JPH0588762B2 - - Google Patents
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- JPH0588762B2 JPH0588762B2 JP14577186A JP14577186A JPH0588762B2 JP H0588762 B2 JPH0588762 B2 JP H0588762B2 JP 14577186 A JP14577186 A JP 14577186A JP 14577186 A JP14577186 A JP 14577186A JP H0588762 B2 JPH0588762 B2 JP H0588762B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- npn transistor
- current
- collector
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 8
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000003503 early effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Optical Transform (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Focusing (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体位置検出素子PSD（Position
Sensitive、Detector）からの背景光等の直流あ
るいは低周波電流成分の光電流に重畳されるパル
ス信号光電流を抜きとるパルス信号光電流抜取回
路に関する。
Sensitive、Detector）からの背景光等の直流あ
るいは低周波電流成分の光電流に重畳されるパル
ス信号光電流を抜きとるパルス信号光電流抜取回
路に関する。
（従来の技術）
光源より赤外線をパルス光の形で被測定物に照
射し、反射光を半導体位置検出素子PSDを用い
検出し、三角測量の原理により被測定物までの距
離を測定する距離検出装置が知られている。
射し、反射光を半導体位置検出素子PSDを用い
検出し、三角測量の原理により被測定物までの距
離を測定する距離検出装置が知られている。
第２図はPSDを用いた距離検出装置の光学系
を示す略図である。
を示す略図である。
投光用のLEDから放出されたパルス光は投光
レンズL1により前方の被測定物Obに投射され、
その反射光は受光レンズL2を介してPSDに入射
する。
レンズL1により前方の被測定物Obに投射され、
その反射光は受光レンズL2を介してPSDに入射
する。
PSDは背景光または外来光とパルス光を、背
景光または外来光のレベルとパルス光の入射位置
情報を含む電流に変換して出力する。
景光または外来光のレベルとパルス光の入射位置
情報を含む電流に変換して出力する。
したがつて、PSDから前記背景光または外来
光に原因する電流（以下外来光電流）に重畳され
た必要なパルス信号電流のみを抜き取り、距離演
算を実行する必要がある。
光に原因する電流（以下外来光電流）に重畳され
た必要なパルス信号電流のみを抜き取り、距離演
算を実行する必要がある。
第３図は前記距離検出装置の信号処理回路のブ
ロツク図である。
ロツク図である。
PSDの出力端子はそれぞれ同一の構成のパル
ス信号抜取り回路，に接続されている。
ス信号抜取り回路，に接続されている。
パルス信号抜取り回路，により、パルス光
電流が対数圧縮して取り出され、差動回路により
距離情報が取り出される。
電流が対数圧縮して取り出され、差動回路により
距離情報が取り出される。
第４図は、従来のパルス信号光電流抜取回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
PSDからの電流と定電流源からの電流は比較
器の一方の入力端子とFETのソースに接続され
ている。
器の一方の入力端子とFETのソースに接続され
ている。
この比較器の他方の入力端子にはリフアレンス
電圧Vref2が接続されている。
電圧Vref2が接続されている。
NPNトランジスタ１のコレクタはNPNトラン
ジスタ２のベースと前記FETに接続されている。
比較器４はこのNPNトランジスタ２のベース電
圧とリフアレンス電圧Vrefを比較し、MOSFET
スイツチ３を通じNPNトランジスタ１のベース
を制御している。
ジスタ２のベースと前記FETに接続されている。
比較器４はこのNPNトランジスタ２のベース電
圧とリフアレンス電圧Vrefを比較し、MOSFET
スイツチ３を通じNPNトランジスタ１のベース
を制御している。
