JPH05891A - ダイヤモンド−金属接合体 - Google Patents
ダイヤモンド−金属接合体Info
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- JPH05891A JPH05891A JP3150317A JP15031791A JPH05891A JP H05891 A JPH05891 A JP H05891A JP 3150317 A JP3150317 A JP 3150317A JP 15031791 A JP15031791 A JP 15031791A JP H05891 A JPH05891 A JP H05891A
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- Japan
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- layer
- metal
- graphite layer
- forming
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
- H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
- H10D64/0114—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors to diamond, semiconducting diamond-like carbon or graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
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- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/8303—Diamond
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
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- H10D62/882—Graphene
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 再現性の良いオーミック接合用電極の提供。
【構成】 半導体ダイヤモンド層と、金属層との間に層
厚１０Å以上のグラファイト層を介し、オーミック接合
を形成したことを特徴とする−金属接合体。
厚１０Å以上のグラファイト層を介し、オーミック接合
を形成したことを特徴とする−金属接合体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーミック接合を有する
ダイヤモンド半導体と金属との接合体に関する。
ダイヤモンド半導体と金属との接合体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは、大きなバンドキャップ
（５．５ｅＶ）、大きなキャリア移動度（電子１８００
ｃｍ2／Ｖ・Ｓ、正孔１６００ｃｍ2／Ｖ・Ｓ）、大きな
熱伝導率（２０Ｗ／ｃｍ・ｋ）を持ち、更に高硬度で耐
摩耗性に優れる等の他の材料では得られない種々の特性
を有している。
（５．５ｅＶ）、大きなキャリア移動度（電子１８００
ｃｍ2／Ｖ・Ｓ、正孔１６００ｃｍ2／Ｖ・Ｓ）、大きな
熱伝導率（２０Ｗ／ｃｍ・ｋ）を持ち、更に高硬度で耐
摩耗性に優れる等の他の材料では得られない種々の特性
を有している。
【０００３】近年、ダイヤモンドの気相からの合成が進
み、化学的気相析出法（ＣＶＤ法）により、ダイヤモン
ド膜ができるようになってきた。
み、化学的気相析出法（ＣＶＤ法）により、ダイヤモン
ド膜ができるようになってきた。
【０００４】さらに、ダイヤモンド結晶中に不純物をド
ーピングして半導体を形成する研究も進んでいる。塩見
らの報告（ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ドフィジクス誌２８巻１２号Ｌ２１５３〜Ｌ２１５４
１９８９年）によれば、人工ダイヤモンド基板上にホウ
素を不純物として添加したダイヤモンド膜を気相合成法
により形成し、さらにショットキー接合、オーミック接
合金属を形成することにより、電界効果型トランジスタ
ーが作成可能となっている。
ーピングして半導体を形成する研究も進んでいる。塩見
