JPH0589426A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0589426A JPH0589426A JP24967591A JP24967591A JPH0589426A JP H0589426 A JPH0589426 A JP H0589426A JP 24967591 A JP24967591 A JP 24967591A JP 24967591 A JP24967591 A JP 24967591A JP H0589426 A JPH0589426 A JP H0589426A
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetic thin
- flux density
- high saturation
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】キャップ部分に剥離などの破損が発生しないダ
ブルＭＩＧ構造の磁気ヘッドを提供する。 【構造】磁気ヘッドのギャップ近傍の構造がフェライト
−高飽和磁束密度磁性薄膜−中間磁性薄膜−非磁性薄膜
−中間磁性薄膜−高飽和磁束密度磁性薄膜−フェライト
であり、中間磁性薄膜の熱膨張率が高飽和磁束密度磁性
薄膜の熱膨張率と非磁性薄膜の熱膨張率との間の値であ
る。
ブルＭＩＧ構造の磁気ヘッドを提供する。 【構造】磁気ヘッドのギャップ近傍の構造がフェライト
−高飽和磁束密度磁性薄膜−中間磁性薄膜−非磁性薄膜
−中間磁性薄膜−高飽和磁束密度磁性薄膜−フェライト
であり、中間磁性薄膜の熱膨張率が高飽和磁束密度磁性
薄膜の熱膨張率と非磁性薄膜の熱膨張率との間の値であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクドライ
ブ、ＶＴＲ、フロッピーディスクドライブ等に使用さ
れ、情報の記録・再生を行う磁気ヘッドに関するもので
ある。
ブ、ＶＴＲ、フロッピーディスクドライブ等に使用さ
れ、情報の記録・再生を行う磁気ヘッドに関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】近年の磁気ヘッドにおいては、記録密度を
向上させるため単結晶、多結晶フェライトにより構成さ
れる磁気ヘッドの主ギャップ部近傍にセンダスト等の高
飽和磁束密度磁性薄膜を形成し、主ギャップ近傍の漏れ
磁界を急峻とする構造が採用されている。特に優れた性
能を示す主ギャップの両側に高飽和磁束密度磁性薄膜を
形成した構造（ダブルＭＩＧ構造と総称する）が多用さ
れている。
向上させるため単結晶、多結晶フェライトにより構成さ
れる磁気ヘッドの主ギャップ部近傍にセンダスト等の高
飽和磁束密度磁性薄膜を形成し、主ギャップ近傍の漏れ
磁界を急峻とする構造が採用されている。特に優れた性
能を示す主ギャップの両側に高飽和磁束密度磁性薄膜を
形成した構造（ダブルＭＩＧ構造と総称する）が多用さ
れている。
【０００３】磁気ヘッドのＭＩＧ構造の基本的な考え方
は実公昭29-11642号公報に記載されている。
は実公昭29-11642号公報に記載されている。
【０００４】ダブルＭＩＧ構造の磁気ヘッドは、第２図
に示すように、一対のフェライトより成るリング型の磁
気ヘッド１０１、１０１’の主ギャップ対向面１０２、
１０２’上に、センダスト、パーマロイ等の金属、また
はアモルファス等の高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１
０３’がスパッタリング、蒸着、イオンプレーティング
等により被着され、さらに高飽和磁束密度磁性薄膜１０
３、１０３’間に非磁性薄膜１０６が介在されるように
高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１０３’の少なくとも
一方上にＳｉＯ2 の単層膜又はＳｉＯ2−低融点ガラス
−ＳｉＯ2 積層膜がスパッタリング、蒸着等により被着
されていた。この高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１０
３’及び非磁性薄膜１０６が形成されたフェライト１０
