JPH0590631A - 表面取付用フオトカプラ - Google Patents

表面取付用フオトカプラ

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JPH0590631A
JPH0590631A JP41775890A JP41775890A JPH0590631A JP H0590631 A JPH0590631 A JP H0590631A JP 41775890 A JP41775890 A JP 41775890A JP 41775890 A JP41775890 A JP 41775890A JP H0590631 A JPH0590631 A JP H0590631A
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JP41775890A
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Jacques C Thillays
クロード テイレイ ジヤツク
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers

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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価につくることのできる、高い絶縁電圧値
を有する表面取付用フォトカプラを得る。 【構造】 フォトカプラは、光送信素子を有する第１支
持体（20）と、光受信素子を有する第２支持体（20′）
と、絶縁性アセンブリハウジング(1) とを有し、このア
センブリハウジング内には、前記の第１および第２支持
体（20, 20′）が、光送信素子と光受信素子が互に面す
るように、アセンブリハウジングの縦方向（Ｆ）のスナ
ップ連結によって組立てられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面取付(surface mou
nting)用のフォトカプラに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトカプラは、単一のハウジング内に
光送信素子と光受信素子を結合させる。その機能は、信
号を交換する回路の電気的分離であり、一方その特性の
主な要素は絶縁電圧で、この電圧の値は、送信素子と受
信素子をへだてる距離に依存する。したがって、ハウジ
ングは大きな電気絶縁値を有する支持体を用いるが、こ
の支持体は高価である（セラミック等）。それ故、絶縁
電圧を増すために寸法を大きくするのは高価になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
につくることのできる、高い絶縁電圧を有する表面取付
用フォトカプラを得ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトカプラは次の特徴を有する、すな
わち、光送信素子を支持する第１支持体と、光受信素子
を支持する第２支持体と、絶縁性アセンブリハウジング
とを有し、このアセンブリハウジング内には、第１およ
び第２支持体が、光送信素子と光受信素子が互に面する
ようにアセンブリハウジングの縦方向に一緒に組立てら
れ、第１および第２支持体は、表面取付の目的で、前記
の各素子と電気接触した導体トラックが設けられた側面
を有する。
【０００５】アセンブリハウジングは、所望される高い
電気絶縁を得させることのできる、２つの支持体間のス
ペーサ機能を果たす。他方において、このアセンブリハ
ウジングは安価な構成要素である。
【０００６】アセンブリハウジングは、横方向に一緒に
組立てられる２つの部分を有する。このことは、２つの
組立てられる部分を型内でつくるのを特に簡単にするこ
とができる。
【０００７】本発明の好ましい実施例では、アセンブリ
ハウジングは、次のはんだ工程のためにフォトカプラを
回路例えばプリント回路に対して平らに保つ目的を有す
る組立接着剤を収容するように配設された少なくとも１
つのくぼみを有する。
【０００８】
【実施例】本発明を更に理解し易いように、以下に図面
の実施例で説明する。
【０００９】図１において、絶縁材料でつくられた細長
い形のアセンブリハウジング１は受面14を有し、組立て
られると、この受面に対し、支持体20, 20 ′が、ハウ
ジングの縦方向に沿って（矢印Ｆ）スナップ連結11, 12
により当接して保持される。一方の支持体20は光送信素
子を有し、他方の支持体20′は光受信素子を有する。ス
ナップ連結と当接によって、前記の２つの素子の光軸が
実際上同じになることが保証される。アセンブリハウジ
ング１は光ビームの通過のための円形または方形の開口