らの報告（ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ドフィジクス誌２８巻１２号Ｌ２１５３〜Ｌ２１５４
１９８９年）によれば、人工ダイヤモンド基板上にホウ
素を不純物として添加したダイヤモンド膜を気相合成法
により形成し、さらにショットキー接合、オーミック接
合金属を形成することにより、電界効果型トランジスタ
ーが作成可能となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、ダ
イヤモンド結晶への金属接合電極形成には、その特性の
再現性がない、ダイヤモンド形成条件や形成後の処理法
又は電極形成法により大きく特性が変化する等の欠点が
知られている。
イヤモンド結晶への金属接合電極形成には、その特性の
再現性がない、ダイヤモンド形成条件や形成後の処理法
又は電極形成法により大きく特性が変化する等の欠点が
知られている。
【０００６】例えば、ダイヤモンド形成時の原料ガスと
してメタン−水素系を用いるか、一酸化炭素−水素系を
用いるかで、オーミック接合になったり、ショットキー
接合になったり変化する。又、ダイヤモンド結晶をクロ
ム酸混液で洗浄することにより、オーミック接合性を示
していた金属接合がショットキー接合性に変化する。
又、金属電極をポイント・コンダクトにするか、ダイヤ
モンド層上に蒸着するかでも特性が大きく異なる。
してメタン−水素系を用いるか、一酸化炭素−水素系を
用いるかで、オーミック接合になったり、ショットキー
接合になったり変化する。又、ダイヤモンド結晶をクロ
ム酸混液で洗浄することにより、オーミック接合性を示
していた金属接合がショットキー接合性に変化する。
又、金属電極をポイント・コンダクトにするか、ダイヤ
モンド層上に蒸着するかでも特性が大きく異なる。
【０００７】このように、従来は再現性よく金属接合電
極を形成することができなかった。
極を形成することができなかった。
【０００８】本発明は上記問題点を鑑みなされたもの
で、特に再現性のよくオーミック接合用電極を提供する
ものである。
で、特に再現性のよくオーミック接合用電極を提供する
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のダイヤモンド−
金属接合体は半導体ダイヤモンド層と、金属層との間に
層厚１０Å以上のグラファイト層を介し、オーミック接
合を形成したことを特徴とする。
金属接合体は半導体ダイヤモンド層と、金属層との間に
層厚１０Å以上のグラファイト層を介し、オーミック接
合を形成したことを特徴とする。
【００１０】以下、本発明の詳細について説明する。
【００１１】本発明によれば例えば電極形成において半
導体ダイヤモンド層と金属層との間に１０Å以上のグラ
ファイト層を形成した後、金属を用いた電極を形成する
ことにより良好なオーミック接合をもつ電極を再現性よ
く形成することができる。
導体ダイヤモンド層と金属層との間に１０Å以上のグラ
ファイト層を形成した後、金属を用いた電極を形成する
ことにより良好なオーミック接合をもつ電極を再現性よ
く形成することができる。
【００１２】本発明は、鋭意検討の結果、ダイヤモンド
層表面の状態例えば、表面吸着分子種などが、金属接合
特性に大きく依存することを見い出し、表面状態の安定
化が必要性であるとの知見を得た。そしてダイヤモンド
表面の安定化のための詳細な実験を重ねた結果、ダイヤ
モンド表面層にグラファイト層を形成することにより良
好なオーミック接合特性が再現性よく得られることを見
い出した。
層表面の状態例えば、表面吸着分子種などが、金属接合
特性に大きく依存することを見い出し、表面状態の安定
化が必要性であるとの知見を得た。そしてダイヤモンド
表面の安定化のための詳細な実験を重ねた結果、ダイヤ
モンド表面層にグラファイト層を形成することにより良
好なオーミック接合特性が再現性よく得られることを見
い出した。
【００１３】すなわち、ダイヤモンド層表面にグラファ
イト層を１０Å以上形成することにより、表面吸着種な
どの効果が少なくなり表面の安定化がはかられる。この
原因の詳細は不明であるが、半導体ダイヤモンド表面に
は、同じ炭素元素より形成される金属的特性を持つグラ
ファイト層が中間層なしに直接形成することが可能なた
めと考えられる。このため、比較的抵抗の高いアモルフ
ァスカーボンでは本発明の効果はなく、低抵抗のグラフ
ァイトが望ましい。ダイヤモンド結晶及びグラファイト
