JPH0594898A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0594898A JPH0594898A JP3219229A JP21922991A JPH0594898A JP H0594898 A JPH0594898 A JP H0594898A JP 3219229 A JP3219229 A JP 3219229A JP 21922991 A JP21922991 A JP 21922991A JP H0594898 A JPH0594898 A JP H0594898A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体に入射するイオンのエネルギーや密度を
精密に制御することが可能であり、かつ、プロセスパラ
メーターの制御も容易に行うことができるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。 【構成】 高周波電力波形及び高周波電力の測定手段
と；測定値に基づいて基体に入射するイオンのエネルギ
ーと密度を演算する演算手段と；プラズマの状態に関連
して決まるプロセスパラメーターを記憶するための記憶
手段と；記憶手段からの出力により記憶内容を表示する
ための表示手段と；イオンのエネルギーと密度とを所定
の値に設定するための設定手段と；設定手段にイオンの
エネルギー値と密度値を入力するための入力手段と；設
定手段において設定された値に応じて装置内におけるイ
オンのエネルギーと密度を設定値に制御するための制御
手段と；を少なくとも有する。
精密に制御することが可能であり、かつ、プロセスパラ
メーターの制御も容易に行うことができるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。 【構成】 高周波電力波形及び高周波電力の測定手段
と；測定値に基づいて基体に入射するイオンのエネルギ
ーと密度を演算する演算手段と；プラズマの状態に関連
して決まるプロセスパラメーターを記憶するための記憶
手段と；記憶手段からの出力により記憶内容を表示する
ための表示手段と；イオンのエネルギーと密度とを所定
の値に設定するための設定手段と；設定手段にイオンの
エネルギー値と密度値を入力するための入力手段と；設
定手段において設定された値に応じて装置内におけるイ
オンのエネルギーと密度を設定値に制御するための制御
手段と；を少なくとも有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に係
り、特に基体に入射するイオンのエネルギーや密度を精
密に制御できるプラズマ処理装置に関するものである。
り、特に基体に入射するイオンのエネルギーや密度を精
密に制御できるプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【関連する技術】従来のプラズマ処理装置においては外
部から制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス圧
力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類をコ
ントロールしてプラズマ処理を施してきたため基板やチ
ャンバー表面に直接入射するイオンのエネルギーや密度
を制御することは不可能であった。イオンのエネルギー
や密度の最適条件を求めるためには、実際の基板を使い
多くの評価を試み、その結果に基づき経験的に最適条件
を求めていたため、その労力は膨大であった。また、プ
ラズマプロセス中に高エネルギーイオンが基板表面に入
射すると基板にダメージを与え、チャンバー表面に高エ
ネルギーイオンが入射するとチャンバー材がスパッタさ
れ、基板表面はチャンバー材で汚染されるという問題が
あった。これらの問題の解決と同時にエッチング速度や
エッチング形状を決めるのはほとんど不可能であった。
そのため将来のディープサブミクロンＵＬＳＩの高性能
化や高信頼性を実現するためには大きな障害となる。そ
れらの問題を解決するためには基板表面に入射するイオ
ンのエネルギーや密度、並びにチャンバー表面に入射す
るイオンのエネルギー（プラズマボテンシャル）や密度
を精密に制御することが不可欠となる。したがってプラ
ズマ処理装置においてプラズマ励起中の基板に入射する
イオンのエネルギーや密度及びプラズマポテンシャルを
測定する方法と制御する方法が緊急の要請となってい
る。
部から制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス圧
力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類をコ
ントロールしてプラズマ処理を施してきたため基板やチ
ャンバー表面に直接入射するイオンのエネルギーや密度
を制御することは不可能であった。イオンのエネルギー
や密度の最適条件を求めるためには、実際の基板を使い
多くの評価を試み、その結果に基づき経験的に最適条件
を求めていたため、その労力は膨大であった。また、プ
ラズマプロセス中に高エネルギーイオンが基板表面に入
射すると基板にダメージを与え、チャンバー表面に高エ
ネルギーイオンが入射するとチャンバー材がスパッタさ
れ、基板表面はチャンバー材で汚染されるという問題が
あった。これらの問題の解決と同時にエッチング速度や
エッチング形状を決めるのはほとんど不可能であった。
そのため将来のディープサブミクロンＵＬＳＩの高性能
化や高信頼性を実現するためには大きな障害となる。そ
れらの問題を解決するためには基板表面に入射するイオ
ンのエネルギーや密度、並びにチャンバー表面に入射す
るイオンのエネルギー（プラズマボテンシャル）や密度
を精密に制御することが不可欠となる。したがってプラ
ズマ処理装置においてプラズマ励起中の基板に入射する
イオンのエネルギーや密度及びプラズマポテンシャルを
測定する方法と制御する方法が緊急の要請となってい
る。
【０００３】プラズマ中のイオンのエネルギーや密度、
並びにプラズマポテンシャルを正確に評価する方法とし
てはプローブを使った評価方法が一般的であるが、プロ
ーブ材がスパッタされることにより基板表面が汚染され
る可能性が大きい。またプラズマ中の励起種を同定する
方法として吸光や発光並びにレーザー光を使った分析方