この時メモリコンデンサ１０はこの時のベース
電圧を記憶しておくので、常に一定電流がNPN
トランジスタ１に流れることになる。
電圧を記憶しておくので、常に一定電流がNPN
トランジスタ１に流れることになる。
この状態で信号発生に同期して前記MOSトラ
ンジスタ３をオフにすると、信号成分電流は
NPNトランジスタ２で増幅される。
ンジスタ３をオフにすると、信号成分電流は
NPNトランジスタ２で増幅される。
パルス信号光電流は、PNPトランジスタ５，
６，７を通じダイオード８，９で対数圧縮され
て、出力されることになる。
６，７を通じダイオード８，９で対数圧縮され
て、出力されることになる。
第５図は、従来のパルス信号光電流抜取回路の
他の例を示す回路図である。
他の例を示す回路図である。
NPNトランジスタ１１のベースにPSDの一方
の出力端子と定電流源Ｉが接続されている。
の出力端子と定電流源Ｉが接続されている。
NPNトランジスタ１１のベースはNPNトラン
ジスタ１２のコレクタが接続されており、このト
ランジスタのベースにはメモリコンデンサ２１が
接続されている。
ジスタ１２のコレクタが接続されており、このト
ランジスタのベースにはメモリコンデンサ２１が
接続されている。
NPNトランジスタ１１のエミツタとNPNトラ
ンジスタ１２のベースを接続し、NPNトランジ
スタ１１のコレクタをミラー回路と接続し、エミ
ツタに定電流を流すNPNトランジスタ１６を接
続する。
ンジスタ１２のベースを接続し、NPNトランジ
スタ１１のコレクタをミラー回路と接続し、エミ
ツタに定電流を流すNPNトランジスタ１６を接
続する。
NPNトランジスタ１６で流す電流は電流源２
０で出力端子から流す電流を相殺している。
０で出力端子から流す電流を相殺している。
定常状態（信号が発生していない状態）では出
力電圧が一定となるよう比較器１７のVrefと比
較する。
力電圧が一定となるよう比較器１７のVrefと比
較する。
この出力がNPNトランジスタ１６を制御し、
この結果としてNPNトランジスタ１２のベース
を制御する。
この結果としてNPNトランジスタ１２のベース
を制御する。
このNPNトランジスタ１２のベース電圧はメ
モリコンデンサ２１に記憶される。
モリコンデンサ２１に記憶される。
信号電流がNPNトランジスタ１１のベースに
入ると、この電流はPNPトランジスタ１３，１
４，１５で作られたミラー回路に接続されダイオ
ード１８，１９で対数圧縮されて出力される。
入ると、この電流はPNPトランジスタ１３，１
４，１５で作られたミラー回路に接続されダイオ
ード１８，１９で対数圧縮されて出力される。
（発明が解決しようとする問題点）
第４図に示した従来の回路で、定常電流（信号
が入力されない状態でのPSDからの背景光光電
流と定電流源の電流との和）が大きくなると、
NPNトランジスタ１のアーリー効果の影響が大
きくなる。
が入力されない状態でのPSDからの背景光光電
流と定電流源の電流との和）が大きくなると、
NPNトランジスタ１のアーリー効果の影響が大
きくなる。
アーリー効果によりNPNトランジスタ１に流
れ込む電流ΔIは次の式で与えられる。
れ込む電流ΔIは次の式で与えられる。
ΔI＝〔Io・VTln｛（βIn＋IBias）
／IBias｝〕／Va …(1)
ただし
Io；定常電流
In；信号電流
IBias；トランジスタ２の定常コレクタ電流
β；トランジスタ２の電流増幅率
VT；kT／ｑ
Va；アーリー電圧
この電流ΔI分だけ信号電流成分が少なくなる。
第５図の回路の問題点は、入力電圧がNPNト
ランジスタ１１と１２のVBEの和で決定される
ことである。
ランジスタ１１と１２のVBEの和で決定される
ことである。
すなわち
VIN＝VTln（I0／Is）
＋VTln（I1／Is） …(2)
ただし
I1；電流源の電流
Is；飽和電流
で与えられる。
したがつて入力電圧がVBE分だけ高くなりこ
の結果PSD等を使用した場合、バンドギヤツプ
リフアレンスを用いてバイアス回路を作つた場
合、PSDに逆バイアスすることができなくなつ
てしまう。
の結果PSD等を使用した場合、バンドギヤツプ
リフアレンスを用いてバイアス回路を作つた場
合、PSDに逆バイアスすることができなくなつ
てしまう。
本発明の目的は、前述した各先行例の問題点を
解決することができるパルス信号光電流抜取回路
を提供することにある。
解決することができるパルス信号光電流抜取回路
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明によるパル
ス信号光電流抜取回路において、ベースにPSD
からの光電流と定電流が接続されておりエミツタ
が接地されている第１のNPNトランジスタと、
前記第１のNPNトランジスタのベースにコレク
タが接続されておりエミツタが抵抗を介して接地
