JPH0595023A - 半導体集積回路封止装置用リードフレーム - Google Patents

半導体集積回路封止装置用リードフレーム

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Publication number
JPH0595023A
JPH0595023A JP3255451A JP25545191A JPH0595023A JP H0595023 A JPH0595023 A JP H0595023A JP 3255451 A JP3255451 A JP 3255451A JP 25545191 A JP25545191 A JP 25545191A JP H0595023 A JPH0595023 A JP H0595023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
semiconductor
integrated circuit
semiconductor integrated
sealing device
Prior art date
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Pending
Application number
JP3255451A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenzo Nakamura
健三 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP3255451A priority Critical patent/JPH0595023A/ja
Publication of JPH0595023A publication Critical patent/JPH0595023A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】半導体封止装置用リードフレームにおいて、リ
ードフレーム先端部の半導体集積回路との被接続部分
が、穴明き状に形成されている。 【効果】従来の長ワイヤーボンディングによる信頼性の
低下を防止することが出来るだけでなく、テープアッセ
ンブル技術による接続方法においても、接続強度を増加
させることが出来かつ信頼性も向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路封止装置
用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路用封止装置は図４
に示す様な形状が使用されていた。
【０００３】すなわち、リードフレーム１には半導体集
積回路２が取り付けられ、ボンディングワイヤー３によ
り接続され、樹脂封止材や、セラミック材料により封止
されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術においては、
特にボンディングによって半導体集積回路を半導体封止
装置（以下パッケージと呼ぶ）に組み立てる場合、チッ
プサイズがパッケージのキャビティサイズよりも相対的
に小さい場合、ボンディングワイヤー３の長さが長くな
り、特にコーナー部図４のボンディングワイヤー４のワ
イヤー長が長くなるため、この部分でボンディング可能
なチップサイズの範囲が決っていた。
【０００５】このため信頼性の低下を招いていた。
【０００６】またテープアッセンブリボンディング技術
においても、リードフレーム先端部の半導体集積回路と
の被接続面形状が平坦な為、ボンディング強度が弱くな
る、ボンディング精度が悪化した場合組立歩留りが悪く
なる等の問題を持っていた。
【０００７】本発明が解決しようとする課題は信頼性の
向上及び、歩留まりの向上を図ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明はリードフレーム先端部の半導体集積回路
との被接続面が、穴明き状に形成されてなる手段をとる
事を特徴とする。
【０００９】また、リードフレーム先端部の半導体集積
回路との被接続面が、穴明き状に形成され、かつ穴明き
面がスルーホールメッキされて成る手段をとる事を特徴
とする。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【００１１】図１に本発明の半導体封止装置用リードフ
レームの１実施例を示す。
【００１２】１は本発明のリードフレーム、２は半導体
集積回路、３は半導体集積回路上のボンディング用のパ
ッド、４は穴明き状に形成されたリードフレーム先端部
である。
【００１３】図２は本発明の半導体封止装置用リードフ
レームの一部分の詳細図面である。１のリードフレーム
の接続部には円形状あるいは四角状の穴が明いている。
この部分と３のボンディングパッドが、導電接着剤や半
田、金等の材料により接続される。
【００１４】従って従来のボンディング線は不要とな
り、先に述べた長ワイヤーボンディングによる品質不良
等の問題が発生しにくくなる。
【００１５】また、リードフレーム先端に穴があるた
め、接続材料を充分塗布できる。
【００１６】従ってリードフレームを接続材料が包み込
む形状となり、接続強度の向上が可能となる。
【００１７】接続順序は種々の方法が考えられ、 １．接続材料を予め３のボンディングパッドに塗布して
おく。
【００１８】２．接続材料を予め１のリードフレームに
塗布しておく。
【００１９】３．１のリードフレームと３ボンディング
パッドをアライメントした後に接続材料をボンダーと同
様の装置により塗布、接続する。
【００２０】等が考えられる。
【００２１】図３は本発明の半導体封止装置用リードフ
レームの１実施例であるが、リードフレームが樹脂等の
絶縁材料で形成された場合の詳細図面である。
【００２２】１のリードフレームは絶縁材料であるため
導電性のメタライズが、片面、或は両面に施される。
【００２３】このとき、４の接続部円形状の穴の側面は
接続強度を強化するためスルーホールとしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明の半導体封止装置用リードフレー
ムによれば、従来の長ワイヤーボンディングによる信頼
性の低下を防止することが出来るだけでなく、テープア
ッセンブル技術による接続方法においても、接続強度を
増加させることが出来かつ信頼性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体封止装置用リードフレームの１
実施例をしめす図。
【図２】本発明の半導体封止装置用リードフレームの１
実施例をしめす図。
【図３】本発明の半導体封止装置用リードフレームの１
実施例をしめす図。
【図４】従来の半導体封止装置用リードフレームをしめ
す図。
【符号の説明】
１．リードフレーム ２．半導体集積回路 ３．ボンディングパッド ４．接続部円形状穴 ５．接続材料 ６．スルーホール面 ７．メタライズ面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】セラミック、及び樹脂等の封止材料、リー
    ドフレームからなる半導体封止装置において、リードフ
    レーム先端部の半導体集積回路との被接続面が、穴明き
    状に形成されていることを特徴とする半導体集積回路封
    止装置用リードフレーム。
  2. 【請求項２】リードフレーム先端部の半導体集積回路と
    の被接続面が、穴明き状に形成され、かつ穴明き面がス
    ルーホールメッキされて成ることを特徴とする半導体集
    積回路封止装置用リードフレーム。
JP3255451A 1991-10-02 1991-10-02 半導体集積回路封止装置用リードフレーム Pending JPH0595023A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3255451A JPH0595023A (ja) 1991-10-02 1991-10-02 半導体集積回路封止装置用リードフレーム

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3255451A JPH0595023A (ja) 1991-10-02 1991-10-02 半導体集積回路封止装置用リードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0595023A true JPH0595023A (ja) 1993-04-16

Family

ID=17278954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3255451A Pending JPH0595023A (ja) 1991-10-02 1991-10-02 半導体集積回路封止装置用リードフレーム

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JP (1) JPH0595023A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1009026A3 (en) * 1998-12-11 2000-12-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1009026A3 (en) * 1998-12-11 2000-12-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor module

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