JPH059517B2 - - Google Patents
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- JPH059517B2 JPH059517B2 JP60014156A JP1415685A JPH059517B2 JP H059517 B2 JPH059517 B2 JP H059517B2 JP 60014156 A JP60014156 A JP 60014156A JP 1415685 A JP1415685 A JP 1415685A JP H059517 B2 JPH059517 B2 JP H059517B2
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- electrode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、排気可能室と、第１および第２電極
と、気体物質を前記の排気可能室内に導入する装
置と、無線周波電圧を前記の第１および第２電極
の双方またはいずれか一方に印加してプラズマを
生ぜしめる装置とを具え、プラズマ気相成長
CVD或いは陰極スパツタリングにより基板に被
着を行なう装置（基板コーテイング装置）に関す
るものである。
と、気体物質を前記の排気可能室内に導入する装
置と、無線周波電圧を前記の第１および第２電極
の双方またはいずれか一方に印加してプラズマを
生ぜしめる装置とを具え、プラズマ気相成長
CVD或いは陰極スパツタリングにより基板に被
着を行なう装置（基板コーテイング装置）に関す
るものである。
このような装置は例えば、グロー放電重合によ
り基板に重合材料の層を被着するのに用いること
ができ、或いは陰極スパツタリング処理用の装置
として用いることもできる。
り基板に重合材料の層を被着するのに用いること
ができ、或いは陰極スパツタリング処理用の装置
として用いることもできる。
グロー放電重合は、有機或いは無機のポリマの
層を堆積する既知の技術である。これには基本的
な２種類の方法がある。
層を堆積する既知の技術である。これには基本的
な２種類の方法がある。
第１の方法では、材料の表面を重合させ、これ
を空気或いは不活性ガス中に生ぜしめたグロー放
電に当てることにより硬化させる。表面分子はグ
ロー放電により活性化され、化合物を形成した
り、隣接分子間で架橋結合された化合物を形成す
る。活性化は表面付近の領域にのみ制限される
為、大部分の材料が変化しないままに維持され
る。第２の方法では、基板に隣接する単量体のガ
ス中でグロー放電を生ぜしめることにより、重合
された材料の層を基板上に堆積させる。グロー放
電中で生ぜしめられた反応性に豊んだ材料が基板
上に堆積され、重合された層を形成する。重合は
堆積された材料全体に亘り行なわれる。本発明の
装置はこの第２の方法による重合方法を実施する
ものである。
を空気或いは不活性ガス中に生ぜしめたグロー放
電に当てることにより硬化させる。表面分子はグ
ロー放電により活性化され、化合物を形成した
り、隣接分子間で架橋結合された化合物を形成す
る。活性化は表面付近の領域にのみ制限される
為、大部分の材料が変化しないままに維持され
る。第２の方法では、基板に隣接する単量体のガ
ス中でグロー放電を生ぜしめることにより、重合
された材料の層を基板上に堆積させる。グロー放
電中で生ぜしめられた反応性に豊んだ材料が基板
上に堆積され、重合された層を形成する。重合は
堆積された材料全体に亘り行なわれる。本発明の
装置はこの第２の方法による重合方法を実施する
ものである。
第２の方法の代表的な重合方法では、大気圧よ
りも低い圧力で単量体のガスを有する空間中に設
けた２つの電極にある電位を印加することにより
グロー放電を生ぜしめる。グロー放電電圧は、こ
れらの電極間の電圧がガスのイオン化すなわち破
壊放電を生ぜしめるのに充分なしきい値を越えな
いようにする場合に生じ、極めてわずかの電流の
みがガス中を流れる。
りも低い圧力で単量体のガスを有する空間中に設
けた２つの電極にある電位を印加することにより
グロー放電を生ぜしめる。グロー放電電圧は、こ
れらの電極間の電圧がガスのイオン化すなわち破
壊放電を生ぜしめるのに充分なしきい値を越えな
いようにする場合に生じ、極めてわずかの電流の
みがガス中を流れる。
この放電電圧はガスの組成、装置中の圧力およ
び電極間の間隔に依存することが知られている。
放電が生じた後にはガスは導電性となり、広い範
囲の電流に亘つて安定なプラズマを維持しうる。
一旦プラズマが生じると、このプラズマを降服電
圧よりも小さい電圧によつて維持しうる。放電プ
ラズマの正確な組成は知られていなう。放電プラ
ズマは電子、イオン、遊離基およびその他の反応
性材料から成つているものとする。
び電極間の間隔に依存することが知られている。
放電が生じた後にはガスは導電性となり、広い範
囲の電流に亘つて安定なプラズマを維持しうる。
一旦プラズマが生じると、このプラズマを降服電
圧よりも小さい電圧によつて維持しうる。放電プ
ラズマの正確な組成は知られていなう。放電プラ
ズマは電子、イオン、遊離基およびその他の反応
性材料から成つているものとする。
陰極スパツタリングも基板上に材料の層を形成
する既知の方法である。
する既知の方法である。
陰極スパツタリングでは、イオン衝撃によりタ
ーゲツト板から材料を除去し、この材料を基板上
に堆積させる。スパツタリングすべき材料が導電
性である場合直流電圧を用いる。スパツタリング
すべき材料が非導電性、すなわち絶縁体である場
合、高周波電圧を用い、絶縁体上に表面電荷が形
成されこれにより加速電圧が損失されるのを防止
するのが好ましい。陰極スパツタリングによりポ
リマの層を堆積する既知の方法では、まず最初ポ
リマ自体をプレートすなわちシートのターゲツト
或いは粉末ターゲツトの形態で準備する。このタ
ーゲツトを導電性の表面と接触させて設けること
