JPH0591749A - インバータ装置 - Google Patents
インバータ装置Info
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- JPH0591749A JPH0591749A JP3243521A JP24352191A JPH0591749A JP H0591749 A JPH0591749 A JP H0591749A JP 3243521 A JP3243521 A JP 3243521A JP 24352191 A JP24352191 A JP 24352191A JP H0591749 A JPH0591749 A JP H0591749A
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スイッチング素子へのストレスを防止する。
【構成】 スイッチング素子Q1 は帰還回路FB1 によ
り帰還によりスイッチング素子Q2 のオフ後にオンにす
る。スイッチング素子Q2 は発振回路OSのパルス信号
で駆動する。帰還回路FB2 によりスイッチング素子Q
1 がオフとなるまでスイッチング素子Q2 の駆動を停止
する。また、帰還回路FB3 によりスイッチング素子Q
1 のオフ後スイッチング素子Q2 を強制的にオン駆動す
る。 【効果】 スイッチング素子Q2 がオンとなる前にスイ
ッチング素子Q1 に逆並列接続したダイオードD1 に電
流が流れるのを防止することができ、ダイオードD1 の
逆回復電流がスイッチング素子Q2 がオンとなったとき
に電源短絡電流として流れるのを防止することができ
る。
り帰還によりスイッチング素子Q2 のオフ後にオンにす
る。スイッチング素子Q2 は発振回路OSのパルス信号
で駆動する。帰還回路FB2 によりスイッチング素子Q
1 がオフとなるまでスイッチング素子Q2 の駆動を停止
する。また、帰還回路FB3 によりスイッチング素子Q
1 のオフ後スイッチング素子Q2 を強制的にオン駆動す
る。 【効果】 スイッチング素子Q2 がオンとなる前にスイ
ッチング素子Q1 に逆並列接続したダイオードD1 に電
流が流れるのを防止することができ、ダイオードD1 の
逆回復電流がスイッチング素子Q2 がオンとなったとき
に電源短絡電流として流れるのを防止することができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、放電灯点灯装置等に
用いられる、いわゆる自励他制方式のインバータ装置に
関するものである。
用いられる、いわゆる自励他制方式のインバータ装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種のインバータ装置の一例を
図7に示し、以下その構成および動作を説明する(特願
平1−182850号参照)。このインバータ装置は、
図7に示すように、直流電源E1 (交流電源を直流電圧
に変換したものでもよい)に、電源スイッチSWを介し
て各々トランジスタからなる主スイッチング素子Q1 ,
Q2 の直列回路を接続し、各主スイッチング素子Q1 ,
Q2 に各々ダイオードD1 ,D2 を逆並列接続してなる
ハーフブリッジ構成であり、インダクタL1 とコンデン
サC1 よりなるLC共振回路と放電ランプ等の負荷LD
からなる振動回路VBをもち、主スイッチング素子Q1
に振動回路VBを並列接続しており、また主スイッチン
グ素子Q2 を起動させるための起動回路STも備えてい
る。起動回路STは、抵抗R8,コンデンサC4 ,ダイ
オードD4 および電圧応答スイッチング素子Q5 からな
る。なお、後述する図4,図6の実施例回路では、起動
回路の図示は省略している。
図7に示し、以下その構成および動作を説明する(特願
平1−182850号参照)。このインバータ装置は、
図7に示すように、直流電源E1 (交流電源を直流電圧
に変換したものでもよい)に、電源スイッチSWを介し
て各々トランジスタからなる主スイッチング素子Q1 ,
Q2 の直列回路を接続し、各主スイッチング素子Q1 ,
Q2 に各々ダイオードD1 ,D2 を逆並列接続してなる
ハーフブリッジ構成であり、インダクタL1 とコンデン
サC1 よりなるLC共振回路と放電ランプ等の負荷LD
からなる振動回路VBをもち、主スイッチング素子Q1
に振動回路VBを並列接続しており、また主スイッチン
グ素子Q2 を起動させるための起動回路STも備えてい
る。起動回路STは、抵抗R8,コンデンサC4 ,ダイ
オードD4 および電圧応答スイッチング素子Q5 からな
る。なお、後述する図4,図6の実施例回路では、起動
回路の図示は省略している。
【0003】インダクタL1 は一次巻線n1 と二次巻線
n2 ,n3 とから構成される。一次巻線n1 は振動回路
VBを構成し、二次巻線n2 の一端は抵抗R1 により主
スイッチング素子Q1 のベース端子に接続され、もう一
方は主スイッチング素子Q1 のエミッタ端子に接続され
ている。すなわち、二次巻線n2 は、インダクタL1 に
流れる振動電流を主スイッチング素子Q1 のベース端子
に帰還するよう動作し、主スイッチング素子Q2 のオフ
後に主スイッチング素子Q1 をオン駆動する。一方、二
次巻線n3 は、整流用のダイオードD3 を通して駆動回
路DR1 に接続され、振動回路VBの一部出力信号を駆
動回路DR1 に帰還するよう動作し、主スイッチング素
子Q2 の駆動を主スイッチング素子Q1 がオフとなるま
で停止させる。
n2 ,n3 とから構成される。一次巻線n1 は振動回路
VBを構成し、二次巻線n2 の一端は抵抗R1 により主
スイッチング素子Q1 のベース端子に接続され、もう一
方は主スイッチング素子Q1 のエミッタ端子に接続され
ている。すなわち、二次巻線n2 は、インダクタL1 に
流れる振動電流を主スイッチング素子Q1 のベース端子
に帰還するよう動作し、主スイッチング素子Q2 のオフ
後に主スイッチング素子Q1 をオン駆動する。一方、二
次巻線n3 は、整流用のダイオードD3 を通して駆動回
路DR1 に接続され、振動回路VBの一部出力信号を駆
動回路DR1 に帰還するよう動作し、主スイッチング素
子Q2 の駆動を主スイッチング素子Q1 がオフとなるま
で停止させる。
【0004】発振回路OSは標準的な2個のC−MOS
ゲートIC1 ,IC2 (4069,4049等)とコン
デンサC2 および抵抗R4 ,R5 とで構成される無安定
マルチバイブレータからなり、一定周期のパルス信号を
発生する。この発振回路OSの発振周期Tは次式で決定
され、発振出力のデューティは50%である。 T≒2.2C2 ×R5 ここで、発振回路OSの発振周期Tは振動回路VBの固
有振動周期より短く設定されている。
ゲートIC1 ,IC2 (4069,4049等)とコン
デンサC2 および抵抗R4 ,R5 とで構成される無安定
マルチバイブレータからなり、一定周期のパルス信号を
発生する。この発振回路OSの発振周期Tは次式で決定
され、発振出力のデューティは50%である。 T≒2.2C2 ×R5 ここで、発振回路OSの発振周期Tは振動回路VBの固
有振動周期より短く設定されている。
【0005】駆動回路DR1 は、発振回路OSから出力
されるパルス信号に応答して主スイッチング素子Q2 を
オン駆動するものであり、直列接続した2個のトランジ
スタQ3 ,Q4 と抵抗R2 ,R3 ,R7 とで構成されて
いる。駆動回路DR1 および発振回路OSの電源は直流
電源E1 を抵抗R6 およびコンデンサC3 で分割するこ
