JPH0589450A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な耐久性を確保しつつ、電磁変換特性の
向上を図る。 【構成】 非磁性支持体１上に真空蒸着法により複数の
磁性薄膜２，３からなる磁性層を形成するための蒸着時
に、得られる磁性薄膜２（又は１磁性薄膜３）の表面を
還元性ガスを含む不活性ガスでボンバード処理して、上
記磁性薄膜２（又は１磁性薄膜３）の表面に形成された
酸化層の膜厚を極薄くしたり、或いはこの酸化層を除去
したりする。このようなボンバード処理に使用される不
活性ガスとしては、特に限定されないが、例えばＡｒガ
ス等が一般的に使用される。また、この不活性ガスに導
入される還元性ガスとしては、例えばＨ₂ ガス、アセチ
レン等が挙げられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に多層
構造からなる磁性層を有する強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金の連続
膜を磁性層とする、所謂強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域における電磁
変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能
であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さ
いことや、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入
する必要がないために磁性材料の充填密度を高くできる
こと等、数々の利点を有している。

【０００３】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、
一般に真空蒸着法により製造されており、例えば冷却キ
ャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非磁
性支持体に対して、蒸発せしめられた磁性材料を斜め方
向から被着させる、所謂斜め蒸着法が実用化されてい
る。

【０００４】このような斜め蒸着法により磁気記録媒体
の磁性層を形成する際には、蒸着時に非磁性支持体の表
面に酸素ガスを導入することにより、得られる磁性膜の
磁気特性の向上を図ることが行われている。

【０００５】ところで、この強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体における電磁変換特性は、一般に残留磁束密度Ｂ
_r や飽和磁化σ_s 、保磁力Ｈ_C に比例することが知られ
ている。従って、例えば磁性層としてＣｏ₈₀Ｎｉ₂₀（数
値は重量％を表す。）の組成を有する磁性薄膜を使用し
た蒸着テープでは、Ｎｉの添加量を減少させたり、或い
は上述のように非磁性支持体の表面に導入される酸素ガ
スの導入量を少なくして、得られる磁性膜表面の酸化物
量を減少させたりすることにより、残留磁束密度Ｂ_r を
増大させ、電磁変換特性の向上を図ることができると考
えられる。

【０００６】ところが、図３に示すように、蒸着時に非
磁性支持体の表面に導入される酸素ガス流量を少なくす
ると、スチル時間が低下する傾向にあり、耐久性が劣化
するという問題が生じる。またこの時、図４に示すよう
に、上記酸素ガス流量の減少に伴って、得られる磁性膜
の出力特性は向上するものの、Ｃ／Ｎ特性が著しく劣化
してしまう。

【０００７】この問題の解決策として、一般的には、非
磁性支持体上に複数の磁性薄膜を積層形成して磁性層を
多層化する方法が採用されている。この方法によれば、
良好な耐久性及びＣ／Ｎ特性を確保しつつ、残留磁束密
度Ｂ_r や保磁力Ｈ_C の向上を図ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のような多層膜か
らなる磁性層を有する磁気記録媒体は、例えば上述のよ
うな斜め蒸着を繰り返し行うことによって製造すること
ができるが、この場合、蒸着時に非磁性支持体の表面に
対して低入射角側から酸素ガスの導入を行うと、各磁性
薄膜の表面に酸化層（当該磁性薄膜の１０％程度の膜
厚）が形成されてしまうことがある。このため、上述の
ように磁性薄膜を積層させると、各磁性薄膜間には中間
酸化層が介在する。

【０００９】しかしながら、このように磁性薄膜間に中
間酸化層が介在していると、各磁性薄膜間の磁気的な結
合を弱めることができるが、この酸化層の膜厚が厚すぎ
ると、逆にエネルギー積が減少し、電磁変換特性が劣化
する虞れが生じる。

【００１０】また、これら複数の磁性薄膜から構成され
てなる磁性層の表面、即ち前記磁性薄膜のうち最も上層
に存在する磁性薄膜の表面に形成された酸化層は、耐久
性の向上を図る上では有効に機能するものの、その膜厚
が厚くなると、スペーシングロスを発生する原因となっ
てしまう。従って、このような多層構造を有する磁気記
録媒体においては、耐久性と電磁変換特性のバランスを
保つことが重要な課題とされる。

