JPH0594982A - レジスト膜作製方法 - Google Patents
レジスト膜作製方法Info
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- JPH0594982A JPH0594982A JP3255236A JP25523691A JPH0594982A JP H0594982 A JPH0594982 A JP H0594982A JP 3255236 A JP3255236 A JP 3255236A JP 25523691 A JP25523691 A JP 25523691A JP H0594982 A JPH0594982 A JP H0594982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- silicon nitride
- nitride film
- film
- carboxyl group
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板（１）上に形成された窒化珪素膜
（２）をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面
処理したのち、窒化珪素膜（２）上に側鎖としてカルボ
キシル基を有するレジスト（３）を塗布し、１５０℃以
上の温度で熱処理するレジスト膜作製方法。 【効果】 窒化珪素膜（２）表面のイミノ基、あるいは
アミノ基をアシル化、あるいはアルキル化により疎水化
して、レジスト（３）のカルボキシル基に対する反応性
を低下させ、窒化珪素膜（２）とレジスト（３）との結
合を減少させることができる。つまり、露光及び現像後
のレジスト（３）の開口部底面での不溶化したレジスト
膜（３ａ）の生成を減少させることができる。従って、
レジストパターンの精度を向上させて微細なレジストパ
ターンを形成することが可能となる。
（２）をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面
処理したのち、窒化珪素膜（２）上に側鎖としてカルボ
キシル基を有するレジスト（３）を塗布し、１５０℃以
上の温度で熱処理するレジスト膜作製方法。 【効果】 窒化珪素膜（２）表面のイミノ基、あるいは
アミノ基をアシル化、あるいはアルキル化により疎水化
して、レジスト（３）のカルボキシル基に対する反応性
を低下させ、窒化珪素膜（２）とレジスト（３）との結
合を減少させることができる。つまり、露光及び現像後
のレジスト（３）の開口部底面での不溶化したレジスト
膜（３ａ）の生成を減少させることができる。従って、
レジストパターンの精度を向上させて微細なレジストパ
ターンを形成することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト膜作製方法に関
し、より詳細には電子線リソグラフィ工程におけるレジ
スト膜作製方法に関する。
し、より詳細には電子線リソグラフィ工程におけるレジ
スト膜作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、電子線に対して感度を有するポジ型レジストとして
メタクリル酸をモノマーのひとつとした種々の共重合体
レジストが開発されており、微細線加工に用いられてい
る。一般的なカルボキシル基を側鎖にもつレジストであ
るメタクリル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジス
ト膜によって基板上にレジストパターンを形成する方法
について説明する。
り、電子線に対して感度を有するポジ型レジストとして
メタクリル酸をモノマーのひとつとした種々の共重合体
レジストが開発されており、微細線加工に用いられてい
る。一般的なカルボキシル基を側鎖にもつレジストであ
るメタクリル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジス
ト膜によって基板上にレジストパターンを形成する方法
について説明する。
【０００３】図２に示したように、まず、基板としてＧ
ａＡｓ基板（１）上に窒化珪素膜（２）を積層した後、
メタクリル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト
（３）をスピンコータにて１５００Åの厚さに塗布し、
２３０℃で２時間、プレベークを行う。次いで、電子線
露光により１５００Å線幅のパターンを描画した後、メ
チルイソブチルケトン−エチルシクロヘキサノール（８
０：２０）の混合液で現像を行い、所望のレジストパタ
ーンを形成する。
ａＡｓ基板（１）上に窒化珪素膜（２）を積層した後、
メタクリル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト
（３）をスピンコータにて１５００Åの厚さに塗布し、
２３０℃で２時間、プレベークを行う。次いで、電子線
露光により１５００Å線幅のパターンを描画した後、メ
チルイソブチルケトン−エチルシクロヘキサノール（８
０：２０）の混合液で現像を行い、所望のレジストパタ
ーンを形成する。
【０００４】上記したレジストパターンの形成方法にお
いて、窒化珪素膜（２）にカルボキシル基を側鎖にもつ
レジスト（３）を塗布し、１５０℃以上のプレベークを
行った場合、露光及び現像後のレジスト（３）の開口部
底面に不溶化したレジスト膜（３ｂ）が残ることがあ
る。従って、別途酸素プラズマ等によるエッチングによ
