JPH0593892A - ２層型光変調器 - Google Patents
２層型光変調器Info
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- JPH0593892A JPH0593892A JP25327991A JP25327991A JPH0593892A JP H0593892 A JPH0593892 A JP H0593892A JP 25327991 A JP25327991 A JP 25327991A JP 25327991 A JP25327991 A JP 25327991A JP H0593892 A JPH0593892 A JP H0593892A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】光変調器の基板裏面の少なくとも電極近傍に低
誘電体板をはりつけ、前記光変調器を接地した金属筺体
に接して装荷する構成をとる。 【効果】本発明は、光変調器の基板裏面にはりつけた低
誘電体板によって薄い光変調器の強度を補強できハンド
リングが容易になり、また、光変調器素子自体の厚さ増
大と光変調器を筐体に接して装荷できるので、光ファイ
バ、コネクタ装着などの素子実装での設計自由度が大き
くなり製作が容易になる。さらに、光変調器の高次モー
ドが抑圧でき、帯域の広域化を図ることができる。
誘電体板をはりつけ、前記光変調器を接地した金属筺体
に接して装荷する構成をとる。 【効果】本発明は、光変調器の基板裏面にはりつけた低
誘電体板によって薄い光変調器の強度を補強できハンド
リングが容易になり、また、光変調器素子自体の厚さ増
大と光変調器を筐体に接して装荷できるので、光ファイ
バ、コネクタ装着などの素子実装での設計自由度が大き
くなり製作が容易になる。さらに、光変調器の高次モー
ドが抑圧でき、帯域の広域化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光変調器に関し、特にニ
オブ酸リチウム基板上に形成される導波型光変調器に関
するものである。
オブ酸リチウム基板上に形成される導波型光変調器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸リチウムを基板とする変調器は
半導体変調器に比べ、変調時のチャーピングが小さい、
挿入損失が小さい等の特長がある。変調帯域向上のため
の研究がなされており、従来の技術としては、以下に挙
げる例がある。
半導体変調器に比べ、変調時のチャーピングが小さい、
挿入損失が小さい等の特長がある。変調帯域向上のため
の研究がなされており、従来の技術としては、以下に挙
げる例がある。
【０００３】図３は第１６回欧州光通信国際会議（Ｅｕ
ｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ｐｐ９９９−１
００２，１９９０）より引用した光変調器の断面図であ
る。この光変調器の平面的な構成は図２である。図２の
切断線Ｉによる断面図を図３に示している。光変調器中
央付近で２本に分岐し再び合流するマハツェンダ型光導
波路２２とその近傍に装荷された進行波型電極２４から
構成される。
ｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉ
ｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ｐｐ９９９−１
００２，１９９０）より引用した光変調器の断面図であ
る。この光変調器の平面的な構成は図２である。図２の
切断線Ｉによる断面図を図３に示している。光変調器中
央付近で２本に分岐し再び合流するマハツェンダ型光導
波路２２とその近傍に装荷された進行波型電極２４から
構成される。
【０００４】Ｚカットのニオブ酸リチウム基板３１表面
に作製されたマハツェンダ型チタン拡散光導波路３２上
に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）からなるバッファ層３３を介
して進行波型電極３４を装荷する。電極３４にマイクロ
波信号を印加することによりニオブ酸リチウム結晶の電
気光学効果を介して二つの導波光に位相変化を与える。
出力端近傍で合波干渉させて光強度変調として出力す
る。
に作製されたマハツェンダ型チタン拡散光導波路３２上
に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）からなるバッファ層３３を介
して進行波型電極３４を装荷する。電極３４にマイクロ
波信号を印加することによりニオブ酸リチウム結晶の電
気光学効果を介して二つの導波光に位相変化を与える。
出力端近傍で合波干渉させて光強度変調として出力す
る。
【０００５】光変調特性は電極を進行するマイクロ波の
電気的透過特性に左右される。電気的透過特性劣化を防
ぐために、ニオブ酸リチウムを基板とする光変調器素子
自体が誘電体共振器として作用することにより生じるマ
イクロ波透過特性上でのディップの発生やマイクロ波の
高次モード励起を抑制する必要がある。図３の例では光
変調器素子の幅、厚さのサイズを縮小し、素子下に空気
間隙を設けて実装することで、共振周波数を目的周波数
帯域の高域側にシフトして共振による影響を回避し、ま