【００１１】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、耐久性及び電磁変換特性に優
れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、真空蒸着法により
形成される磁性薄膜の表面をボンバード処理して、この
磁性薄膜の表面に形成された酸化層の膜厚を極薄くした
り、或いはこの酸化層を除去したりすることにより、良
好な耐久性及び電磁変換特性が得られることを見出し、
本発明を完成するに到った。

【００１３】即ち、本発明は、非磁性支持体上に真空蒸
着法により複数の磁性薄膜が積層形成されてなる磁気記
録媒体において、上記磁性薄膜の表面が還元性ガスを含
む不活性ガスでボンバード処理されてなることを特徴と
するものである。

【００１４】本発明の磁気記録媒体において、磁性層は
複数の磁性薄膜からなる多層構造を有してなる。この磁
性層を構成する磁性薄膜の構成材料としては、一般的に
使用されている磁性材料であれば何れでも良いが、特に
金属磁性材料が好ましい。この場合、金属磁性材料とし
ては、通常この種の磁気記録媒体で使用されるものが何
れも使用可能であり、具体的に例示すれば、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の磁性金属や、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が挙げられる。

【００１５】本発明では、これら磁性材料からなる上記
磁性薄膜を形成する方法として、真空蒸着法が用いら
れ、典型的に斜め蒸着が行われる。斜め蒸着とは、蒸発
源から蒸発せしめられた上記磁性材料の蒸気流を、冷却
キャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非
磁性支持体の表面の法線方向に対して所定の入射角をな
す方向から入射させて、上記非磁性支持体上に蒸着させ
る方法であり、この斜め蒸着を繰り返し行うことによ
り、上述のような多層構造を有する磁性層が得られる。

【００１６】このような蒸着に際して、上記磁性薄膜中
に酸素を取り込むことにより磁気特性の向上を図るため
に、蒸着時に非磁性支持体の表面に酸素ガスが導入され
る。このため、得られる磁性薄膜の表面には酸化層が形
成され、この磁性薄膜上に更に磁性薄膜を積層形成する
と、各磁性薄膜間には中間酸化層が介在してしまう。こ
のように、各磁性薄膜間に中間酸化層が介在している
と、磁性層の残留磁束密度Ｂ_r が低下する。

【００１７】これに対して、本発明では、蒸着時に上記
磁性薄膜の表面を還元性ガスを含む不活性ガスでボンバ
ード処理する。これにより、上記酸化層の膜厚を薄くさ
れるか、或いは除去される。

【００１８】実際に、上記酸化層の膜厚は、数１０Å程
度の極僅かで良く、例えば蒸着時に１００Å程度の膜厚
に形成された酸化層をボンバード処理によりその膜厚が
２０Å程度となるように薄膜化させれば、磁性層の残留
磁束密度Ｂ_rを向上させることができるとともに、積層
された磁性薄膜の下層の磁性薄膜から出てくる磁束の低
下等が防止できるので、電磁変換特性を著しく改善する
ことができる。

【００１９】このボンバード処理に使用される不活性ガ
スとしては、特に限定されないが、例えばＡｒガス等が
一般的に使用される。また、この不活性ガスに導入され
る還元性ガスとしては、例えばＨ₂ ガス、アセチレン等
が挙げられる。

【００２０】このようなボンバード処理の条件は、下記
の（１）式から与えられる定数Ｋを用いて表すことがで
きる。

【００２１】

【数１】

【００２２】上記（１）式中、Ｅは処理装置内の電極に
加えられる電圧を表し、Ｉは前記電極の電流値を表す。
また、ｖは上記処理装置中を通過する際のテープスピー
ドを表し、ｗはボンバード処理がなされる磁気テープの
処理幅を表す。

【００２３】従って、上記Ｋは単位面積当たりの処理能
力を表すものと考えられ、本発明では、その値が１０程
度以上となるように上記電極の電圧Ｅや電流値Ｉ等を適
宜選定することが望ましい。このＫの値を前記範囲に制
御することにより、耐久性を確保しつつ、電磁変換特性
の改善を図ることができる。