結晶さらにアモルファスカーボンの識別は、例えば電子
顕微鏡による格子像観察又は電子線回折等により可能で
ある。さらにＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＥＬＳ（エ
ネルギー損失分光法）による価電子帯スペクトル分析に
より、これらを識別することが可能である。
イト層を１０Å以上形成することにより、表面吸着種な
どの効果が少なくなり表面の安定化がはかられる。この
原因の詳細は不明であるが、半導体ダイヤモンド表面に
は、同じ炭素元素より形成される金属的特性を持つグラ
ファイト層が中間層なしに直接形成することが可能なた
めと考えられる。このため、比較的抵抗の高いアモルフ
ァスカーボンでは本発明の効果はなく、低抵抗のグラフ
ァイトが望ましい。ダイヤモンド結晶及びグラファイト
結晶さらにアモルファスカーボンの識別は、例えば電子
顕微鏡による格子像観察又は電子線回折等により可能で
ある。さらにＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＥＬＳ（エ
ネルギー損失分光法）による価電子帯スペクトル分析に
より、これらを識別することが可能である。
【００１４】グラファイト層の厚さは１０Å以上、望ま
しくは１５〜５００Å、最適には２０〜１００Åであ
る。グラファイト層はダイヤモンド層表面にかならずし
も均一に、又は全面に形成する必要はないが、平均とし
て上記範囲内にあることが望ましい。又、このグラファ
イト層は金属電極が形成される部分のみに形成されても
かまわない。グラファイト層が１０Å以下では表面安定
化の効果がなく、又５００Å以上形成しても効果向上は
ない。
しくは１５〜５００Å、最適には２０〜１００Åであ
る。グラファイト層はダイヤモンド層表面にかならずし
も均一に、又は全面に形成する必要はないが、平均とし
て上記範囲内にあることが望ましい。又、このグラファ
イト層は金属電極が形成される部分のみに形成されても
かまわない。グラファイト層が１０Å以下では表面安定
化の効果がなく、又５００Å以上形成しても効果向上は
ない。
【００１５】上記グラファイト層の形成方法に特に限定
はないが、例えば、形成したダイヤモンド層を不活性ガ
ス中で８００℃以上、望ましくは１０００℃以上でアニ
ール処理して表面をグラファイト化する、さらにはダイ
ヤモンド合成時の最後に高炭素源濃度、高基板温度の条
件下でグラファイト層を形成する、等の方法をあげるこ
とができる。
はないが、例えば、形成したダイヤモンド層を不活性ガ
ス中で８００℃以上、望ましくは１０００℃以上でアニ
ール処理して表面をグラファイト化する、さらにはダイ
ヤモンド合成時の最後に高炭素源濃度、高基板温度の条
件下でグラファイト層を形成する、等の方法をあげるこ
とができる。
【００１６】ここでいう、高炭素濃度及び高基板温度
は、合成方法により差があるが、例えば、熱フィラメン
トＣＶＤの場合、炭素含有ガス（例えばメタン）濃度
１．２％以上、基板温度１０００℃以上とすることでグ
ラファイト層の形成が可能である。
は、合成方法により差があるが、例えば、熱フィラメン
トＣＶＤの場合、炭素含有ガス（例えばメタン）濃度
１．２％以上、基板温度１０００℃以上とすることでグ
ラファイト層の形成が可能である。
【００１７】本発明において「金属」とはオーミック電
極として用いる金属あるいは合金を含むものであり、具
体的にはＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｗ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔａ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの金属及びその合金
またはこれらの炭化物、硫化物、ホウ化物をも含むもの
である。
極として用いる金属あるいは合金を含むものであり、具
体的にはＰｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｗ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔａ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの金属及びその合金
またはこれらの炭化物、硫化物、ホウ化物をも含むもの
である。
【００１８】又はスパッタ蒸着法などを用いることがで
きる。
きる。
【００１９】ダイヤモンド気相合成法としては、例えば
