JPH0594723A - Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材 - Google Patents
Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材Info
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- JPH0594723A JPH0594723A JP3276453A JP27645391A JPH0594723A JP H0594723 A JPH0594723 A JP H0594723A JP 3276453 A JP3276453 A JP 3276453A JP 27645391 A JP27645391 A JP 27645391A JP H0594723 A JPH0594723 A JP H0594723A
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- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
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- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 交流モードで運転される機器に用いられるＮ
ｂ−Ｔｉ合金超電導線材である。 【構成】 Ｃｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−Ｍｎ合金／Ｎ
ｂ−Ｔｉ合金またはＣｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−ＮＩ
−Ｍｎ合金／Ｎｂ−Ｔｉ合金から構成される超電導線材
において、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント周りに配置され
たＣｕ−Ｍｎ合金層またはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層の内
側にＮｂ層を配置した。
ｂ−Ｔｉ合金超電導線材である。 【構成】 Ｃｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−Ｍｎ合金／Ｎ
ｂ−Ｔｉ合金またはＣｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−ＮＩ
−Ｍｎ合金／Ｎｂ−Ｔｉ合金から構成される超電導線材
において、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント周りに配置され
たＣｕ−Ｍｎ合金層またはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層の内
側にＮｂ層を配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、交流モードで運転さ
れる機器に用いられる超電導線材に関する。
れる機器に用いられる超電導線材に関する。
【０００２】
【従来の技術】現状の超電導マグネットは、その殆どが
直流モードで運転されるようになっている。これは、通
常の銅（Ｃｕ）安定化Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材におけ
る交流モード運転時の交流損失が非常に大きいからであ
る。
直流モードで運転されるようになっている。これは、通
常の銅（Ｃｕ）安定化Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材におけ
る交流モード運転時の交流損失が非常に大きいからであ
る。
【０００３】超電導線の交流損失は、「ヒステリシス損
失」，「結合損失」および「渦電流損失」の３成分の和
からなっている。この３つの損失のうち結合損失と渦電
流損失は、導体断面の幾何学的構造や安定化銅をＣｕ−
Ｎｉ合金の高抵抗層で分割することによりかなり低減さ
せることができる。
失」，「結合損失」および「渦電流損失」の３成分の和
からなっている。この３つの損失のうち結合損失と渦電
流損失は、導体断面の幾何学的構造や安定化銅をＣｕ−
Ｎｉ合金の高抵抗層で分割することによりかなり低減さ
せることができる。
【０００４】しかし、ヒステリシス損失は、超電導体の
ピンニング力に起因するものであり、高い電流密度を有
する超電導線ほどピンニング力が大きいため、超電導体
のヒステリシス損失が大きくなる。つまり、超電導の大
きな利点である高い電流密度を保ちながらヒステリシス
損失を低減させることは、相反することがらとなる。一
般に、ヒステリシス損失は、超電導線の臨界電流密度と
フィラメント径の積に比例する。
ピンニング力に起因するものであり、高い電流密度を有
する超電導線ほどピンニング力が大きいため、超電導体
のヒステリシス損失が大きくなる。つまり、超電導の大
きな利点である高い電流密度を保ちながらヒステリシス
損失を低減させることは、相反することがらとなる。一
般に、ヒステリシス損失は、超電導線の臨界電流密度と
フィラメント径の積に比例する。
【０００５】そのため、高電流密度，低ヒステリシス損