１、１０１’を当接し、加熱して接合していた。
に示すように、一対のフェライトより成るリング型の磁
気ヘッド１０１、１０１’の主ギャップ対向面１０２、
１０２’上に、センダスト、パーマロイ等の金属、また
はアモルファス等の高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１
０３’がスパッタリング、蒸着、イオンプレーティング
等により被着され、さらに高飽和磁束密度磁性薄膜１０
３、１０３’間に非磁性薄膜１０６が介在されるように
高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１０３’の少なくとも
一方上にＳｉＯ2 の単層膜又はＳｉＯ2−低融点ガラス
−ＳｉＯ2 積層膜がスパッタリング、蒸着等により被着
されていた。この高飽和磁束密度磁性薄膜１０３、１０
３’及び非磁性薄膜１０６が形成されたフェライト１０
１、１０１’を当接し、加熱して接合していた。
【０００５】このようにＭＩＧ構造は主ギャップ部近傍
の磁束の飽和を改善し、記録時の発生磁界を急峻にし、
また高保磁力の記録媒体への記録再生を可能とし、記録
密度の高密度化を行うものである。
の磁束の飽和を改善し、記録時の発生磁界を急峻にし、
また高保磁力の記録媒体への記録再生を可能とし、記録
密度の高密度化を行うものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらギャップ
部近傍に存在する応力により、ギャップ接合後の成形加
工中に非磁性薄膜１０６付近から剥離などの破損が起こ
り安定した性能が得られないという問題点があった。
部近傍に存在する応力により、ギャップ接合後の成形加
工中に非磁性薄膜１０６付近から剥離などの破損が起こ
り安定した性能が得られないという問題点があった。
【０００７】これはＭＩＧ構造のギャップ近傍の構造、
即ちフェライト１０１−高飽和磁束密度磁性薄膜１０３
−非磁性薄膜１０６−高飽和磁束密度磁性薄膜１０３’
−フェライト１０１となり、非磁性ギャップである非磁
性薄膜１０６がＳｉＯ2 単層、又はＳｉＯ2 −低融点ガ
ラス−ＳｉＯ2の積層膜であり、夫々異なる部材の熱膨
張率の差及び加熱による結晶構造の変化により発生する
ギャップ部近傍の残留応力を発生させているためであ
る。
即ちフェライト１０１−高飽和磁束密度磁性薄膜１０３
−非磁性薄膜１０６−高飽和磁束密度磁性薄膜１０３’
−フェライト１０１となり、非磁性ギャップである非磁
性薄膜１０６がＳｉＯ2 単層、又はＳｉＯ2 −低融点ガ
ラス−ＳｉＯ2の積層膜であり、夫々異なる部材の熱膨
張率の差及び加熱による結晶構造の変化により発生する
ギャップ部近傍の残留応力を発生させているためであ
る。
【０００８】この現象の改善のため媒体対向面と反対側
のギャップ接合フェライト面の一部に切り欠きを入れて
ガラスで補強する特開平２−１６８４０６、またガラス
と高飽和磁束密度磁性薄膜は濡れ性が悪いためＭｏ膜を
両者間に介在させ強固な接合をする特開平２−１６６６
０５等の方法が提案されているが、充分な解決に至って
いない。
のギャップ接合フェライト面の一部に切り欠きを入れて
ガラスで補強する特開平２−１６８４０６、またガラス
と高飽和磁束密度磁性薄膜は濡れ性が悪いためＭｏ膜を
両者間に介在させ強固な接合をする特開平２−１６６６
０５等の方法が提案されているが、充分な解決に至って
いない。
【０００９】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、熱膨張率の差、加熱による
結晶構造の変化がギャップ部近傍の残留応力を軽減し
て、ギャップ部での破損を防止する磁気ヘッドを提供す
るものである。
たものであり、その目的は、熱膨張率の差、加熱による
結晶構造の変化がギャップ部近傍の残留応力を軽減し
て、ギャップ部での破損を防止する磁気ヘッドを提供す
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
磁気記録媒体に記録・再生を行う磁気ヘッドのギャップ
近傍の構造がフェライト−高飽和磁束密度磁性薄膜−中
間磁性薄膜−非磁性薄膜−中間磁性薄膜−高飽和磁束密