とによって得ている(直流電源E2 )。コンデンサC 3
は平滑用である。
されるパルス信号に応答して主スイッチング素子Q2 を
オン駆動するものであり、直列接続した2個のトランジ
スタQ3 ,Q4 と抵抗R2 ,R3 ,R7 とで構成されて
いる。駆動回路DR1 および発振回路OSの電源は直流
電源E1 を抵抗R6 およびコンデンサC3 で分割するこ
とによって得ている(直流電源E2 )。コンデンサC 3
は平滑用である。
【0006】図8に図7のインバータ装置の各部のタイ
ムチャートを示す。同図(a)は振動回路VBに流れる
振動電流I1 の波形を示し、図中のIQ1,IQ2,ID1,
ID2はそれぞれトランジスタQ1 ,Q2 を流れるコレク
タ電流およびダイオードを流れる電流を示している。同
図(b)は発振回路OSの出力端子aの電圧波形を示
し、期間t11は“High”レベル(直流電源E2のレベ
ル)で、期間t12は“Low”レベル(グラウンドレベ
ル)となっている。同図(c)はインダクタL1 の二次
巻線n2 の誘起電圧Vn2を示し、同図(d)はインダク
タL1 の二次巻線n3 の誘起電圧Vn3を示している。同
図(e)はダイオードD3 の出力電圧、つまり主スイッ
チング素子Q2 のベース電圧VBE2 を示している。
ムチャートを示す。同図(a)は振動回路VBに流れる
振動電流I1 の波形を示し、図中のIQ1,IQ2,ID1,
ID2はそれぞれトランジスタQ1 ,Q2 を流れるコレク
タ電流およびダイオードを流れる電流を示している。同
図(b)は発振回路OSの出力端子aの電圧波形を示
し、期間t11は“High”レベル(直流電源E2のレベ
ル)で、期間t12は“Low”レベル(グラウンドレベ
ル)となっている。同図(c)はインダクタL1 の二次
巻線n2 の誘起電圧Vn2を示し、同図(d)はインダク
タL1 の二次巻線n3 の誘起電圧Vn3を示している。同
図(e)はダイオードD3 の出力電圧、つまり主スイッ
チング素子Q2 のベース電圧VBE2 を示している。
【0007】つぎに、図8を参照しながら動作を説明す
る。電源スイッチSWの投入により、まず起動回路ST
が動作して主スイッチング素子Q2 がオンとなる。起動
回路STは、従来よくある周知の回路であるので、動作
説明は省略する。主スイッチング素子Q2 がオンとなる
と、直流電源E1 →電源スイッチSW→コンデンサC 0
→振動回路VB→主スイッチング素子Q2 →直流電源E
1 の経路で電流が流れ、インダクタL1 の二次巻線n3
に電圧が図7に矢印で示す向きに誘起される。このとき
同時に、発振回路OSも電源電圧が直流電源E2 より供
給されているので動作を開始しており、トランジスタQ
3 がオンとなって、二次巻線n3 よりダイオードD3 ,
抵抗R7 ,トランジスタQ3 および抵抗R2 を介して主
スイッチング素子Q2 にベース電流が供給されて、イン
バータ装置の発振動作が開始される。このときのインダ
クタL1 の二次巻線n2 は、主スイッチング素子Q1 の
ベース・エミッタ間に逆バイアスの電圧を印加するよう
な極性に巻かれており、主スイッチング素子Q1 はオフ
状態を維持する。
る。電源スイッチSWの投入により、まず起動回路ST
が動作して主スイッチング素子Q2 がオンとなる。起動
回路STは、従来よくある周知の回路であるので、動作
説明は省略する。主スイッチング素子Q2 がオンとなる
と、直流電源E1 →電源スイッチSW→コンデンサC 0
→振動回路VB→主スイッチング素子Q2 →直流電源E
1 の経路で電流が流れ、インダクタL1 の二次巻線n3
に電圧が図7に矢印で示す向きに誘起される。このとき
同時に、発振回路OSも電源電圧が直流電源E2 より供
給されているので動作を開始しており、トランジスタQ
3 がオンとなって、二次巻線n3 よりダイオードD3 ,
抵抗R7 ,トランジスタQ3 および抵抗R2 を介して主
スイッチング素子Q2 にベース電流が供給されて、イン
バータ装置の発振動作が開始される。このときのインダ
クタL1 の二次巻線n2 は、主スイッチング素子Q1 の
ベース・エミッタ間に逆バイアスの電圧を印加するよう
な極性に巻かれており、主スイッチング素子Q1 はオフ
状態を維持する。
【0008】やがて、発振回路OSの出力端子aは、期
間t11の経過後“High”レベル→“Low ”レベルに変化
し、トランジスタQ3 がオフ、トランジスタQ4 がオン
となって、主スイッチング素子Q2 のベース・エミッタ
間を短絡するので、主スイッチング素子Q2 がオフとな
る。このとき、インダクタL1 に流れる振動電流I1 は
同一方向に流れようとするので、ダイオードD1 がオン
となり、電流ID1が流れる。一方、主スイッチング素子
Q2 がオフとなった時、主スイッチング素子Q 2 のコレ
クタ電流が減少することにより、インダクタL1 の残留
インダクタンスが逆の誘起電圧を発生するので、インダ
クタL1 の二次巻線n2 の誘起電圧の極性は反転し、主
スイッチング素子Q1を順バイアスする。この結果、電
流ID1が零になると、つぎはコンデンサC0 を電源とし
て主スイッチング素子Q1 にコレクタ電流IQ1が流れ
る。この時、インダクタL1 のコアは飽和磁束に向かっ
て直線的に磁化される。やがて、コアが飽和磁束に達す
ると、インダクタL1 のインダクタンス値は急激に零の
方向に向かい、その結果、主スイッチング素子Q1 のコ
レクタ電流IQ1の時間変化は無限大になる。すなわち、
コレクタ電流IQ1がベース電流Ib1のhfe倍(IQ1=I
b1×hfe)に達すると主スイッチング素子Q1 は不飽和
になり、インダクタL1 の各巻線n1 〜n3 の誘起電圧
は減少するから、供給しているベース電流も減少して主
スイッチング素子Q1 がオフとなる。
間t11の経過後“High”レベル→“Low ”レベルに変化
し、トランジスタQ3 がオフ、トランジスタQ4 がオン
となって、主スイッチング素子Q2 のベース・エミッタ
間を短絡するので、主スイッチング素子Q2 がオフとな
る。このとき、インダクタL1 に流れる振動電流I1 は
同一方向に流れようとするので、ダイオードD1 がオン
となり、電流ID1が流れる。一方、主スイッチング素子
Q2 がオフとなった時、主スイッチング素子Q 2 のコレ
クタ電流が減少することにより、インダクタL1 の残留
インダクタンスが逆の誘起電圧を発生するので、インダ
クタL1 の二次巻線n2 の誘起電圧の極性は反転し、主
スイッチング素子Q1を順バイアスする。この結果、電
流ID1が零になると、つぎはコンデンサC0 を電源とし
て主スイッチング素子Q1 にコレクタ電流IQ1が流れ
る。この時、インダクタL1 のコアは飽和磁束に向かっ
て直線的に磁化される。やがて、コアが飽和磁束に達す
ると、インダクタL1 のインダクタンス値は急激に零の
方向に向かい、その結果、主スイッチング素子Q1 のコ
レクタ電流IQ1の時間変化は無限大になる。すなわち、
コレクタ電流IQ1がベース電流Ib1のhfe倍(IQ1=I
b1×hfe)に達すると主スイッチング素子Q1 は不飽和
になり、インダクタL1 の各巻線n1 〜n3 の誘起電圧
は減少するから、供給しているベース電流も減少して主
スイッチング素子Q1 がオフとなる。
【0009】この従来例においては、主スイッチング素
子Q2 の駆動回路DR1 にインダクタL1 の二次巻線n
3 より共振信号を帰還しているので、主スイッチング素
子Q 1 がオフとなった後、駆動回路DR1 に二次巻線n