失の超電導線を作製するには、フィラメント径を小さく
することが望ましい。このため、直流用の超電導線のフ
ィラメント径が数μｍ〜数十μｍなのに対し、交流用の
それはサブミクロンあるいは０．１μｍ以下の細さとな
り、直流用の数十分の１の細さとなる。
失の超電導線を作製するには、フィラメント径を小さく
することが望ましい。このため、直流用の超電導線のフ
ィラメント径が数μｍ〜数十μｍなのに対し、交流用の
それはサブミクロンあるいは０．１μｍ以下の細さとな
り、直流用の数十分の１の細さとなる。
【０００６】図２に直流用と交流用のフィラメントサイ
ズの違いを断面図に示す。即ち、（Ａ）は従来のフィラ
メント径が数μｍ〜数十μｍのものであり、ヒステリシ
ス損失が大きい。（Ｂ）は交流用のフィラメント径１μ
ｍ以下のものである。Ｎｂ−Ｔｉ合金の占積率が減少し
て臨界電流密度が低下している。（Ｃ）はフィラメント
間隔を狭めることにより近接効果を出現させたものであ
る。
ズの違いを断面図に示す。即ち、（Ａ）は従来のフィラ
メント径が数μｍ〜数十μｍのものであり、ヒステリシ
ス損失が大きい。（Ｂ）は交流用のフィラメント径１μ
ｍ以下のものである。Ｎｂ−Ｔｉ合金の占積率が減少し
て臨界電流密度が低下している。（Ｃ）はフィラメント
間隔を狭めることにより近接効果を出現させたものであ
る。
【０００７】このように、高電流密度を保ちながらフラ
メント径を小さくしていくと、フィラメント間隔が非常
に狭くなる。Ｎｂ−Ｔｉフィラメントから滲み出してく
る超電導電子により、隣り合うフィラメント同士が電気
的に結合し、フィラメント周りの母材金属部分にも超電
導電流が流れ、実質的にフイラメント径が太くなったよ
うな状態となる。これを近接効果という。この近接効果
によりフィラメント同士が電気的に結合するとヒステリ
シス損失が増大してしまう。
メント径を小さくしていくと、フィラメント間隔が非常
に狭くなる。Ｎｂ−Ｔｉフィラメントから滲み出してく
る超電導電子により、隣り合うフィラメント同士が電気
的に結合し、フィラメント周りの母材金属部分にも超電
導電流が流れ、実質的にフイラメント径が太くなったよ
うな状態となる。これを近接効果という。この近接効果
によりフィラメント同士が電気的に結合するとヒステリ
シス損失が増大してしまう。
【０００８】現在、近接効果によるフィラメント同士の
電気的結合を防ぐため、母材金属を従来用いられていた
Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ合金からＣｕ−３０重量％Ｎｉ合
金に代えてより高抵抗化したり、Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ
合金の代わりに磁性元素Ｍｎを含んだＣｕ−Ｍｎ合金を
用いることでフィラメント間隔を広げずに高い臨界電流
を保っている。
電気的結合を防ぐため、母材金属を従来用いられていた
Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ合金からＣｕ−３０重量％Ｎｉ合
金に代えてより高抵抗化したり、Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ
合金の代わりに磁性元素Ｍｎを含んだＣｕ−Ｍｎ合金を
用いることでフィラメント間隔を広げずに高い臨界電流
を保っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、Ｃｕ
−３０重量％Ｎｉ合金あるいはＣｕ−Ｍｎ合金を用いる
ことにより、近接効果によるフィラメント同士の電気的
結合を防止することができ、ヒステリシス損失を低減さ
せ、高い臨界電流密度を有する超電導線を作製すること
が可能になる。しかし、実用化レベルの値にはまだ達し
ておらず、より一層の低ヒステリシス損失化と高電流密
度化が望まれている。
−３０重量％Ｎｉ合金あるいはＣｕ−Ｍｎ合金を用いる
ことにより、近接効果によるフィラメント同士の電気的
結合を防止することができ、ヒステリシス損失を低減さ
せ、高い臨界電流密度を有する超電導線を作製すること
が可能になる。しかし、実用化レベルの値にはまだ達し
ておらず、より一層の低ヒステリシス損失化と高電流密
度化が望まれている。
【００１０】現在、加工技術の発達によりＮｂ−Ｔｉ合
金フィラメント径が０．０５μｍ以下の超電導線も作製
することが可能になった。しかし、いくら母材金属に上
記Ｃｕ−３０重量％Ｎｉ合金やＣｕ−Ｍｎ合金を用いた
としても、近接効果の低減作用には限度があり、フィラ
メント径を細くすることによるヒステリシス損失の低減
には限界がある。
金フィラメント径が０．０５μｍ以下の超電導線も作製
することが可能になった。しかし、いくら母材金属に上
記Ｃｕ−３０重量％Ｎｉ合金やＣｕ−Ｍｎ合金を用いた
としても、近接効果の低減作用には限度があり、フィラ
メント径を細くすることによるヒステリシス損失の低減
には限界がある。
【００１１】そのため、Ｎｂ−Ｔｉフィラメント１本１
本の臨界電流密度をヒステリシス損失を増大させること
なく高くしてやる必要がある。もし、Ｎｂ−Ｔｉ合金フ
ィラメントの臨界電流密度が高くなれば、超電導線の断
面積を小さくすることができ、その結果、単位体積当り