４を有し、この開口は、縦方向の両端において凹所５内
に延在し、この凹所は、若し適当ならば、前記の素子と
その電気接続部ならびにその光接合素子を収めることが
できる。アセンブリハウジング１の長さは、所望の絶縁
電圧を得ることを可能にするもので、したがって、この
パラメータに従うように選ばれる。更に、アセンブリハ
ウジング１はその上面または下面の一方に、支持体20,
20′の接点（金属化部）22と24に対する流動はんだ付を
考慮して、フォトカプラをプリント回路30上に固定する
ための接着剤９を入れるくぼみ８を有する。
【００１０】図3a, 3bおよび４は、支持体20, 20′をよ
り詳しく示したものである。光電素子40すなわち光送信
素子か光受信素子がその上面27に取付けられ、一方その
２つの電極は２つの金属化部と接触し、これ等の金属化
部の一方は側面26の金属化部22と接触し、他方は、同じ
側面26の前記の金属化部22とは隔離した金属化部24と接
触する。支持体の底面25は、前記の金属化部22および24
と夫々接触する金属化部21および23を有することができ
る。これ等の金属化部21と23は、フォトカプラが取付け
られた時に試験の目的に役立つことができ、或はまたそ
の代りにそれ自体で使用される場合すなわちアセンブリ
ハウジング１がない場合に支持体20の表面取付用の金属
化部として役立つことができる。
【００１１】支持体20の上面27は、金属化部22および24
と夫々接触する２つの金属化部41および43を有する。光
電素子40はその底面で金属化部41と接触する。光電素子
40の別の接触は、その上面と金属化部43との間の線42に
より得られる。
【００１２】２つのくぼみ８すなわち一方はアセンブリ
ハウジング１の上面にあり他方は該ハウジングの底面に
あるくぼみが図面に示されていることに注意され度い。
これは、特にアセンブリハウジング１を該ハウジングの
縦面に沿って互に分離された２つのハウジング半部２と
３の形で横方向に簡単に組立てることができるように、
対称的に位置させる目的に外ならない。例えば合成物質
の射出成型によりつくられた、２つのハウジング半部２
と３を有するアセンブリハウジング１の構造は、このよ
うにすると特に経済的である。
【００１３】更に、支持体20, 20′（例えばセラミック
材料でつくられた）は、２つの光電素子すなわち送信素
子と受信素子間の高い絶縁電圧の問題にわずらわされる
ことがないので、小さな寸法を有することができる。
【００１４】このようにして、製造が簡単で、安価な高
性能の光結合器が得られる。
【００１５】支持体20, 20′がアセンブリハウジング１
に組立てられる時には、これ等の支持体は、受面14では
スナップ連結部12によって、また側方にはスナップ連結
アーム11の面15によって、アセンブリハウジングに一緒
にクランプ状態に保たれる。２つの支持体20, 20′の金
属化部22と24が、アセンブリハウジング１の前記の同じ
底面に配され、表面取付を可能にする。アセンブリハウ
ジングを得るのに特に適した材料は、例えば、酸化チタ
ンを充填(charge)されたポリアミド４−６（ドイツ国の
商社DSM の商品名STANYLの名で知られている）また代り
に、ガラスファイバと酸化チタンを充填された所謂“液
晶（liquid crystaL) ”ポリマー（American CELANESE
Company のブランド名 Vectra の名で知られている）で
ある。
【００１６】中心開口４は反射性とすることができ、こ
の場合、光伝導作用に適合した直径を有する円筒状断面
を有するのが好ましい。光電素子40は、発光効果をよく
するためにレンズの焦点に配することができる。中心開
口は、反射性か否かに拘らず、光結合作用を増すために
透明樹脂で満たすことができる。この樹脂は、毛細管作
用により開口４を満たすのに適したタイプ、例えばLOCT
ITE よりの樹脂“Pore-tanche 290 ”が好ましく、この
樹脂は水の10倍流動的である。この樹脂は、支持体20を
付着によって定位置に固定する付加的な利点を有する。
【００１７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトカプラの斜視図
【図２】2aはフォトカプラの半部の側面図 2bは2cのＢ−Ｂにおける断面図 2cは2aのＡにおける部分断面図
【図３】3aは支持体の左からの側面 3bは支持体の下から見た側面図
【図４】支持体の右からの側面図
【符号の説明】
2, 3 アセンブリハウジングの半部 4 中心開口 5 凹所 8 くぼみ 9 接着剤 11 スナップ連結アーム 12 スナップ連結部 14 受面 21, 22, 23, 24, 41, 43 金属化部 25 支持体の底面 26 支持体の側面 27 支持体の上面 40 光電素子 44 接続線