た、マイクロ波高次モードの発生を抑圧している。
電気的透過特性に左右される。電気的透過特性劣化を防
ぐために、ニオブ酸リチウムを基板とする光変調器素子
自体が誘電体共振器として作用することにより生じるマ
イクロ波透過特性上でのディップの発生やマイクロ波の
高次モード励起を抑制する必要がある。図３の例では光
変調器素子の幅、厚さのサイズを縮小し、素子下に空気
間隙を設けて実装することで、共振周波数を目的周波数
帯域の高域側にシフトして共振による影響を回避し、ま
た、マイクロ波高次モードの発生を抑圧している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光変調
器ではマイクロ波透過特性向上を図るため、光変調器を
構成する基板の厚さを薄くし、また、前記光変調器下に
空気間隙を設けて実装している。そのため、 １）破損しやすく、素子のハンドリングが難しい ２）ファイバ、コネクタ接続などの実装手段に制限を受
けるという問題点がある。
器ではマイクロ波透過特性向上を図るため、光変調器を
構成する基板の厚さを薄くし、また、前記光変調器下に
空気間隙を設けて実装している。そのため、 １）破損しやすく、素子のハンドリングが難しい ２）ファイバ、コネクタ接続などの実装手段に制限を受
けるという問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光変調器は、光
変調器の基板裏面の少なくとも電極近傍に基板よりも誘
電率の低い低誘電体板をはりつけ、その低誘電体板を接
地した金属筺体に接して装荷したことを特徴としてい
る。
変調器の基板裏面の少なくとも電極近傍に基板よりも誘
電率の低い低誘電体板をはりつけ、その低誘電体板を接
地した金属筺体に接して装荷したことを特徴としてい
る。
【０００８】
【作用】従来は、光変調器の裏面は最も誘電率の低い空
気層であった。
気層であった。
【０００９】本発明では、光変調器の基板裏面の少なく
とも電極近傍に低誘電率板をはりつけ、それを接地した
金属筺体に直接装荷することによって、マイクロ波の透
過特性向上の効果を損なうことなく、厚さの薄い光変調
器の補強と実装手段の多様化を図ることができる。発明
者らが行った実験では、ニオブ酸リチウムの誘電率３５
に比べて低値のガラス板（誘電率：４〜８）において、
空気層と同等のマイクロ波透過特性向上の効果があるこ
とを確認している。
とも電極近傍に低誘電率板をはりつけ、それを接地した
金属筺体に直接装荷することによって、マイクロ波の透
過特性向上の効果を損なうことなく、厚さの薄い光変調
器の補強と実装手段の多様化を図ることができる。発明
者らが行った実験では、ニオブ酸リチウムの誘電率３５
に比べて低値のガラス板（誘電率：４〜８）において、
空気層と同等のマイクロ波透過特性向上の効果があるこ
とを確認している。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の実施例を説明するための２
層型光変調器断面図である。厚さ０．２ｍｍ〜０．８ｍ
ｍのＺカットＹ軸伝搬ニオブ酸リチウム基板１１上に導
波路幅６〜１２μｍ、膜厚４０〜１２０ｎｍのチタン薄
膜によるパターンを形成し、９５０〜１１００℃で熱拡
散を行いマハツェンダ型の単一モードチタン拡散光導波
路１２を作製する。フォトリソグラフィ法を用いて進行
波型電極１４を、厚さ０．３〜２μｍの二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2 ）薄膜によるバッファ層１３上に作製する。この
光変調器の平面的な構成は図２と同じである。図２の切
断線Ｉによる断面図が図１を示している。
層型光変調器断面図である。厚さ０．２ｍｍ〜０．８ｍ
ｍのＺカットＹ軸伝搬ニオブ酸リチウム基板１１上に導
波路幅６〜１２μｍ、膜厚４０〜１２０ｎｍのチタン薄
膜によるパターンを形成し、９５０〜１１００℃で熱拡
散を行いマハツェンダ型の単一モードチタン拡散光導波
路１２を作製する。フォトリソグラフィ法を用いて進行
波型電極１４を、厚さ０．３〜２μｍの二酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2 ）薄膜によるバッファ層１３上に作製する。この
光変調器の平面的な構成は図２と同じである。図２の切
断線Ｉによる断面図が図１を示している。
【００１２】光変調器裏面に、ニオブ酸リチウム（誘電
率：３５）より誘電率の低いガラス板（誘電率：４〜
８）のような低誘電体板１５をはりつけ補強を図る。こ
の光変調器を接地した金属筺体１６に接して装荷する。
率：３５）より誘電率の低いガラス板（誘電率：４〜
８）のような低誘電体板１５をはりつけ補強を図る。こ
の光変調器を接地した金属筺体１６に接して装荷する。
【００１３】この構成は、光変調器裏面を空気層にした
実装方法と同等のマイクロ波透過特性向上の効果があ
る。
実装方法と同等のマイクロ波透過特性向上の効果があ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では光変調
器の基板裏面の少なくとも電極近傍に低誘電率板をはり
つけ、接地した金属筺体に接して装荷することによっ
て、 （１）はりつけた低誘電体板によって薄くしたニオブ酸
リチウム基板光変調器の強度を補強でき、ハンドリング
