は1.0μｍで
あった）。第９図に示す特性曲線は、1.0μｍ膜厚の双
安定性カイラルスメクチツク相のセルに直交ニコル下で
1msecパルス幅の矩形パルスを印加した際の透過光量を
測定することによって得られたものである。第９図によ
れば、パルス幅1msecの矩形パルス印加時に13V/μｍの
電界強度で第１の安定配向状態から第２の安定配向状態
に反転スイツチングされていることが判る。
又、前述の強誘電性液晶素子における液晶の膜厚と、こ
の膜厚での反転スイツチング時の電界強度を測定した。
この結果を表１に示す。
の膜厚での反転スイツチング時の電界強度を測定した。
この結果を表１に示す。
表 １ 強誘電性液晶の膜厚 反転スイツチング時の電界強度 d1＝0.9μｍ 11.7V d2＝1.1μｍ 14.3V d3＝1.3μｍ 16.9V d4＝1.5μｍ 19.5V こうして作成した強誘電性液晶素子におけるＢ電極板上
のストライプ状透明フラツト電極群の全てに12Vで1msec
の矩形パルスを印加し、これと同時にＡ電極板上のスト
ライプ状透明ステツプ電極群の全てに−8Vで1msecの矩
形パルスを印加することによって、全画素を一時に暗状
態にクリヤーした。次いで、Ｂ電極板のストライプ状フ
ラツト電極に第３図に示す12Vで1msecの矩形パルスを走
査選択信号として行毎に順次印加し、走査非選択時には
OVを印加した。Ａ電極板のストライプ状透明ステツプ電
極には、走査選択信号と同期させて、第４図に示すOV、
−2Vで1msec、−4Vで1msec、−6Vで1msec及び−8Vで1ms
ecの矩形パルスを階調情報に応じて印加したところ、ち
らつき発生が抑制された良好な階調性を有する画像を表
示することができた。又、前述のＡ電極板において、ス
トライプ状ステップ電極の長手方向に沿ったラビング処
理が施されている本実施例では、かかる電極の短手方向
に沿ったラビング処理を施して得た比較実験例と比べ、
階調情報を持った電圧信号の印加によって生じる反転面
積の電圧信号に対する制御性及び再現性が高くなり、こ
のため高い階調再現性が得られた。
のストライプ状透明フラツト電極群の全てに12Vで1msec
の矩形パルスを印加し、これと同時にＡ電極板上のスト
ライプ状透明ステツプ電極群の全てに−8Vで1msecの矩
形パルスを印加することによって、全画素を一時に暗状
態にクリヤーした。次いで、Ｂ電極板のストライプ状フ
ラツト電極に第３図に示す12Vで1msecの矩形パルスを走
査選択信号として行毎に順次印加し、走査非選択時には
OVを印加した。Ａ電極板のストライプ状透明ステツプ電
極には、走査選択信号と同期させて、第４図に示すOV、
−2Vで1msec、−4Vで1msec、−6Vで1msec及び−8Vで1ms
ecの矩形パルスを階調情報に応じて印加したところ、ち
らつき発生が抑制された良好な階調性を有する画像を表
示することができた。又、前述のＡ電極板において、ス
トライプ状ステップ電極の長手方向に沿ったラビング処
理が施されている本実施例では、かかる電極の短手方向
に沿ったラビング処理を施して得た比較実験例と比べ、
階調情報を持った電圧信号の印加によって生じる反転面
積の電圧信号に対する制御性及び再現性が高くなり、こ
のため高い階調再現性が得られた。
以上説明したとおり、これまで困難であると考えられて
きた双安定性を有する液晶素子の階調表示をマトリクス
駆動下でちらつき発生を抑制させて実現できた液晶装置
を提供することができる。
きた双安定性を有する液晶素子の階調表示をマトリクス
駆動下でちらつき発生を抑制させて実現できた液晶装置
を提供することができる。
第１図は、本発明の液晶素子の断面図である。第２図
は、本発明の液晶素子の具体的な態様を示す説明図であ
る。第３図及び第４図（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発
明の駆動法で用いる走査選択信号と階調信号を表わす説
明図である。第５図（ａ）〜（ｅ）は、画素に現われた
階調表示状態を模式的に表わす説明図である。第６図
（ａ）〜（ｅ）は、本発明の駆動法で用いる別の階調信
号を表わす説明図である。第７図は、本発明の液晶素子
の別の態様を表わす断面図である。第８図は、本発明の
液晶素子で用いるマトリクス電極の平面図である。第９
図は、本発明で用いた強誘電性液晶における電界強度と
透過光量の関係を示す説明図である。第10図及び第11図
は、本発明で用いる強誘電性液晶を模式的に示す斜視図
である。
は、本発明の液晶素子の具体的な態様を示す説明図であ
る。第３図及び第４図（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発
明の駆動法で用いる走査選択信号と階調信号を表わす説
明図である。第５図（ａ）〜（ｅ）は、画素に現われた
階調表示状態を模式的に表わす説明図である。第６図
（ａ）〜（ｅ）は、本発明の駆動法で用いる別の階調信
号を表わす説明図である。第７図は、本発明の液晶素子
の別の態様を表わす断面図である。第８図は、本発明の
液晶素子で用いるマトリクス電極の平面図である。第９
図は、本発明で用いた強誘電性液晶における電界強度と
透過光量の関係を示す説明図である。第10図及び第11図
は、本発明で用いる強誘電性液晶を模式的に示す斜視図
である。
フロントページの続き (72)発明者 稲葉 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 岡田 伸二郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−41920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−23196（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−24827（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−123825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−229012（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】a.間隔を置いて交差配置した第１のストラ