3 の電圧が印加される。この時、発振回路OSの出力は
すでに“Low ”レベルより“High”レベルに反転してい
るので、トランジスタQ3 がオン、トランジスタQ4 が
オフとなり、主スイッチング素子Q2 が順バイアスさ
れ、主スイッチング素子Q2 がオンとなる。したがっ
て、この従来例においては、主スイッチング素子Q1 が
確実にオフした後に、主スイッチング素子Q2 が発振回
路OSの出力によりオンとなるので、主スイッチング素
子Q1 ,Q2 が同時にオンすることがない。主スイッチ
ング素子Q1 がオフとなった後も、インダクタL1 に流
れる振動電流I1 は同一方向に流れようとするので、ダ
イオードD2 がオンとなり、電流ID2が振動回路VB→
コンデンサC0 →直流電源E1 のループで流れる。電流
ID2が零になった後は、直流電源E1 より、コンデンサ
C0 →振動回路VB→主スイッチング素子Q2 →直流電
源E1 のループでコレクタ電流IQ2が流れる。以下、上
述の動作によりインバータの発振動作が継続される。
子Q2 の駆動回路DR1 にインダクタL1 の二次巻線n
3 より共振信号を帰還しているので、主スイッチング素
子Q 1 がオフとなった後、駆動回路DR1 に二次巻線n
3 の電圧が印加される。この時、発振回路OSの出力は
すでに“Low ”レベルより“High”レベルに反転してい
るので、トランジスタQ3 がオン、トランジスタQ4 が
オフとなり、主スイッチング素子Q2 が順バイアスさ
れ、主スイッチング素子Q2 がオンとなる。したがっ
て、この従来例においては、主スイッチング素子Q1 が
確実にオフした後に、主スイッチング素子Q2 が発振回
路OSの出力によりオンとなるので、主スイッチング素
子Q1 ,Q2 が同時にオンすることがない。主スイッチ
ング素子Q1 がオフとなった後も、インダクタL1 に流
れる振動電流I1 は同一方向に流れようとするので、ダ
イオードD2 がオンとなり、電流ID2が振動回路VB→
コンデンサC0 →直流電源E1 のループで流れる。電流
ID2が零になった後は、直流電源E1 より、コンデンサ
C0 →振動回路VB→主スイッチング素子Q2 →直流電
源E1 のループでコレクタ電流IQ2が流れる。以下、上
述の動作によりインバータの発振動作が継続される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来例の場合、主スイッチング素子Q1 の特性の
ばらつき等により、主スイッチング素子Q1 が早めにオ
フとなり、電流ID2が零になった後にも、発振回路OS
の出力が“Low ”レベルのままで、“High”レベルに反
転していない場合がある。このような場合に短絡電流が
流れ、主スイッチング素子Q1 ,Q2 に対するストレス
が増大するという問題があった。この点を図9を参照し
ながら説明する。図9(a)は電流ID1,IQ1の波形を
示し、同図(b)は電流ID2,IQ2の波形を示し、同図
(c)は発振回路OSの出力端子aからの出力信号の波
形を示し、同図(d)はインダクタL1 の二次巻線n3
の誘起電圧Vn3の波形を示し、同図(e)はインダクタ
L1の二次巻線n2 の誘起電圧Vn2の波形を示し、同図
(f)は主スイッチング素子Q2 のベース電圧VBE2 を
示している。
ような従来例の場合、主スイッチング素子Q1 の特性の
ばらつき等により、主スイッチング素子Q1 が早めにオ
フとなり、電流ID2が零になった後にも、発振回路OS
の出力が“Low ”レベルのままで、“High”レベルに反
転していない場合がある。このような場合に短絡電流が
流れ、主スイッチング素子Q1 ,Q2 に対するストレス
が増大するという問題があった。この点を図9を参照し
ながら説明する。図9(a)は電流ID1,IQ1の波形を
示し、同図(b)は電流ID2,IQ2の波形を示し、同図
(c)は発振回路OSの出力端子aからの出力信号の波
形を示し、同図(d)はインダクタL1 の二次巻線n3
の誘起電圧Vn3の波形を示し、同図(e)はインダクタ
L1の二次巻線n2 の誘起電圧Vn2の波形を示し、同図
(f)は主スイッチング素子Q2 のベース電圧VBE2 を
示している。
【0011】つまり、上記のように、パルス信号が“Hi
gh”レベルに反転する前に主スイッチング素子Q1 がオ
フとなる場合においては、発振回路OSの出力が“Low
”レベルである期間は、トランジスタQ3 がオフ、ト
ランジスタQ4 がオンとなり、主スイッチング素子Q2
がオフとなったままであるので、振動電流I1 は、本来
主スイッチング素子Q2 を通るべきところを、図9
(a)に示すように、ダイオードD1 →コンデンサC0
→振動回路VBのループで電流ID1として流れ、その後
発振回路OSの出力が“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転した時点AよりダイオードD1 の逆回復時間の
間(ダイオードD1 がオフするまで)、図9(a),
(b)に示すように、直流電源E1 →ダイオードD1 →
主スイッチング素子Q2 のループで短絡電流IX が流れ
る。これによって、主スイッチング素子Q 1 ,Q2 のス
トレスが増加するという問題があった。
gh”レベルに反転する前に主スイッチング素子Q1 がオ
フとなる場合においては、発振回路OSの出力が“Low
”レベルである期間は、トランジスタQ3 がオフ、ト
ランジスタQ4 がオンとなり、主スイッチング素子Q2
がオフとなったままであるので、振動電流I1 は、本来
主スイッチング素子Q2 を通るべきところを、図9
(a)に示すように、ダイオードD1 →コンデンサC0
→振動回路VBのループで電流ID1として流れ、その後
発振回路OSの出力が“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転した時点AよりダイオードD1 の逆回復時間の
間(ダイオードD1 がオフするまで)、図9(a),
(b)に示すように、直流電源E1 →ダイオードD1 →
主スイッチング素子Q2 のループで短絡電流IX が流れ
る。これによって、主スイッチング素子Q 1 ,Q2 のス
トレスが増加するという問題があった。
【0012】この発明の目的は、簡単な構成で一対の主
スイッチング素子の同時オンを防止するとともに、主ス
イッチング素子に逆並列接続したダイオードの逆回復電
流が主スイッチング素子を通して電源短絡電流として流
れるのを防止し、信頼性の高いインバータ装置を供給す
ることである。
スイッチング素子の同時オンを防止するとともに、主ス
イッチング素子に逆並列接続したダイオードの逆回復電
流が主スイッチング素子を通して電源短絡電流として流
れるのを防止し、信頼性の高いインバータ装置を供給す
ることである。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明のインバータ装
置は、一対の主スイッチング素子を直列接続状態で直流
電源の両端間に接続し、一対の主スイッチング素子に一
対のダイオードをそれぞれ逆並列接続している。一対の
主スイッチング素子の一方には、LC共振回路および負
荷よりなる振動回路を並列接続している。また、一定周
期のパルス信号を発生する発振回路を設け、このパルス
発振回路から発生するパルス信号に応答して一対の主ス
イッチング素子の他方をオン駆動する駆動回路を設け、
さらに第1ないし第3の帰還回路を設けている。
置は、一対の主スイッチング素子を直列接続状態で直流
電源の両端間に接続し、一対の主スイッチング素子に一