【００２４】なお、本発明の磁気記録媒体において、磁
性層は２層構造でも良く、３層以上の多層構造でも良
い。また、いずれの場合にも、磁性層を構成している各
磁性薄膜は、その成長方向が互いに同じ方向（順方向）
となるように形成しても良く、反対方向（逆方向）とな
るように形成しても良い。

【００２５】また、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも使
用可能であり、例えばポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル樹
脂や芳香族ポリアミドフィルム、ポリイミド樹脂フィル
ム等が挙げられる。

【００２６】更に、本発明においては、必要に応じて、
上記基体上に下塗り膜を形成する工程やバックコート
層、トップコート層等を形成する工程等を加えても良
い。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコー
ト層等の成膜条件は、通常この種の磁気記録媒体の製造
方法に適用される方法であれば良く、特に限定されな
い。

【００２７】

【作用】得られる磁性薄膜中に酸素を取り込むことによ
って当該磁性薄膜の磁気特性の向上を図るために、非磁
性支持体の表面に酸素ガスを導入しながら磁性材料の蒸
着を行うと、上記磁性薄膜の表面には酸化層が形成され
る。この酸化層を介して上記磁性薄膜上に更に磁性薄膜
を積層形成すると、これら磁性薄膜間には中間酸化層が
介在し、各磁性薄膜間の磁気的な結合を弱めることがで
きる。

【００２８】しかし、実際には、上記中間酸化層の膜厚
は高々数１０Å程度の極僅かでよく、厚すぎると、逆に
エネルギー積が減少し、電磁変換特性の劣化を招くこと
になる。そこで、本発明のように、蒸着時に上記磁性薄
膜の表面をボンバード処理することにより、上記酸化層
を薄膜化、或いは除去すれば、磁性層の残留磁束密度Ｂ
_r が向上し、同時に積層された磁性薄膜の下層の磁性薄
膜から出てくる磁束の低下等が防止されて、電磁変換特
性が向上する。

【００２９】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体実施例
を具体的に説明する。本実施例の磁気テープは、図１に
示すように、ポリエチレンテレフタレートからなる非磁
性支持体１の一方の主面上に第１の磁性薄膜２及び第２
の磁性薄膜３からなる２層構造を有する磁性層が形成さ
れてなる。

【００３０】上記非磁性支持体１の一方の主面上には、
上記第１の磁性薄膜２の下塗り膜としてアクリル酸エス
テル系高分子ラテックスによる塗膜が形成されており、
この下塗り膜を介して該非磁性支持体１上に第１の磁性
薄膜２が形成されている。この下塗り膜は、平均粒径４
００Åの微粒子を含有してなり、この微粒子が１０００
万個／ｍｍ² の割合で存在するように形成される。

【００３１】この下塗り膜上には、第１の磁性薄膜２が
形成され、この第１の磁性薄膜２上に第２の磁性薄膜３
が積層される。これら第１の磁性薄膜２及び第２の磁性
薄膜３は、斜め蒸着法により得られるものであり、その
成長方向は互いに同じ方向（順方向）となるように形成
される。これら第１の磁性薄膜２及び第２の磁性薄膜３
の膜厚は、それぞれ１０００Åである。

【００３２】ここで、上記第１の磁性薄膜２の表面は、
部分的に酸化された状態とされ、この第１の磁性薄膜２
と該第１の磁性薄膜２上に積層される第２の磁性薄膜３
とが磁気的に分断されるようになされている。このよう
な上記第１の磁性薄膜２表面の酸化状態は、斜め蒸着時
に雰囲気中に酸素ガスを導入することにより実現するこ
とができる。

【００３３】このような第１の磁性薄膜２の表面は、後
述するように蒸着時にボンバード処理されている。これ
により、斜め蒸着時に該第１の磁性薄膜２上に形成され
た酸化層の膜厚が薄くされ、或いは除去されて、前記酸
化層による磁性層の電磁変換特性の劣化が防止される。