によりターゲツト電極を形成する。このターゲツ
ト電極すなわちターゲツトと第２の電極とを、イ
オン化しうる不活性化ガス、例えばアルゴンを適
当な圧力で充填せしめることのできる真空空所内
に設ける。ターゲツトと第２の電極との間に適当
な電圧を印加してグロー放電を生ぜしめることに
より重合層を基板上に形成しうる。
ーゲツト板から材料を除去し、この材料を基板上
に堆積させる。スパツタリングすべき材料が導電
性である場合直流電圧を用いる。スパツタリング
すべき材料が非導電性、すなわち絶縁体である場
合、高周波電圧を用い、絶縁体上に表面電荷が形
成されこれにより加速電圧が損失されるのを防止
するのが好ましい。陰極スパツタリングによりポ
リマの層を堆積する既知の方法では、まず最初ポ
リマ自体をプレートすなわちシートのターゲツト
或いは粉末ターゲツトの形態で準備する。このタ
ーゲツトを導電性の表面と接触させて設けること
によりターゲツト電極を形成する。このターゲツ
ト電極すなわちターゲツトと第２の電極とを、イ
オン化しうる不活性化ガス、例えばアルゴンを適
当な圧力で充填せしめることのできる真空空所内
に設ける。ターゲツトと第２の電極との間に適当
な電圧を印加してグロー放電を生ぜしめることに
より重合層を基板上に形成しうる。
本発明の目的は、プラズマ気相成長（CVD）
処理により、また陰極スパツタリング処理、例え
ば極めて変化に豊んだ処理を行なうことができ、
種々の所望の処理に容易に変更でき、装置の取出
しを容易に行なうことができ、装置を容易に洗浄
とすることができ、形成すべき層の厚さを特に良
好に均一にできる無線周波陰極スパツタリング処
理により層を堆積するのに用いうる前述した種類
の基板に被着を行なう装置を提供せんとするにあ
る。
処理により、また陰極スパツタリング処理、例え
ば極めて変化に豊んだ処理を行なうことができ、
種々の所望の処理に容易に変更でき、装置の取出
しを容易に行なうことができ、装置を容易に洗浄
とすることができ、形成すべき層の厚さを特に良
好に均一にできる無線周波陰極スパツタリング処
理により層を堆積するのに用いうる前述した種類
の基板に被着を行なう装置を提供せんとするにあ
る。
本発明は、排気可能室と、第１および第２電極
と、気体物質を前記の排気可能室内に導入する装
置と、電圧を前記の第１および第２電極の双方ま
たはいずれか一方に印加してプラズマを生ぜしめ
る装置とを具え、プラズマ気相成長或いは陰極ス
パツタリングにより基板に被着を行なう装置にお
いて、中央孔を有し、軸線方向に固定とした前記
の第１電極である環状電極と、前記の第２電極で
あるプレート電極とが排気可能室の中央に配置さ
れ、前記の環状電極は２分された絶縁体ブロツク
上に配置され、この絶縁体ブロツクは、前記環状
電極の中央孔に対応する中央孔を有しこの環状電
極に隣接して設けられた上側第１部分）と、この
第１部分にじかに隣接し且つ排気可能室の底板上
で、この排気可能室を排気するのに必要な真空ポ
ンプの連結スタツドを越えて支持されている第２
部分とを具えており、この第２部分は連結スタツ
ドを妨害しないようにしてあることを特徴とす
る。
と、気体物質を前記の排気可能室内に導入する装
置と、電圧を前記の第１および第２電極の双方ま
たはいずれか一方に印加してプラズマを生ぜしめ
る装置とを具え、プラズマ気相成長或いは陰極ス
パツタリングにより基板に被着を行なう装置にお
いて、中央孔を有し、軸線方向に固定とした前記
の第１電極である環状電極と、前記の第２電極で
あるプレート電極とが排気可能室の中央に配置さ
れ、前記の環状電極は２分された絶縁体ブロツク
上に配置され、この絶縁体ブロツクは、前記環状
電極の中央孔に対応する中央孔を有しこの環状電
極に隣接して設けられた上側第１部分）と、この
第１部分にじかに隣接し且つ排気可能室の底板上
で、この排気可能室を排気するのに必要な真空ポ
ンプの連結スタツドを越えて支持されている第２
部分とを具えており、この第２部分は連結スタツ
ドを妨害しないようにしてあることを特徴とす
る。
本発明の実施例によれば、前記の絶縁体ブロツ
クの第１部分が少くとも１つの他の孔を有し、こ
の他の孔がこの第１部分の前記の中央孔内に開口
し且つこの中央孔に対しほぼ直角に延在している
ようにするのが有利である。この場合、本発明の
装置を、気体物質を導入する種々の装置に適応し
うるように極めて迅速に改造することができると
いう利点が得られる。
クの第１部分が少くとも１つの他の孔を有し、こ
の他の孔がこの第１部分の前記の中央孔内に開口
し且つこの中央孔に対しほぼ直角に延在している
ようにするのが有利である。この場合、本発明の
装置を、気体物質を導入する種々の装置に適応し
うるように極めて迅速に改造することができると
いう利点が得られる。
気体物質を導入する前記の装置を２つの異なる
原理に応じて作動しうるようにすることにより、
処理を特に良好に変えることができる。本発明の
他の実施例では、気体物質を排気可能室内に導入
する前記の装置を多室環状分配器とし、反応ガス
を外部から導入でき且つ排気可能室の反応空間に
自由に到達せしめうるようにするのが有利であ
る。気体物質を排気可能室内に導入する前記の装
置は、排気可能室内に気密に挿入され、絶縁体ブ
ロツクの中央孔内に開口し且つこの中央孔に対し
直角に延在する絶縁体ブロツクの他の孔に通じて
いるガスパイプを以つて構成することもできる。
原理に応じて作動しうるようにすることにより、
処理を特に良好に変えることができる。本発明の
他の実施例では、気体物質を排気可能室内に導入
する前記の装置を多室環状分配器とし、反応ガス
を外部から導入でき且つ排気可能室の反応空間に
自由に到達せしめうるようにするのが有利であ
る。気体物質を排気可能室内に導入する前記の装
置は、排気可能室内に気密に挿入され、絶縁体ブ
ロツクの中央孔内に開口し且つこの中央孔に対し
直角に延在する絶縁体ブロツクの他の孔に通じて
いるガスパイプを以つて構成することもできる。
ガス物質を多室環状分配器を経て導入すること