法が有るが、光エネルギーが外部より入力されるためプ
ラズマ自体が乱される。さらに質量分析によるイオンの
エネルギーや密度分布の測定は電極構造が複雑となり、
分析に時間を要するためリアルタイムモニターには不向
きである。
並びにプラズマポテンシャルを正確に評価する方法とし
てはプローブを使った評価方法が一般的であるが、プロ
ーブ材がスパッタされることにより基板表面が汚染され
る可能性が大きい。またプラズマ中の励起種を同定する
方法として吸光や発光並びにレーザー光を使った分析方
法が有るが、光エネルギーが外部より入力されるためプ
ラズマ自体が乱される。さらに質量分析によるイオンの
エネルギーや密度分布の測定は電極構造が複雑となり、
分析に時間を要するためリアルタイムモニターには不向
きである。
【０００４】さらにこれまでの装置においては外部から
制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス圧力、ガス
流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類だけをコント
ロールしていたため、イオンのエネルギーや密度、並び
にプラズマポテンシャルを精密に制御することはほとん
ど不可能であった。
制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス圧力、ガス
流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類だけをコント
ロールしていたため、イオンのエネルギーや密度、並び
にプラズマポテンシャルを精密に制御することはほとん
ど不可能であった。
【０００５】一方、本出願人は、特願平２−２５２８４
７号において基体に入射するイオンのエネルギーや密度
を検出することにより、基体に入射するイオンのエネル
ギーや密度を制御できる技術を提供している。しかし、
この技術は、イオンのエネルギーや密度にのみ着目して
おり、他のプロセスパラメーターを所望の値に制御する
ことについては関知していない。すなわち、イオンのエ
ネルギーや密度を検知するだけでは、イオンのエネルギ
ーや密度を実用上容易にプロセスのパラメーターに反映
させて制御することは困難であった。
７号において基体に入射するイオンのエネルギーや密度
を検出することにより、基体に入射するイオンのエネル
ギーや密度を制御できる技術を提供している。しかし、
この技術は、イオンのエネルギーや密度にのみ着目して
おり、他のプロセスパラメーターを所望の値に制御する
ことについては関知していない。すなわち、イオンのエ
ネルギーや密度を検知するだけでは、イオンのエネルギ
ーや密度を実用上容易にプロセスのパラメーターに反映
させて制御することは困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基体に入射
するイオンのエネルギーや密度を精密に制御することが
可能であり、かつ、プロセスパラメーターの制御も容易
に行うことができるプラズマ処理装置を提供することを
目的とする。
するイオンのエネルギーや密度を精密に制御することが
可能であり、かつ、プロセスパラメーターの制御も容易
に行うことができるプラズマ処理装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、高周波
電力の印加される少なくとも一つの電極とプラズマ処理
の対象物である基体を保持するためのホルダーを有する
プラズマ処理装置において、前記電極に投入される高周
波電力波形及び高周波電力を測定するための手段と；測
定された高周波電力波形及び高周波電力の測定値に基づ
いて前記基体に入射するイオンのエネルギーと密度を演
算するための演算手段と；前記イオンのエネルギーと密
度の関数としてプラズマの状態に関連して決まるプロセ
スパラメーターを記憶するための記憶手段と；前記記憶
手段からの出力により記憶内容を表示するための表示手
段と；イオンのエネルギーと密度とを所定の値に設定す
るための設定手段と；前記設定手段にイオンのエネルギ
ー値と密度値を入力するための入力手段と；前記設定手
段において設定された値に応じて装置内におけるイオン
のエネルギーと密度を設定値に制御するための制御手段
と；を少なくとも有することを特徴とするプラズマ処理
装置に存在する。
電力の印加される少なくとも一つの電極とプラズマ処理
の対象物である基体を保持するためのホルダーを有する
プラズマ処理装置において、前記電極に投入される高周
波電力波形及び高周波電力を測定するための手段と；測
定された高周波電力波形及び高周波電力の測定値に基づ
いて前記基体に入射するイオンのエネルギーと密度を演
算するための演算手段と；前記イオンのエネルギーと密
度の関数としてプラズマの状態に関連して決まるプロセ
スパラメーターを記憶するための記憶手段と；前記記憶
手段からの出力により記憶内容を表示するための表示手
段と；イオンのエネルギーと密度とを所定の値に設定す
るための設定手段と；前記設定手段にイオンのエネルギ
ー値と密度値を入力するための入力手段と；前記設定手
段において設定された値に応じて装置内におけるイオン
のエネルギーと密度を設定値に制御するための制御手段
と；を少なくとも有することを特徴とするプラズマ処理
装置に存在する。
【０００８】
【作用】本発明では、電極に投入される高周波電力波形
及び高周波電力を測定するための測定手段を有してお
り、この測定手段によりプロセス中の高周波電力波形及
び高周波電力を測定する。
及び高周波電力を測定するための測定手段を有してお
り、この測定手段によりプロセス中の高周波電力波形及
び高周波電力を測定する。
【０００９】この測定された高周波電力波形及び高周波
電力に基づき演算手段により基体に入射するイオンのエ
ネルギーと密度を演算する。
電力に基づき演算手段により基体に入射するイオンのエ
ネルギーと密度を演算する。
【００１０】演算は例えば下記の式により行われる。
【００１１】 Ｖp＝（Ｖpp／２＋Ｖdc）／２ （１） Ｅion＝Ｖp−Ｖdc （２） Ｄion＝ＰRF／Ｖpp （３） ここでＶp、Ｅion、Ｄion、Ｖpp、Ｖdc、及びＰRFはそ
れぞれプラズマポテンシャル、イオンエネルギー、イオ
ン密度、高周波波形のピークトゥピーク電位、ＤＣセル
フバイアス、高周波パワーである。