【００３４】更に、上記第２の磁性薄膜３上には、パー
フルオロポリエーテルを用いたトップコート膜４が形成
されている。一方、上記非磁性支持体１の他方の主面上
には、カーボン、ウレタンからなるバックコート層５が
形成される。

【００３５】このような構成を有する磁気テープは、以
下のような構成を有する製造装置を用いて製造すること
ができる。

【００３６】この製造装置においては、図２に示すよう
に、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口２３から排
気されて内部が真空状態となされた真空室１１内に、図
中の反時計回り方向に定速回転する送りロール１３と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール１４と
が設けられ、これら送りロール１３から巻取りロール１
４にテープ状の非磁性支持体１２が順次走行するように
なされている。

【００３７】これら送りロール１３から巻取りロール１
４側に上記非磁性支持体１２が走行する中途部には、上
記各ロール１３，１４の径よりも大径となされた冷却キ
ャン１５が設けられている。この冷却キャン１５は、上
記非磁性支持体１２を図中下方に引き出すように設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
なお、上記送りロール１３、巻取りロール１４及び冷却
キャン１５は、それぞれ非磁性支持体１２の幅と略同じ
長さからなる円筒状をなすものであり、また上記冷却キ
ャン１５の内部には、図示しない冷却装置が設けられ、
上記非磁性支持体１２の温度上昇による変形等を抑制し
得るようになされている。

【００３８】従って、上記非磁性支持体１２は、送りロ
ール１３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン１
５の周面を通過し、巻取りロール１４に巻き取られてい
くようになされている。なお、上記送りロール１３と上
記冷却キャン１５との間及び該冷却キャン１５と上記巻
取りロール１４との間にはそれぞれガイドロール１６，
１７が配設され、上記送りロール１３から冷却キャン１
５及び該冷却キャン１５から巻取りロール１４に亘って
走行する非磁性支持体１２に所定のテンションをかけ、
該非磁性支持体１２が円滑に走行するようになされてい
る。

【００３９】また、上記真空室１１内には、上記冷却キ
ャン１５の下方にルツボ１８が設けられ、このルツボ１
８内に金属磁性材料（Ｃｏ₈₀Ｎｉ₂₀）１９が充填されて
いる。このルツボ１８は、上記冷却キャン１５の幅と略
同一の幅を有してなる。

【００４０】更に、上記真空室１１の側壁部には、上記
ルツボ１８内に充填された金属磁性材料１９を加熱蒸発
させるための電子銃２０が取付けられる。この電子銃２
０は、該電子銃２０より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ１８内の金属磁性材料１９に照射されるような位置に
配設される。そして、この電子銃２０によって蒸発せし
められた金属磁性材料１９が上記冷却キャン１５の周面
を定速走行する非磁性支持体１２上に磁性層として被着
形成されるようになされている。

【００４１】そして、上記冷却キャン１５の近傍には、
該冷却キャン１５の周面に沿ってシャッタ２２が配設さ
れている。これにより、上記非磁性支持体１２表面の一
部が覆われるかたちとなるので、蒸発せしめられた金属
磁性材料１９の該非磁性支持体１２の表面に対する入射
角を規制することができる。

【００４２】従って、このような製造装置においては、
上記ルツボ１８内に充填された金属磁性材料１９が上記
電子銃２０により加熱蒸発され、上記冷却キャン１５の
周面を走行する非磁性支持体１２に被着されるが、当該
非磁性支持体１２が上記シャッタ２２の一端部（上記非
磁性支持体１２の送出し側の端部）１３ａにより被覆さ
れる時点までの領域で当該非磁性支持体１２に対して蒸
着がなされ、この時点で蒸発せしめられた金属磁性材料
１９の上記非磁性支持体１２に対する入射角θ ₁ が最低
値となるようになされている。

【００４３】また、上記真空室１１内には、上記冷却キ
ャン１５の下方側と上方側を分断するごとく、仕切り板
２１が設けられている。これにより、上記送りロール１
３から送り出された非磁性支持体１２がこの仕切り板２
１を通過した時点より蒸着が行われ、この時点で上記蒸
発せしめられた金属磁性材料１９の上記非磁性支持体１
２に対する入射角θ₂ が最高値をとるようになされてい
る。また、このような仕切り板２１を設けることによ
り、仕切り板２１よりも上方側には蒸発せしめられた金
属磁性材料１９が拡散されることがなくなるので、蒸着
効率が向上する。