度磁性薄膜−フェライトとなるリング型磁気ヘッドであ
って、前記中間磁性薄膜の熱膨張率が、非磁性薄膜の熱
膨張率より大きく、且つ高飽和磁束密度磁性薄膜の熱膨
張率より小さくしたことである。
磁気記録媒体に記録・再生を行う磁気ヘッドのギャップ
近傍の構造がフェライト−高飽和磁束密度磁性薄膜−中
間磁性薄膜−非磁性薄膜−中間磁性薄膜−高飽和磁束密
度磁性薄膜−フェライトとなるリング型磁気ヘッドであ
って、前記中間磁性薄膜の熱膨張率が、非磁性薄膜の熱
膨張率より大きく、且つ高飽和磁束密度磁性薄膜の熱膨
張率より小さくしたことである。
【００１１】
【作用】上述の構成により、高飽和磁束密度磁性薄膜と
非磁性薄膜との間に介在した中間磁性薄膜が緩衝材とし
て作用して、特に高飽和磁束密度磁性薄膜−非磁性ギャ
ップ間が最大となる熱膨張率の差及び加熱による結晶構
造の変化により発生する残留応力を低減できる。このた
め、簡便な方法で製造を容易で、さらに安定した記録再
生特性の維持・向上が達成できる。
非磁性薄膜との間に介在した中間磁性薄膜が緩衝材とし
て作用して、特に高飽和磁束密度磁性薄膜−非磁性ギャ
ップ間が最大となる熱膨張率の差及び加熱による結晶構
造の変化により発生する残留応力を低減できる。このた
め、簡便な方法で製造を容易で、さらに安定した記録再
生特性の維持・向上が達成できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の磁気ヘッドの構造を示す側面図である。
１は本発明の磁気ヘッドの構造を示す側面図である。
【００１３】磁気ヘッドは、一対のフェライト１、１’
と該フェライト１、１’上に形成した高飽和磁束密度磁
性薄膜３、３’、中間磁性薄膜４、４’及び非磁性薄膜
５から構成されている。
と該フェライト１、１’上に形成した高飽和磁束密度磁
性薄膜３、３’、中間磁性薄膜４、４’及び非磁性薄膜
５から構成されている。
【００１４】一対のフェライト１、１’は、２つＣ字状
バー、又は一方がＣ字状バーのＭｎ−Ｚｎフェライトな
どからなる。
バー、又は一方がＣ字状バーのＭｎ−Ｚｎフェライトな
どからなる。
【００１５】前記一対のフェライト１、１’が互いに当
接しあってリング型を成す際の対向面２、２’にはセン
ダスト、パーマロイ等の金属、またアモルファス金属な
どから成る高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’が形成され
ている。具体的にはそれらの材料をスパッタリング、蒸
着、イオンプレーティング等の薄膜技法によって形成す
る。
接しあってリング型を成す際の対向面２、２’にはセン
ダスト、パーマロイ等の金属、またアモルファス金属な
どから成る高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’が形成され
ている。具体的にはそれらの材料をスパッタリング、蒸
着、イオンプレーティング等の薄膜技法によって形成す
る。
【００１６】前記高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’上
に、さらにＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライ
ト、それらの合金フェライトからなる中間磁性薄膜４、
４’が形成されている。具体的にはそれらのフェライト
をターゲットとして、上述した薄膜技法によって形成す
る。
に、さらにＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライ
ト、それらの合金フェライトからなる中間磁性薄膜４、
４’が形成されている。具体的にはそれらのフェライト
をターゲットとして、上述した薄膜技法によって形成す
る。
【００１７】非磁性薄膜５は、ＳｉＯ2 膜、又はＳｉＯ
2 −鉛ガラスなどの低融点ガラス層−ＳｉＯ2 の積層膜
が形成されている。具体的には、中間磁性薄膜４、４’
上に夫々非磁性薄膜５の所定厚みの約半分のＳｉＯ
2 膜、ＳｉＯ2 −鉛ガラス積層膜を形成する。尚、図１
においては非磁性薄膜５の単層構造で、図２では積層構
造で示す。
2 −鉛ガラスなどの低融点ガラス層−ＳｉＯ2 の積層膜