対のダイオードをそれぞれ逆並列接続している。一対の
主スイッチング素子の一方には、LC共振回路および負
荷よりなる振動回路を並列接続している。また、一定周
期のパルス信号を発生する発振回路を設け、このパルス
発振回路から発生するパルス信号に応答して一対の主ス
イッチング素子の他方をオン駆動する駆動回路を設け、
さらに第1ないし第3の帰還回路を設けている。
【0014】第1の帰還回路は、振動回路に発生する振
動電流もしくは振動電圧を一対の主スイッチング素子の
一方に帰還することにより、一対の主スイッチング素子
の他方のオフ後に一対の主スイッチング素子の一方をオ
ン駆動する。第2の帰還回路は、振動回路に発生する振
動電流もしくは振動電圧を駆動回路に帰還することによ
り、一対の主スイッチング素子の他方の駆動を一対の主
スイッチング素子の一方がオフとなるまで停止させる。
第3の帰還回路は、振動回路に発生する振動電流もしく
は振動電圧を駆動回路に帰還することにより、少なくと
も一対の主スイッチング素子の一方のオフ後発振回路か
らパルス信号が発生するまでの期間一対の主スイッチン
グ素子の他方を強制的にオン駆動させる。
動電流もしくは振動電圧を一対の主スイッチング素子の
一方に帰還することにより、一対の主スイッチング素子
の他方のオフ後に一対の主スイッチング素子の一方をオ
ン駆動する。第2の帰還回路は、振動回路に発生する振
動電流もしくは振動電圧を駆動回路に帰還することによ
り、一対の主スイッチング素子の他方の駆動を一対の主
スイッチング素子の一方がオフとなるまで停止させる。
第3の帰還回路は、振動回路に発生する振動電流もしく
は振動電圧を駆動回路に帰還することにより、少なくと
も一対の主スイッチング素子の一方のオフ後発振回路か
らパルス信号が発生するまでの期間一対の主スイッチン
グ素子の他方を強制的にオン駆動させる。
【0015】
【作用】この発明の構成によれば、第3の帰還回路によ
り振動回路に発生する振動電流もしくは振動電圧を駆動
回路に帰還しているので、発振回路からパルス信号が発
生する前に一対の主スイッチング素子の一方がオフとな
った場合においても、少なくとも一対の主スイッチング
素子の一方のオフ後発振回路からパルス信号が発生する
までの期間一対の主スイッチング素子の他方を強制的に
オン駆動させることができる。この結果、一対の主スイ
ッチング素子の他方がオンとなる前に一対の主スイッチ
ング素子の一方に逆並列接続したダイオードに電流が流
れるのを防止することができ、ダイオードの逆回復電流
が一対の主スイッチング素子の他方がオンとなったとき
に電源短絡電流として流れるのを防止することができ
る。
り振動回路に発生する振動電流もしくは振動電圧を駆動
回路に帰還しているので、発振回路からパルス信号が発
生する前に一対の主スイッチング素子の一方がオフとな
った場合においても、少なくとも一対の主スイッチング
素子の一方のオフ後発振回路からパルス信号が発生する
までの期間一対の主スイッチング素子の他方を強制的に
オン駆動させることができる。この結果、一対の主スイ
ッチング素子の他方がオンとなる前に一対の主スイッチ
ング素子の一方に逆並列接続したダイオードに電流が流
れるのを防止することができ、ダイオードの逆回復電流
が一対の主スイッチング素子の他方がオンとなったとき
に電源短絡電流として流れるのを防止することができ
る。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。 〔第1の実施例〕図1にこの発明の第1の実施例のイン
バータ装置のブロック図を示す。図1において、直流電
源E1 の両端には、例えばバイポーラトランジスタから
なる主スイッチング素子Q1 ,Q2 が直列接続され、各
主スイッチング素子Q1 ,Q2 にはそれぞれ逆方向にダ
イオードD1 ,D2 が接続されている。この主スイッチ
ング素子Q1 ,Q2 の少なくとも一方に、この回路では
主スイッチング素子Q1 にインダクタおよびコンデンサ
よりなるLC共振回路KSと負荷LDよりなる振動回路
VBが接続されている。この振動回路VBに流れる振動
電流(振動電圧の場合もある)を第1の帰還回路FB1
により主スイッチング素子Q1 の制御端子であるベース
端子に帰還することにより、振動電流(もしくは振動電
圧)で決まる所定周期で主スイッチング素子Q1 をオン
オフ制御する。この場合、主スイッチング素子Q2 のオ
フ後に主スイッチング素子Q1 をオン駆動することにな
る。
ら説明する。 〔第1の実施例〕図1にこの発明の第1の実施例のイン
バータ装置のブロック図を示す。図1において、直流電
源E1 の両端には、例えばバイポーラトランジスタから
なる主スイッチング素子Q1 ,Q2 が直列接続され、各
主スイッチング素子Q1 ,Q2 にはそれぞれ逆方向にダ
イオードD1 ,D2 が接続されている。この主スイッチ
ング素子Q1 ,Q2 の少なくとも一方に、この回路では
主スイッチング素子Q1 にインダクタおよびコンデンサ
よりなるLC共振回路KSと負荷LDよりなる振動回路
VBが接続されている。この振動回路VBに流れる振動
電流(振動電圧の場合もある)を第1の帰還回路FB1
により主スイッチング素子Q1 の制御端子であるベース
端子に帰還することにより、振動電流(もしくは振動電
圧)で決まる所定周期で主スイッチング素子Q1 をオン
オフ制御する。この場合、主スイッチング素子Q2 のオ
フ後に主スイッチング素子Q1 をオン駆動することにな
る。
【0017】一方、主スイッチング素子Q2 は、他から
のパルスを受けずにそれ自身で一定周期のパルス信号を
連続的に発生する発振回路OSと、この発振回路OSの
信号によって動作する駆動回路DR1 とによりオン駆動
される。上記駆動回路DR1 には、振動回路VBに発生
する振動電流(もしくは振動電圧)を駆動回路DR1 に
帰還することにより主スイッチング素子Q2 の駆動を主
スイッチング素子Q1 がオフとなるまで停止させる第2
の帰還回路FB2 を付設するとともに、振動回路VBに
発生する振動電流(もしくは振動電圧)を駆動回路DR
1 に帰還することにより主スイッチング素子Q1 のオフ
後発振回路OSからパルス信号が発生するまでの期間主
スイッチング素子Q2 を強制的にオン駆動させる第3の
帰還回路FB3 を付設している。なお、第2および第3
の帰還回路FB2 ,FB3 の出力信号は発振回路OSに
帰還することも可能である。
のパルスを受けずにそれ自身で一定周期のパルス信号を
連続的に発生する発振回路OSと、この発振回路OSの
信号によって動作する駆動回路DR1 とによりオン駆動
される。上記駆動回路DR1 には、振動回路VBに発生
する振動電流(もしくは振動電圧)を駆動回路DR1 に
帰還することにより主スイッチング素子Q2 の駆動を主
スイッチング素子Q1 がオフとなるまで停止させる第2
の帰還回路FB2 を付設するとともに、振動回路VBに
発生する振動電流(もしくは振動電圧)を駆動回路DR
1 に帰還することにより主スイッチング素子Q1 のオフ
後発振回路OSからパルス信号が発生するまでの期間主
スイッチング素子Q2 を強制的にオン駆動させる第3の
帰還回路FB3 を付設している。なお、第2および第3
の帰還回路FB2 ,FB3 の出力信号は発振回路OSに
帰還することも可能である。
【0018】このような構成にすると、第3の帰還回路
FB3 により振動回路VBに発生する振動電流(もしく
は振動電圧)を駆動回路DR1 に帰還しているので、発
振回路OSからパルス信号が発生する前に主スイッチン