のヒステリシス損失は低減できなくとも、超電導線の体
積が減少するため、機器全体の損失も減少することにな
る。
本の臨界電流密度をヒステリシス損失を増大させること
なく高くしてやる必要がある。もし、Ｎｂ−Ｔｉ合金フ
ィラメントの臨界電流密度が高くなれば、超電導線の断
面積を小さくすることができ、その結果、単位体積当り
のヒステリシス損失は低減できなくとも、超電導線の体
積が減少するため、機器全体の損失も減少することにな
る。
【００１２】この発明の目的は、上記した従来の超電導
線のＮｂ−Ｔｉ合金フィラメント周りの構造を改良し、
低ヒステリシス損失を維持しつつ、高臨界電流密度を有
する超電導線を提供することにある。
線のＮｂ−Ｔｉ合金フィラメント周りの構造を改良し、
低ヒステリシス損失を維持しつつ、高臨界電流密度を有
する超電導線を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】この発明の要
旨は、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメントの周り、また、それ
に加えてフィラメントの中心部にもＮｂ層を配置し、こ
の周りにＣｕ−Ｍｎ合金あるいはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金
を配置することにある。これにより、まずＮｂ層でＮｂ
−Ｔｉ合金フィラメントから滲み出してきた超電導電子
により、フィラメントの表面で磁束をピン止めして、磁
界中での臨界電流密度を上昇させ、Ｎｂ層の周りに配置
したＣｕ−Ｍｎ合金層あるいはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層
により、近接効果によるフィラメントの電気的結合を防
ぎ、ヒステリシス損失の増大を抑えている。
旨は、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメントの周り、また、それ
に加えてフィラメントの中心部にもＮｂ層を配置し、こ
の周りにＣｕ−Ｍｎ合金あるいはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金
を配置することにある。これにより、まずＮｂ層でＮｂ
−Ｔｉ合金フィラメントから滲み出してきた超電導電子
により、フィラメントの表面で磁束をピン止めして、磁
界中での臨界電流密度を上昇させ、Ｎｂ層の周りに配置
したＣｕ−Ｍｎ合金層あるいはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層
により、近接効果によるフィラメントの電気的結合を防
ぎ、ヒステリシス損失の増大を抑えている。
【００１４】
【実施例】以下、図面に基づいてこの発明の実施例を説
明する。図１は線材の断面構造を示す断面図で、一部素
線を引き出して拡大して示している。即ち、Ｎｂ−Ｔｉ
合金素材１として、Ｎｂ−４５重量％Ｔｉ材を用い、こ
のＮｂ−Ｔｉ合金の棒を第１表に示すような被覆材２と
複合化し、それぞれ温間にて外径約２９ｍｍの押出用ビ
レットとした。この押出用ビレットをそれぞれ温間にて
外径１２ｍｍに静水圧押出をした後、それぞれ引抜伸線
し、対辺距離が１．３９ｍｍの六角断面を有するシング
ル線とした。このシングル線を所定の長さに切断したも
のを２５３本をそれぞれ外径が約２８ｍｍのＣｕ−１０
重量％Ｎｉ製の管４内に挿入組立てしてそれぞれ押出用
ビレットとした。この押出用ビレットをそれぞれ静水圧
押出して外径約１２ｍｍとした後、引抜伸線して対辺距
離が１．３９ｍｍの六角断面を有するサブマルチ線とし
た。
明する。図１は線材の断面構造を示す断面図で、一部素
線を引き出して拡大して示している。即ち、Ｎｂ−Ｔｉ
合金素材１として、Ｎｂ−４５重量％Ｔｉ材を用い、こ
のＮｂ−Ｔｉ合金の棒を第１表に示すような被覆材２と
複合化し、それぞれ温間にて外径約２９ｍｍの押出用ビ
レットとした。この押出用ビレットをそれぞれ温間にて
外径１２ｍｍに静水圧押出をした後、それぞれ引抜伸線
し、対辺距離が１．３９ｍｍの六角断面を有するシング
ル線とした。このシングル線を所定の長さに切断したも
のを２５３本をそれぞれ外径が約２８ｍｍのＣｕ−１０
重量％Ｎｉ製の管４内に挿入組立てしてそれぞれ押出用
ビレットとした。この押出用ビレットをそれぞれ静水圧
押出して外径約１２ｍｍとした後、引抜伸線して対辺距
離が１．３９ｍｍの六角断面を有するサブマルチ線とし
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】次に、そのサブマルチ線を所定の長さに切
断したもの１９８本と、このサブマルチ線と同サイズの
Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ合金被覆銅線からなるダミー線の
５５本をＣｕ−１０重量％Ｎｉ合金製の管４に挿入組立
し、それぞれ押出しビレットとした。この押出しビレッ
トをそれぞれ静水圧押出して外径約１２ｍｍに加工し
た。
断したもの１９８本と、このサブマルチ線と同サイズの
Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ合金被覆銅線からなるダミー線の
５５本をＣｕ−１０重量％Ｎｉ合金製の管４に挿入組立