されている第２のNPNトランジスタと、前記第
１のNPNトランジスタのコレクタに第１のPNP
トランジスタが接続されているミラー回路と、前
記ミラー回路の第２のPNPトランジスタのコレ
クタと前記第２のNPNトランジスタのベースの
接続点にコレクタが接続されエミツタが接地され
ている定電流設定用の第３のNPNトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタと接地点
間に接続されたメモリコンデンサとからなり、前
記第２のトランジスタによりあらかじめ設定した
電流源の電流と低周波成分電流を抜き取り、前記
第１のトランジスタから信号成分を抽出するよう
に構成されている。
ス信号光電流抜取回路において、ベースにPSD
からの光電流と定電流が接続されておりエミツタ
が接地されている第１のNPNトランジスタと、
前記第１のNPNトランジスタのベースにコレク
タが接続されておりエミツタが抵抗を介して接地
されている第２のNPNトランジスタと、前記第
１のNPNトランジスタのコレクタに第１のPNP
トランジスタが接続されているミラー回路と、前
記ミラー回路の第２のPNPトランジスタのコレ
クタと前記第２のNPNトランジスタのベースの
接続点にコレクタが接続されエミツタが接地され
ている定電流設定用の第３のNPNトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタと接地点
間に接続されたメモリコンデンサとからなり、前
記第２のトランジスタによりあらかじめ設定した
電流源の電流と低周波成分電流を抜き取り、前記
第１のトランジスタから信号成分を抽出するよう
に構成されている。
（実施例）
以下図面等を参照して本発明をさらに詳しく説
明する。
明する。
第１図は本発明によるパルス信号光電流抜取回
路の実施例を示す回路図である。
路の実施例を示す回路図である。
第１のNPNトランジスタ２３のベースには、
PSDからの光電流と定電流源３８からの定電流
が比較器３７およびFET３６を介して接続され
ておりエミツタは接地されている。
PSDからの光電流と定電流源３８からの定電流
が比較器３７およびFET３６を介して接続され
ておりエミツタは接地されている。
第２のNPNトランジスタ２２は前記第１の
NPNトランジスタ２３のベースにコレクタが接
続されておりエミツタが抵抗３９を介して接地さ
れている。
NPNトランジスタ２３のベースにコレクタが接
続されておりエミツタが抵抗３９を介して接地さ
れている。
PNPトランジスタ２５，２６，２７，２８か
らなるミラー回路のトランジスタ２６のコレクタ
は、前記第１のNPNトランジスタ２３のコレク
タに接続されている。
らなるミラー回路のトランジスタ２６のコレクタ
は、前記第１のNPNトランジスタ２３のコレク
タに接続されている。
第３のNPNトランジスタ２４は、前記ミラー
回路の第２のPNPトランジスタ２７のコレクタ
と前記第２のNPNトランジスタ２２のベースの
接続点にコレクタが接続されており、エミツタは
接地されている。
回路の第２のPNPトランジスタ２７のコレクタ
と前記第２のNPNトランジスタ２２のベースの
接続点にコレクタが接続されており、エミツタは
接地されている。
また前記第３のトランジスタ２４のコレクタと
接地点間にメモリコンデンサ３５が接続されてい
る。そして前記第２のトランジスタ２２によりあ
らかじめ設定した電流源の電流と低周波成分電流
を抜き取り、前記第１のトランジスタ２３から信
号成分を抽出する。
接地点間にメモリコンデンサ３５が接続されてい
る。そして前記第２のトランジスタ２２によりあ
らかじめ設定した電流源の電流と低周波成分電流
を抜き取り、前記第１のトランジスタ２３から信
号成分を抽出する。
前記実施例において、比較器３７とFET３６
はPSDの出力端子を一定電圧に保ち、FET３６
は電流を取り出す。
はPSDの出力端子を一定電圧に保ち、FET３６
は電流を取り出す。
NPNトランジスタ２２は定常電流（定電流と
信号入力前のPSDの出力電流の和の電流）抜取
用トランジスタである。
信号入力前のPSDの出力電流の和の電流）抜取
用トランジスタである。
NPNトランジスタ２３は信号増幅用トランジ
スタである。
スタである。
トランジスタ２５，２６，２７，２８はミラー
回路を形成しており、ダイオード２９，３０は信
号の対数圧縮用ダイオードを形成している。この
ダイオード２９，３０に並列に定電流源３１が接
続されている。
回路を形成しており、ダイオード２９，３０は信
号の対数圧縮用ダイオードを形成している。この
ダイオード２９，３０に並列に定電流源３１が接
続されている。
比較器３２，３３はサンプルホールド回路を形
成しており、トランジスタ２４はキヤリヤ電流抜
取用NPNトランジスタを形成している。