グ素子Q1 がオフとなった場合においても、少なくとも
主スイッチング素子Q1 のオフ後発振回路OSからパル
ス信号が発生するまでの期間主スイッチング素子Q2 を
強制的にオン駆動させることができる。この結果、主ス
イッチング素子Q2 がオンとなる前に主スイッチング素
子Q1 に逆並列接続したダイオードD1 に電流が流れる
のを防止することができ、ダイオードD1 の逆回復電流
が主スイッチング素子Q2 がオンとなったときに電源短
絡電流として流れるのを防止することができる。
FB3 により振動回路VBに発生する振動電流(もしく
は振動電圧)を駆動回路DR1 に帰還しているので、発
振回路OSからパルス信号が発生する前に主スイッチン
グ素子Q1 がオフとなった場合においても、少なくとも
主スイッチング素子Q1 のオフ後発振回路OSからパル
ス信号が発生するまでの期間主スイッチング素子Q2 を
強制的にオン駆動させることができる。この結果、主ス
イッチング素子Q2 がオンとなる前に主スイッチング素
子Q1 に逆並列接続したダイオードD1 に電流が流れる
のを防止することができ、ダイオードD1 の逆回復電流
が主スイッチング素子Q2 がオンとなったときに電源短
絡電流として流れるのを防止することができる。
【0019】以下、このインバータ装置を図2の具体的
な回路を参照しながら説明する。この実施例のインバー
タ回路は、図7の従来例のものに、帰還回路FB3 を追
加したもので、その他の構成は図7のものと同様であ
る。すなわち、帰還回路FB3 により駆動回路DR1 へ
の入力信号を制御することによって、発振回路OSから
パルス信号、つまり主スイッチング素子Q2 のオン信号
すなわち“High”レベル信号が出力される前に、主スイ
ッチング素子Q1 がオフとなる場合においても、主スイ
ッチング素子Q1 のオフ時点より発振回路OSからのパ
ルス信号が“High”レベルになるまでの期間、駆動回路
DR1 への入力信号を強制的に主スイッチング素子Q2
へのオン信号(すなわち、“High”レベル信号)として
いる。
な回路を参照しながら説明する。この実施例のインバー
タ回路は、図7の従来例のものに、帰還回路FB3 を追
加したもので、その他の構成は図7のものと同様であ
る。すなわち、帰還回路FB3 により駆動回路DR1 へ
の入力信号を制御することによって、発振回路OSから
パルス信号、つまり主スイッチング素子Q2 のオン信号
すなわち“High”レベル信号が出力される前に、主スイ
ッチング素子Q1 がオフとなる場合においても、主スイ
ッチング素子Q1 のオフ時点より発振回路OSからのパ
ルス信号が“High”レベルになるまでの期間、駆動回路
DR1 への入力信号を強制的に主スイッチング素子Q2
へのオン信号(すなわち、“High”レベル信号)として
いる。
【0020】帰還回路FB3 は、抵抗R8 ,ツェナーダ
イオードZD1 および標準的なC−MOSゲートからな
るアンド回路AN1 ,反転回路IN1 ,オア回路OR1
により構成される。抵抗R8 とツェナーダイオードZD
1 の直列回路がダイオードD 3 のカソードとグラウンド
ラインとの間に接続され、抵抗R8 とツェナーダイオー
ドZD1 の接続点の電圧がアンド回路AN1 の一方の入
力端子bに入力される。ツェナーダイオードZD1 はア
ンド回路AN1 の入力保護用のものである。アンド回路
AN1 の他方の入力端子cには、発振回路OSから出力
されるパルス信号を反転回路IN1 で反転した信号が入
力される。そして、アンド回路AN1 の出力端子dの信
号と発振回路OSの出力端子aの信号とがオア回路OR
1 に入力され、オア回路OR1 の出力端子eからの信号
が、従来例における発振回路OSの出力端子aの信号に
代えて、駆動回路DR1 に供給されている。
イオードZD1 および標準的なC−MOSゲートからな
るアンド回路AN1 ,反転回路IN1 ,オア回路OR1
により構成される。抵抗R8 とツェナーダイオードZD
1 の直列回路がダイオードD 3 のカソードとグラウンド
ラインとの間に接続され、抵抗R8 とツェナーダイオー
ドZD1 の接続点の電圧がアンド回路AN1 の一方の入
力端子bに入力される。ツェナーダイオードZD1 はア
ンド回路AN1 の入力保護用のものである。アンド回路
AN1 の他方の入力端子cには、発振回路OSから出力
されるパルス信号を反転回路IN1 で反転した信号が入
力される。そして、アンド回路AN1 の出力端子dの信
号と発振回路OSの出力端子aの信号とがオア回路OR
1 に入力され、オア回路OR1 の出力端子eからの信号
が、従来例における発振回路OSの出力端子aの信号に
代えて、駆動回路DR1 に供給されている。
【0021】以上のような構成における各部のタイムチ
ャートを図3に示す。図3(a)は電流ID1および電流
IQ1の波形を示し、同図(b)は電流ID2および電流I
Q2の波形を示し、同図(c)は発振回路OSの出力端子
aの信号電圧波形を示し、同図(d)はダイオードD3
の出力電圧VD3の波形を示し、同図(e)はアンド回路
AN1 の一方の入力端子bの信号電圧波形を示し、同図
(f)は主スイッチング素子Q2 のベース電圧の波形を
示し、同図(g)はインダクタL1 の二次巻線n2 の誘
起電圧Vn2の波形を示し、同図(h)はインダクタL1
の二次巻線n3 の誘起電圧Vn3の波形を示し、同図
(i)はアンド回路AN1 の他方の入力端子cの信号電
圧波形を示し、同図(j)はアンド回路AN1の出力端
子dの信号電圧波形を示し、同図(k)はオア回路OR
1 の出力端子eの信号電圧波形を示している。
ャートを図3に示す。図3(a)は電流ID1および電流
IQ1の波形を示し、同図(b)は電流ID2および電流I
Q2の波形を示し、同図(c)は発振回路OSの出力端子
aの信号電圧波形を示し、同図(d)はダイオードD3
の出力電圧VD3の波形を示し、同図(e)はアンド回路
AN1 の一方の入力端子bの信号電圧波形を示し、同図
(f)は主スイッチング素子Q2 のベース電圧の波形を
示し、同図(g)はインダクタL1 の二次巻線n2 の誘
起電圧Vn2の波形を示し、同図(h)はインダクタL1
の二次巻線n3 の誘起電圧Vn3の波形を示し、同図
(i)はアンド回路AN1 の他方の入力端子cの信号電
圧波形を示し、同図(j)はアンド回路AN1の出力端
子dの信号電圧波形を示し、同図(k)はオア回路OR
1 の出力端子eの信号電圧波形を示している。
【0022】つぎに、図3を参照しながら、図2のイン
バータ装置の動作を説明する。電源スイッチSWの投入
により、まず起動回路STが動作し、以下主スイッチン
グ素子Q2 がオン、主スイッチング素子Q1 がオフとな
り、発振回路OSの出力端子aの出力電圧が“High”レ
ベルより“Low ”レベルに反転することにより、主スイ
ッチング素子Q2 がオフ、主スイッチング素子Q1 がオ
ンとなってインバータ装置の発振動作が継続するのは図
7で示した従来例と同様である。
バータ装置の動作を説明する。電源スイッチSWの投入
により、まず起動回路STが動作し、以下主スイッチン
グ素子Q2 がオン、主スイッチング素子Q1 がオフとな
り、発振回路OSの出力端子aの出力電圧が“High”レ
ベルより“Low ”レベルに反転することにより、主スイ
ッチング素子Q2 がオフ、主スイッチング素子Q1 がオ
ンとなってインバータ装置の発振動作が継続するのは図
7で示した従来例と同様である。
【0023】そして、例えば、図3に示すように、主ス