イプ形状電極と第２のストライプ形状電極とを有し、該
第１のストライプ形状電極と第２のストライプ形状電極
とが交差した交差部内に、第１のストライプ形状電極の
短手方向に沿って異なる電極間距離を形成する様に、第
１のストライプ形状電極を第２のストライプ形状電極に
対して間隔を置いて対向配置したマトリクス電極、第１
のストライプ形状電極の上に設けられ、且つ該第１のス
トライプ形状電極の長手方向に沿った一軸性配向処理を
施した配向制御膜、及び第１のストライプ形状電極と第
２のストライプ形状電極との間隔に配置したカイラルス
メクチック液晶を備えた液晶パネル、並びに b.前記第１のストライプ形状電極に順次走査信号を印加
し、該走査信号が印加された第１のストライプ形状電極
上の第２のストライプ形状電極との交差部に、階調情報
に応じた電圧信号が印加される様に、該走査信号と同期
させて第２のストライプ形状電極に情報信号を印加する
マトリクス駆動手段、又は前記第２のストライプ形状電
極に順次走査信号を印加し、該走査信号が印加された第
２のストライプ形状電極上の第１のストライプ形状電極
との交差部に、階調情報に応じた電圧信号が印加される
様に、該走査信号と同期させて第１のストライプ形状電
極に情報信号を印加するマトリクス駆動手段 を有する液晶装置。 - 【請求項２】前記一軸性配向処理がラビング処理である
特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。 - 【請求項３】前記マトリクス駆動手段が前記第１のスト
ライプ形状電極に順次走査信号を印加し、該走査信号が
印加された第１のストライプ形状電極上の第２のストラ
イプ形状電極との交差部に、階調情報に応じた電圧信号
が印加される様に、該走査信号と同期させて第２のスト
ライプ形状電極に情報信号を印加し、該走査信号と同期
する情報信号の印加に先立って、該走査信号が印加され
た第１のストライプ形状電極と全又は所定数の第２のス
トライプ形状電極との交差部の電極間に、カイラルスメ
クチック液晶を一方の配向状態に配向させる消去電圧信
号を印加することによって、予め該交差部の書込み状態
を消去させる手段を有する特許請求の範囲第１項記載の
液晶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287108A JPH0799416B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 液晶装置 |
| US06/819,070 US4712877A (en) | 1985-01-18 | 1986-01-15 | Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287108A JPH0799416B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145216A JPS62145216A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0799416B2 true JPH0799416B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17713162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60287108A Expired - Fee Related JPH0799416B2 (ja) | 1985-01-18 | 1985-12-20 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799416B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133121A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子とその製造法 |
| US5150237A (en) * | 1989-05-15 | 1992-09-22 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display element |
| JP2737002B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| US5446570A (en) * | 1993-04-27 | 1995-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with projecting portions on the electrodes |
| KR100488957B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2005-05-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 수직 배향 액정표시장치의 제조방법 |
| GB2419216A (en) | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Hewlett Packard Development Co | Display device with greyscale capability |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141920A (ja) * | 1974-10-07 | 1976-04-08 | Hitachi Ltd | Hyojipaneru |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60287108A patent/JPH0799416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145216A (ja) | 1987-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |