JPH0594361A - メモリ回路 - Google Patents

メモリ回路

Info

Publication number
JPH0594361A
JPH0594361A JP3137557A JP13755791A JPH0594361A JP H0594361 A JPH0594361 A JP H0594361A JP 3137557 A JP3137557 A JP 3137557A JP 13755791 A JP13755791 A JP 13755791A JP H0594361 A JPH0594361 A JP H0594361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
read
write
modify
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3137557A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Kawakami
康弘 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP3137557A priority Critical patent/JPH0594361A/ja
Publication of JPH0594361A publication Critical patent/JPH0594361A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 CPUからのアクセス頻度を低減して、CP
Uの他の処理に対する処理能力を向上させるメモリ回路
を提供することである。 【構成】 メモリクリア用などの書き換え用データを予
めデータレジスタ8に外部から供給して保持しておき、
リード・モデファイ・ライト時にデータをメモリセル1
から読み出した直後に、制御部9はデータレジスタ8に
読み出し要請し、前記格納されている書き換え用データ
を読み出させてI/Oスイッチ5からメモリセル1に書
き込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、リード・モデファイ
・ライト機能を改良したメモリ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、DRAMはSRAMに比べて使
用上、定期的にデータを書き直してリフレッシュする必
要があり、またアドレスをマルチプレックスして入力す
る必要があり、また単なるリードサイクル/ライトサイ
クル以外にも各種の動作サイクルがある。
【0003】例えばDRAMは、メモリセルをリフレッ
シュすることによってリードしている。このため、この
DRAMの基本動作サイクルは、まず指定されたメモリ
セルの内容をセンスアンプ(メモリセルからのリード信
号の増幅)によってすべてリードし、次にその内容を同
じメモリセルに再ライトすることによって完了する。こ
の動作サイクルにおいて、リードと再ライトの間に、リ
ードした後に指定されたメモリセルの内容を外部に出力
すればリード・サイクルになり、再ライトの前に指定さ
れたメモリセルの内容を変更すればアーリ・ライト・サ
イクルになり、前記リードとアーリ・ライトの両方を行
えばリード・モデファイ・ライト・サイクルになる。
【0004】このようにリード・モデファイ・ライトを
行うごとに、再ライトがおこなわれるので、外部の、例
えばCPUから再ライト用データを供給する必要があ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
イメージ処理などのワークメモリにおいては、必要なデ
ータを読み出した後に、次の処理を行うためにワークメ
モリをクリア(0又は1を書き込み)する必要がある。
この場合に従来のリード・モデファイ・ライトを使用す
るとメモリクリアするために、リード・モデファイ・ラ
イトするごとにCPUなどからメモリクリア用ライトデ
ータを供給しなければならず、制御が頻繁に必要になっ
て、CPUのイメージ処理速度が低下するという問題が
あった。
【0006】この発明は、以上の課題に鑑み為されたも
のであり、その目的とするところは、CPUからのアク
セス頻度を低減して、CPUの他の処理に対する処理能
力を向上させるメモリ回路を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上の目的
を達成するために、リード・モデファイ・ライトモード
で所望のアドレスのデータの読み出しを行った直後に、
この読み出しを行ったアドレスに新たなデータを書き込
むメモリ回路において、以下に示す特徴的な各手段を備
えて改良した。
【0008】つまり、書き込み用データを予め外部から
入力して保持し、入力される書き込み要請に基づき前記
書き込み用データを読み出して所望のアドレスに書き込
ませる書き込み用データ格納手段と、リード・モデファ
イ・ライトモードで所望のアドレスのデータを読み出し
た直後に、前記書き込み用データ格納手段に前記所望の
アドレスに対する前記書き込み要請を供給する制御手段
とを備えてなることを特徴とする。
【0009】
【作用】この発明によれば、メモリ回路の書き込み用デ
ータ格納手段にリード・モデファイ・ライト時用の書き
込み用データを予め格納しているので、データを読み出
した直後に、外部から書き込み用(例えばメモリクリア
用)データを供給してもらわなくても、自メモリ回路内
の制御で書き込みを行うことができる。
【0010】またこの書き換え用データは、外部から供
給して、自由に変更することができる。
【0011】従ってメモリ回路に対する、CPUなどの
外部回路からのアクセス頻度を低減して、CPUの他の
処理に対する処理能力を向上させることができる。
【0012】
【実施例】次にこの発明に係るメモリ回路の好適な一実
施例を図面を用いて説明する。
【0013】図1は、メモリ回路の機能ブロックを示し
ている。
【0014】図1において、このメモリ回路は、従来と
同様にメモリセルアレイ1と、センスアンプ2と、ロウ
デコーダ3と、カラムデコーダ4と、I/Oスイッチ5
と、データ入力バッファ6と、データ出力バッファ7
と、が構成されている。更にこの実施例で特にデータレ
ジスタ8、制御部9が備えられている。
【0015】このデータレジスタ8は、リード・モデフ
ァイ・ライト時にメモリセルアレイ1に書き込みたい
(メモリクリア用などの)データを、予め外部からデー
タ入出力端子10を介して取り込んで保持しておく。こ
のデータを予め取り込んでおいて、実際にリード・モデ
ファイ・ライトの時には、制御部9は外部から供給され
るRMW(リード・モデファイ・ライト)信号などによ
って、データレジスタ8に対してデータをI/Oスイッ
チ5に出力させて、I/Oスイッチ5を介してメモリセ
ルアレイ1に書き込むものである。
【0016】リード・モデファイ・ライト時用データの
取り込みは、取り込み命令信号をCPUなどからデータ
レジスタ8に供給して、その後にCPUがデータ入出力
端子10を介してデータレジスタ8に供給する。この
(メモリクリア用などの)データ内容を変更したくない
限り、この後CPUはデータを供給する必要がない。
【0017】次に図1の機能ブロックの動作を、図2の
動作タイミングチャートを参照しながら説明する。
【0018】まずデータレジスタ8は、外部のCPUな
どからWRMW(リード・モデファイ・ライト用データ
取り込み命令信号)を端子11を介して供給(図2
(e))されると、次にデータ入出力端子10を介し
て、外部のCPUなどからリード・モデファイ・ライト
時用の(メモリクリア用などの)データを供給(図2
(f))されて、これを一端保持する。
【0019】次に実際にリード・モデファイ・ライトを
行うときには、まず最初にCPUはメモリセルアレイ1
の行アドレス(ロウアドレス)を指定するA0〜ANア
ドレスをロウデコーダ3に供給(図2(a))する。ロ
ウデコーダ3に供給されたロウアドレスは、CPUから
供給される行アドレスストーローブ信号(RAS信号)
が、例えば高レベルから低レベルに変化した時(図2
(b))に、前記ロウアドレスをサンプルする。またロ
ウアドレス入力の後に、CPUは列アドレス(カラムア
ドレス)を指定するA0〜ANアドレスをカラムデコー
ダ4に供給する。カラムデコーダ4に供給されたカラム
アドレス(図2(a))は、CPUから供給される列ア
ドレスストローブ信号(CAS信号)が、例えば高レベ
ルから低レベルに変化した時(図2(c))に、前記カ
ラムアドレスをサンプルする。
【0020】次にRMW制御信号が制御部9に供給され
(図2(i))、以上のロウアドレスとカラムアドレス
がサンプルされると、それぞれデコードされて、該当す
る行と列のデータをセンスアンプ2によってメモリアド
レスアレイ1から読み出させて、読み出されたデータ
は、I/Oスイッチ5に供給され、次にデータ出力バッ
ファ7に転送される。転送されたデータは、外部に出力
される。
【0021】データが読み出されたならば(図2
(g)、Dout)、すぐに制御部9は、データレジス
タ8にデータの読み出しを要請する。読み出しを要請さ
れたデータレジスタ8は、予め格納されている(メモリ
クリア用などの)データを読み出して(図2(h))I
/Oスイッチ5に供給する。制御部9からの制御信号に
よって供給されたデータはメモリセルアレ1の前記アド
レスで指定されているメモリセルに書き込まれる。
【0022】以上の実施例によれば、予めデータレジス
タ8にリード・モデファイ・ライト時用のメモリクリア
などのためのデータが格納されているので、リード・モ
デファイ・ライト時に、従来のように外部のCPUなど
から供給してもらわなくても内部のデータレジスタ8か
ら書き込むことができる。従って外部のCPUなどから
のアクセス頻度を低減することができる。
【0023】以上の実施例の図1において、データ入出
力端子10を入力端子と出力端子を別けて設けても良
い。
【0024】またデータレジスタ8に格納保持されるデ
ータは、メモリクリアを目的とするデータに限るもので
はない。
【0025】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、内
部に書き換え用データ格納手段を備えているので、リー
ド・モデファイ・ライト時に読み出しごとに書き換えの
ためのデータを、CPUなどの外部から供給される必要
がなくなるので、アクセス頻度を低下させることができ
る。
【0026】従ってCPUなどの外部回路からのアクセ
ス頻度を低減して、CPUの他の処理に対する処理能力
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るメモリ回路の機能ブ
ロック図である。
【図2】図1に係る動作タイミングチャートである。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ 2 センスアンプ 3 ロウデコーダ 4 カラムデコーダ 5 I/Oスイッチ 6 データ入力バッファ 7 データ出力バッファ 8 データレジスタ 9 制御部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リード・モデファイ・ライトモードで所
    望のアドレスのデータの読み出しを行った直後に、この
    読み出しを行ったアドレスに新たなデータを書き込むメ
    モリ回路において、 書き込み用データを予め外部から入力して保持し、入力
    される書き込み要請に基づき前記書き込み用データを読
    み出して所望のアドレスに書き込ませる書き込み用デー
    タ格納手段と、 リード・モデファイ・ライトモードで所望のアドレスの
    データを読み出した直後に、前記書き込み用データ格納
    手段に前記所望のアドレスに対する前記書き込み要請を
    供給する制御手段とを備えてなることを特徴とするメモ
    リ回路。
JP3137557A 1991-06-10 1991-06-10 メモリ回路 Pending JPH0594361A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3137557A JPH0594361A (ja) 1991-06-10 1991-06-10 メモリ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3137557A JPH0594361A (ja) 1991-06-10 1991-06-10 メモリ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0594361A true JPH0594361A (ja) 1993-04-16

Family

ID=15201506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3137557A Pending JPH0594361A (ja) 1991-06-10 1991-06-10 メモリ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0594361A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100273725B1 (ko) 동기식 다이나믹 랜덤 액세스 메모리의 자동 활성화
US5226147A (en) Semiconductor memory device for simple cache system
US7483333B2 (en) Memory device and method having banks of different sizes
JP3398583B2 (ja) キャッシュ・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
JP4139734B2 (ja) 擬似スタティックメモリ装置および電子機器
JPH10134572A (ja) キャッシュsdramデバイス
JPH0757457A (ja) メモリ装置
KR100796179B1 (ko) 동적 랜덤 액세스 메모리에서 리프레시들을 은폐하는 방법 및 시스템
US6965536B2 (en) Method and system for using dynamic random access memory as cache memory
JPH10233091A (ja) 半導体記憶装置およびデータ処理装置
US5915080A (en) Reprogramming device of a flash memory
JPH10208468A (ja) 半導体記憶装置並びに同期型半導体記憶装置
JPH03102696A (ja) リフレッシュ制御装置
US5835442A (en) EDRAM with integrated generation and control of write enable and column latch signals and method for making same
JPH10255468A (ja) Dramのリフレッシュ装置
JP3561670B2 (ja) メモリ制御回路
JPS6313197A (ja) ダイナミツク型半導体記憶装置
JPS5918792B2 (ja) リフレツシユ読取り書込み制御方式
JPH0935471A (ja) メモリ素子
JPH0589670A (ja) 半導体記憶素子
JPH06119236A (ja) 主記憶制御回路
JPH07121438A (ja) 半導体記憶装置
JPH11283364A (ja) マルチバンクdram及びこのマルチバンクdramを備えたデータ処理システム
JPH065068A (ja) ダイナミックram
JPH0660643A (ja) 半導体記憶装置