成しており、トランジスタ２４はキヤリヤ電流抜
取用NPNトランジスタを形成している。
コンデンサ３４はサンプルホールドコンデンサ
である。
である。
比較器３２はスイツチSWを介して電源に接続
されているときに帰還ループが形成され、メモリ
コンデンサ３５、サンプルホールドコンデンサ３
４の電位はこの帰還ループ形成の際に決定され、
光信号の入力に同期して前記スイツチSWをオフ
にしたときに、スイツチSWをオフにする直前の
電位を保持する。
されているときに帰還ループが形成され、メモリ
コンデンサ３５、サンプルホールドコンデンサ３
４の電位はこの帰還ループ形成の際に決定され、
光信号の入力に同期して前記スイツチSWをオフ
にしたときに、スイツチSWをオフにする直前の
電位を保持する。
この電位により定常電流（光信号以外の電流）
はNPNトランジスタ２２で抜き取られる。
はNPNトランジスタ２２で抜き取られる。
このときトランジスタ２２のベース電圧は、
VBE＝IoR1＋VTlnIo／Is …(3)
で与えられる。
この電圧は電流源３８及び定常電流の一部が
NPNトランジスタ２３のベースへ入り増幅され、
ミラー回路のPNPトランジスタ２７を通り、一
部はNPNトランジスタ２４へ入り、一部がメモ
リコンデンサ３５へ蓄えられて電圧を与える。
NPNトランジスタ２３のベースへ入り増幅され、
ミラー回路のPNPトランジスタ２７を通り、一
部はNPNトランジスタ２４へ入り、一部がメモ
リコンデンサ３５へ蓄えられて電圧を与える。
この結果NPNトランジスタ２３のベース電圧は
VIN＝VTln（I1／Is） …(4)
で与えられる。
そして、これは(2)式と比較してVTln（Io／Is）
分入力電圧が下がつたことになる。
分入力電圧が下がつたことになる。
このため入力端子の電圧設定にはFET３６、
比較器３７で作られた定電圧回路を用いることが
可能となる。
比較器３７で作られた定電圧回路を用いることが
可能となる。
さらに本発明においては、(1)式におけるIBias
を電流源３１の設定により大きくすることが可能
なため、パルス信号電流の入力時のトランジスタ
２３のベース電圧上昇を小さくすることができ、
したがつてトランジスタ２２のアーリー効果によ
り流れ込むパルス電流ΔIを小さくすることがで
きる。
を電流源３１の設定により大きくすることが可能
なため、パルス信号電流の入力時のトランジスタ
２３のベース電圧上昇を小さくすることができ、
したがつてトランジスタ２２のアーリー効果によ
り流れ込むパルス電流ΔIを小さくすることがで
きる。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明によるパル
ス信号光電流抜取回路において、ベースにPSD
からの光電流と定電流が接続されておりエミツタ
が接地されている第１のNPNトランジスタと、
前記第１のNPNトランジスタのベースにコレク
タが接続されておりエミツタが抵抗を介して接地
されている第２のNPNトランジスタと、前記第
１のNPNトランジスタのコレクタに第１のPNP
トランジスタが接続されているミラー回路と、前
記ミラー回路の第２のPNPトランジスタのコレ
クタと前記第２のNPNトランジスタのベースの
接続点にコレクタが接続されエミツタが接地され
ている定電流設定用の第３のNPNトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタと接地点
間に接続されたメモリコンデンサとからなり、前
記第２のトランジスタによりあらかじめ設定した
電流源の電流と低周波成分電流を抜き取り、前記
第１のトランジスタから信号成分を抽出するよう
に構成されている。
ス信号光電流抜取回路において、ベースにPSD
からの光電流と定電流が接続されておりエミツタ
が接地されている第１のNPNトランジスタと、
前記第１のNPNトランジスタのベースにコレク
タが接続されておりエミツタが抵抗を介して接地
されている第２のNPNトランジスタと、前記第
１のNPNトランジスタのコレクタに第１のPNP
トランジスタが接続されているミラー回路と、前
記ミラー回路の第２のPNPトランジスタのコレ
クタと前記第２のNPNトランジスタのベースの
接続点にコレクタが接続されエミツタが接地され
ている定電流設定用の第３のNPNトランジスタ
と、前記第３のトランジスタのコレクタと接地点
間に接続されたメモリコンデンサとからなり、前
記第２のトランジスタによりあらかじめ設定した
電流源の電流と低周波成分電流を抜き取り、前記
第１のトランジスタから信号成分を抽出するよう
に構成されている。
このような本発明によるパルス信号光電流抜取
回路は、距離センサのプリアンプとして用いるこ
とができる。
回路は、距離センサのプリアンプとして用いるこ
とができる。
そして先に第４図に示した従来例の回路より