イッチング素子Q1のオン期間が長くなり、発振回路O
Sの出力が“Low ”レベルより“High”レベルに反転し
た後に主スイッチング素子Q1 がオフするような期間T
1 の場合は、帰還回路FB3 の作用はなく、図3(k)
に示す駆動回路DR1 への入力信号(オア回路OR1 の
出力端子eの信号)は、同図(c)に示す発振回路OS
の出力信号と同じになり、従来例と同様に、主スイッチ
ング素子Q1 のオフ後、駆動回路DR1 に二次巻線n3
の電源電圧が印加されて、トランジスタQ3 がオン,ト
ランジスタQ4 がオフとなり、主スイッチング素子Q2
が順バイアスされ、主スイッチング素子Q2 はオンす
る。
イッチング素子Q1のオン期間が長くなり、発振回路O
Sの出力が“Low ”レベルより“High”レベルに反転し
た後に主スイッチング素子Q1 がオフするような期間T
1 の場合は、帰還回路FB3 の作用はなく、図3(k)
に示す駆動回路DR1 への入力信号(オア回路OR1 の
出力端子eの信号)は、同図(c)に示す発振回路OS
の出力信号と同じになり、従来例と同様に、主スイッチ
ング素子Q1 のオフ後、駆動回路DR1 に二次巻線n3
の電源電圧が印加されて、トランジスタQ3 がオン,ト
ランジスタQ4 がオフとなり、主スイッチング素子Q2
が順バイアスされ、主スイッチング素子Q2 はオンす
る。
【0024】そして時刻t1 で、発振回路OSの出力信
号が“High”レベルから“Low ”レベルに反転すると、
主スイッチング素子Q2 がオフとなり、ダイオードD1
が導通し、その後主スイッチング素子Q1 がオンとな
る。つぎに、時刻t1 から時刻t4 までの期間T2 のよ
うに、主スイッチング素子Q1 のオン時間が短くなり、
発振回路OSの出力が“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転する時刻t3 以前の時刻t2 に主スイッチング
素子Q1 がオフとなるような場合、すなわち、主スイッ
チング素子Q1 がオフした後、電流ID2が零になった後
にも、発振回路OSの出力端子aが“Low ”レベルであ
るような場合において、時刻t2 より時刻t3 の間にお
いての帰還回路FB3 の動作を説明する。アンド回路A
N1 の一方の入力端子cは、発振回路OSの出力端子a
の反転信号が入力されるため、図3(i)に示すように
“High”レベルとなっており、時刻t3 において“Hig
h”レベルより“Low ”レベルに反転する。一方、アン
ド回路AN1 の他方の入力端子bは、主スイッチング素
子Q1 がオフしており、ダイオードD3 の出力電圧VD3
(図3(d)参照)が正の電圧になっているので、時刻
t2 より時刻t4 において、発振回路OSの出力端子a
が“High”レベルより“Low ”レベルに反転するまで図
3(e)に示すように“High”レベルを維持する。した
がって、期間T2 においては、アンド回路AN1 の出力
端子dの信号は、図3(j)に示すように、主スイッチ
ング素子Q1 がオフする時刻t2 より発振回路OSの出
力信号が“Low ”レベルより“High”レベルに反転する
時刻t 3 まで“High”レベルとなり、他の期間は“Low
”レベルを維持する。
号が“High”レベルから“Low ”レベルに反転すると、
主スイッチング素子Q2 がオフとなり、ダイオードD1
が導通し、その後主スイッチング素子Q1 がオンとな
る。つぎに、時刻t1 から時刻t4 までの期間T2 のよ
うに、主スイッチング素子Q1 のオン時間が短くなり、
発振回路OSの出力が“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転する時刻t3 以前の時刻t2 に主スイッチング
素子Q1 がオフとなるような場合、すなわち、主スイッ
チング素子Q1 がオフした後、電流ID2が零になった後
にも、発振回路OSの出力端子aが“Low ”レベルであ
るような場合において、時刻t2 より時刻t3 の間にお
いての帰還回路FB3 の動作を説明する。アンド回路A
N1 の一方の入力端子cは、発振回路OSの出力端子a
の反転信号が入力されるため、図3(i)に示すように
“High”レベルとなっており、時刻t3 において“Hig
h”レベルより“Low ”レベルに反転する。一方、アン
ド回路AN1 の他方の入力端子bは、主スイッチング素
子Q1 がオフしており、ダイオードD3 の出力電圧VD3
(図3(d)参照)が正の電圧になっているので、時刻
t2 より時刻t4 において、発振回路OSの出力端子a
が“High”レベルより“Low ”レベルに反転するまで図
3(e)に示すように“High”レベルを維持する。した
がって、期間T2 においては、アンド回路AN1 の出力
端子dの信号は、図3(j)に示すように、主スイッチ
ング素子Q1 がオフする時刻t2 より発振回路OSの出
力信号が“Low ”レベルより“High”レベルに反転する
時刻t 3 まで“High”レベルとなり、他の期間は“Low
”レベルを維持する。
【0025】そして、駆動回路DR1 への入力信号、つ
まりオア回路OR1 の出力端子eの信号は、図3(k)
に示すように、アンド回路AN1 の出力端子dの信号と
発振回路OSの出力端子aの信号とのオア回路OR1 に
よる論理和出力となるために、主スイッチング素子Q1
がオフした後、確実に“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転し、以後時刻t4 において、発振回路OSの出
力端子aの信号が“High”レベルより“Low ”レベルに
反転すると同時に、“High”レベルより“Low”レベル
に反転する。
まりオア回路OR1 の出力端子eの信号は、図3(k)
に示すように、アンド回路AN1 の出力端子dの信号と
発振回路OSの出力端子aの信号とのオア回路OR1 に
よる論理和出力となるために、主スイッチング素子Q1
がオフした後、確実に“Low ”レベルより“High”レベ
ルに反転し、以後時刻t4 において、発振回路OSの出
力端子aの信号が“High”レベルより“Low ”レベルに
反転すると同時に、“High”レベルより“Low”レベル
に反転する。
【0026】以上のような帰還回路FB3 の動作によ
り、時刻t2 に主スイッチング素子Q 1 がオフした後
は、駆動回路DR1 への入力信号は確実に“High”レベ
ルとなり、主スイッチング素子Q2 は順バイアスされて
オンするため、図7で示した従来例のように、主スイッ
チング素子Q1 がオフし、電流ID2が零になった後も、
主スイッチング素子Q2 がオフしたままということは発
生しないので、直流電源E 1 →ダイオードD1 →主スイ
ッチング素子Q2 のループの過大な短絡電流の発生を防
止できる。つまり、この実施例は、従来例の欠点であっ
た、主スイッチング素子Q2 に順電流が流れる場合にお
いて、発振回路OSの出力が“Low ”レベルのままにな
り、主スイッチング素子Q2 がオフ状態になっているこ
とに起因する、直流電源E1 →ダイオードD1→主スイ
ッチング素子Q2 のループの短絡電流を簡単な構成で防
止でき、主スイッチング素子Q1 ,Q2 へのストレスの
発生を防止できる。
り、時刻t2 に主スイッチング素子Q 1 がオフした後
は、駆動回路DR1 への入力信号は確実に“High”レベ
ルとなり、主スイッチング素子Q2 は順バイアスされて
オンするため、図7で示した従来例のように、主スイッ
チング素子Q1 がオフし、電流ID2が零になった後も、