ってこの不溶化したレジスト膜（３ｂ）を除去する必要
があるという課題があった。
いて、窒化珪素膜（２）にカルボキシル基を側鎖にもつ
レジスト（３）を塗布し、１５０℃以上のプレベークを
行った場合、露光及び現像後のレジスト（３）の開口部
底面に不溶化したレジスト膜（３ｂ）が残ることがあ
る。従って、別途酸素プラズマ等によるエッチングによ
ってこの不溶化したレジスト膜（３ｂ）を除去する必要
があるという課題があった。
【０００５】また、酸素プラズマ等によるエッチングに
おいては数百Åレベルで再現性よく異方性の加工をする
のが困難であり、不溶化したレジスト膜（３ｂ）を除去
すると同時に、レジスト（３）の開口部を横方向にエッ
チングしてしまい線幅が増加することとなる。例えば、
一般に上記した方法による不溶化したレジスト膜（３
ｂ）を除去する場合、約２５０〜３００Åのエッチング
が必要であるが、このエッチングによってレジスト
（３）の線幅が５００〜６００Å増加してしまい、レジ
ストパターンの精度を低下させる原因となるという課題
があった。
おいては数百Åレベルで再現性よく異方性の加工をする
のが困難であり、不溶化したレジスト膜（３ｂ）を除去
すると同時に、レジスト（３）の開口部を横方向にエッ
チングしてしまい線幅が増加することとなる。例えば、
一般に上記した方法による不溶化したレジスト膜（３
ｂ）を除去する場合、約２５０〜３００Åのエッチング
が必要であるが、このエッチングによってレジスト
（３）の線幅が５００〜６００Å増加してしまい、レジ
ストパターンの精度を低下させる原因となるという課題
があった。
【０００６】さらに、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）によってレジスト（３）の異方性エッチングを行
い、レジスト（３）の開口部の横方向のエッチングを減
少させる方法も考えられているが、反応性イオンエッチ
ングでは半導体基板（１）にダメージを与える可能性が
あり、レジスト（３）の開口部直下に浅いチャネル層を
形成するような場合には不適であり、場合によってはダ
メージを回復するために熱処理工程を行わなければなら
ないという課題もあった。
Ｅ）によってレジスト（３）の異方性エッチングを行
い、レジスト（３）の開口部の横方向のエッチングを減
少させる方法も考えられているが、反応性イオンエッチ
ングでは半導体基板（１）にダメージを与える可能性が
あり、レジスト（３）の開口部直下に浅いチャネル層を
形成するような場合には不適であり、場合によってはダ
メージを回復するために熱処理工程を行わなければなら
ないという課題もあった。
【０００７】本発明はこのような課題を鑑みなされたも
のであり、露光及び現像後のレジストの開口部底面での
不溶化したレジスト膜生成を低減して、レジストパター
ン精度を向上させることができるレジスト膜作製方法を
提供することを目的としている。
のであり、露光及び現像後のレジストの開口部底面での
不溶化したレジスト膜生成を低減して、レジストパター
ン精度を向上させることができるレジスト膜作製方法を
提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記記載の課題を解決す
るために本発明によれば、半導体基板上に形成された窒
化珪素膜をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表
面処理したのち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシ
ル基を有するレジストを塗布し、１５０℃以上の温度で
熱処理することを特徴としている。
るために本発明によれば、半導体基板上に形成された窒
化珪素膜をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表
面処理したのち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシ
ル基を有するレジストを塗布し、１５０℃以上の温度で
熱処理することを特徴としている。
【０００９】
【作用】一般に、半導体基板上に堆積した窒化珪素膜上
にカルボキシル基を側鎖にもつレジストを塗布し、１５
０℃以上の温度で熱処理を行なった場合、窒化珪素膜と
レジストとの界面に、現像液に対して溶解性に劣るレジ
スト膜が形成される。これは、レジストのカルボキシル
基と窒化珪素膜表面のイミノ基、あるいはアミノ基との
間で脱水反応が起こり、窒化珪素膜とレジストとの一部
が結合して界面のレジストが不溶化するためと考えられ
る。
にカルボキシル基を側鎖にもつレジストを塗布し、１５
０℃以上の温度で熱処理を行なった場合、窒化珪素膜と
レジストとの界面に、現像液に対して溶解性に劣るレジ
スト膜が形成される。これは、レジストのカルボキシル
基と窒化珪素膜表面のイミノ基、あるいはアミノ基との
間で脱水反応が起こり、窒化珪素膜とレジストとの一部
が結合して界面のレジストが不溶化するためと考えられ
る。
【００１０】そこで、上記した方法によれば、半導体基
板上に形成された窒化珪素膜をアシル化剤あるいはアル
キル化剤を用いて表面処理したのち、窒化珪素膜上に側
鎖としてカルボキシル基を有するレジストを塗布し、１
５０℃以上の温度で熱処理することにより、窒化珪素膜
表面のイミノ基、あるいはアミノ基がアシル化、あるい
はアルキル化により疎水化されて、レジストのカルボキ
シル基に対する反応性が低下し、窒化珪素膜とレジスト