し、それぞれ押出しビレットとした。この押出しビレッ
トをそれぞれ静水圧押出して外径約１２ｍｍに加工し
た。
【００１７】得られた各線材について、それぞれ数回の
引抜伸線した後、ツイスト加工し、それぞれ外径０．１
ｍｍ，Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント径０．２ｍｍ，ツイ
ストピッチ０．８ｍｍの線材とし試料とした。
引抜伸線した後、ツイスト加工し、それぞれ外径０．１
ｍｍ，Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント径０．２ｍｍ，ツイ
ストピッチ０．８ｍｍの線材とし試料とした。
【００１８】第２表に、以上のようにして作製した４種
類の線材の試料の断面構成比、臨界電流密度およびＳＱ
ＵＩＤ型磁束計で測定した±０．５Ｔ１サイクル当たり
のヒステリシス損失を示した。
類の線材の試料の断面構成比、臨界電流密度およびＳＱ
ＵＩＤ型磁束計で測定した±０．５Ｔ１サイクル当たり
のヒステリシス損失を示した。
【００１９】
【表２】
【００２０】臨界電流密度は試料番号４−試料番号３−
試料番号２−試料番号１の順で増加し、試料番号１の
０．５Ｔでの臨界電流密度は試料番号４の約１．７倍に
達した。一方、ヒステリシス損失は試料番号４−試料番
号３−試料番号２−試料番号１の順で増加し、試料番号
１のヒステリシス損失は試料番号４の約１．５倍となっ
た。
試料番号２−試料番号１の順で増加し、試料番号１の
０．５Ｔでの臨界電流密度は試料番号４の約１．７倍に
達した。一方、ヒステリシス損失は試料番号４−試料番
号３−試料番号２−試料番号１の順で増加し、試料番号
１のヒステリシス損失は試料番号４の約１．５倍となっ
た。
【００２１】以上の結果から、試料番号１は高い電流密
度を有するが、ヒステリシス損失は試料番号２，試料番
号３に関しては両者（試料番号１と試料番号４）の中間
の値をとることが分かった。
度を有するが、ヒステリシス損失は試料番号２，試料番
号３に関しては両者（試料番号１と試料番号４）の中間
の値をとることが分かった。
【００２２】次に、図３（Ｂ）に示すように、Ｎｂ−Ｔ
ｉ合金フィラメント１１の中心部にもＮｂ層１２を配置
した構造を有する線材を形成した。この線材についても
同様に測定した結果、フィラメント１１の周りのみにＮ
ｂ層１２を配置した図３（Ａ）に示す上記構造のものに
比べ１０％ほどヒシテリシス損失が増加したが、ほぼ同
様の結果がえられた。
ｉ合金フィラメント１１の中心部にもＮｂ層１２を配置
した構造を有する線材を形成した。この線材についても
同様に測定した結果、フィラメント１１の周りのみにＮ
ｂ層１２を配置した図３（Ａ）に示す上記構造のものに
比べ１０％ほどヒシテリシス損失が増加したが、ほぼ同
様の結果がえられた。
【００２３】この発明の変形例として、上記の実施例で
の試料番号２にあたるＮｂ層を銅に置き換えるものを作
製した。また、実施例でのＮｂ層を４．２Ｋ以上の臨界
温度をもつ金属、例えば、バナジウム（Ｖ）、鉛（Ｐ
ｂ）などで置き換えたものでもよい。これらの場合も実
施例とほぼ同様の結果がえられた。以上の他に、超電導
電子が滲み出し易いもの、低抵抗金属でＮｂ層と置き換
えたものでもほぼ同様の結果がえられた。
の試料番号２にあたるＮｂ層を銅に置き換えるものを作
製した。また、実施例でのＮｂ層を４．２Ｋ以上の臨界
温度をもつ金属、例えば、バナジウム（Ｖ）、鉛（Ｐ
ｂ）などで置き換えたものでもよい。これらの場合も実
施例とほぼ同様の結果がえられた。以上の他に、超電導
電子が滲み出し易いもの、低抵抗金属でＮｂ層と置き換
えたものでもほぼ同様の結果がえられた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明のＮｂ−
Ｔｉ合金超電導線材によれば、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメ
ントの周りに配置した場合、Ｎｂ層の代わりにＣｕ−Ｎ
ｉ合金層やＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層を配置するよりも、
高い臨界電流密度が得られた。しかも、臨界電流密度の
増加率が単位体積当たりのヒステリシス損失の増加率を
上回るために、同一長さで同じ臨界電流密度を有する超
電導線を試料番号１と試料番号２で作製した場合、試料
番号１の構造を有する超電導線のほうが線材の断面積を
小さくでき、なおかつ線材全体のヒステリシス損失も小
さくできる。また、断面積が小さいということは、超電
導線の使用量も少なくて済み、線材の冷却能力も向上す
る。その上、結合損失、渦電流損失は、線の直径に比例
するために、結合損失および渦電流損失も小さくするこ
とができる。
Ｔｉ合金超電導線材によれば、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメ
ントの周りに配置した場合、Ｎｂ層の代わりにＣｕ−Ｎ
ｉ合金層やＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層を配置するよりも、
高い臨界電流密度が得られた。しかも、臨界電流密度の
増加率が単位体積当たりのヒステリシス損失の増加率を