主スイッチング素子Q2 がオフしたままということは発
生しないので、直流電源E 1 →ダイオードD1 →主スイ
ッチング素子Q2 のループの過大な短絡電流の発生を防
止できる。つまり、この実施例は、従来例の欠点であっ
た、主スイッチング素子Q2 に順電流が流れる場合にお
いて、発振回路OSの出力が“Low ”レベルのままにな
り、主スイッチング素子Q2 がオフ状態になっているこ
とに起因する、直流電源E1 →ダイオードD1→主スイ
ッチング素子Q2 のループの短絡電流を簡単な構成で防
止でき、主スイッチング素子Q1 ,Q2 へのストレスの
発生を防止できる。
【0027】〔第2の実施例〕図4にこの発明の第2の
実施例のインバータ装置のブロック図を示す。この実施
例は、振動回路VBの振動電流ではなく振動電圧を発振
回路OSの出力端に帰還することによって、主スイッチ
ング素子Q1 ,Q2 の同時オンを防止する構成としたも
のに、この発明を適用したものである。
実施例のインバータ装置のブロック図を示す。この実施
例は、振動回路VBの振動電流ではなく振動電圧を発振
回路OSの出力端に帰還することによって、主スイッチ
ング素子Q1 ,Q2 の同時オンを防止する構成としたも
のに、この発明を適用したものである。
【0028】この実施例においては、主スイッチング素
子Q1 にはバイポーラトランジスタを用い、主スイッチ
ング素子Q2 にはMOS・FETを採用しており、主ス
イッチング素子Q2 に並列に接続した抵抗R11,R12の
直列回路により振動回路VBの振動電圧、この場合は主
スイッチング素子Q2 のドレイン・ソース間電圧VQ2の
分圧電圧を検出し、これを反転回路IN2 で反転した
後、発振回路OSの出力端子aの信号とともにアンド回
路AN2 に加え、アンド回路AN2 の出力端子fの信号
をオア回路OR1 に入力している。このように構成する
と、主スイッチング素子Q1 がオフとなって抵抗R11,
R12の接続点の電圧がグラウンドレベルに低下したとき
にAND回路AN2 が開いて発振回路OSからのパルス
信号のオア回路OR1 を通して駆動回路DR2 に加えら
れることになり、主スイッチング素子Q2 がオンとな
る。駆動回路DR2 は、ノン・インバータ・バッファか
らなる。
子Q1 にはバイポーラトランジスタを用い、主スイッチ
ング素子Q2 にはMOS・FETを採用しており、主ス
イッチング素子Q2 に並列に接続した抵抗R11,R12の
直列回路により振動回路VBの振動電圧、この場合は主
スイッチング素子Q2 のドレイン・ソース間電圧VQ2の
分圧電圧を検出し、これを反転回路IN2 で反転した
後、発振回路OSの出力端子aの信号とともにアンド回
路AN2 に加え、アンド回路AN2 の出力端子fの信号
をオア回路OR1 に入力している。このように構成する
と、主スイッチング素子Q1 がオフとなって抵抗R11,
R12の接続点の電圧がグラウンドレベルに低下したとき
にAND回路AN2 が開いて発振回路OSからのパルス
信号のオア回路OR1 を通して駆動回路DR2 に加えら
れることになり、主スイッチング素子Q2 がオンとな
る。駆動回路DR2 は、ノン・インバータ・バッファか
らなる。
【0029】なお、この回路では、主スイッチング素子
Q2 に対する逆並列ダイオードは図示されていないが、
MOS・FETには寄生ダイオードとして存在する。こ
の実施例においても、図7で示した従来例と同様に主ス
イッチング素子Q1 がオフしてから、主スイッチング素
子Q2 がオンする構成となるため、主スイッチング素子
Q1 ,Q2 の同時オンを防止できる。
Q2 に対する逆並列ダイオードは図示されていないが、
MOS・FETには寄生ダイオードとして存在する。こ
の実施例においても、図7で示した従来例と同様に主ス
イッチング素子Q1 がオフしてから、主スイッチング素
子Q2 がオンする構成となるため、主スイッチング素子
Q1 ,Q2 の同時オンを防止できる。
【0030】以上の構成においても、帰還回路FB3 を
図4のように接続することにより、図2で示した実施例
と同様の効果を得ることができる。以上のような構成に
おける各部のタイムチャートを図5に示す。図5(a)
は電流ID1および電流IQ1の波形を示し、同図(b)は
電流ID2および電流IQ2の波形を示し、同図(c)は発
振回路OSの出力端子aの信号電圧波形を示し、同図
(d)はアンド回路AN 1 の一方の入力端子bの信号電
圧波形を示し、同図(e)はアンド回路AN1 の他方の
入力端子cの信号電圧波形を示し、同図(f)はアンド
回路AN1 の出力端子dの信号電圧波形を示し、同図
(g)はアンド回路AN2 の出力端子fの信号電圧波形
を示し、同図(h)はオア回路OR1 の出力端子eの信
号電圧波形を示し、同図(i)は主スイッチング素子Q
2 のゲート電圧VGS2 を示し、同図(j)はインダクタ
L1 の二次巻線n2 の誘起電圧Vn2の波形を示し、同図
(k)は主スイッチング素子Q2 のドレイン電圧VQ2の
波形を示している。
図4のように接続することにより、図2で示した実施例
と同様の効果を得ることができる。以上のような構成に
おける各部のタイムチャートを図5に示す。図5(a)
は電流ID1および電流IQ1の波形を示し、同図(b)は
電流ID2および電流IQ2の波形を示し、同図(c)は発
振回路OSの出力端子aの信号電圧波形を示し、同図
(d)はアンド回路AN 1 の一方の入力端子bの信号電
圧波形を示し、同図(e)はアンド回路AN1 の他方の
入力端子cの信号電圧波形を示し、同図(f)はアンド
回路AN1 の出力端子dの信号電圧波形を示し、同図
(g)はアンド回路AN2 の出力端子fの信号電圧波形
を示し、同図(h)はオア回路OR1 の出力端子eの信
号電圧波形を示し、同図(i)は主スイッチング素子Q
2 のゲート電圧VGS2 を示し、同図(j)はインダクタ
L1 の二次巻線n2 の誘起電圧Vn2の波形を示し、同図
(k)は主スイッチング素子Q2 のドレイン電圧VQ2の
波形を示している。
【0031】つぎに、図5を参照しながら動作を説明す
る。主スイッチング素子Q2 がオンで主スイッチング素
子Q1 がオフの状態と主スイッチング素子Q2 がオフで
主スイッチング素子Q1 がオンの状態の繰り返し動作に
よるインバータ装置の発振動作の継続および帰還回路F
B3 の動作は図2で示した実施例と同様であり、図5
(i)に示すように、主スイッチング素子Q1 およびダ
イオードD1 がオフ時、すなわち電流ID2,IQ2が流れ
ている場合は必ず主スイッチング素子Q2 のゲート電圧
VGS2 が“High”レベルとなり、直流電源E1 →ダイオ
ードD1 →主スイッチング素子Q2 のループの過大な短
絡電流の発生を防止でき、主スイッチング素子Q1 ,Q
2 へのストレスの発生を防止できる。
る。主スイッチング素子Q2 がオンで主スイッチング素
子Q1 がオフの状態と主スイッチング素子Q2 がオフで
主スイッチング素子Q1 がオンの状態の繰り返し動作に
よるインバータ装置の発振動作の継続および帰還回路F
B3 の動作は図2で示した実施例と同様であり、図5
(i)に示すように、主スイッチング素子Q1 およびダ
イオードD1 がオフ時、すなわち電流ID2,IQ2が流れ
ている場合は必ず主スイッチング素子Q2 のゲート電圧
VGS2 が“High”レベルとなり、直流電源E1 →ダイオ
ードD1 →主スイッチング素子Q2 のループの過大な短
絡電流の発生を防止でき、主スイッチング素子Q1 ,Q
2 へのストレスの発生を防止できる。