により、ガス流の均一性が極めて良好となり、こ
れにより製造する層の厚さの均一性を非常に良好
なものとするという利点が得られる。このガス流
により、また環状電極と多室環状分配器における
ガス出口孔との間の距離ができるだけ小さくなる
ように多室環状分配器の高さを調整しうる可能性
により、反応器の汚染が極めてわずかとなるとい
う利点が得られる。この種類のガス流は特に、ガ
スの圧力を高くして、従つて流速を速くして処理
を行なう必要がある場合、従つて常に堆積速度の
増大の結果として前記の物質の減損が生じ、層の
厚さの勾配の調整を無くす必要がある場合に適し
ている。
により、ガス流の均一性が極めて良好となり、こ
れにより製造する層の厚さの均一性を非常に良好
なものとするという利点が得られる。このガス流
により、また環状電極と多室環状分配器における
ガス出口孔との間の距離ができるだけ小さくなる
ように多室環状分配器の高さを調整しうる可能性
により、反応器の汚染が極めてわずかとなるとい
う利点が得られる。この種類のガス流は特に、ガ
スの圧力を高くして、従つて流速を速くして処理
を行なう必要がある場合、従つて常に堆積速度の
増大の結果として前記の物質の減損が生じ、層の
厚さの勾配の調整を無くす必要がある場合に適し
ている。
ガス流を気体物質の入口を経て、２分されてい
る絶縁体の中央孔内に直接導入すると、活性化さ
れた物質の減損が放射方向で外方に向けて生じな
い場合に極めて均一の層が得られるという利点が
生じる。
る絶縁体の中央孔内に直接導入すると、活性化さ
れた物質の減損が放射方向で外方に向けて生じな
い場合に極めて均一の層が得られるという利点が
生じる。
本発明の更に他の変形例によれば、一方の或い
は双方の電極の上に、すなわち環状電極およびこ
れに対向して位置しているプレート電極の双方ま
たはいずれか一方の上にターンテーブルを設け、
この或いはこれらのターンテーブルを、前記の電
極に剛固に連結され且つ電気絶縁性の中間部材お
よび外部から排気可能室内に気密に挿入された少
くとも１つの回転貫通部材を介して駆動しうる歯
車により回転せしめうるようにするのが有利であ
る。
は双方の電極の上に、すなわち環状電極およびこ
れに対向して位置しているプレート電極の双方ま
たはいずれか一方の上にターンテーブルを設け、
この或いはこれらのターンテーブルを、前記の電
極に剛固に連結され且つ電気絶縁性の中間部材お
よび外部から排気可能室内に気密に挿入された少
くとも１つの回転貫通部材を介して駆動しうる歯
車により回転せしめうるようにするのが有利であ
る。
本発明の更に他の変形例によれば、環状電極お
よびプレート電極の双方に温度調節用ラブリンス
手段を設け、この温度調節用ラブリンス手段を着
脱自在の接続フランジを経て温度調節用媒体回路
に接続するのが有利である。この場合、堆積速度
を温度によつて調節しうるという利点が得られ
る。
よびプレート電極の双方に温度調節用ラブリンス
手段を設け、この温度調節用ラブリンス手段を着
脱自在の接続フランジを経て温度調節用媒体回路
に接続するのが有利である。この場合、堆積速度
を温度によつて調節しうるという利点が得られ
る。
本発明の更に他の変形例によれば、環状電極お
よびプレート電極の双方の上に追加の加熱手段と
して抵抗加熱板を設けうるようにし、この場合加
熱用の電流の供給を摺動リング接点により行なう
ようにするのが有利である。この場合、基板温度
を所定の最小にする必要がある処理も行なうこと
ができるという利点が得られる。
よびプレート電極の双方の上に追加の加熱手段と
して抵抗加熱板を設けうるようにし、この場合加
熱用の電流の供給を摺動リング接点により行なう
ようにするのが有利である。この場合、基板温度
を所定の最小にする必要がある処理も行なうこと
ができるという利点が得られる。
本発明による装置を高周波陰極スパツタリング
処理用に用いる必要がある場合、本発明の他の実
施例によれば、電極（環状電極およびプレート電
極）に、大地電位に接続されている遮蔽体を設け
うるようにするのが有利である。本発明の装置に
よりプラズマ気相成長（CVD）処理を行なう方
法は基板上にプラズマ重合層を製造する一例につ
き説明する。この方法は、被覆を行なうべき少な
くとも１つの基板を排気可能室内で電極の一方
（プレート電極或いは環状電極）の上に配置し、
気相分子の高周波励起によりプラズマ重合材料の
層を基板上に堆積せしめうる少なくとも１種類の
単量体のプロセスガスより成り、場合に応じ少な
くとも１種類の不活性キヤリアガスを含む出発ガ
スを、気体物質を導入する前記の装置を経て排気
可能室内に導入するようにして行なう。本発明の
方法の変形例によれば、単量体のプロセスガスと
して少なくとも１種類のガスを導入し、このガス
から、重合されたSi：Ｎ：Ｃ：Ｈ含有化合物を形
成しうるようにしてプラズマ重合材料の層を形成
するのが有利である。単量体プロセスガスとして
はヘキサメチルジシラザンを供給するのが好まし
い。
処理用に用いる必要がある場合、本発明の他の実
施例によれば、電極（環状電極およびプレート電
極）に、大地電位に接続されている遮蔽体を設け
うるようにするのが有利である。本発明の装置に
よりプラズマ気相成長（CVD）処理を行なう方
法は基板上にプラズマ重合層を製造する一例につ
き説明する。この方法は、被覆を行なうべき少な
くとも１つの基板を排気可能室内で電極の一方
（プレート電極或いは環状電極）の上に配置し、
気相分子の高周波励起によりプラズマ重合材料の
層を基板上に堆積せしめうる少なくとも１種類の
単量体のプロセスガスより成り、場合に応じ少な
くとも１種類の不活性キヤリアガスを含む出発ガ
スを、気体物質を導入する前記の装置を経て排気
可能室内に導入するようにして行なう。本発明の
方法の変形例によれば、単量体のプロセスガスと
して少なくとも１種類のガスを導入し、このガス
から、重合されたSi：Ｎ：Ｃ：Ｈ含有化合物を形
成しうるようにしてプラズマ重合材料の層を形成