【００４４】更に、上記真空室１１の側壁部には、酸素
ガス導入口２８がこの真空室１１の側壁を貫通して設け
られており、蒸着時にこの酸素ガス導入口２８を介して
非磁性支持体１２の表面に酸素ガスが供給されるように
なされている。これにより、得られる磁性薄膜中に酸素
が取り込まれて、磁気特性の向上が図られる。

【００４５】また、この製造装置においては、上記非磁
性支持体１２の送出し側と巻取り側の各ガイドロール１
６，１７と上記冷却キャン１５との中途部にそれぞれ処
理装置２４，２５が設けられている。

【００４６】これら処理装置２４，２５は、上記非磁性
支持体１２の表面及び上述のような斜め蒸着により形成
される磁性薄膜の表面をそれぞれボンバード処理するた
めに設けられるものであり、上記磁性薄膜の形成前と形
成後に、上記非磁性支持体１２及び上記磁性薄膜が形成
された磁気テープが当該処理装置２４，２５中を通過す
るとともに、これら上記非磁性支持体１２と上記磁性薄
膜の表面にボンバード処理がなされるように構成されて
いる。

【００４７】従って、送りロール１３から送り出された
上記非磁性支持体１２は、上記処理装置２４内を通過
し、そして上記冷却キャン１５の周面を走行し、更に上
記処理装置２５内を通過して、上記巻取りロール１４に
巻き取られる。

【００４８】上記処理装置２４，２５には、上記非磁性
支持体１２及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープが
通過するための入口２４ａ，２５ａと出口２４ｂ，２５
ｂがそれぞれ設けられており、これら入口２４ａ，２５
ａから上記処理装置２４，２５内に介入した時点から上
記出口２４ｂ，２５ｂに至までの間に上記非磁性支持体
１２及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープの表面に
対してボンバード処理が施される。このようなボンバー
ド処理を行うことにより、上記非磁性支持体１２上、或
いは蒸着により得られた磁性薄膜上に形成された酸化層
の膜厚が薄くされる、或いは除去されるので、前記酸化
層の存在に起因する電磁変換特性の劣化が防止される。

【００４９】上記処理装置２４（又は処理装置２５）内
には、上記非磁性支持体１２（又は上記磁気テープ）を
介して１対の棒状の電極２６，２６（又は電極２７，２
７）が配設されており、これら電極２６，２６（又は電
極２７，２７）間で放電が発生する構成とされている。
これら電極２６，２６（又は電極２７，２７）として
は、直流型でも、交流型でも何れも使用可能である。

【００５０】また、これら処理装置２４，２５内には、
不活性ガス又は還元ガスを含む不活性ガスが導入され、
上記電極２６，２６（又は電極２７，２７）は水冷され
る。

【００５１】なお、この処理装置によれば、上述のよう
な斜め蒸着により得られた磁性薄膜の表面に加えて、上
記非磁性支持体１２の表面にもボンバード処理がなされ
るが、少なくとも上述の磁性薄膜の表面がボンバード処
理されていれば良く、上記非磁性支持体１２の表面のボ
ンバード処理は省略しても良い。

【００５２】そこで、このような製造装置を用いて以下
のような手順に従って各種磁気テープを製造した。実施例１ １０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの一
主面にアクリル酸エステル系高分子ラテックス（平均粒
径４００Å）を１０００万個／ｍｍ² となるように塗布
して下塗り膜を形成した。

【００５３】次に、金属磁性材料としてＣｏ₈₀Ｎｉ₂₀合
金（数値は組成比を表す。）を用い、上記下塗り膜が形
成されたポリエチレンテレフタレートフィルムを３０ｍ
／分のテープスピードで走行させると同時に、酸素ガス
を導入しながら真空中で斜め蒸着を行って、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に膜厚が１０００Åと
なるように第１の磁性薄膜を形成した。