との結合が減少することとなり、露光及び現像後のレジ
ストの開口部底面での不溶化したレジスト膜の生成が低
減する。
板上に形成された窒化珪素膜をアシル化剤あるいはアル
キル化剤を用いて表面処理したのち、窒化珪素膜上に側
鎖としてカルボキシル基を有するレジストを塗布し、１
５０℃以上の温度で熱処理することにより、窒化珪素膜
表面のイミノ基、あるいはアミノ基がアシル化、あるい
はアルキル化により疎水化されて、レジストのカルボキ
シル基に対する反応性が低下し、窒化珪素膜とレジスト
との結合が減少することとなり、露光及び現像後のレジ
ストの開口部底面での不溶化したレジスト膜の生成が低
減する。
【００１１】
【実施例及び比較例】本発明に係るレジスト膜作製方法
の実施例を説明する。なお、従来例と同一機能を有する
構成部品には同一の符号を付すこととする。
の実施例を説明する。なお、従来例と同一機能を有する
構成部品には同一の符号を付すこととする。
【００１２】実施例１ 図１に示したように、まず、基板としてＧａＡｓ基板
（１）上に窒化珪素膜（２）を積層した後、窒化珪素膜
（２）が積層されたＧａＡｓ基板（１）をアシル化剤と
して酢酸及び無水酢酸（１：１）の混合物中に室温で３
時間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、
イソプロパノールで洗浄し、乾燥した。
（１）上に窒化珪素膜（２）を積層した後、窒化珪素膜
（２）が積層されたＧａＡｓ基板（１）をアシル化剤と
して酢酸及び無水酢酸（１：１）の混合物中に室温で３
時間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、
イソプロパノールで洗浄し、乾燥した。
【００１３】次いで、メタクリル酸−メタクリル酸フェ
ニル共重合体レジスト（メタクリル酸成分２５．４モル
％、メタクリル酸フェニル成分７４．６モル％の５重量
％メチルセロソルブアセテート溶液）（３）をスピンコ
ータで１５００Åの厚さに塗布し、２３０℃で１時間プ
レベークを行った。そして、電子線露光装置を用いて、
レジスト（３）に３ｎＣ／ｃｍの線パターンを描画し、
メチルイソブチルケトン−エチルシクロヘキサノール
（８０：２０）の混合液により現像した。
ニル共重合体レジスト（メタクリル酸成分２５．４モル
％、メタクリル酸フェニル成分７４．６モル％の５重量
％メチルセロソルブアセテート溶液）（３）をスピンコ
ータで１５００Åの厚さに塗布し、２３０℃で１時間プ
レベークを行った。そして、電子線露光装置を用いて、
レジスト（３）に３ｎＣ／ｃｍの線パターンを描画し、
メチルイソブチルケトン−エチルシクロヘキサノール
（８０：２０）の混合液により現像した。
【００１４】次に、酸素プラズマエッチング法により、
レジスト（３）の開口部底面の不溶化したレジスト膜
（３ａ）を９０Åエッチングし、次いで、ふっ化水素水
溶液で窒化珪素膜（２）をエッチングし、さらにレジス
トパターンをマスクとしてＧａＡｓ基板（１）上にアル
ミニウムを２０００Å蒸着した。この場合の作製された
アルミニウム金属電極は０．１５μｍの線画であった。
レジスト（３）の開口部底面の不溶化したレジスト膜
（３ａ）を９０Åエッチングし、次いで、ふっ化水素水
溶液で窒化珪素膜（２）をエッチングし、さらにレジス
トパターンをマスクとしてＧａＡｓ基板（１）上にアル
ミニウムを２０００Å蒸着した。この場合の作製された
アルミニウム金属電極は０．１５μｍの線画であった。
【００１５】また上述と同様にプレベークを行った後、
電子線露光を行わず、そのままレジスト（３）の良好な
溶媒であるアセトンで、レジスト（３）を溶解、剥離し
た場合、窒化珪素膜（２）の表面に約９０Åの不溶化し
たレジスト膜（３ａ）を観察した。その結果をその他の
実施例及び比較例とともに表１に示す。
電子線露光を行わず、そのままレジスト（３）の良好な
溶媒であるアセトンで、レジスト（３）を溶解、剥離し
た場合、窒化珪素膜（２）の表面に約９０Åの不溶化し
たレジスト膜（３ａ）を観察した。その結果をその他の
実施例及び比較例とともに表１に示す。
【００１６】実施例２ 実施例１と同様に窒化珪素膜（２）を積層させた基板
（１）をアシル化剤として臭化アセチル中に室温で３時
間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、イ
ソプロパノールで洗浄し、乾燥した。次いで、メタクリ
ル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト（メタク
リル酸成分２５．４モル％、メタクリル酸フェニル成分
７４．６モル％の５重量％メチルセロソルブアセテート
溶液）（３）をスピンコータで１５００Åの厚さに塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行い、そのままレジ
スト（３）の良好な溶媒であるアセトンでレジスト
（３）を溶解、剥離した。
（１）をアシル化剤として臭化アセチル中に室温で３時
間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、イ
ソプロパノールで洗浄し、乾燥した。次いで、メタクリ
ル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト（メタク
リル酸成分２５．４モル％、メタクリル酸フェニル成分
７４．６モル％の５重量％メチルセロソルブアセテート