するのが有利である。単量体プロセスガスとして
はヘキサメチルジシラザンを供給するのが好まし
い。
図面につき本発明を説明する。
第１図は、プレート電極３と、２分された絶縁
体ブロツク上に当接する環状電極５とを具える排
気可能室１を有する本発明による基板に被着を行
なう装置の一例を示す。環状電極５は中央孔１１
を有する。この環状電極の下に設けた絶縁体ブロ
ツクはこの環状電極に隣接する上側の第１部分７
を有し、この第１部分７は円錐状に広がらせるの
が好ましい中央孔１３を有し、環状電極５に隣接
する側のこの中央孔１３の直径はこの環状電極５
における中央孔１１の直径に一致させる。絶縁体
ブロツクの第１部分７は、中央孔１３に対しほぼ
直角に延在しこの中央孔１３内に開口する他の孔
１５を有し、この孔１５はストツパ１７により封
止することができる。絶縁体ブロツクの第１部分
７はこの絶縁体ブロツクの第２部分９上に存在さ
せ、この第２部分も同様に円錐状に広げるのが好
ましい中央孔１９を有し、この中央孔１９の直径
は絶縁体ブロツクの第１部分７の側で、この第１
部分７の第２部分９に対向する側の直径に一致さ
せる。ポンプノズル２１に連結された真空ポンプ
（図示せず）により、中央孔１１，１３および１
９より成るダクトを経て反応空間から気体を抜き
取ることができる。プロセスガスは多室環状分配
器２３を経て排気可能室１内に送給する。プロセ
スガスはこの多室環状分配器２３から矢印の方向
で自由に反応空間内に放出される。この多室環状
分配器２３はプロセスガスを入れる為の少なくと
も１つの連結ノズル２５を有し（図面には４つの
連結ノズルを示す）、これらの連結ノズルからそ
の上に存在し孔を経て互いに連通している室内に
プロセスガスが入り、このプロセスガスはこれら
の室から複数の小さな孔２９を経て反応空間内に
入る。このプロセスガスは矢印３１の方向で孔１
１，１３および１９を経て反応空間から取り出す
ことができる。
体ブロツク上に当接する環状電極５とを具える排
気可能室１を有する本発明による基板に被着を行
なう装置の一例を示す。環状電極５は中央孔１１
を有する。この環状電極の下に設けた絶縁体ブロ
ツクはこの環状電極に隣接する上側の第１部分７
を有し、この第１部分７は円錐状に広がらせるの
が好ましい中央孔１３を有し、環状電極５に隣接
する側のこの中央孔１３の直径はこの環状電極５
における中央孔１１の直径に一致させる。絶縁体
ブロツクの第１部分７は、中央孔１３に対しほぼ
直角に延在しこの中央孔１３内に開口する他の孔
１５を有し、この孔１５はストツパ１７により封
止することができる。絶縁体ブロツクの第１部分
７はこの絶縁体ブロツクの第２部分９上に存在さ
せ、この第２部分も同様に円錐状に広げるのが好
ましい中央孔１９を有し、この中央孔１９の直径
は絶縁体ブロツクの第１部分７の側で、この第１
部分７の第２部分９に対向する側の直径に一致さ
せる。ポンプノズル２１に連結された真空ポンプ
（図示せず）により、中央孔１１，１３および１
９より成るダクトを経て反応空間から気体を抜き
取ることができる。プロセスガスは多室環状分配
器２３を経て排気可能室１内に送給する。プロセ
スガスはこの多室環状分配器２３から矢印の方向
で自由に反応空間内に放出される。この多室環状
分配器２３はプロセスガスを入れる為の少なくと
も１つの連結ノズル２５を有し（図面には４つの
連結ノズルを示す）、これらの連結ノズルからそ
の上に存在し孔を経て互いに連通している室内に
プロセスガスが入り、このプロセスガスはこれら
の室から複数の小さな孔２９を経て反応空間内に
入る。このプロセスガスは矢印３１の方向で孔１
１，１３および１９を経て反応空間から取り出す
ことができる。
従つて、均一に分配されたガスが環状電極５の
電極面を経て中央で取出される。環状電極５上に
はターンテーブル３３を設け、このターンテーブ
ルを環状電極に剛固に連結された歯車３５により
回転せしめることができ、この歯車３５にはピニ
オン（図示せず）が掛合し、このピニオンは電気
絶縁性のラツク補償中間部材および回転貫通軸３
９を介して駆動せしめることができ、この回転貫
通軸３９は外部から排気可能室１の底板３７を気
密に貫通しており、この回転貫通軸３９は外部か
ら作動せしめうる。
電極面を経て中央で取出される。環状電極５上に
はターンテーブル３３を設け、このターンテーブ
ルを環状電極に剛固に連結された歯車３５により
回転せしめることができ、この歯車３５にはピニ
オン（図示せず）が掛合し、このピニオンは電気
絶縁性のラツク補償中間部材および回転貫通軸３
９を介して駆動せしめることができ、この回転貫
通軸３９は外部から排気可能室１の底板３７を気
密に貫通しており、この回転貫通軸３９は外部か
ら作動せしめうる。
環状電極上に存在するターンテーブルの構成：
160×20の直径の延長部（図示せず）および150mm
の直径の中央孔を有し、ｚ＝360およびｍ＝１（ｚ
は歯数、ｍはモジユールを示す）とした歯車３５
を簡単な装着手段で環状電極５に設ける。歯車３
５の駆動は環状電極５の横方向に装着したｚ＝20
のピニオンを介して行なわれ、このピニオンは外
部から絶縁性のラツク補償中間部材および回転貫
通軸３９を介して駆動される。最大回転速度は約
2rpmとする。環状電極５は横方向に摺動させて
急速に着脱しうる接続フランジ４３を介して温度
調整用媒体回路に連結しうる温度調節用ラブリン
ス４１を有する。この接続フランジ４３は同時に
無線周波発生装置への接続体としても作用し、こ
の接続フランジを底板３７を経て排気可能室１か
ら気密に且つ電気絶縁的に導出する。
160×20の直径の延長部（図示せず）および150mm
の直径の中央孔を有し、ｚ＝360およびｍ＝１（ｚ
は歯数、ｍはモジユールを示す）とした歯車３５
を簡単な装着手段で環状電極５に設ける。歯車３
５の駆動は環状電極５の横方向に装着したｚ＝20
のピニオンを介して行なわれ、このピニオンは外
部から絶縁性のラツク補償中間部材および回転貫