ＣＶＤ法（化学的気相堆積法）を用いればよい。もちろ
ん他の方法を用いてもよい。図１に、ダイヤモンドを形
成するＣＶＤ装置例を示す。１は石英製反応管、２はヒ
ーター、３はタングステン製フィラメント、４はシリコ
ン基板、５はガス導入口、６は排気口で、排気装置およ
び圧力調整バルブ（図示せず）に接続されている。ダイ
ヤモンド結晶形成のための原料ガスとしては、例えば炭
化水素ガス（メタン、エタン等）または、液状有機化合
物（アルコール、アセトン等）を加熱ガス化したもの等
を用いることができる。また、これら原料ガスには必要
に応じて水素、酸素、等に希釈して導入してもよい。ま
た、半導体ダイヤモンドを形成するために、ホウ素、リ
ン、窒素、リチウム等を含んだ化合物を原料中に添加す
る。これら原料ガス・添加ガスは２０００℃程度に加熱
されたフィラメント３により分解され、基体上にダイヤ
モンド結晶が形成される。本発明におけるダイヤモンド
の形成方法は、これに限定されるものではなく、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、直流
プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、燃焼炎法などの方法を用いることもできる。
ＣＶＤ法（化学的気相堆積法）を用いればよい。もちろ
ん他の方法を用いてもよい。図１に、ダイヤモンドを形
成するＣＶＤ装置例を示す。１は石英製反応管、２はヒ
ーター、３はタングステン製フィラメント、４はシリコ
ン基板、５はガス導入口、６は排気口で、排気装置およ
び圧力調整バルブ（図示せず）に接続されている。ダイ
ヤモンド結晶形成のための原料ガスとしては、例えば炭
化水素ガス（メタン、エタン等）または、液状有機化合
物（アルコール、アセトン等）を加熱ガス化したもの等
を用いることができる。また、これら原料ガスには必要
に応じて水素、酸素、等に希釈して導入してもよい。ま
た、半導体ダイヤモンドを形成するために、ホウ素、リ
ン、窒素、リチウム等を含んだ化合物を原料中に添加す
る。これら原料ガス・添加ガスは２０００℃程度に加熱
されたフィラメント３により分解され、基体上にダイヤ
モンド結晶が形成される。本発明におけるダイヤモンド
の形成方法は、これに限定されるものではなく、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、直流
プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、燃焼炎法などの方法を用いることもできる。
【００２０】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００２１】〔実施例１〕図１に示す装置を用いて半導
体ダイヤモンドの形成を行った。
体ダイヤモンドの形成を行った。
【００２２】まず、単結晶シリコン基板（φ２５ｍｍ、
厚さ０．５ｍｍ、ｐ型半導体、比抵抗１Ω・ｃｍ）を基
体４として、石英反応管１中に置いた。不図示の排気装
置を用いて１０-6Ｔｏｒｒまで真空引きを行った後、ヒ
ーター２によりシリコン基板を８００℃まで加熱した。
次いで、不図示のボンベ及び流量計を用いて、メタンガ
ス、水素ガス、ジボランガス（濃度１０００ｐｐｍ水素
希釈）をそれぞれ１ＳＣＣＭ，２００ＳＣＣＭ，１ＳＣ
ＣＭ，石英反応管１中へ導入した。その後不図示の圧力
調整用バルブを用いて、反応管内を５０Ｔｏｒｒとした
後、フィラメント３に不図示の電源により通電を行い、
約２０００℃まで赤熱させた。この加熱されたフィラメ
ントにより原料ガスが分解され基体４上にダイヤモンド
が形成された。
厚さ０．５ｍｍ、ｐ型半導体、比抵抗１Ω・ｃｍ）を基
体４として、石英反応管１中に置いた。不図示の排気装
置を用いて１０-6Ｔｏｒｒまで真空引きを行った後、ヒ
ーター２によりシリコン基板を８００℃まで加熱した。
次いで、不図示のボンベ及び流量計を用いて、メタンガ
ス、水素ガス、ジボランガス（濃度１０００ｐｐｍ水素
希釈）をそれぞれ１ＳＣＣＭ，２００ＳＣＣＭ，１ＳＣ
ＣＭ，石英反応管１中へ導入した。その後不図示の圧力
調整用バルブを用いて、反応管内を５０Ｔｏｒｒとした
後、フィラメント３に不図示の電源により通電を行い、
約２０００℃まで赤熱させた。この加熱されたフィラメ
ントにより原料ガスが分解され基体４上にダイヤモンド
が形成された。
【００２３】５時間の反応により基体上に約４μｍの厚
のダイヤモンド結晶が形成された。このダイヤモンド結