溶液）（３）をスピンコータで１５００Åの厚さに塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行い、そのままレジ
スト（３）の良好な溶媒であるアセトンでレジスト
（３）を溶解、剥離した。
【００１７】実施例３ 実施例１と同様に窒化珪素膜（２）を積層させた基板
（１）をアルキル化剤として臭化アリル中に室温で３時
間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、イ
ソプロパノールで洗浄し、乾燥した。次いで、メタクリ
ル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト（メタク
リル酸成分２５．４モル％、メタクリル酸フェニル成分
７４．６モル％の５重量％メチルセロソルブアセテート
溶液）（３）をスピンコータで１５００Åの厚さに塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行い、そのままレジ
スト（３）の良好な溶媒であるアセトンでレジスト
（３）を溶解、剥離した。
（１）をアルキル化剤として臭化アリル中に室温で３時
間浸漬し、窒化珪素膜（２）の表面処理を行った後、イ
ソプロパノールで洗浄し、乾燥した。次いで、メタクリ
ル酸−メタクリル酸フェニル共重合体レジスト（メタク
リル酸成分２５．４モル％、メタクリル酸フェニル成分
７４．６モル％の５重量％メチルセロソルブアセテート
溶液）（３）をスピンコータで１５００Åの厚さに塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行い、そのままレジ
スト（３）の良好な溶媒であるアセトンでレジスト
（３）を溶解、剥離した。
【００１８】比較例１ 実施例１と同様に窒化珪素膜（２）を積層させた基板
（１）にアシル化剤、あるいはアルキル化剤での表面処
理を行わず、実施例１と同様のレジスト（３）を塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行った。そして、電
子線露光装置を用いて、レジスト（３）に３ｎＣ／ｃｍ
の線パターンを描画し、メチルイソブチルケトン−エチ
ルシクロヘキサノール（８０：２０）の混合液により現
像した。次に、酸素プラズマエッチング法により、不溶
化したレジスト膜（３ｂ）をエッチングした。この際、
不溶化したレジスト膜（３ｂ）のエッチング膜厚が２０
０Å以下では不溶化したレジスト膜（３ｂ）を完全に除
去することができなかった。そして、さらにふっ化水素
水溶液で窒化珪素膜（２）をエッチングした場合、窒化
珪素膜（２）をエッチングすることができないか、ある
いは窒化珪素膜（２）にエッチングされない部分が生じ
た。また、不溶化したレジスト膜（３ｂ）を２００Åエ
ッチングした後、そのレジストパターンをマスクとして
ＧａＡｓ基板（１）上にアルミニウムを２０００Å蒸着
した。この場合の作製されたアルミニウム金属電極は
０．２μｍの線画となった。
（１）にアシル化剤、あるいはアルキル化剤での表面処
理を行わず、実施例１と同様のレジスト（３）を塗布
し、２３０℃で１時間プレベークを行った。そして、電
子線露光装置を用いて、レジスト（３）に３ｎＣ／ｃｍ
の線パターンを描画し、メチルイソブチルケトン−エチ
ルシクロヘキサノール（８０：２０）の混合液により現
像した。次に、酸素プラズマエッチング法により、不溶
化したレジスト膜（３ｂ）をエッチングした。この際、
不溶化したレジスト膜（３ｂ）のエッチング膜厚が２０
０Å以下では不溶化したレジスト膜（３ｂ）を完全に除
去することができなかった。そして、さらにふっ化水素
水溶液で窒化珪素膜（２）をエッチングした場合、窒化
珪素膜（２）をエッチングすることができないか、ある
いは窒化珪素膜（２）にエッチングされない部分が生じ
た。また、不溶化したレジスト膜（３ｂ）を２００Åエ
ッチングした後、そのレジストパターンをマスクとして
ＧａＡｓ基板（１）上にアルミニウムを２０００Å蒸着
した。この場合の作製されたアルミニウム金属電極は
０．２μｍの線画となった。
【００１９】
【表１】 表１より明らかなように、窒化珪素膜（２）の表面をア
シル化剤、あるいはアルキル化剤で処理した後、レジス
ト（３）を塗布した場合、露光およびレジスト（３）現
像後に不溶性のレジスト膜（３ａ）の生成を減少させる
ことがわかった。従って、微細な線幅のレジストパター
ンを描画することができた。
シル化剤、あるいはアルキル化剤で処理した後、レジス
ト（３）を塗布した場合、露光およびレジスト（３）現
像後に不溶性のレジスト膜（３ａ）の生成を減少させる
ことがわかった。従って、微細な線幅のレジストパター
ンを描画することができた。
【００２０】尚、本実施例においては、アシル化剤とし
て酢酸及び無水酢酸混合物、臭化アセチルを、アルキル
化剤として臭化アリルを用いた場合について説明してい
るが、本実施例によって特に限定されるものではなく、
その他のアシル化剤あるいはアルキル化剤でも同様の効
果が得られると考えられる。また、カルボキシル基を側
鎖に持つレジストとして、メタクリル酸−メタクリル酸
フェニル共重合体レジストを用いた場合について説明し
ているが、本実施例によって特に限定されるものではな
く、その他のカルボキシル基を側鎖に持つレジストを使
用することも可能である。
て酢酸及び無水酢酸混合物、臭化アセチルを、アルキル
化剤として臭化アリルを用いた場合について説明してい
るが、本実施例によって特に限定されるものではなく、
その他のアシル化剤あるいはアルキル化剤でも同様の効