れぞれプラズマポテンシャル、イオンエネルギー、イオ
ン密度、高周波波形のピークトゥピーク電位、ＤＣセル
フバイアス、高周波パワーである。
【００１２】一方、本発明では、イオンのエネルギーと
密度の関数であるプロセスパラメーターを、イオンのエ
ネルギーと密度の関数として求めておき、記憶手段（例
えば、コンピューターのＣＰＵ）に記憶させておく。こ
こで、イオンのエネルギーと密度の関数であるプロセス
パラメーターとしては、例えば、高周波電力、高周波周
波数、ガス圧力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガ
スの種類等の外部パラメーターもしくはダメージの程
度、重金属汚染の程度、エッチング速度、選択比、成膜
速度等があげられる。
密度の関数であるプロセスパラメーターを、イオンのエ
ネルギーと密度の関数として求めておき、記憶手段（例
えば、コンピューターのＣＰＵ）に記憶させておく。こ
こで、イオンのエネルギーと密度の関数であるプロセス
パラメーターとしては、例えば、高周波電力、高周波周
波数、ガス圧力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガ
スの種類等の外部パラメーターもしくはダメージの程
度、重金属汚染の程度、エッチング速度、選択比、成膜
速度等があげられる。
【００１３】なお、これらのプロセスパラメーターは予
め求めておき、記憶手段に記憶させておけばよい。ま
た、成膜等のプロセス中にプロセスパラメーターの測定
を行い、逐一記憶手段内のデーターの更新を行ってもよ
い。
め求めておき、記憶手段に記憶させておけばよい。ま
た、成膜等のプロセス中にプロセスパラメーターの測定
を行い、逐一記憶手段内のデーターの更新を行ってもよ
い。
【００１４】記憶手段内に記憶されている内容は表示手
段（例えばＣＲＴ）により表示される。
段（例えばＣＲＴ）により表示される。
【００１５】表示された内容を参照し、イオンのエネル
ギーと密度を入力手段（例えば、キーボード）により入
力する。入力された値は、イオンのエネルギーと密度は
設定手段に出力される。設定手段からの信号に基づき、
イオンのエネルギーと密度を制御する制御手段（例え
ば、高周波数、電極間距離、ガス流量、ガス圧力、ガス
の種類、添加ガスの種類を制御する手段）が作動し、イ
オンのエネルギーと密度を所定の値に制御するととも
に、ダメージの程度、重金属汚染の程度、エッチング速
度、選択比、成膜速度等のプロセスパラメーターをも制
御する。
ギーと密度を入力手段（例えば、キーボード）により入
力する。入力された値は、イオンのエネルギーと密度は
設定手段に出力される。設定手段からの信号に基づき、
イオンのエネルギーと密度を制御する制御手段（例え
ば、高周波数、電極間距離、ガス流量、ガス圧力、ガス
の種類、添加ガスの種類を制御する手段）が作動し、イ
オンのエネルギーと密度を所定の値に制御するととも
に、ダメージの程度、重金属汚染の程度、エッチング速
度、選択比、成膜速度等のプロセスパラメーターをも制
御する。
【００１６】
【実施例】本発明の構成例を図１に示す。高周波電力入
力によりグロー放電される電極を有するプラズマチャン
バーは圧力制御系と高周波電力入力系からなる。励起さ
れるガスはガス系１５から導入され、プラズマ処理装置
内のガス圧力はガス流量を制御するマスフローコントロ
ーラー１１と排気系のコンダクタンスを調整するスロッ
トルバルブ５により所定の値に調節される。圧力調節に
際し、排気系のコンダクタンスを小さくすることはプラ
ズマ処理装置内で発生した反応生成物を迅速に除去した
り、原料ガス純度をそのままプロセスガス純度として使
用するためには必要であり、マスフローコントローラー
だけで圧力を調節することが好ましい。
力によりグロー放電される電極を有するプラズマチャン
バーは圧力制御系と高周波電力入力系からなる。励起さ
れるガスはガス系１５から導入され、プラズマ処理装置
内のガス圧力はガス流量を制御するマスフローコントロ
ーラー１１と排気系のコンダクタンスを調整するスロッ
トルバルブ５により所定の値に調節される。圧力調節に
際し、排気系のコンダクタンスを小さくすることはプラ
ズマ処理装置内で発生した反応生成物を迅速に除去した
り、原料ガス純度をそのままプロセスガス純度として使
用するためには必要であり、マスフローコントローラー
だけで圧力を調節することが好ましい。
【００１７】励起されるガスは単体のガスもしくはそれ
らの混合ガスであり、例えば、Ｎ2、Ｏ2、Ｈ2、Ｈｅ、
Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等の一般ガス、ＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6、ＰＨ3、ＡｓＨ3、ＧｅＨ4、Ｂ2Ｈ5、等の水素化物
系ガス、ＣＣｌ4、ＣＦ4、ＡｓＣｌ3、ＡｓＦ3、ＢＣｌ
5、ＢＦ2、ＰＣｌ3、ＰＦ5、ＮＦ3、ＳＦ2、Ｂｒ2、Ｃ
ｌ2、Ｆ3、ＷＦ3、フロン系等のハロゲン系ガス、Ａｌ
系、Ｃｕ系、Ｇａ系等のアルコキシド系ガス、ＳｉＨ2
Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＴＥＯＳ、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣ
ｌ、ＨＦ等のプラズマ励起される全てのガスが使用でき
る。
らの混合ガスであり、例えば、Ｎ2、Ｏ2、Ｈ2、Ｈｅ、
Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ等の一般ガス、ＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6、ＰＨ3、ＡｓＨ3、ＧｅＨ4、Ｂ2Ｈ5、等の水素化物
系ガス、ＣＣｌ4、ＣＦ4、ＡｓＣｌ3、ＡｓＦ3、ＢＣｌ
5、ＢＦ2、ＰＣｌ3、ＰＦ5、ＮＦ3、ＳＦ2、Ｂｒ2、Ｃ
ｌ2、Ｆ3、ＷＦ3、フロン系等のハロゲン系ガス、Ａｌ
系、Ｃｕ系、Ｇａ系等のアルコキシド系ガス、ＳｉＨ2
Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＴＥＯＳ、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣ
ｌ、ＨＦ等のプラズマ励起される全てのガスが使用でき
