JPH0595076A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0595076A JPH0595076A JP3253763A JP25376391A JPH0595076A JP H0595076 A JPH0595076 A JP H0595076A JP 3253763 A JP3253763 A JP 3253763A JP 25376391 A JP25376391 A JP 25376391A JP H0595076 A JPH0595076 A JP H0595076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- burn
- heater
- bonded
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のバーンイン方法では、装置能力として
最高１５０℃位までの温度を制御可能な恒温槽が必要で
あり、バーンイン対象サンプルが少ない場合には恒温槽
容量の大きさからみてエネルギーの損失が多くなるた
め、これを解決する。 【構成】 実機能回路１０１と同時にバーンイン用テス
ト回路１０２をＩＣチップ１０３上に配置させたもの
を、アイランド部分１０６に電熱線ヒーター１０７を内
蔵したリードフレーム上に銀ペーストで接着し、乾燥さ
せる。次にヒーター電源供給用パッド１０４とヒーター
接続孔１０９をＡｕワイヤー１１０でボンディングし、
さらにＩＣチップ上に配置されている実機能回路用のパ
ッド１０５とインナーリード１１１をボンディングす
る。最後に樹脂封止され、プラスチックパッケージ１１
２が製造される。
最高１５０℃位までの温度を制御可能な恒温槽が必要で
あり、バーンイン対象サンプルが少ない場合には恒温槽
容量の大きさからみてエネルギーの損失が多くなるた
め、これを解決する。 【構成】 実機能回路１０１と同時にバーンイン用テス
ト回路１０２をＩＣチップ１０３上に配置させたもの
を、アイランド部分１０６に電熱線ヒーター１０７を内
蔵したリードフレーム上に銀ペーストで接着し、乾燥さ
せる。次にヒーター電源供給用パッド１０４とヒーター
接続孔１０９をＡｕワイヤー１１０でボンディングし、
さらにＩＣチップ上に配置されている実機能回路用のパ
ッド１０５とインナーリード１１１をボンディングす
る。最後に樹脂封止され、プラスチックパッケージ１１
２が製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣの初期故障をスク
リーニングする方法、特にバーンイン方法の改良に関す
るものである。
リーニングする方法、特にバーンイン方法の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】バーンイン方法には高温環境下での動作
試験が要求されているため、従来は装置能力として通常
１５０℃位までの温度を保持することが可能な恒温槽が
必要であり、これを使用していた。
試験が要求されているため、従来は装置能力として通常
１５０℃位までの温度を保持することが可能な恒温槽が
必要であり、これを使用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のバーン
イン方法では、装置能力として最高１５０℃位までの温
度を制御することが可能な恒温槽が必要であった。尚、
バーンイン対象サンプルが少ない場合には恒温槽容量の
大きさからみてエネルギーの損失が多くなってしまう。
イン方法では、装置能力として最高１５０℃位までの温
度を制御することが可能な恒温槽が必要であった。尚、
バーンイン対象サンプルが少ない場合には恒温槽容量の
大きさからみてエネルギーの損失が多くなってしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
（ａ）ＩＣチップ内にバーンイン用のテスト回路を内蔵
し、（ｂ）リードフレームのアイランド部分に発熱体を
内蔵し、（ｃ）そのＩＣチップとリードフレームを使用
して組立することを特徴とする。
（ａ）ＩＣチップ内にバーンイン用のテスト回路を内蔵
し、（ｂ）リードフレームのアイランド部分に発熱体を
内蔵し、（ｃ）そのＩＣチップとリードフレームを使用
して組立することを特徴とする。
【０００５】
【実施例】以下、本発明について実施例に基づいて説明
していく。
していく。
【０００６】図１から図６は、本発明の実施例を製造工
程順に示す図である。但し、発熱体には電熱線ヒーター
を、リードフレームの母材には４２アロイを、ボンディ
ングワイヤーにはＡｕワイヤーを選ぶ。
程順に示す図である。但し、発熱体には電熱線ヒーター
を、リードフレームの母材には４２アロイを、ボンディ
ングワイヤーにはＡｕワイヤーを選ぶ。
【０００７】まず、図１にあるように、実機能回路１０
１と同時にバーンイン用テスト回路１０２をＩＣチップ
１０３上に配置させたものを作成する。この時、電熱線
ヒーター１０７へ電源を供給するためのパッド１０４
（２重枠）もチップ１０３上に配置される。また、パッ
ド１０５（単枠）は実機能回路用のものである。
１と同時にバーンイン用テスト回路１０２をＩＣチップ
１０３上に配置させたものを作成する。この時、電熱線
ヒーター１０７へ電源を供給するためのパッド１０４
（２重枠）もチップ１０３上に配置される。また、パッ
ド１０５（単枠）は実機能回路用のものである。
【０００８】次に、図２にあるように、リードフレーム
のアイランド部分１０６に電熱線ヒーター１０７を内蔵
したものを準備する。ここで、タイバー１０８の一部に
は、ヒーター接続孔１０９が開いている。この接続孔１
０９を通してＩＣチップ１０３上のテスト回路１０２よ
り電源が供給される。
のアイランド部分１０６に電熱線ヒーター１０７を内蔵
したものを準備する。ここで、タイバー１０８の一部に
は、ヒーター接続孔１０９が開いている。この接続孔１
０９を通してＩＣチップ１０３上のテスト回路１０２よ
り電源が供給される。
【０００９】次に、図３にあるように、テスト回路の内
蔵されたＩＣチップ１０３をリードフレームのアイラン
ド部分１０６に銀ペーストで接着し、乾燥させる。
蔵されたＩＣチップ１０３をリードフレームのアイラン
ド部分１０６に銀ペーストで接着し、乾燥させる。
【００１０】次に、図４にあるように、ヒーター電源供
給用パッド１０４とヒーター接続孔１０９をＡｕワイヤ
ー１１０でボンディングして接続させる。この時、電流
量の都合上、２本以上のワイヤーを使用することもあ
る。
給用パッド１０４とヒーター接続孔１０９をＡｕワイヤ
ー１１０でボンディングして接続させる。この時、電流
量の都合上、２本以上のワイヤーを使用することもあ
る。
【００１１】次に、図５にあるように、ＩＣチップ上に