通軸３９を介して駆動される。最大回転速度は約
2rpmとする。環状電極５は横方向に摺動させて
急速に着脱しうる接続フランジ４３を介して温度
調整用媒体回路に連結しうる温度調節用ラブリン
ス４１を有する。この接続フランジ４３は同時に
無線周波発生装置への接続体としても作用し、こ
の接続フランジを底板３７を経て排気可能室１か
ら気密に且つ電気絶縁的に導出する。
接続フランジ４３が、温度調節される環状電極
５に良好に熱結合するようにする為に、青銅と硬
質クロムとを摺動面の組合せ材料として用いる。
熱接触および摺動の特性を改善する為にシリコン
油を用いる。プレート電極３上にもターンテーブ
ル（図示せず）を設けることができる。構造的に
は、上側のプレート電極３のターンテーブルを下
側の環状電極５のターンテーブルと同じに構成す
る。
５に良好に熱結合するようにする為に、青銅と硬
質クロムとを摺動面の組合せ材料として用いる。
熱接触および摺動の特性を改善する為にシリコン
油を用いる。プレート電極３上にもターンテーブ
ル（図示せず）を設けることができる。構造的に
は、上側のプレート電極３のターンテーブルを下
側の環状電極５のターンテーブルと同じに構成す
る。
プレート電極３は懸垂配置されている為、支持
部は型結合されるように構成する必要がある。こ
の目的の為には、円錐状のレースを、懸垂されて
いるプレート電極３の周縁上に処理空間側とは反
対側で装着することができる。前記のレースを径
方向に且つ軸線方向に支持しうるローラ・ラツク
をターンテーブル上に装着し、これらのローラ・
ラツクにより前記のレースをその平面でプレート
電極３（このプレート電極も温度調節用ラブリン
スを介して温度調節しうる）に押圧し、良好な熱
伝導性が得られるとともに回転が妨害されないよ
うにする。支持面の材料の組合せはこの場合も青
銅および硬質クロムとし、また摺動特性および熱
伝導性を改善する為にシリコン油を用いることも
できる。またプレート電極３を軸線方向に移動せ
しめうるようにする為に、このプレート電極３を
排気可能室１内に気密に導入されている摺動貫通
部材５５に絶縁体を介して連結する。
部は型結合されるように構成する必要がある。こ
の目的の為には、円錐状のレースを、懸垂されて
いるプレート電極３の周縁上に処理空間側とは反
対側で装着することができる。前記のレースを径
方向に且つ軸線方向に支持しうるローラ・ラツク
をターンテーブル上に装着し、これらのローラ・
ラツクにより前記のレースをその平面でプレート
電極３（このプレート電極も温度調節用ラブリン
スを介して温度調節しうる）に押圧し、良好な熱
伝導性が得られるとともに回転が妨害されないよ
うにする。支持面の材料の組合せはこの場合も青
銅および硬質クロムとし、また摺動特性および熱
伝導性を改善する為にシリコン油を用いることも
できる。またプレート電極３を軸線方向に移動せ
しめうるようにする為に、このプレート電極３を
排気可能室１内に気密に導入されている摺動貫通
部材５５に絶縁体を介して連結する。
第２図は本発明による装置の変形例を示し、本
例の場合、排気可能室１の底板３７を経て気密に
導入され、ストツパ１７（第１図）が除去された
絶縁体ブロツクの部分７の中央孔１３内に開口す
る他の孔１５内を通つているガス入口４５を経て
排気可能室１にプロセスガスが供給される。第２
図の装置を構成する場合、絶縁体ブロツクの第２
部分９９を孔のないプレートとし、反応空間に隣
接する環状電極５内の中央孔１１の領域を例えば
銅板より成る有孔被覆板４７を被覆する。本例の
場合、絶縁体ブロツクの部分７における中央孔１
３と有孔被覆板４７とを経て反応空間に達した反
応ガスは真空ポンプにより孔１１，１３および１
９より成る中央部分を経て除去せずに、絶縁体ブ
ロツクの第２部分９９の外側における真空ポンプ
により、この絶縁体ブロツクの第２部分に横方向
にあけた溝４９（これにより孔の横方向の大きさ
が真空ポンプのノズル２１の横方向の大きさより
も大きくなる）を経て除去する。
例の場合、排気可能室１の底板３７を経て気密に
導入され、ストツパ１７（第１図）が除去された
絶縁体ブロツクの部分７の中央孔１３内に開口す
る他の孔１５内を通つているガス入口４５を経て
排気可能室１にプロセスガスが供給される。第２
図の装置を構成する場合、絶縁体ブロツクの第２
部分９９を孔のないプレートとし、反応空間に隣
接する環状電極５内の中央孔１１の領域を例えば
銅板より成る有孔被覆板４７を被覆する。本例の
場合、絶縁体ブロツクの部分７における中央孔１
３と有孔被覆板４７とを経て反応空間に達した反
応ガスは真空ポンプにより孔１１，１３および１
９より成る中央部分を経て除去せずに、絶縁体ブ
ロツクの第２部分９９の外側における真空ポンプ
により、この絶縁体ブロツクの第２部分に横方向
にあけた溝４９（これにより孔の横方向の大きさ
が真空ポンプのノズル２１の横方向の大きさより
も大きくなる）を経て除去する。
絶縁体ブロツクを部分７，９或いは９９に分割
することにより装置の作動を２種類にしうる。す
なわち、第１図によれば、絶縁体ブロツク中の中
央孔は、環状分配器を経て導入されたガスを真空
ポンプにより反応室からこの中央孔を経て取出す
のに何の妨害も及ぼさない。
することにより装置の作動を２種類にしうる。す
なわち、第１図によれば、絶縁体ブロツク中の中
央孔は、環状分配器を経て導入されたガスを真空
ポンプにより反応室からこの中央孔を経て取出す
のに何の妨害も及ぼさない。
一方第２図によれば中央からのガスの吸い出し
が行われない。プロセスガスは絶縁体ブロツクの
上側部分中に得られる孔を経て流れ、有孔被覆板
を通つて中央で反応空間に達する。これらのプロ
セスガスは真空ポンプにより電極を経て且つ中央
孔のないプレートの形態に交換された下側の絶縁
体ブロツクの部分に横方向にあけた溝を経て内部
から外部に取出される。
が行われない。プロセスガスは絶縁体ブロツクの
上側部分中に得られる孔を経て流れ、有孔被覆板