る。
【００１８】電極３に入力される高周波電力は高周波発
信機１０から電力が調節されマッチングネットワーク８
を介して投入される。前記高周波電力が投入される電極
３は絶縁リング６により、プラズマチャンバー１と絶縁
される。
信機１０から電力が調節されマッチングネットワーク８
を介して投入される。前記高周波電力が投入される電極
３は絶縁リング６により、プラズマチャンバー１と絶縁
される。
【００１９】本実施例では、処理基板４が高周波電力が
入力される電極上に設置されるカソードカップル型のプ
ラズマ処理装置である。これらの高周波電力入力電極や
基板設置電極の位置によりカソードカップル型、アノー
ドカップル型、もしくは２周波励起型と区別されるが、
本発明において使用されるプラズマ処理装置はどのタイ
プの装置でもよい。
入力される電極上に設置されるカソードカップル型のプ
ラズマ処理装置である。これらの高周波電力入力電極や
基板設置電極の位置によりカソードカップル型、アノー
ドカップル型、もしくは２周波励起型と区別されるが、
本発明において使用されるプラズマ処理装置はどのタイ
プの装置でもよい。
【００２０】基体としては、金属材料、有機材料、非金
属材料、光学的材料、電磁気材料等プラズマ処理される
全ての材料が使用でき、特に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｃｄ2ＳｎＯ4等の導
体、Ｙ系，Ｔａ系、Ｂｉ系酸化物超伝導体、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＳｎ等の半導体、
Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁材料、ＰＺＴ、
ＢａＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2等の強誘電体、フェラ
イト系、アルニコ系、ＳｍＣｏ等の磁性体、光機能材料
が使用される。
属材料、光学的材料、電磁気材料等プラズマ処理される
全ての材料が使用でき、特に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｃｄ2ＳｎＯ4等の導
体、Ｙ系，Ｔａ系、Ｂｉ系酸化物超伝導体、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＳｎ等の半導体、
Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁材料、ＰＺＴ、
ＢａＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2等の強誘電体、フェラ
イト系、アルニコ系、ＳｍＣｏ等の磁性体、光機能材料
が使用される。
【００２１】電極に投入される高周波電力波形は投入電
極直下に備えられた高周波プローブ７とオシロスコープ
１２により測定され、その高周波電力はパワーメーター
９により測定される。
極直下に備えられた高周波プローブ７とオシロスコープ
１２により測定され、その高周波電力はパワーメーター
９により測定される。
【００２２】本発明における高周波電力周波数はプラズ
マ中に発生する電子が周波数に追従でき、イオンが十分
に追従できないような数ＫＨｚ〜数ＧＨｚの周波数範囲
が使用され、数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの周波数範囲が
望ましく、測定された高周波電力波形は正弦波に近似さ
れることが望ましい。測定された高周波電圧波形と高周
波電力値はＣＲＴ（表示手段）を有するコンピューター
１３に入力される。プラズマの状態、例えばイオンのエ
ネルギーや密度は図２に示す関係から以下の式により算
出する。
マ中に発生する電子が周波数に追従でき、イオンが十分
に追従できないような数ＫＨｚ〜数ＧＨｚの周波数範囲
が使用され、数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの周波数範囲が
望ましく、測定された高周波電力波形は正弦波に近似さ
れることが望ましい。測定された高周波電圧波形と高周
波電力値はＣＲＴ（表示手段）を有するコンピューター
１３に入力される。プラズマの状態、例えばイオンのエ
ネルギーや密度は図２に示す関係から以下の式により算
出する。
【００２３】 Ｖp＝（Ｖpp／２＋Ｖdc）／２ （１） Ｅion＝Ｖp−Ｖdc （２） Ｄion＝ＰRF／Ｖpp （３） ここでＶp、Ｅion、Ｄion、Ｖpp、Ｖdc、及びＰRFはそ
れぞれプラズマポテンシャル、イオンエネルギー、イオ
ン密度、高周波波形のピークトゥピーク電位、ＤＣセル
フバイアス及び高周波パワーを示す。
れぞれプラズマポテンシャル、イオンエネルギー、イオ
ン密度、高周波波形のピークトゥピーク電位、ＤＣセル
フバイアス及び高周波パワーを示す。
【００２４】あらかじめプラズマ処理装置の有する圧力
範囲、高周波電力範囲でイオンのエネルギーと密度を測
定し、それらの測定結果を図３のように整理し、記憶手
段に記憶させておき、記憶手段からの出力により表示部
（ＣＲＴ）上に表示される。実際に処理する際、所定の
イオンエネルギーと密度を入力ペンもしくはキーボード
（入力手段）から入力し、設定手段に出力する。なお、
入力値は、ＣＲＴに表示することが好ましい。プラズマ
処理中のイオンのエネルギーと密度をモニターし、所定
のイオンのエネルギーや密度からはずれないようコント
ロールする制御系１４を有する。
範囲、高周波電力範囲でイオンのエネルギーと密度を測
定し、それらの測定結果を図３のように整理し、記憶手
段に記憶させておき、記憶手段からの出力により表示部
（ＣＲＴ）上に表示される。実際に処理する際、所定の
イオンエネルギーと密度を入力ペンもしくはキーボード
（入力手段）から入力し、設定手段に出力する。なお、
入力値は、ＣＲＴに表示することが好ましい。プラズマ
処理中のイオンのエネルギーと密度をモニターし、所定
のイオンのエネルギーや密度からはずれないようコント
ロールする制御系１４を有する。
【００２５】本実施例は高周波発信器１２の高周波電
力、マスフローコントローラー１１の流量、排気系スロ
ットルバルブ５のコンダクタンスを制御することにより
イオンのエネルギーやイオン密度を制御した。そのほか
に高周波周波数、電極間距離、電極構造、ガス種並びに