も、距離精度の高い測定が可能になる。
も、距離精度の高い測定が可能になる。
第５図に示した回路ではクロストークタイプの
PSDしか使えない。
PSDしか使えない。
クロストークタイプのPSDはSi中のデバイ長で
サイズ制限を受けるため基線長の選択が自由にな
らない。
サイズ制限を受けるため基線長の選択が自由にな
らない。
本発明の回路は抵抗層形のPSDに使用するこ
とができ基線長の選択の自由度が大きい。
とができ基線長の選択の自由度が大きい。
第１図は、本発明による光電流抜取回路の実施
例を示す回路図である。第２図は、PSDを用い
た距離計の原理を示す略図である。第３図は、前
記距離計の基本回路構成を示すブロツク図であ
る。第４図は、従来のパルス信号光電流抜取回路
の第１の例を示す回路図である。第５図は、従来
のパルス信号光電流抜取回路の第２の例を示す回
路図である。 PSD…半導体位置検出素子、２２，２３，２
４…NPNトランジスタ、２５，２６，２７，２
８…PNPトランジスタ、２９，３０…対数圧縮
ダイオード、３１，３８…定電流源、３２，３
３，３７…比較器、３４…サンプルホールドコン
デンサ、３５…メモリコンデンサ、３６…FET、
３９…抵抗。
例を示す回路図である。第２図は、PSDを用い
た距離計の原理を示す略図である。第３図は、前
記距離計の基本回路構成を示すブロツク図であ
る。第４図は、従来のパルス信号光電流抜取回路
の第１の例を示す回路図である。第５図は、従来
のパルス信号光電流抜取回路の第２の例を示す回
路図である。 PSD…半導体位置検出素子、２２，２３，２
４…NPNトランジスタ、２５，２６，２７，２
８…PNPトランジスタ、２９，３０…対数圧縮
ダイオード、３１，３８…定電流源、３２，３
３，３７…比較器、３４…サンプルホールドコン
デンサ、３５…メモリコンデンサ、３６…FET、
３９…抵抗。
Claims (1)
- １ ベースにPSDからの光電流と定電流が接続
されておりエミツタが接地されている第１の
NPNトランジスタと、前記第１のNPNトランジ
スタのベースにコレクタが接続されておりエミツ
タが抵抗を介して接地されている第２のNPNト
ランジスタと、前記第１のNPNトランジスタの
コレクタに第１のPNPトランジスタが接続され
ているミラー回路と、前記ミラー回路の第２の
PNPトランジスタのコレクタと前記第２のNPN
トランジスタのベースの接続点にコレクタが接続
されエミツタが接地されている定電流設定用の第
３のNPNトランジスタと、前記第３のトランジ
スタのコレクタと接地点間に接続されたメモリコ
ンデンサとからなり、前記第２のトランジスタに
よりあらかじめ設定した電流源の電流と低周波成
分電流を抜き取り、前記第１のトランジスタから
信号成分を抽出するように構成したパルス信号光
電流抜取回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14577186A JPS631914A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パルス信号光電流抜取回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14577186A JPS631914A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パルス信号光電流抜取回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631914A JPS631914A (ja) | 1988-01-06 |
| JPH0588762B2 true JPH0588762B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15392784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14577186A Granted JPS631914A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | パルス信号光電流抜取回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631914A (ja) |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14577186A patent/JPS631914A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS631914A (ja) | 1988-01-06 |
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