を通つて中央で反応空間に達する。これらのプロ
セスガスは真空ポンプにより電極を経て且つ中央
孔のないプレートの形態に交換された下側の絶縁
体ブロツクの部分に横方向にあけた溝を経て内部
から外部に取出される。
基板の双方は電極上に配置することができる。
これら双方の電極は無線周波電位或いは大電位で
電気的にスイツチングさせることができる。基板
の配置は環状電極ではその上に単にこれら基板を
設けるだけで達成されるが、上側のプレート電極
上に基板を配置するには基板保持板が必要であ
る。これらの双方の電極にはターンテーブルを設
け、これらターンテーブルにより層の厚さの均一
性を良好にすることができる。
これら双方の電極は無線周波電位或いは大電位で
電気的にスイツチングさせることができる。基板
の配置は環状電極ではその上に単にこれら基板を
設けるだけで達成されるが、上側のプレート電極
上に基板を配置するには基板保持板が必要であ
る。これらの双方の電極にはターンテーブルを設
け、これらターンテーブルにより層の厚さの均一
性を良好にすることができる。
500℃までの温度を必要とする堆積条件の下で
は、他の追加の素子として下側の環状電極５と上
側のプレート電極３との双方の上に抵抗加熱板５
３の形態の加熱板を設けることができる。加熱用
の電流の供給は遮蔽された摺動リング接点を経て
行なう。
は、他の追加の素子として下側の環状電極５と上
側のプレート電極３との双方の上に抵抗加熱板５
３の形態の加熱板を設けることができる。加熱用
の電流の供給は遮蔽された摺動リング接点を経て
行なう。
ターンテーブル３３と抵抗加熱板５３との間に
は熱分離の為の放射板５７を設けるのが有利であ
る。この場合、抵抗加熱板５３上に基板を配置す
る。
は熱分離の為の放射板５７を設けるのが有利であ
る。この場合、抵抗加熱板５３上に基板を配置す
る。
第１図に示すように本発明による装置を用い、
ヘキサメチルジシラザン（HMDSN）より成る
ポリマ層を基板上に堆積させた。その層の厚さｄ
を0.6mmとし、考慮する長さｌを60mmとすると、
層の厚さの径方向の均一性は±１％となり、考慮
する長さｌを140mmとすると、層の厚さの径方向
の均一性は±５％となつた。
ヘキサメチルジシラザン（HMDSN）より成る
ポリマ層を基板上に堆積させた。その層の厚さｄ
を0.6mmとし、考慮する長さｌを60mmとすると、
層の厚さの径方向の均一性は±１％となり、考慮
する長さｌを140mmとすると、層の厚さの径方向
の均一性は±５％となつた。
プロセスパラメータとしては以下のものを使用
し、基板は上側のプレート電極３上に設け、プレ
ート電極３と環状電極５との間の電極間隔ＨはＨ
＝50mmに調整した。
し、基板は上側のプレート電極３上に設け、プレ
ート電極３と環状電極５との間の電極間隔ＨはＨ
＝50mmに調整した。
基板温度TS：35℃
単量体ガス圧力PHMDSN：2Pa
キヤリアガス圧力Ｐアルゴン：3Pa
出力表面密度Ｎ：0.5W／cm2
堆積速度ｄ：40nm／分
本例から明らかなように、本発明による装置に
よれば、形成される層の厚さの均一性を特に良好
にすることができる。堆積速度を高めると、通常
励起された物質が堆積される為に層の厚さに勾配
が生じるも、本発明によればこの堆積速度の増大
にもかかわらず、層の厚さの均一性に関する上述
した良好な値が得られた。
よれば、形成される層の厚さの均一性を特に良好
にすることができる。堆積速度を高めると、通常
励起された物質が堆積される為に層の厚さに勾配
が生じるも、本発明によればこの堆積速度の増大
にもかかわらず、層の厚さの均一性に関する上述
した良好な値が得られた。
第３図は無線周波スパツタリング装置として用
いる本発明による装置を示す。この目的の為に
は、大地電位とした２つの遮蔽リング５１により
電極３，５を排気可能室１の内側壁から遮蔽する
必要がある。
いる本発明による装置を示す。この目的の為に
は、大地電位とした２つの遮蔽リング５１により
電極３，５を排気可能室１の内側壁から遮蔽する
必要がある。
本発明装置により製造したプラズマ重合層は薄
膜歪計の電気絶縁層、コイルワイヤ或いはコイル
テープの絶縁体、特に1000Vの電圧で高温度に適
したコンデンサの絶縁体等に用いることができ
る。
膜歪計の電気絶縁層、コイルワイヤ或いはコイル
テープの絶縁体、特に1000Vの電圧で高温度に適
したコンデンサの絶縁体等に用いることができ
る。
第１図は、多室環状分配器を経てガスを供給す
るようにした本発明による装置の一例を示す断面
図、第２図は、環状電極の下側の絶縁体ブロツク
中の中央孔内に直接ガスを供給するようにした本
発明による装置の他の例を示す断面図、第３図
は、無線周波陰極スパツタリング装置として用い
る本発明による装置の更に他の例を示す断面図で
ある。 １……排気可能室、３……プレート電極、５…
…環状電極、７……絶縁体ブロツクの第１部分、
９，９９……絶縁体ブロツクの第２部分、１１，
１３，１９……中央孔、１５……孔、１７……ス
トツパ、２１……ポンプノズル、２３……多室環
状分配器、２５……連結ノズル、２７……室、２
９……孔、３３……ターンテーブル、３５……歯
車、３７……１の底板、３９……回転貫通軸、４
３……接続フランジ、４５……ガス入口、４７…
…有孔被覆板、４９……溝、５１……遮蔽リン
グ、５３……抵抗加熱板、５５……摺動貫通部
材、５７……放射板。
るようにした本発明による装置の一例を示す断面
図、第２図は、環状電極の下側の絶縁体ブロツク
中の中央孔内に直接ガスを供給するようにした本
発明による装置の他の例を示す断面図、第３図
は、無線周波陰極スパツタリング装置として用い
る本発明による装置の更に他の例を示す断面図で
ある。 １……排気可能室、３……プレート電極、５…
…環状電極、７……絶縁体ブロツクの第１部分、
９，９９……絶縁体ブロツクの第２部分、１１，
１３，１９……中央孔、１５……孔、１７……ス
トツパ、２１……ポンプノズル、２３……多室環