晶を反応管１中でアニール、表面のグラファイト化を行
った。具体的にはグラファイト化は圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、窒素雰囲気化、温度９５０℃の条件で１０分間行な
った。
のダイヤモンド結晶が形成された。このダイヤモンド結
晶を反応管１中でアニール、表面のグラファイト化を行
った。具体的にはグラファイト化は圧力５００Ｔｏｒ
ｒ、窒素雰囲気化、温度９５０℃の条件で１０分間行な
った。
【００２４】こうして得られた表面がグラファイト化さ
れたダイヤモンド結晶に真空蒸着法によりＴｉを蒸着
し、図２に示す方法でＩ−Ｖ特性を測定した。１１はシ
リコン基板、１２はダイヤモンド層、１３は銀ペースト
（シリコンとのオーミック接合電極）、１４はＴｉ蒸着
膜、１５は直流電源及び電流計である。
れたダイヤモンド結晶に真空蒸着法によりＴｉを蒸着
し、図２に示す方法でＩ−Ｖ特性を測定した。１１はシ
リコン基板、１２はダイヤモンド層、１３は銀ペースト
（シリコンとのオーミック接合電極）、１４はＴｉ蒸着
膜、１５は直流電源及び電流計である。
【００２５】このＩ−Ｖ特性測定によっては図３の
（Ａ）に示されるＩ−Ｖ特性が得られ、良好なオーミッ
ク接合特性となっていることが明らかになった。
（Ａ）に示されるＩ−Ｖ特性が得られ、良好なオーミッ
ク接合特性となっていることが明らかになった。
【００２６】なお、上記条件と同条件でグラファイト化
（グラファイト層形成）を行なったダイヤモンド結晶を
電子顕微鏡で観察した処、ダイヤモンド表面には１５Å
のグラファイト層が形成されていることが分かった。
（グラファイト層形成）を行なったダイヤモンド結晶を
電子顕微鏡で観察した処、ダイヤモンド表面には１５Å
のグラファイト層が形成されていることが分かった。
【００２７】〔比較例１〕グラファイト層形成を行なわ
ない以外は実施例１と同様にダイヤモンドの形成を行な
った。こうして得られたサンプルについてＩ−Ｖ特性を
測定したところ、図３の（Ｂ）に示されるＩ−Ｖ特性が
得られた。この場合には良好なオーミック接合特性は得
られていないことがわかる。
ない以外は実施例１と同様にダイヤモンドの形成を行な
った。こうして得られたサンプルについてＩ−Ｖ特性を
測定したところ、図３の（Ｂ）に示されるＩ−Ｖ特性が
得られた。この場合には良好なオーミック接合特性は得
られていないことがわかる。
【００２８】〔実施例２〕実施例１と同様にしてダイヤ
モンド層を形成した後、同一装置内で圧力１０Ｔｏｒ
ｒ、ＣＨ4／Ｈ2＝８ＳＣＣＭ／１００ＳＣＣＭ、炉温度
９００℃、フィラメント温度２０００℃で１０秒間反応
を続け、グラファイト層の形成を行なった。
モンド層を形成した後、同一装置内で圧力１０Ｔｏｒ
ｒ、ＣＨ4／Ｈ2＝８ＳＣＣＭ／１００ＳＣＣＭ、炉温度
９００℃、フィラメント温度２０００℃で１０秒間反応
を続け、グラファイト層の形成を行なった。
【００２９】こうして得られた表面にグラファイト層が
形成されたダイヤモンド結晶を実施例１と同様の方法を
用いてＩ−Ｖ特性を測定した。この場合も実施例と同様
に良好なオーミック接合特性が得られた。
形成されたダイヤモンド結晶を実施例１と同様の方法を
用いてＩ−Ｖ特性を測定した。この場合も実施例と同様
に良好なオーミック接合特性が得られた。
【００３０】なお、上記条件と同条件でグラファイト層
形成を行なったダイヤモンド結晶を電子顕微鏡観察した
処ダイヤモンド表面に３０Åのグラファイト層が形成さ
れていることが分かった。
形成を行なったダイヤモンド結晶を電子顕微鏡観察した
処ダイヤモンド表面に３０Åのグラファイト層が形成さ
れていることが分かった。
【００３１】〔実施例３〜６及び比較例２〕Ｓｉ基板上
にマイクロ波プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドの
形成を行なった。その際のダイヤモンド合成条件は次の
とおりである。マイクロ波出力４００Ｗ、メタン、水
素、ジボラン（濃度１００ｐｐｍ、水素希釈）の流量を
それぞれ、１．５ＳＣＣＭ、２００ＳＣＣＭ、０．８Ｓ
ＣＣＭとし基板温度８３０℃、圧力５０Ｔｏｒｒとし
た。６時間の合成で約５μｍ厚の半導体ダイヤモンド膜
が形成された。
にマイクロ波プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンドの
形成を行なった。その際のダイヤモンド合成条件は次の
とおりである。マイクロ波出力４００Ｗ、メタン、水