が形成されている。具体的には、中間磁性薄膜４、４’
上に夫々非磁性薄膜５の所定厚みの約半分のＳｉＯ
2 膜、ＳｉＯ2 −鉛ガラス積層膜を形成する。尚、図１
においては非磁性薄膜５の単層構造で、図２では積層構
造で示す。
【００１８】このように高飽和磁束密度磁性薄膜３、
３’、中間磁性薄膜４、４’、非磁性薄膜５の一部が形
成されたフェライト１、１’を当接して、約５４０℃で
加熱することにより、非磁性薄膜５部分を溶融接合を行
う。これにより、ギャップ部近傍がフェライト１−高飽
和磁束密度磁性薄膜３−中間磁性薄膜４−非磁性薄膜５
−中間磁性薄膜４’−高飽和磁束密度磁性薄膜３’−フ
ェライト１’の構造を有する磁気ヘッドとなる。
３’、中間磁性薄膜４、４’、非磁性薄膜５の一部が形
成されたフェライト１、１’を当接して、約５４０℃で
加熱することにより、非磁性薄膜５部分を溶融接合を行
う。これにより、ギャップ部近傍がフェライト１−高飽
和磁束密度磁性薄膜３−中間磁性薄膜４−非磁性薄膜５
−中間磁性薄膜４’−高飽和磁束密度磁性薄膜３’−フ
ェライト１’の構造を有する磁気ヘッドとなる。
【００１９】本発明によれば、特に中間磁性薄膜４、
４’の熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’の
熱膨張率よりも小さく、非磁性薄膜５の熱膨張率よりも
大きく設定されている。また、中間磁性薄膜４、４’の
飽和磁束密度は、高飽和磁束密度薄膜の飽和磁束密度よ
り低く設定されている。
４’の熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’の
熱膨張率よりも小さく、非磁性薄膜５の熱膨張率よりも
大きく設定されている。また、中間磁性薄膜４、４’の
飽和磁束密度は、高飽和磁束密度薄膜の飽和磁束密度よ
り低く設定されている。
【００２０】前記高飽和磁束密度磁性薄膜３、３’の膜
厚は１〜５μｍ、中間磁性薄膜４、４’の膜厚は約０．
１μｍ、非磁性薄膜５の厚みが０．１〜０．３μｍ程度
に選定される。また、熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性
薄膜３、３’としてセンダストを用いれば１７０×１０
-7／℃となり、中間磁性薄膜４、４’としてＭｎ−Ｚｎ
フェライトを用いると１２５×１０-7／℃となり、非磁
性薄膜５であるＳｉＯ2 が４×１０-7／℃、低融点ガラ
スの鉛ガラスが１００×１０-7／℃である。従って中間
磁性薄膜４、４’の熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性薄
膜３、３’と非磁性薄膜５のＳｉＯ2 の熱膨張率の中間
に値するため、フェライト１、１’を接合するための加
熱接合時に、熱膨張の差、加熱による結晶構造の変化に
よる残留応力の発生を緩和できる。
厚は１〜５μｍ、中間磁性薄膜４、４’の膜厚は約０．
１μｍ、非磁性薄膜５の厚みが０．１〜０．３μｍ程度
に選定される。また、熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性
薄膜３、３’としてセンダストを用いれば１７０×１０
-7／℃となり、中間磁性薄膜４、４’としてＭｎ−Ｚｎ
フェライトを用いると１２５×１０-7／℃となり、非磁
性薄膜５であるＳｉＯ2 が４×１０-7／℃、低融点ガラ
スの鉛ガラスが１００×１０-7／℃である。従って中間
磁性薄膜４、４’の熱膨張率は、高飽和磁束密度磁性薄
膜３、３’と非磁性薄膜５のＳｉＯ2 の熱膨張率の中間
に値するため、フェライト１、１’を接合するための加
熱接合時に、熱膨張の差、加熱による結晶構造の変化に
よる残留応力の発生を緩和できる。
【００２１】従来のＭＩＧ磁気ヘッドにおいては、加熱
接合のギャップ破損の発生率が１０〜３０％であったの
に対して、本発明の磁気ヘッドのギャップ破損の発生率
が５％以下と大きく低減できた。
接合のギャップ破損の発生率が１０〜３０％であったの
に対して、本発明の磁気ヘッドのギャップ破損の発生率
が５％以下と大きく低減できた。
【００２２】また、磁気記録媒体の記録時には上述した