上回るために、同一長さで同じ臨界電流密度を有する超
電導線を試料番号１と試料番号２で作製した場合、試料
番号１の構造を有する超電導線のほうが線材の断面積を
小さくでき、なおかつ線材全体のヒステリシス損失も小
さくできる。また、断面積が小さいということは、超電
導線の使用量も少なくて済み、線材の冷却能力も向上す
る。その上、結合損失、渦電流損失は、線の直径に比例
するために、結合損失および渦電流損失も小さくするこ
とができる。
【図１】この発明のＮｂ−Ｔｉ合金超電導線材の一実施
例の構成を示す断面図、
例の構成を示す断面図、
【図２】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、直流用と交流用の
フィラメントサイズの違いを説明するための断面図、
フィラメントサイズの違いを説明するための断面図、
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、実施例のフィラメントの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１，１１ Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント ２，１２ Ｎｂ層，Ｃｕ層，Ｖ層，Ｐｂ層 ３ シングル線 ４ Ｃｕ−１０重量％Ｎｉ−１重量％Ｍｎの管
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−Ｍｎ合金
／Ｎｂ−Ｔｉ合金またはＣｕ／Ｃｕ−Ｎｉ合金／Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｍｎ合金／Ｎｂ−Ｔｉ合金から構成される超電導
線材において、Ｎｂ−Ｔｉ合金フィラメント周りに配置
されたＣｕ−Ｍｎ合金層またはＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金層
の内側にＮｂ層を配置してなることを特徴とするＮｂ−
Ｔｉ合金超電導線材。 - 【請求項２】上記の超電導線材において、Ｎｂ−Ｔｉ合
金フィラメントの中心部にもＮｂ層を配置し、中心部か
らＮｂ／Ｎｂ−Ｔｉ合金／Ｎｂ／Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金
という構造にしたことを特徴とする請求項１記載のＮｂ
−Ｔｉ合金超電導線材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03276453A JP3099460B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03276453A JP3099460B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594723A true JPH0594723A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3099460B2 JP3099460B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17569651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03276453A Expired - Fee Related JP3099460B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｎｂ−Ｔｉ合金超電導線材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3099460B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491597A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-22 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种NbTi/CuMn/Cu超导复合线材的制备方法 |
| CN119361237A (zh) * | 2024-12-24 | 2025-01-24 | 西北工业大学 | 一种人工钉扎NbTi多芯超导复合线的制备方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP03276453A patent/JP3099460B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491597A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-22 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种NbTi/CuMn/Cu超导复合线材的制备方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3099460B2 (ja) | 2000-10-16 |
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