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光送信素子を支持する第１支持体（20）
    と、光受信素子を支持する第２支持体（20′）と、絶縁
    性アセンブリハウジング（1)とを有し、このアセンブリ
    ハウジング内には、第１および第２支持体（20,20′）
    が、光送信素子と光受信素子が互に面するようにアセン
    ブリハウジングの縦方向に一緒に組立てられ、第１およ
    び第２支持体（20, 20′）は、表面取付の目的で、前記
    の各素子と電気接触した導体トラック（22, 24）が設け
    られた側面（26）を有することを特徴とする表面取付用
    フォトカプラ。
  2. 【請求項２】 アセンブリはスナップ連結で組立てられ
    た請求項１記載のフォトカプラ。
  3. 【請求項３】 アセンブリハウジングは、横方向に一緒
    に組立てられる２つの部分（２，３）を有する請求項１
    または２記載のフォトカプラ。
  4. 【請求項４】 アセンブリハウジング（１）は、次のは
    んだ付け工程のためにフォトカプラを回路（30）に対し
    て平らに保つ目的を有する接着剤（９）を収容する少な
    くとも１つのくぼみ（８）を有する請求項１ないし３の
    何れか１項記載のフォトカプラ。
  5. 【請求項５】 支持体（20, 20′）の少なくとも１つは
    セラミック材料でつくられた請求項１ないし４の何れか
    １項記載のフォトカプラ。
  6. 【請求項６】 アセンブリハウジングは合成物質よりつ
    くられた請求項１ないし５の何れか１項記載のフォトカ
    プラ。
  7. 【請求項７】 合成物質は、酸化チタンを充填されたポ
    リアミド４−６である請求項６記載のフォトカプラ。
  8. 【請求項８】 合成物質は、ガラスファイバと酸化チタ
    ンを充填されたポリマーである請求項６記載のフォトカ
    プラ。
  9. 【請求項９】 アセンブリハウジング（１）は、その形
    が光導伝体として作用するのに適合した中心開口（４）
    を有する請求項１ないし８の何れか１項記載のフォトカ
    プラ。
  10. 【請求項１０】 中心開口（４）は反射性である請求項
    ９記載のフォトカプラ。
  11. 【請求項１１】 中心開口（４）は透明樹脂で満たされ
    た請求項９または10記載のフォトカプラ。
  12. 【請求項１２】 第１支持体（20）は第２支持体（2
    0′）と同じである請求項１ないし11の何れか１項記載
    のフォトカプラ。
JP41775890A 1989-12-29 1990-12-27 表面取付用フォトカプラ Expired - Lifetime JPH07112077B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8917453A FR2656739A1 (fr) 1989-12-29 1989-12-29 Photo-coupleur pour montage en surface.
FR8917453 1989-12-29

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Publication Number Publication Date
JPH0590631A true JPH0590631A (ja) 1993-04-09
JPH07112077B2 JPH07112077B2 (ja) 1995-11-29

Family

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JP41775890A Expired - Lifetime JPH07112077B2 (ja) 1989-12-29 1990-12-27 表面取付用フォトカプラ

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US (1) US5148039A (ja)
EP (1) EP0435398B1 (ja)
JP (1) JPH07112077B2 (ja)
DE (1) DE69018950T2 (ja)
FR (1) FR2656739A1 (ja)

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DE69018950D1 (de) 1995-06-01
FR2656739A1 (fr) 1991-07-05
DE69018950T2 (de) 1995-12-07
JPH07112077B2 (ja) 1995-11-29
EP0435398B1 (fr) 1995-04-26
US5148039A (en) 1992-09-15
EP0435398A1 (fr) 1991-07-03

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