中間磁性薄膜４、４’は磁気飽和し、高飽和磁束密度磁
性薄膜３、３’間が磁気ギャップとして働き、再生時に
は中間磁性薄膜４、４’間の距離が磁気ギャップとして
働くため記録再生効率を向上させることができる。
中間磁性薄膜４、４’は磁気飽和し、高飽和磁束密度磁
性薄膜３、３’間が磁気ギャップとして働き、再生時に
は中間磁性薄膜４、４’間の距離が磁気ギャップとして
働くため記録再生効率を向上させることができる。
【００２３】上述の構造を持つＭＩＧ型磁気ヘッドは単
体もしくは、スライダーなどの摺動材と接合されて、ハ
ードディスクドライブ、ＶＴＲ、フロッピーディスクド
ライブに使用される。
体もしくは、スライダーなどの摺動材と接合されて、ハ
ードディスクドライブ、ＶＴＲ、フロッピーディスクド
ライブに使用される。
【００２４】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドによれば、ギャップ
近傍の構造がフェライト−高飽和磁束密度磁性薄膜−フ
ェライトなどの中間磁性薄膜−非磁性薄膜−フェライト
などの中間磁性薄膜−高飽和磁束密度磁性薄膜−フェラ
イトであるため、高飽和磁束密度磁性薄膜−非磁性薄膜
間が最大となる熱膨張率の差、加熱による結晶構造の変
化により発生する残留応力を両者間にその中間の熱膨張
率を持つフェライト等の中間磁性薄膜により低減でき、
簡単な方法で破損のない磁気ヘッドが達成される。ま
た、更に記録再生特性が維持・向上できる磁気ヘッドど
なる。
近傍の構造がフェライト−高飽和磁束密度磁性薄膜−フ
ェライトなどの中間磁性薄膜−非磁性薄膜−フェライト
などの中間磁性薄膜−高飽和磁束密度磁性薄膜−フェラ
イトであるため、高飽和磁束密度磁性薄膜−非磁性薄膜
間が最大となる熱膨張率の差、加熱による結晶構造の変
化により発生する残留応力を両者間にその中間の熱膨張
率を持つフェライト等の中間磁性薄膜により低減でき、
簡単な方法で破損のない磁気ヘッドが達成される。ま
た、更に記録再生特性が維持・向上できる磁気ヘッドど
なる。
【図１】本発明の磁気ヘッドの構造を示す側面図。
【図２】非磁性薄膜が積層構造のギャップ付近の拡大
図。
図。
【図３】従来の磁気ヘッドの構造を示す側面図。
１、１’・・・フェライト ２、２’・・・対向面 ３、３’・・・高飽和磁束密度磁性薄膜 ４、４’・・・中間磁性薄膜 ５、５’・・・非磁性薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気記録媒体に記録・再生を行う磁気ヘ
ッドのギャップ部がフェライト−高飽和磁束密度磁性薄
膜−中間磁性薄膜−非磁性薄膜−中間磁性薄膜−高飽和
磁束密度磁性薄膜−フェライトからなるリング型磁気ヘ
ッドであって、前記中間磁性薄膜の熱膨張率が、非磁性
薄膜の熱膨張率より大きく、且つ高飽和磁束密度磁性薄
膜の熱膨張率より小さいことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24967591A JPH0589426A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24967591A JPH0589426A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589426A true JPH0589426A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17196537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24967591A Pending JPH0589426A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589426A (ja) |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24967591A patent/JPH0589426A/ja active Pending
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