配置されている実機能回路用のパッド１０５は、従来構
造のものと同様にインナーリード１１１とをＡｕワイヤ
ー１１０でボンディングし、接続される。
配置されている実機能回路用のパッド１０５は、従来構
造のものと同様にインナーリード１１１とをＡｕワイヤ
ー１１０でボンディングし、接続される。
【００１２】次に、図６にあるように、上述のような電
熱線ヒーター１０７を内蔵したリードフレームにボンデ
ィングされたＩＣチップ１０３は樹脂封止され、プラス
チックパッケージ１１２が製造される。
熱線ヒーター１０７を内蔵したリードフレームにボンデ
ィングされたＩＣチップ１０３は樹脂封止され、プラス
チックパッケージ１１２が製造される。
【００１３】以上の工程で製造されるものが本発明の半
導体装置である。バーンイン必要時にはＩＣチップ内の
テスト回路を動作させ、ボンディングワイヤーを通して
発熱体に対し、必要な温度を生じさせるための電流を供
給する。これにより、従来恒温槽からパッケージに与え
られていたものに等しいだけの温度をパッケージ内部か
ら作り出すことが出来る。
導体装置である。バーンイン必要時にはＩＣチップ内の
テスト回路を動作させ、ボンディングワイヤーを通して
発熱体に対し、必要な温度を生じさせるための電流を供
給する。これにより、従来恒温槽からパッケージに与え
られていたものに等しいだけの温度をパッケージ内部か
ら作り出すことが出来る。
【００１４】このことから、サンプルを多量にバーンイ
ンすることは勿論、少量のサンプルの場合でも効率よく
バーンインすることが可能となる。
ンすることは勿論、少量のサンプルの場合でも効率よく
バーンインすることが可能となる。
【００１５】
【発明の効果】上述のような本発明によれば、ＩＣチッ
プ内にバーンイン用のテスト回路を内蔵し、さらにリー
ドフレームのアイランド部分に発熱体を内蔵すること
で、恒温槽を必要せずにＩＣの初期故障をスクリーニン
グすることが出来る。
プ内にバーンイン用のテスト回路を内蔵し、さらにリー
ドフレームのアイランド部分に発熱体を内蔵すること
で、恒温槽を必要せずにＩＣの初期故障をスクリーニン
グすることが出来る。
【図１】本発明の半導体装置のＩＣチップ回路図。
【図２】本発明の半導体装置のリードフレーム平面図。
【図３】
【図４】本発明の半導体装置の断面図。
【図５】本発明の半導体装置の平面図。
【図６】本発明の半導体装置の外観図。
１０１・・・実機能回路 １０２・・・バーンイン用テスト回路 １０３・・・ＩＣチップ １０４・・・ヒーター電源供給用パッド １０５・・・実機能回路用パッド １０６・・・アイランド １０７・・・電熱線ヒーター １０８・・・タイバー １０９・・・ヒーター接続孔 １１０・・・Ａｕワイヤー １１１・・・インナーリード １１２・・・プラスチックパッケージ
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）ＩＣチップ内にバーンイン用のテ
スト回路を内蔵し、 （ｂ）リードフレームのアイランド部分に発熱体を内蔵
し、 （ｃ）そのＩＣチップとリードフレームを使用して組立
することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253763A JPH0595076A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253763A JPH0595076A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595076A true JPH0595076A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17255805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253763A Pending JPH0595076A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007033003A1 (de) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit wenigstens einem Halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen Schaltung |
| JP2010021530A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Honeywell Internatl Inc | パッケージ化されたダイヒータ |
| DE102019008184A1 (de) * | 2019-11-26 | 2021-05-27 | Tdk-Micronas Gmbh | Verfahren zum Erwärmen eines vergossenen Halbleiterbauelements mit integrierter Schaltung |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253763A patent/JPH0595076A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007033003A1 (de) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit wenigstens einem Halbleitersubstrat mit einer integrierten elektrischen Schaltung |
| JP2010021530A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Honeywell Internatl Inc | パッケージ化されたダイヒータ |
| DE102019008184A1 (de) * | 2019-11-26 | 2021-05-27 | Tdk-Micronas Gmbh | Verfahren zum Erwärmen eines vergossenen Halbleiterbauelements mit integrierter Schaltung |
| DE102019008184B4 (de) | 2019-11-26 | 2021-07-29 | Tdk-Micronas Gmbh | Verfahren zum Erwärmen eines vergossenen Halbleiterbauelements mit integrierter Schaltung |
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