JPH0590648A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
- Publication number
- JPH0590648A JPH0590648A JP3252305A JP25230591A JPH0590648A JP H0590648 A JPH0590648 A JP H0590648A JP 3252305 A JP3252305 A JP 3252305A JP 25230591 A JP25230591 A JP 25230591A JP H0590648 A JPH0590648 A JP H0590648A
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- infrared detector
- electrode
- semiconductor substrate
- lower electrode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外線検出装置を改良する。
【構成】 半導体基板上に所定の電極配線パターンが形
成されると共に、電極配線パターンに接続された熱吸収
性の下部電極および上部電極を含む赤外線検出部が半導
体基板上に形成され、半導体基板上の下部電極の面積が
上部電極の面積よりも小さく形成されていることを特徴
とする。本発明の構成によれば、赤外線検出器の下部電
極の面積が上部電極の面積より小さくされているので、
赤外線検出器のポーリング時に放電が生じる確率を大幅
に低減し得る。
成されると共に、電極配線パターンに接続された熱吸収
性の下部電極および上部電極を含む赤外線検出部が半導
体基板上に形成され、半導体基板上の下部電極の面積が
上部電極の面積よりも小さく形成されていることを特徴
とする。本発明の構成によれば、赤外線検出器の下部電
極の面積が上部電極の面積より小さくされているので、
赤外線検出器のポーリング時に放電が生じる確率を大幅
に低減し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に形成さ
れた赤外線検出器を含むモノリシック型の赤外線検出装
置に関する。
れた赤外線検出器を含むモノリシック型の赤外線検出装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の赤外線検出器装置の断面構
造を示している。図示の通り、半導体基板１１の所定位
置には電極配線パターン１２が形成され、更に熱吸収膜
を兼ねた下部電極１３と、焦電材料１４と、熱吸収膜を
兼ねた上部電極１５とからなる赤外線検出器が設けられ
ている。ここで、下部電極１３の端部は電極配線パター
ン１２に接している。
造を示している。図示の通り、半導体基板１１の所定位
置には電極配線パターン１２が形成され、更に熱吸収膜
を兼ねた下部電極１３と、焦電材料１４と、熱吸収膜を
兼ねた上部電極１５とからなる赤外線検出器が設けられ
ている。ここで、下部電極１３の端部は電極配線パター
ン１２に接している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
図３に示した断面構造を有する赤外線検出装置におい
て、とくに赤外線検出材料に焦電型を用い、モノリシッ
ク型を作製するときに、次に述べるような製作上の問題
点が生じる。焦電材料は一般に、赤外線検出器として使
用するためにポーリングと呼ばれる工程が必要である。
このポーリングというのは、焦電材料にある一定時間
（数１０分間程度）電圧を印加することであり、その印
加電圧は数１００ボルトから数１０００ボルトにもな
る。
図３に示した断面構造を有する赤外線検出装置におい
て、とくに赤外線検出材料に焦電型を用い、モノリシッ
ク型を作製するときに、次に述べるような製作上の問題
点が生じる。焦電材料は一般に、赤外線検出器として使
用するためにポーリングと呼ばれる工程が必要である。
このポーリングというのは、焦電材料にある一定時間
（数１０分間程度）電圧を印加することであり、その印
加電圧は数１００ボルトから数１０００ボルトにもな
る。
【０００４】したがって図３に示したような焦電材料１
４の上下に配置された電極１２，１５では、電極周辺部
で放電が生じ、焦電材料１４に所望の電圧が印加され
ず、焦電特性として満足した値が得られない。また、放
電が生じると赤外線検出器の下に位置する半導体基板１
１、特に、回路やＣＣＤが搭載されているものは、それ
ら機能の一部が損失することがある。
４の上下に配置された電極１２，１５では、電極周辺部
で放電が生じ、焦電材料１４に所望の電圧が印加され
ず、焦電特性として満足した値が得られない。また、放
電が生じると赤外線検出器の下に位置する半導体基板１
１、特に、回路やＣＣＤが搭載されているものは、それ
ら機能の一部が損失することがある。
【０００５】本発明は、上記した点に鑑みなされたもの
で、赤外線検出部となる焦電材料をポーリングするとき
に放電現象が生じない電極配置構造をもった赤外線検出
装置を提供することを目的とする。
で、赤外線検出部となる焦電材料をポーリングするとき
に放電現象が生じない電極配置構造をもった赤外線検出
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る赤外線検出
装置は、半導体基板上に所定の電極配線パターンが形成
されると共に、電極配線パターンに接続された熱吸収性
の下部電極および上部電極を含む赤外線検出部が半導体
基板上に形成され、半導体基板上の下部電極の面積が上
部電極の面積と異なるように形成されていることを特徴
とする。
装置は、半導体基板上に所定の電極配線パターンが形成
されると共に、電極配線パターンに接続された熱吸収性
の下部電極および上部電極を含む赤外線検出部が半導体
基板上に形成され、半導体基板上の下部電極の面積が上
部電極の面積と異なるように形成されていることを特徴
とする。
【０００７】
【作用】本発明の構成によれば、赤外線検出器の下部電
極の面積が上部電極の面積と異なるようにされているの
で、赤外線検出器のポーリング時に放電が生じる確率を
大幅に低減し得る。
極の面積が上部電極の面積と異なるようにされているの
で、赤外線検出器のポーリング時に放電が生じる確率を
大幅に低減し得る。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を説明する。
【０００９】図１は、本発明による赤外線検出装置の上
面図であり、図２はＡ−Ａ線の構造断面図である。半導
体基板１１上の所望位置には、メタルなどからなる電極
配線パターン１２が形成されている。そして、図３と同
様に、下部電極１３と、焦電材料１４と、上部電極１５
とからなる赤外線検出器が形成され、下部電極１３の端
部は電極配線パターン１２に接続されている。本実施例
においては、このような構造において、下部電極１３の
面積が、上部電極１５の面積より小になるよう形成した
ことを特徴とする。そして、電極配線パターン１２の一
部はパッシベーション膜１００でカバーされている。
面図であり、図２はＡ−Ａ線の構造断面図である。半導