【００５４】この時、酸素ガスの導入量を２００ｃｃ／
分とし、蒸発せしめられた上記金属磁性材料の上記ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面に対する入射角
を４５〜９０°の範囲で変化させた。

【００５５】また、このような蒸着に際し、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルムの表面と得られた第１の
磁性薄膜の表面をボンバード処理した。このボンバード
処理の条件としては、上記ポリエチレンテレフタレート
フィルムの表面においては、Ａｒガス雰囲気中で上記電
極の電圧を５００Ｖ、電流を０．２Ａとし、第１の磁性
薄膜の表面においては、５％のＨ₂ ガスを含有するＡｒ
ガス雰囲気中で上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を０．
３Ａとした。

【００５６】そして、上記巻取りロールに巻き取られた
上記ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き戻した
後、上記第１の磁性薄膜と同様にして膜厚が１０００Å
となるように第２の磁性薄膜を形成するとともに、得ら
れた第２の磁性薄膜の表面をボンバード処理した。な
お、このボンバード処理の条件は、上記ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの表面に施した場合と同様とし
た。

【００５７】このような蒸着後、得られた磁気テープに
カーボン、ウレタンからなるバックコート層と、パーフ
ルオロポリエーテルを用いたトップコート層をそれぞれ
形成し、更にこの磁気テープを８ｍｍ幅に裁断した。

【００５８】実施例２ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、５％のＨ₂ ガスを含有するＡｒガス雰
囲気中で行ったのを、４％のアセチレンを含有するＡｒ
ガス雰囲気に変えて、その他は実施例１と同様にして磁
気テープを作製した。

【００５９】実施例３ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を
０．３Ａとしたのを、電圧を５００Ｖ、電流を０．０５
Ａに変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テープ
を作製した。

【００６０】実施例４ 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を５００Ｖ、電流を
０．３Ａとしたのを、電圧を５００Ｖ、電流を０．９Ａ
に変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テープを
作製した。

【００６１】比較例 上記実施例１において第１の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、５％のＨ₂ ガスを含有するＡｒガス雰
囲気中で行ったのを、還元性ガスを含まないＡｒガス雰
囲気に変えて、その他は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。

【００６２】このようにして得られた各磁気テープにつ
いて、ソニー社製の商品名ＥＶＳ−９００により０．５
４μｍの波長における再生出力、Ｃ／Ｎ及びエラーレー
トをそれぞれ測定した。この結果を表１に示す。なお、
表１中に、各磁気テープにおける第１の磁性薄膜の表面
をボンバード処理した際の処理能力を示す定数Ｋ（上記
（１）式参照。）の値も併せて記した。

【００６３】

【表１】

【００６４】表１に示すように、実施例１〜４では、比
較例に比べて再生出力及びＣ／Ｎが高く、またエラーレ
ートが低減されていることが判った。従って、蒸着時に
上述のようなボンバード処理を行うことにより、良好な
耐久性が得られるとともに、電磁変換特性の向上が図ら
れることが判った。

【００６５】但し、実施例３のようにボンバード処理に
おける定数Ｋの値が小さいと、再生出力やＣ／Ｎ、或い
はエラーレートを十分に改善することが出来なかった。
このことから、上記ボンバード処理における定数Ｋの値
はおよそ１０以上とされることが望ましいと言える。

【００６６】以上のような本発明の磁気記録媒体は、次
のようなシステムに適用すると、エネルギー積が小さく
なり、エラーレートが抑えられて、良好な結果を期待す
ることができる。

【００６７】Ａ．記録再生装置の構成 からービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルＶＴＲとしては、放送局用
のＤ１フォーマットのコンポーネント形ディジタルＶＴ
Ｒ及びＤ２フォーマットのコンポジット形ディジタルＶ
ＴＲが実用化されている。

【００６８】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。

【００６９】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００７０】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００７１】そこで、ここでは、例えば５μｍのトラッ
ク幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録するよう
にし、記録密度４×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上、あるいは
８×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が８mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルＶＴＲに適用するものとする。