【0032】〔第3の実施例〕図4にこの発明の第2の
実施例のインバータ装置のブロック図を示す。この実施
例は、図4の実施例において、主スイッチング素子Q2
のドレイン端子を主スイッチング素子Q1 のベース端子
に接続するとともに、ダイオードD5 を主スイッチング
素子Q1 のエミッタ・ベース間に順方向になるように接
続することによって、主スイッチング素子Q2 のオン時
には必ず主スイッチング素子Q1 をオフにするような構
成のインバータ装置にこの発明を適用したものである。
上記以外の点は図4の実施例と同様である。
実施例のインバータ装置のブロック図を示す。この実施
例は、図4の実施例において、主スイッチング素子Q2
のドレイン端子を主スイッチング素子Q1 のベース端子
に接続するとともに、ダイオードD5 を主スイッチング
素子Q1 のエミッタ・ベース間に順方向になるように接
続することによって、主スイッチング素子Q2 のオン時
には必ず主スイッチング素子Q1 をオフにするような構
成のインバータ装置にこの発明を適用したものである。
上記以外の点は図4の実施例と同様である。
【0033】この実施例においては、図2で示した実施
例と同様の効果があり、さらにより信頼性の高いインバ
ータ装置を提供できる。
例と同様の効果があり、さらにより信頼性の高いインバ
ータ装置を提供できる。
【0034】
【発明の効果】この発明のインバータ装置によれば、第
3の帰還回路により振動回路に発生する振動電流もしく
は振動電圧を駆動回路に帰還しているので、発振回路か
らパルス信号が発生する前に一対の主スイッチング素子
の一方がオフとなった場合においても、少なくとも一対
の主スイッチング素子の一方のオフ後発振回路からパル
ス信号が発生するまでの期間一対の主スイッチング素子
の他方を強制的にオン駆動させることができる。この結
果、一対の主スイッチング素子の他方がオンとなる前に
一対の主スイッチング素子の一方に逆並列接続したダイ
オードに電流が流れるのを防止することができ、ダイオ
ードの逆回復電流が一対の主スイッチング素子の他方が
オンとなったときに電源短絡電流として流れるのを防止
することができる。したがって、主主スイッチング素子
へのストレスの発生を簡単な構成で防止できる。
3の帰還回路により振動回路に発生する振動電流もしく
は振動電圧を駆動回路に帰還しているので、発振回路か
らパルス信号が発生する前に一対の主スイッチング素子
の一方がオフとなった場合においても、少なくとも一対
の主スイッチング素子の一方のオフ後発振回路からパル
ス信号が発生するまでの期間一対の主スイッチング素子
の他方を強制的にオン駆動させることができる。この結
果、一対の主スイッチング素子の他方がオンとなる前に
一対の主スイッチング素子の一方に逆並列接続したダイ
オードに電流が流れるのを防止することができ、ダイオ
ードの逆回復電流が一対の主スイッチング素子の他方が
オンとなったときに電源短絡電流として流れるのを防止
することができる。したがって、主主スイッチング素子
へのストレスの発生を簡単な構成で防止できる。
【図1】この発明の第1の実施例のインバータ装置を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図2】この発明の第1の実施例のインバータ装置の具
体的な構成を示す回路図である。
体的な構成を示す回路図である。
【図3】第1の実施例のインバータ装置の各部のタイム
チャートである。
チャートである。
【図4】この発明の第2の実施例のインバータ装置の具
体的な構成を示す回路図である。
体的な構成を示す回路図である。
【図5】第2の実施例のインバータ装置の動作を示す各
部のタイムチャートである。
部のタイムチャートである。
【図6】この発明の第3の実施例のインバータ装置の具
体的な構成を示す回路図である。
体的な構成を示す回路図である。
【図7】従来のインバータ装置の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図8】従来のインバータ装置の動作を示す各部のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図9】従来のインバータ装置の欠点を示す各部のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
E1 直流電源 Q1 ,Q2 主スイッチング素子 D1 ,D2 ダイオード VB 振動回路 KS LC共振回路 LD 負荷 FB1 第1の帰還回路 FB2 第2の帰還回路 FB3 第3の帰還回路 OS 発振回路 DR1 駆動回路
Claims (1)
- 【請求項1】 直流電源と、直列接続状態で前記直流電
源の両端間に接続した一対の主スイッチング素子と、前
記一対の主スイッチング素子にそれぞれ逆並列接続した
一対のダイオードと、LC共振回路および負荷よりなり
前記一対の主スイッチング素子の一方に並列接続した振
動回路と、一定周期のパルス信号を発生する発振回路
と、このパルス発振回路から発生するパルス信号に応答
して前記一対の主スイッチング素子の他方をオン駆動す
る駆動回路と、前記振動回路に発生する振動電流もしく
は振動電圧を前記一対の主スイッチング素子の一方に帰
還することにより前記一対の主スイッチング素子の他方
のオフ後に前記一対の主スイッチング素子の一方をオン
駆動する第1の帰還回路と、前記振動回路に発生する振
動電流もしくは振動電圧を前記駆動回路に帰還すること
により前記一対の主スイッチング素子の他方の駆動を前
記一対の主スイッチング素子の一方がオフとなるまで停
止させる第2の帰還回路と、前記振動回路に発生する振
動電流もしくは振動電圧を前記駆動回路に帰還すること
により少なくとも前記一対の主スイッチング素子の一方
のオフ後前記発振回路からパルス信号が発生するまでの
期間前記一対の主スイッチング素子の他方を強制的にオ
ン駆動させる第3の帰還回路とを備えたインバータ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243521A JPH0591749A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243521A JPH0591749A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | インバータ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0591749A true JPH0591749A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17105146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243521A Pending JPH0591749A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | インバータ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0591749A (ja) |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243521A patent/JPH0591749A/ja active Pending
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