素、ジボラン（濃度１００ｐｐｍ、水素希釈）の流量を
それぞれ、１．５ＳＣＣＭ、２００ＳＣＣＭ、０．８Ｓ
ＣＣＭとし基板温度８３０℃、圧力５０Ｔｏｒｒとし
た。６時間の合成で約５μｍ厚の半導体ダイヤモンド膜
が形成された。
【００３２】このダイヤモンド結晶上に実施例１と同一
の装置を用いてグラファイト層を形成した。グラファイ
ト層の形成条件は、圧力１００Ｔｏｒｒ、ＣＨ4／Ｈ2＝
１０ＳＣＣＭ／１５０ＳＣＣＭ、基板温度９８０℃、マ
イクロ波出力５００Ｗとした。グラファイト層形成時間
を変化させて、実施例１と同様にオーミック接合特性を
測定した処表１のような結果が得られた。
の装置を用いてグラファイト層を形成した。グラファイ
ト層の形成条件は、圧力１００Ｔｏｒｒ、ＣＨ4／Ｈ2＝
１０ＳＣＣＭ／１５０ＳＣＣＭ、基板温度９８０℃、マ
イクロ波出力５００Ｗとした。グラファイト層形成時間
を変化させて、実施例１と同様にオーミック接合特性を
測定した処表１のような結果が得られた。
【００３３】なお、グラファイト層の厚さは、電子顕微
鏡観察により得られた結果である。
鏡観察により得られた結果である。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、半導体表面にグラ
ファイト層、好ましくは１０Å以上のグラファイト層を
形成することにより、良好なオーミック特性を有するダ
イヤモンド−金属接合体を得ることが可能となる。
ファイト層、好ましくは１０Å以上のグラファイト層を
形成することにより、良好なオーミック特性を有するダ
イヤモンド−金属接合体を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるダイヤモンド層形成に用いられ
るダイヤモンド形成装置の１例を示す模式図である。
るダイヤモンド形成装置の１例を示す模式図である。
【図２】オーミック接合特性の測定法を示す模式図であ
る。
る。
【図３】本発明によるダイヤモンド−金属接合体のＩ−
Ｖ特性を示すグラフである。
Ｖ特性を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ダイヤモンド層と、金属層との間
に層厚１０Å以上のグラファイト層を介し、オーミック
接合を形成したことを特徴とするダイヤモンド−金属接
合体。 - 【請求項２】 前記金属層は金属あるいは合金、あるい
はこれらの炭化物、硫化物、ホウ化物からなる請求項１
に記載のダイヤモンド−金属接合体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150317A JPH05891A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | ダイヤモンド−金属接合体 |
| EP92110318A EP0519472B1 (en) | 1991-06-21 | 1992-06-19 | Process for forming a diamond-metal junction product |
| DE69232451T DE69232451T2 (de) | 1991-06-21 | 1992-06-19 | Verfahren zur Herstellung einer Anordung mit einem Diamant-Metall Übergang |
| US08/578,373 US6184059B1 (en) | 1991-06-21 | 1995-12-26 | Process of making diamond-metal ohmic junction semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3150317A JPH05891A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | ダイヤモンド−金属接合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05891A true JPH05891A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15494382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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