【００７２】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。

【００７３】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図５は記録側の構成全体を示
すものであり、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，
Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタ
ル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとさ
れ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が８ビッ
トとされている。したがって、入力端子３１Ｙ、３１
Ｕ、３１Ｖに供給される信号のデータ量としては、約２
１６Ｍｂｐｓとなる。この信号のうちブランキング時間
のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効
情報抽出回路３２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓ
に圧縮される。

【００７４】そして、上記有効情報抽出回路３２の出力
のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３３に供給され、
サンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に
変換される。周波数変換回路３３としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路３３の出力信号は、
ブロック化回路３５に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路３５は、後
段に設けられたブロック符号化回路３８のために設けら
れている。

【００７５】図７は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図７において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００７６】また、有効情報抽出回路３２の出力のう
ち、２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブ
ライン回路３４に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路３４からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路３４によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図８に示す。図
８中、○は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を
示し、△は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。

【００７７】上記サブサンプリング及びサブライン回路
３４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路３６に
供給される。ブロック化回路３６では一方のブロック化
回路３５と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路３６は、一方のブロック化回路３５と同
様に、色差データを（４ライン×４画素×２フレーム）
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路３５及びブロック化回路３６の出力信号が合成回路３
７に供給される。

【００７８】合成回路３７では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに
変換され、この合成回路３７の出力信号がブロック符号
化回路３８に供給される。ブロック符号化回路３８とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ
（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ）回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路３８
からの出力信号は、さらにフレーム化回路３９に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路３９では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。

【００７９】次いで、フレーム化回路３９の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路４０に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路４０の出力信号はチャンネルエンコーダ４１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ４１
の出力信号が記録アンプ４２Ａ，４２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド４３
Ａ，４３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ４１に供給される。

【００８０】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路３８で
圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ
となる。

【００８１】次に、再生側の構成について図６を参照し
ながら説明する。再生の際には、図６に示すように、先
ず磁気ヘッド４３Ａ，４３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ４４Ａ，４４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ４５に供給される。チャンネルデコーダ４５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ４５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）４６に供給される。このＴＢＣ回路４６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路４６からの再生データがＥＣＣ回路４７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路４７の出力信号がフレーム分解回路
４８に供給される。

【００８２】フレーム分解回路４８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路４８で分離された各データ
がブロック複号回路４９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路５０に供給される。この分配回路５０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路５１，５２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路５１，５２は、送信側のブ
ロック化回路３５，３６とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。

【００８３】ブロック分解回路５１からの複号輝度信号
が補間フィルタ５３に供給される。補間フィルタ５３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ５３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子５６Ｙに
取り出される。

【００８４】一方、ブロック分解回路５２からのディジ
タル色差信号が分配回路５４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路５４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路５５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路５５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路５５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子５
６Ｕ，５６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００８５】ｂ．ブロック符号化 図５におけるブロック符号化回路３８としては、ＡＤＲ
Ｃ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃ
ｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値Ｍ
ＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレン
ジＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路３８の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒ
ａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００８６】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図９を参照しながら説明する。図９におい
て、入力端子５７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図５の合成回路３７より入力される。入力端子
５７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路
５９及び遅延回路６０に供給される。最大値，最小値検
出回路５９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡ
Ｘを検出する。遅延回路６０からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路６０からの画素データが比較回路６１及び
比較回路６２に供給される。

【００８７】最大値，最小値検出回路５９からの最大値
ＭＡＸが減算回路６３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路６４に供給される。これらの減算回路６３及び加算
回路６４には、ビットシフト回路６５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路６５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路６３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路６４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路６３及び加算回
路６４からのしきい値が比較回路６１，６２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００８８】比較回路６１の出力信号がＡＮＤゲート６
６に供給され、比較回路６２の出力信号がＡＮＤゲート
６７に供給される。ＡＮＤゲート６６及びＡＮＤゲート
６７には、遅延回路６０からの入力データが供給され
る。比較回路６１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート６６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路６２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート６７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００８９】ＡＮＤゲート６６の出力信号が平均化回路
６８に供給され、ＡＮＤゲート６７の出力信号が平均化
回路６９に供給される。これらの平均化回路６８，６９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子７０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路６８，６９
に供給されている。平均化回路６８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路６９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路７１で減算され、この減算回路７１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００９０】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路７２に供
給され、遅延回路７３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路７２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路７４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路７５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路７４に供給される。