添加ガス等の量を制御することによっても可能である。
当該プラズマ処理装置に質量分析計や吸光分光のような
分光分析を付加することもできる。それらから評価でき
るエネルギー分布とイオンやラジカルの種類並びに密度
のようなプラズマ状態に対する本発明のイオンエネルギ
ー、イオン密度の評価結果の関係をＣＲＴ上に示し、エ
ネルギー分布とイオンやラジカルの種類並びに密度をＣ
ＲＴ上に入力することにより制御することもできる。さ
らにプラズマ状態の他にダメージの程度、重金属汚染の
程度、エッチング速度や選択比、並びにスパッタ速度や
デポジション速度のようなプラズマに関連して決まるプ
ロセスパラメーターに対する本発明のイオンエネルギ
ー、イオン密度を関数として評価結果をＣＲＴ上に示
し、ＣＲＴ上にそれらの値を入力することにより制御す
ることもできる。
力、マスフローコントローラー１１の流量、排気系スロ
ットルバルブ５のコンダクタンスを制御することにより
イオンのエネルギーやイオン密度を制御した。そのほか
に高周波周波数、電極間距離、電極構造、ガス種並びに
添加ガス等の量を制御することによっても可能である。
当該プラズマ処理装置に質量分析計や吸光分光のような
分光分析を付加することもできる。それらから評価でき
るエネルギー分布とイオンやラジカルの種類並びに密度
のようなプラズマ状態に対する本発明のイオンエネルギ
ー、イオン密度の評価結果の関係をＣＲＴ上に示し、エ
ネルギー分布とイオンやラジカルの種類並びに密度をＣ
ＲＴ上に入力することにより制御することもできる。さ
らにプラズマ状態の他にダメージの程度、重金属汚染の
程度、エッチング速度や選択比、並びにスパッタ速度や
デポジション速度のようなプラズマに関連して決まるプ
ロセスパラメーターに対する本発明のイオンエネルギ
ー、イオン密度を関数として評価結果をＣＲＴ上に示
し、ＣＲＴ上にそれらの値を入力することにより制御す
ることもできる。
【００２６】１）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置において
ＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＣＲＴ画面に示されるイ
オンエネルギーと密度の関係を図４に示す。Ｅionは高
周波電力を上げるか、圧力を下げるに従い高くなり、Ｄ
ionは高周波電力を下げるか、圧力を上げるに従い増加
することが分かる。Ｓｉ基板に酸化膜を形成し、その酸
化膜をマスクに加工後、Ｓｉをエッチングした場合、Ｃ
ＲＴ画面にイオンエネルギー、イオン密度をそれぞれ３
００ｅＶ、０．１１ｃ／ｓｅｃと入力し１０分間エッチ
ングを行なうとＳｉのエッチング深さは５６３０Ａであ
り、酸化膜のエッチング膜厚は５２０Ａであった。
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置において
ＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＣＲＴ画面に示されるイ
オンエネルギーと密度の関係を図４に示す。Ｅionは高
周波電力を上げるか、圧力を下げるに従い高くなり、Ｄ
ionは高周波電力を下げるか、圧力を上げるに従い増加
することが分かる。Ｓｉ基板に酸化膜を形成し、その酸
化膜をマスクに加工後、Ｓｉをエッチングした場合、Ｃ
ＲＴ画面にイオンエネルギー、イオン密度をそれぞれ３
００ｅＶ、０．１１ｃ／ｓｅｃと入力し１０分間エッチ
ングを行なうとＳｉのエッチング深さは５６３０Ａであ
り、酸化膜のエッチング膜厚は５２０Ａであった。
【００２７】２）同様の装置においてＣＦ4にＨ2を流量
比で４０％添加したガスを用いたときのＣＲＴ画面に示
されるイオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上
に外部から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図
５に示す。ＥionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示
す。Ｓｉ基板に酸化膜を７０００Ａ成膜しその酸化膜を
レジストマスでエッチングした場合、ＣＲＴ画面にイオ
ンエネルギー、イオン密度をそれぞれ３５０ｅＶ、０．
１０ｃ／ｓｅｃと入力しエッチングを行なうと１７分で
Ｓｉ上の酸化膜がエッチングされた。
比で４０％添加したガスを用いたときのＣＲＴ画面に示
されるイオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上
に外部から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図
５に示す。ＥionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示
す。Ｓｉ基板に酸化膜を７０００Ａ成膜しその酸化膜を
レジストマスでエッチングした場合、ＣＲＴ画面にイオ
ンエネルギー、イオン密度をそれぞれ３５０ｅＶ、０．
１０ｃ／ｓｅｃと入力しエッチングを行なうと１７分で
Ｓｉ上の酸化膜がエッチングされた。
【００２８】３）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型プラズマＣＶＤ装置
において、ＳｉＨ4ガスを用いたときＣＲＴ画面に示さ
れるイオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上に
外部から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図６
に示す。ＥionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示
す。
ガス励起させるカソードカップル型プラズマＣＶＤ装置
において、ＳｉＨ4ガスを用いたときＣＲＴ画面に示さ
れるイオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上に
外部から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図６
に示す。ＥionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示
す。