体基板１１上の所望位置には、メタルなどからなる電極
配線パターン１２が形成されている。そして、図３と同
様に、下部電極１３と、焦電材料１４と、上部電極１５
とからなる赤外線検出器が形成され、下部電極１３の端
部は電極配線パターン１２に接続されている。本実施例
においては、このような構造において、下部電極１３の
面積が、上部電極１５の面積より小になるよう形成した
ことを特徴とする。そして、電極配線パターン１２の一
部はパッシベーション膜１００でカバーされている。
【００１０】すなわち、上部電極１５と同面積に焦電材
料１４が形成され、この下側の下部電極１３は小面積に
形成されている。このような構造を有する赤外線検出装
置を作製するには、まず所望の電極配線パターン１２が
施された半導体基板１１に焦電型の赤外線検出器の下部
電極１３となる熱吸収膜を蒸着し、小さい面積にパター
ニングする。その後、焦電材料１４を蒸着技術、スパッ
タ技術または塗布技術などにより堆積し、さらに上部電
極１５となる熱吸収膜を蒸着し、フォトエッチ工程によ
り、大きい面積の形状に加工する。このような本発明に
よる赤外線検出装置は、通常のシリコン集積回路技術を
用いることにより容易に製作することができる。
料１４が形成され、この下側の下部電極１３は小面積に
形成されている。このような構造を有する赤外線検出装
置を作製するには、まず所望の電極配線パターン１２が
施された半導体基板１１に焦電型の赤外線検出器の下部
電極１３となる熱吸収膜を蒸着し、小さい面積にパター
ニングする。その後、焦電材料１４を蒸着技術、スパッ
タ技術または塗布技術などにより堆積し、さらに上部電
極１５となる熱吸収膜を蒸着し、フォトエッチ工程によ
り、大きい面積の形状に加工する。このような本発明に
よる赤外線検出装置は、通常のシリコン集積回路技術を
用いることにより容易に製作することができる。
【００１１】なお、図示はしないが、半導体基板１１に
は電界効果トランジスタなどによって赤外線検出器を駆
動する回路が形成され、また赤外線検出器の出力電圧を
処理するＪ−ＦＥＴなどを含む信号処理用の回路が形成
されている。さらに、これらの回路は集積回路として構
成されていてもよい。また、電荷結合素子（ＣＣＤ）を
半導体基板１１に形成することにより、赤外線検出器の
出力を所定のタイミングで転送するようにしてもよい。
は電界効果トランジスタなどによって赤外線検出器を駆
動する回路が形成され、また赤外線検出器の出力電圧を
処理するＪ−ＦＥＴなどを含む信号処理用の回路が形成
されている。さらに、これらの回路は集積回路として構
成されていてもよい。また、電荷結合素子（ＣＣＤ）を
半導体基板１１に形成することにより、赤外線検出器の
出力を所定のタイミングで転送するようにしてもよい。
【００１２】このような構造を有する赤外線検出装置
は、赤外線検出部の十分なポーリング効果が達成され、
特性的に優れた赤外線検出装置が提供できる。また、集
積回路にダメージを与えたりすることもない。
は、赤外線検出部の十分なポーリング効果が達成され、
特性的に優れた赤外線検出装置が提供できる。また、集
積回路にダメージを与えたりすることもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、赤外線検出器の下部電
極が上部電極より小さく形成されているので、放電を生
じさせることなく、赤外線検出器のポーリングを効率よ
く行うことができ、非常に効率のよい赤外線検出器が得
られる。
極が上部電極より小さく形成されているので、放電を生
じさせることなく、赤外線検出器のポーリングを効率よ
く行うことができ、非常に効率のよい赤外線検出器が得
られる。
【図１】本発明による赤外線検出装置の上面図である。
【図２】本発明による赤外線検出装置の断面構造図であ
る。
る。
【図３】従来装置の断面構造図である。
１１…半導体基板 １２…電極配線パターン １３…下部電極 １４…焦電材料 １５…上部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に所定の電極配線パターン
が形成されると共に、前記電極配線パターンに接続され
た熱吸収性の下部電極および上部電極を含む赤外線検出
部が前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板上の
前記下部電極の面積が前記上部電極の面積と異なるよう
に形成されていることを特徴とする赤外線検出装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板に前記赤外線検出部を駆
動する回路または該赤外線検出部から出力された信号を
処理する回路の少なくともいずれか一方が集積化されて
搭載されている請求項１記載の赤外線検出装置。 - 【請求項３】 前記半導体基板にＣＣＤデバイスを搭載
している請求項１記載の赤外線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252305A JPH0590648A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252305A JPH0590648A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 赤外線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590648A true JPH0590648A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17235404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252305A Pending JPH0590648A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590648A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355450B2 (ja) * | 1982-04-06 | 1988-11-02 | Diesel Kiki Co | |
| JPH02230769A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Hitachi Denshi Ltd | 焦電型固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3252305A patent/JPH0590648A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355450B2 (ja) * | 1982-04-06 | 1988-11-02 | Diesel Kiki Co | |
| JPH02230769A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Hitachi Denshi Ltd | 焦電型固体撮像装置 |
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