【００９１】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００９２】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００９３】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路７６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００９４】バッファリング回路７６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路７７に供給され、遅延回路７８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路７７に供給
される。遅延回路７８は、バッファリング回路７６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路７７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路７５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路７４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路７９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路７４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００９５】遅延回路７８、８０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００９６】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図５のチャンネルエンコーダ４１及びチャンネル
デコーダ４５について説明する。チャンネルエンコーダ
４１においては、図１０に示すように、パリティ発生回
路４０の出力が供給される適応型スクランブル回路で、
複数のＭ系列のスクランブル回路８１が用意され、その
中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少な
い出力が得られるようなＭ系列が選択されるように構成
されている。パーシャルレスポンス・クラス４検出方式
のためのプリコーダ８２で、１／１−Ｄ² （Ｄは単位遅
延用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ８２
の出力を記録アンプ４２Ａ，４２Ｂを介して磁気ヘッド
４３Ａ，４３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再生ア
ンプ４４Ａ，４４Ｂによって増幅するようになされてい
る。

【００９７】一方、チャンネルデコーダ４５において
は、図１１に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス４の再生側の演算処理回路８３は、１＋Ｄの演算が再
生アンプ４４Ａ，４４Ｂの出力に対して行われる。ま
た、いわゆるビタビ複号回路８４においては、演算処理
回路８３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等
を用いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行わ
れる。このビタビ複号回路８４の出力がディスクランブ
ル回路８５に供給され、記録側のスクランブル処理によ
って並び変えられたデータが元の系列に戻されて原デー
タが復元される。この実施例において用いられるビタビ
複号回路８４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００９８】ｄ．走行系 磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂは、図１２に示
すように、一体構造とされた形でドラム１０６に取付け
られる。ドラム１０６の周面には、１８０°よりやや大
きいか、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ
（図示せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッ
ド４３Ａ及び磁気ヘッド４３Ｂが同時に磁気テープを走
査するように構成される。

【００９９】また、前記磁気ヘッド４３Ａ及び磁気ヘッ
ド４３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド４３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド４３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【０１００】図１３及び図１４は、磁気ヘッド４３Ａ，
４３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム１０６に一体構造の磁気ヘッド４
３Ａ，４３Ｂが取り付けられ、下ドラム１０７が固定と
されている。ここで、磁気テープ１０８の巻き付け角θ
は１６６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【０１０１】したがって、磁気テープ１０８には、１フ
ィールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【０１０２】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【０１０３】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層を形成するための蒸着時に、得られる磁
性薄膜の表面をボンバード処理しているので、前記磁性
薄膜の表面に形成される酸化層の膜厚が薄くされるか、
又は除去される。従って、上記磁性薄膜上にさらに繰り
返し蒸着を行って磁性薄膜を積層形成しても、上記酸化
層による悪影響を防止することができ、良好な耐久性を
確保するとともに、電磁変換特性の向上を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の構成を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の磁気記録媒体を製造する際に使用され
る製造装置の一例を示す模式図である。

【図３】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層のスチル時間の関係を示す特性図である。

【図４】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層の出力特性及びＣ／Ｎ特性を示す特性図であ
る。

【図５】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮いて記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図６】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図７】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図８】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図９】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図１０】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブ
ロック図である。

【図１１】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図１２】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。

【図１３】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１４】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。

【符号の説明】

１，１２・・・非磁性支持体 ２・・・第１の磁性薄膜 ３・・・第２の磁性薄膜 ４・・・トップコート膜 ５・・・バックコート層 １５・・・冷却キャン １８・・・ルツボ １９・・・金属磁性材料 ２０・・・電子銃 ２２・・・シャッタ ２４，２５・・・処理装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 ゆかり 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に真空蒸着法により複数
   の磁性薄膜が積層形成されてなる磁気記録媒体におい
   て、 少なくとも下層となる磁性薄膜の表面が還元ガスを含む
   不活性ガスでボンバード処理されてなることを特徴とす
   る磁気記録媒体。