【００２９】４）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型スパッタ装置におい
てＡｒガスを用いたときのＣＲＴ画面に示されるイオン
のエネルギーと密度を関数としたグラフ上に外部から制
御できる高周波電力とガス圧力の関係を図７に示す。Ｅ
ionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示す。
ガス励起させるカソードカップル型スパッタ装置におい
てＡｒガスを用いたときのＣＲＴ画面に示されるイオン
のエネルギーと密度を関数としたグラフ上に外部から制
御できる高周波電力とガス圧力の関係を図７に示す。Ｅ
ionとＤionはＳｉＣｌ4と同様の傾向を示す。
【００３０】５）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＣｌ４ガスを用いたときのＣＲＴ画面に示される
イオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上に外部
から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図８に示
す。圧力が高い領域においてはＥion一定のままＤionだ
けが著しく増加する。一方、圧力が低い領域では、Ｄ
ion一定のままＥion岳が著しく増加する。さらに、高周
波電力一定でガス圧力を上げると、１３０Ｗ以上の高電
力側では、Ｄionが上昇し、Ｅionは減少するが、さらに
ガス圧力が上がると変曲点からＥionがわずかに上昇
し、Ｄionは減少するが、７６Ｗ以下の起電力ではＥion
がわずかに上昇し、Ｄionは減少する。
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＣｌ４ガスを用いたときのＣＲＴ画面に示される
イオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上に外部
から制御できる高周波電力とガス圧力の関係を図８に示
す。圧力が高い領域においてはＥion一定のままＤionだ
けが著しく増加する。一方、圧力が低い領域では、Ｄ
ion一定のままＥion岳が著しく増加する。さらに、高周
波電力一定でガス圧力を上げると、１３０Ｗ以上の高電
力側では、Ｄionが上昇し、Ｅionは減少するが、さらに
ガス圧力が上がると変曲点からＥionがわずかに上昇
し、Ｄionは減少するが、７６Ｗ以下の起電力ではＥion
がわずかに上昇し、Ｄionは減少する。
【００３１】６）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳ
ｉを酸化膜マスクでエッチングした場合のエッチング速
度と酸化膜との選択比の関係をそれぞれ図８、図９に示
す。エッチング速度はＥionとＤionが増加すると速くな
り、一方選択比はＥionが減少し、Ｄionが高いほど増加
する。
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳ
ｉを酸化膜マスクでエッチングした場合のエッチング速
度と酸化膜との選択比の関係をそれぞれ図８、図９に示
す。エッチング速度はＥionとＤionが増加すると速くな
り、一方選択比はＥionが減少し、Ｄionが高いほど増加
する。
【００３２】７）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチン
グしたときのＳｉ基板に入るダメージを評価する指標と
なる酸化膜誘起積層欠陥（ＯＳＦ）密度評価結果を図１
１に示す。図中の実線はＯＳＦが観察される限界線を示
しており、限界線よりＥionとＤionが増加するに従い、
ＯＳＦは多く観察され、Ｓｉ基板にダメージが入ってい
ることが分かる。
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチン
グしたときのＳｉ基板に入るダメージを評価する指標と
なる酸化膜誘起積層欠陥（ＯＳＦ）密度評価結果を図１
１に示す。図中の実線はＯＳＦが観察される限界線を示
しており、限界線よりＥionとＤionが増加するに従い、
ＯＳＦは多く観察され、Ｓｉ基板にダメージが入ってい
ることが分かる。
【００３３】８）１３．５６ＭＨｚの高周波入力により
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチン
グしたときのＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ
線分析装置（ＴＲＸＦ）で評価した結果を図１２に示
す。図中の実線は等プラズマポテンシャル線（Ｖp）を
示す。ＦｅとＮｉはＶが高いほど増加し、ＮｉはどのＥ
ionとＤionにおいても広く分布していることが分かる。
ガス励起させるカソードカップル型ＲＩＥ装置におい
て、ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密度を
関数としたグラフ上にＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチン
グしたときのＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ
線分析装置（ＴＲＸＦ）で評価した結果を図１２に示
す。図中の実線は等プラズマポテンシャル線（Ｖp）を
示す。ＦｅとＮｉはＶが高いほど増加し、ＮｉはどのＥ
ionとＤionにおいても広く分布していることが分かる。
【００３４】９）８）の実施例においてＭＯＳダイオー
ドを製作したときのＣＲＴ画面に示されるイオンのエネ
ルギーと密度を関数としたグラフ上に小数キャリアの生
成ライフタイムと酸化膜耐圧結果をそれぞれ図１３、図
１４に示す。ＭＯＳダイオードのげーと酸化膜厚は３０
０Ａであり、１μｍのＡｌ電極を形成した。小数キャリ
アの生成ライフタイムはＥionが４００ｅＶ以上で著し
く短くなり、酸化膜耐圧はＶpが高いと劣化しているこ
とが分かる。
ドを製作したときのＣＲＴ画面に示されるイオンのエネ
ルギーと密度を関数としたグラフ上に小数キャリアの生
成ライフタイムと酸化膜耐圧結果をそれぞれ図１３、図
１４に示す。ＭＯＳダイオードのげーと酸化膜厚は３０
０Ａであり、１μｍのＡｌ電極を形成した。小数キャリ