が容易になる。 （２）はりつけた低誘電体板によって光変調器素子自体
の厚さを厚くできるので、光ファイバ、コネクタ装着な
どの素子実装での設計自由度が大きくなり製作が容易に
なる。 （３）上記構造により、光変調器の高次モードが抑圧で
き、帯域の広域化を図ることができる。 などの効果があり、このような光変調器を供給できる効
果は極めて大きなものであるといえる。
器の基板裏面の少なくとも電極近傍に低誘電率板をはり
つけ、接地した金属筺体に接して装荷することによっ
て、 （１）はりつけた低誘電体板によって薄くしたニオブ酸
リチウム基板光変調器の強度を補強でき、ハンドリング
が容易になる。 （２）はりつけた低誘電体板によって光変調器素子自体
の厚さを厚くできるので、光ファイバ、コネクタ装着な
どの素子実装での設計自由度が大きくなり製作が容易に
なる。 （３）上記構造により、光変調器の高次モードが抑圧で
き、帯域の広域化を図ることができる。 などの効果があり、このような光変調器を供給できる効
果は極めて大きなものであるといえる。
【図１】本発明の２層型光変調器の一実施例を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図２】光変調器の構成を詳しく説明するための平面図
であり、切断線Ｉによる断面図が図１又は図３である。
であり、切断線Ｉによる断面図が図１又は図３である。
【図３】従来の技術を説明するための図。
１１，２１，３１ ニオブ酸リチウム基板 １２，２２，３２ チタン拡散光導波路 １３，３３ バッファ層 １４，２４，３４ 進行波型電極 １５ 低誘電体板 １６ 接地した金属筺体
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に作製された光導波路と光導波路近
傍に装荷された進行波型電極によって構成される光変調
器において、前記基板の裏面の少なくとも電極近傍に基
板よりも誘電率の低い低誘電体板をはりつけ、その低誘
電体板を接地した金属筺体に接して装荷したことを特徴
とする２層型光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25327991A JPH0593892A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ２層型光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25327991A JPH0593892A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ２層型光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593892A true JPH0593892A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17249076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25327991A Pending JPH0593892A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | ２層型光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0593892A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5991491A (en) * | 1996-11-08 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Optical waveguide type device for reducing microwave attenuation |
| EP1388750A3 (en) * | 2002-08-08 | 2004-09-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide devices and travelling wave type optical modulators |
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-
1991
- 1991-10-01 JP JP25327991A patent/JPH0593892A/ja active Pending
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| WO2008120719A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | 光制御素子 |
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| EP2141532A4 (en) * | 2007-03-30 | 2013-03-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | LIGHT CONTROL ELEMENT |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971202 |