状分配器、２５……連結ノズル、２７……室、２
９……孔、３３……ターンテーブル、３５……歯
車、３７……１の底板、３９……回転貫通軸、４
３……接続フランジ、４５……ガス入口、４７…
…有孔被覆板、４９……溝、５１……遮蔽リン
グ、５３……抵抗加熱板、５５……摺動貫通部
材、５７……放射板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 排気可能室と、第１および第２電極と、気体
物質を前記の排気可能室内に導入する装置と、電
圧を前記の第１および第２電極の双方またはいず
れか一方に印加してプラズマを生ぜしめる装置と
を具え、プラズマ気相成長或いは陰極スパツタリ
ングにより基板に被着を行なう装置において、中
央孔を有し、軸線方向に固定とした前記の第１電
極である環状電極５と、前記の第２電極であるプ
レート電極３とが排気可能室１の中央に配置さ
れ、前記の環状電極は２分された絶縁体ブロツク
上に配置され、この絶縁体ブロツクは、前記環状
電極の中央孔１１に対応する中央孔１３を有しこ
の環状電極に隣接して設けられた上側第１部分７
と、この第１部分にじかに隣接し且つ排気可能室
１の底板３７上で、この排気可能室を排気するの
に必要な真空ポンプの連結スタツド２１を越えて
支持されている第２部分９，９９とを具えてお
り、この第２部分は連結スタツドを妨害しないよ
うにしてあることを特徴とする基板に被着を行な
う装置。 ２ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第１部
分７が少くとも１つの他の孔１５を有し、この他
の孔がこの第１部分の前記の中央孔１３内に開口
し且つこの中央孔に対しほぼ直角に延在している
ことを特徴とする基板に被着を行なう装置。 ３ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第２部
分９がこの絶縁体ブロツクの第１部分７の中央孔
１３の直径に対応する直径を有する中央孔１９を
具えていることを特徴とする基板に被着を行なう
装置。 ４ 特許請求の範囲２に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第２部
分９９を孔のないプレートとしたことを特徴とす
る基板に被着を行なう装置。 ５ 特許請求の範囲２に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第２部
分９がこの絶縁体ブロツクの第１部分７の中央孔
１３の直径に対応する直径を有する中央孔１９を
具えており、前記の他の孔１５を排気可能室１の
反応空間の側で封止しうるようにしたことを特徴
とする基板に被着を行なう装置。 ６ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第１部
分７の中央孔１３がその環状電極５に隣接する側
でこれに対向する環状電極の中央孔１１の直径に
一致する直径を有し、且つ絶縁体ブロツクの第２
部分９，９９に向う方向で広がつていることを特
徴とする基板に被着を行なう装置。 ７ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行な
う装置において、前記の絶縁体ブロツクの第２部
分９が中央孔１９を有し、この中央孔は絶縁体ブ
ロツクの第１部分７に隣接する側で絶縁体ブロツ
クの第１部分７の中央孔１３の、前記の第２部分
側の直径に一致する直径を有し、この第２部分の
中央孔１９を排気可能室１の底板３７に向う方向
に広げたことを特徴とする基板に被着を行なう装
置。 ８ 特許請求の範囲３に記載の基板に被着を行な
う装置において、気体物質を排気可能室１内に導
入する前記の装置を多室環状分配器２３とし、反
応ガスを外部から導入でき且つ排気可能室の反応
空間に自由に到達せしめうるようにしたことを特
徴とする基板に被着を行なう装置。 ９ 特許請求の範囲４に記載の基板に被着を行な
う装置において、気体物質を排気可能室１内に導
入する前記装置を、気密に挿入され、絶縁体ブロ
ツクの第１部分の中央孔１３内に開口し且つこの
中央孔１３に対し直角に延在する前記の第１部分
の他の孔に通じているガス供給部材４５を以つて
構成したことを特徴とする基板に被着を行なう装
置。 １０ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記の電極のうちの少くとも
一方の電極（３或いは５）の上にターンテーブル
３３が設けられ、このターンテーブルは当該電極
に剛固に連結されている歯車３５により回転せし
めることができ、この歯車は電気絶縁性の中間部
材と外部から排気可能室１内に気密に導入された
回転貫通部材３９とにより駆動せしめうるように
なつていることを特徴とする基板に被着を行なう
装置。 １１ 特許請求の範囲８に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記の多室環状分配器２３が
プロセスガスの入口に対する少くとも１つの連結
部２５を有し、該連結部から、該連結部の上方に
存在する多室環状分配器中の孔を経て中間連通室
２７にプロセスガスを到達せしめ、プロセスガス
は前記中間連通室２７から多数の孔２９を経て、
多室環状分配器の上方に存在する排気可能室１の
反応空間に達し、環状電極５の中央孔１１および
絶縁体ブロツクの中央孔１３，１９を経て前記の
プロセスガスを排気可能室から取出しうるように
したことを特徴とする基板に被着を行なう装置。 １２ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記の電極のうち少くとも一
方の電極（３或いは５）に温度調節用ラブリンス
手段４１が設けられ、該温度調節用ラブリンス手
段が着脱自在の接続フランジ４３を経て温度調節
用媒体回路に接続されていることを特徴とする基