果が得られると考えられる。また、カルボキシル基を側
鎖に持つレジストとして、メタクリル酸−メタクリル酸
フェニル共重合体レジストを用いた場合について説明し
ているが、本実施例によって特に限定されるものではな
く、その他のカルボキシル基を側鎖に持つレジストを使
用することも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係わるレジスト膜作製形成方法
によれば、半導体基板上に形成された窒化珪素膜をアシ
ル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面処理したの
ち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシル基を有する
レジストを塗布し、１５０℃以上の温度で熱処理するこ
とにより、窒化珪素膜表面のイミノ基、あるいはアミノ
基をアシル化、あるいはアルキル化により疎水化して、
レジストのカルボキシル基に対する反応性を低下させ、
窒化珪素膜とレジストとの結合を減少させることができ
る。つまり、露光及び現像後のレジストの開口部底面で
の不溶化したレジスト膜の生成を減少させることができ
る。従って、レジストパターンの精度を向上させて微細
なレジストパターンを形成することが可能となる。
によれば、半導体基板上に形成された窒化珪素膜をアシ
ル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面処理したの
ち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシル基を有する
レジストを塗布し、１５０℃以上の温度で熱処理するこ
とにより、窒化珪素膜表面のイミノ基、あるいはアミノ
基をアシル化、あるいはアルキル化により疎水化して、
レジストのカルボキシル基に対する反応性を低下させ、
窒化珪素膜とレジストとの結合を減少させることができ
る。つまり、露光及び現像後のレジストの開口部底面で
の不溶化したレジスト膜の生成を減少させることができ
る。従って、レジストパターンの精度を向上させて微細
なレジストパターンを形成することが可能となる。
【図１】本発明に係わるレジスト膜作製方法により形成
されたレジストパターンを説明するための半導体基板の
概略断面図である。
されたレジストパターンを説明するための半導体基板の
概略断面図である。
【図２】従来のレジスト膜作製方法により形成されたレ
ジストパターンを説明するための半導体基板の概略断面
図である。
ジストパターンを説明するための半導体基板の概略断面
図である。
１ 基板 ２ 窒化珪素膜 ３ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された窒化珪素膜を
アシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面処理した
のち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシル基を有す
るレジストを塗布し、１５０℃以上の温度で熱処理する
ことを特徴とするレジスト膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255236A JP2746489B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | レジスト膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255236A JP2746489B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | レジスト膜作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594982A true JPH0594982A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2746489B2 JP2746489B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17275926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255236A Expired - Fee Related JP2746489B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | レジスト膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746489B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08306605A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255236A patent/JP2746489B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08306605A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746489B2 (ja) | 1998-05-06 |
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