アの生成ライフタイムはＥionが４００ｅＶ以上で著し
く短くなり、酸化膜耐圧はＶpが高いと劣化しているこ
とが分かる。
【００３５】１０）２）の実施例において、エッチング
中のイオンのエネルギーは図１５に示すように経時変化
し、１７分間でエッチングが終了したことが分かる。こ
のようにエッチングの終点の検出も可能である。
中のイオンのエネルギーは図１５に示すように経時変化
し、１７分間でエッチングが終了したことが分かる。こ
のようにエッチングの終点の検出も可能である。
【００３６】１１）プラズマ処理装置に加えて電極の周
囲に電位制御できるシールド電極を設置し、その電極を
電位制御することによりプラズマポテンシャルを制御す
ることもできる。その結果を図１６に示す。上部電極に
１００ＭＨｚの高周波電力を投入しシールド電極の電位
を変化させると−５Ｖでプラズマポテンシャルは負の電
位となる。
囲に電位制御できるシールド電極を設置し、その電極を
電位制御することによりプラズマポテンシャルを制御す
ることもできる。その結果を図１６に示す。上部電極に
１００ＭＨｚの高周波電力を投入しシールド電極の電位
を変化させると−５Ｖでプラズマポテンシャルは負の電
位となる。
【００３７】１２）以上のＳｉＣｌ4ガスでエッチング
したときの結果を図１７に示すようにＣＲＴ画面上にま
とめて表すことができる。ダメージフリー、重金属汚染
フリー、高速、高選択エッチングを実現するためには塗
りつぶした領域のＥion、Ｄion範囲内でエッチングする
ことが要求される。
したときの結果を図１７に示すようにＣＲＴ画面上にま
とめて表すことができる。ダメージフリー、重金属汚染
フリー、高速、高選択エッチングを実現するためには塗
りつぶした領域のＥion、Ｄion範囲内でエッチングする
ことが要求される。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、高周波電力の印加により導入
されたガスを励起する全てのプラズマ処理装置におい
て、高周波電圧波形、並びに高周波電力を測定する簡単
な手段によって基板に入射するイオンのエネルギーと密
度といった重要なパラメーターを決定し、その結果に基
づき、イオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上
に外部から制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス
圧力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類等
の外部パラメーターもしくはダメージの程度、重金属汚
染の程度、エッチング速度、選択比、成膜速度等のプロ
セスパラメーターをプロットし、所定の値にイオンのエ
ネルギーや密度を精密に制御し、プロセスのパラメータ
ーをも制御することにより実現することができる。
されたガスを励起する全てのプラズマ処理装置におい
て、高周波電圧波形、並びに高周波電力を測定する簡単
な手段によって基板に入射するイオンのエネルギーと密
度といった重要なパラメーターを決定し、その結果に基
づき、イオンのエネルギーと密度を関数としたグラフ上
に外部から制御できる高周波電力、高周波周波数、ガス
圧力、ガス流量、ガスの種類、並びに添加ガスの種類等
の外部パラメーターもしくはダメージの程度、重金属汚
染の程度、エッチング速度、選択比、成膜速度等のプロ
セスパラメーターをプロットし、所定の値にイオンのエ
ネルギーや密度を精密に制御し、プロセスのパラメータ
ーをも制御することにより実現することができる。
【図１】本発明の構成例を示す概念図。
【図２】高周波電力波形図。
【図３】ＣＲＴ画面に示されるイオンエネルギーと密度
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
【図４】ＣＲＴ画面に示されるイオンエネルギーと密度
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
【図５】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
【図６】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
【図７】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
【図８】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
度及び高周波電力とガス圧力の関係を示すグラフ。
【図９】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと密
度及びＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳｉを酸化膜マス
クでエッチングした場合のエッチング速度の関係を示す
グラフ。
度及びＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳｉを酸化膜マス
クでエッチングした場合のエッチング速度の関係を示す
グラフ。
【図１０】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
密度及びＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳｉを酸化膜マ
スクでエッチングした場合の酸化膜との選択比の関係を
示すグラフ。
密度及びＳｉＣｌ4ガスを用いたときのＳｉを酸化膜マ
スクでエッチングした場合の酸化膜との選択比の関係を
示すグラフ。
【図１１】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたときの
Ｓｉ基板に入るダメージを評価する指標となる酸化膜誘
起積層欠陥（ＯＳＦ）密度の関係を示すグラフ。
密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたときの
Ｓｉ基板に入るダメージを評価する指標となる酸化膜誘
起積層欠陥（ＯＳＦ）密度の関係を示すグラフ。
【図１２ａ】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギー
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