板に被着を行なう装置。 １３ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記の環状電極およびプレー
ト電極の双方またはいずれか一方に、電圧発生用
の高周波発生器が接続されていることを特徴とす
る基板に被着を行なう装置。 １４ 特許請求の範囲１２に記載の基板に被着を
行なう装置において、前記の環状電極およびプレ
ート電極の双方またはいずれか一方に、電圧発生
用の高周波発生器が接続されており、温度調節用
媒体回路に対する接続フランジ４３が前記の高周
波発生器にも接続されていることを特徴とする基
板に被着を行なう装置。 １５ 特許請求の範囲９に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記の環状電極５の中央孔１
１を反応空間に面する側で有孔板４７で被覆で
き、この有孔板を経て反応ガスが反応空間中に流
れうるようになつていることを特徴とする基板に
被着を行なう装置。 １６ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、絶縁体ブロツクの双方の部分
７，９；９９が高周波を供給するのに適した電気
絶縁材料を以つて構成されていることを特徴とす
る基板に被着を行なう装置。 １７ 特許請求の範囲１６に記載の基板に被着を
行なう装置において、絶縁体ブロツクの双方の部
分がポリテトラフルオロエチレンを以つて構成さ
れていることを特徴とする基板に被着を行なう装
置。 １８ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、前記のシート電極３を軸線方
向に移動せしめるようにする為に、このシート電
極が排気可能室１内に気密に導入した摺動貫通部
材５５に絶縁体を介して連結されていることを特
徴とする基板に被着を行なう装置。 １９ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、環状電極５およびプレート電
極３の双方の上に基板を配置しうるようになつて
いることを特徴とする基板に被着を行なう装置。 ２０ 特許請求の範囲１５に記載の基板に被着を
行なう装置において、絶縁体ブロツクの第２部分
９９中に溝４９が設けられ、これらの溝を経て反
応ガスを真空ポンプにより取出しうるようになつ
ていることを特徴とする基板に被着を行なう装
置。 ２１ 特許請求の範囲１０に記載の基板に被着を
行なう装置において、ターンテーブル３３と電極
との間の摺動特性が熱を容易に伝導させる潤滑剤
により改善されていることを特徴とする基板に被
着を行なう装置。 ２２ 特許請求の範囲１に記載の基板に被着を行
なう装置において、環状電極５およびプレート電
極３上に追加の加熱手段として抵抗加熱板５３を
設けることができ、この際摺動リング接点により
加熱用電流の伝達が行われるようになつているこ
とを特徴とする基板に被着を行なう装置。 ２３ 特許請求の範囲２２に記載の基板に被着を
行なう装置において、ターンテーブル３３と抵抗
加熱板との間に放射板５７を装着しうるようにし
たことを特徴とする基板に被着を行なう装置。 ２４ 特許請求の範囲１９に記載の基板に被着を
行なう装置において、環状電極５およびプレート
電極３上に追加の加熱手段として抵抗加熱板５３
を設けることができ、この際摺動リング接点によ
り加熱用電流の伝達が行われるようになつてお
り、前記の抵抗加熱板５３上に基板を配置するよ
うになつていることを特徴とする基板に被着を行
なう装置。 ２５ 特許請求の範囲１〜２４のいずれか１つに
記載の基板に被着を行なう装置において、基板に
被着を行なう前記の装置を無線周波陰極スパツタ
リング装置として用いる場合、前記の電極に、大
地電位にある遮蔽体５１を設けうるようになつて
いることを特徴とする基板に被着を行なう装置。 ２６ 排気可能室と、第１および第２電極と、気
体物質を前記の排気可能室内に導入する装置と、
電圧を前記の第１および第２電極の双方またはい
ずれか一方に印加してプラズマを生ぜしめる装置
とを具え、プラズマ気相成長或いは陰極スパツタ
リングにより基板に被着を行なう装置であつて、
中央孔を有し、軸線方向に固定とした前記の第１
電極である環状電極５と、前記の第２電極である
プレート電極３とが排気可能室１の中央に配置さ
れ、前記の環状電極は２分された絶縁体ブロツク
上に配置され、この絶縁体ブロツクは、前記環状
電極の中央孔１１に対応する中央孔１３を有しこ
の環状電極に隣接して設けられた上側第１部分７
と、この第１部分にじかに隣接し且つ排気可能室
１の底板３７上で、この排気可能室を排気するの
に必要な真空ポンプの連結スタツド２１を越えて
支持されている第２部分９，９９とを具えてお
り、この第２部分は連結スタツドを妨害しないよ
うにしてある基板に被着を行なう装置を用いて基
板上プラズマ重合層を製造する方法において、被
着を行なうべき少くとも１つの基板を排気可能室
１内の電極の１つの上に設け、気相分子の高周波
励起によりプラズマ重合材料の層を基板上に堆積
しうるようにする少くとも１種類の単量体のプロ
セスガスより成り、場合によつては不活性キヤリ
アガスをも含む出発ガスを、気体物質を導入する
前記の装置を経て排気可能室内に導入することを
特徴とする基板上にプラズマ重合層を製造する方
法。 ２７ 特許請求の範囲２６に記載の基板上にプラ
ズマ重合層を製造する方法において、単量体のプ
ロセスガスとして少くとも１種類のこのようなガ
スを導入し、このガスから、重合されたSi：Ｎ：
Ｏ：Ｃ：Ｈ含有化合物を形成しうるようにプラズ
マ重合可能材料の層を形成することを特徴とする
基板上にプラズマ重合層を製造する方法。 ２８ 特許請求の範囲２７に記載の基板上にプラ
ズマ重合層を製造する方法において、重合プロセ
スガスとしてヘキサメチルジシラザンを用いるこ
とを特徴とする基板上にプラズマ重合層を製造す
る方法。
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