【図１２ｂ】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギー
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
【図１２ｃ】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギー
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
と密度及びＳｉＣｌ4ガスで５分間エッチングしたとき
のＳｉ基板に入る重金属汚染を全反射蛍光Ｘ線分析装置
（ＴＲＸＦ）で評価した結果との関係を示すグラフ。
【図１３】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
密度及び小数キャリアの生成ライフタイムとの関係を示
すグラフ。
密度及び小数キャリアの生成ライフタイムとの関係を示
すグラフ。
【図１４】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
密度及び酸化膜耐圧との関係を示すグラフ。
密度及び酸化膜耐圧との関係を示すグラフ。
【図１５】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
エッチング時間との関係を示すグラフ。
エッチング時間との関係を示すグラフ。
【図１６】プラズマポテンシャルのシールド電位依存正
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図１７】ＣＲＴ画面に示されるイオンのエネルギーと
密度及び各種のプロセスパラメーターとの関係を示すグ
ラフ。
密度及び各種のプロセスパラメーターとの関係を示すグ
ラフ。
１ プラズマチャンバー、 ２ 上部電極、 ３ 下部電極、 ４ 基体（基板）、 ５ スロットルバルブ、 ６ 絶縁リング、 ７ 高周波プローブ、 ８ マッチングネットワーク、 ９ パワーメーター、 １０ 高周波電源、 １１ マスフローコントローラー、 １２ 高周波発信器（オシロスコープ）、 １３ コンピューター・計測系、 １４ 制御系、 １５ ガス入口、 １６ 排気系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 14/54 8520−4Ｋ
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波電力の印加される少なくとも一つ
の電極とプラズマ処理の対象物である基体を保持するた
めのホルダーを有するプラズマ処理装置において、 前記電極に投入される高周波電力波形及び高周波電力を
測定するための手段と；測定された高周波電力波形及び
高周波電力の測定値に基づいて前記基体に入射するイオ
ンのエネルギーと密度を演算するための演算手段と；前
記イオンのエネルギーと密度の関数としてプラズマの状
態に関連して決まるプロセスパラメーターを記憶するた
めの記憶手段と；前記記憶手段からの出力により記憶内
容を表示するための表示手段と；イオンのエネルギーと
密度とを所定の値に設定するための設定手段と；前記設
定手段にイオンのエネルギー値と密度値を入力するため
の入力手段と；前記設定手段において設定された値に応
じて装置内におけるイオンのエネルギーと密度を設定値
に制御するための制御手段と；を少なくとも有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記電極が前記ホルダーを兼ねているこ
とを特徴とする前記請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記ホルダーに、前記電極と異なる周波
数の高周波電力を印加するための手段を設けたことを特
徴する請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記高周波電力と前記プラズマ処理装置
に導入されるガスの流量を制御して前記イオンのエネル
ギーと密度を所定の値に制御するようにしたにしたこと
を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記プラズマ処理装置により励起される
ガスは単体もしくはそれらの混合ガスであることを特徴
とする前記請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 基体に入射するイオンのエネルギーと密
度の経時変化を測定する手段を設けたことを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03219229A JP3122175B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | プラズマ処理装置 |
| US08/193,083 US5444259A (en) | 1991-08-05 | 1992-08-05 | Plasma processing apparatus |
| EP92916817A EP0598128A4 (en) | 1991-08-05 | 1992-08-05 | Plasma treatment device. |
| PCT/JP1992/001001 WO1993003590A1 (fr) | 1991-08-05 | 1992-08-05 | Appareil de traitement au plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03219229A JP3122175B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594898A true JPH0594898A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3122175B2 JP3122175B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16732228
Family Applications (1)
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