JPH02281734A - プラズマ表面処理法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 本発明は、大気圧近傍の圧力下のグロー放電により、プ
ラズマ酸化、プラズマ窒化、有機材料の表面改質、表面
りＩＪ　＋　ニングなどの表面処理を行う方法に関する
。

（ｂ）従来の技術 各種の薄膜素子やバルク材料を作製するプロセスにおい
て、プラズマ表面処理は極めて重要な加工技術である。

プラズマ表面処理の代表的なプロセスは、プラズマ酸化
、プラズマ窒化、プラズマ表面改質、表面クリーニング
である。

プラズマ酸化、プラズマ窒化は、半導体や金属の表面を
０゜系プラズマあるいはＮ２系プラズマによって酸化あ
るいは窒化するプロセスである。これらにより低温で半
導体素子のパッシベーション膜の形成や、金属の硬化処
理を行うことができる。

プラズマ表面改質は、例えば高分子材料の表面をプラズ
マに晒すことによって親水性や接着性を変化させるプロ
セスである。

表面クリーニングはプラズマ中のラジカルの化学反応性
とイオンの運動エネルギーを利用して材料表面の薄い自
然酸化膜や吸着不純物を除去するプロセスである。

これらのプラズマ表面処理法は、低温のドライプロセス
によって材料の表面物性だけを変えることができるとい
う極めて有用なプロセスである。

しかしこれにはいまだ克服すべき難点がある。

現在のプラズマ表面処理法の最大の欠点のひとつは、放
電空間を発生させるために系を真空にしなければならな
いということである。

現在のプラズマ表面処理法は低圧（１０１〜数１０Ｔｏ
ｒｒ：主として１０−２〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）のグロー放電
プラズマを利用している。

このような低圧を必要とするのは次の理由による。これ
以上の高圧力下では放電が局所的なアーク放電に移行し
てしまう。このため、大面積、均一なエツチングが不可
能になる、あるいは試料基板の一部に大電流が流れて異
常加熱される、などの弊害をもたらすからである。

低圧下で行わなければならないので、従来のプラズマ表
面処理装置は高価な真空チャンバを必要とし、真空排気
装置が設置されていなければならなかった。

ゆえに従来のプラズマ表面処理装置は設備が著しく高価
になる。これは作製素子のコストを押し上げる結果にな
る。

（ｃ）大気圧下のプラズマＣＶＤ法 真空設備は高価であるので大気圧近傍で安定なグロー放
電を起こさせ、プラズマ表面処理を行うことができれば
設備費を大幅に低減させることが出来るはずである。

表面処理ではないが、最近になって大気圧下でプラズマ
ＣＶＤを可能とするような発明がなされた。

特開昭８３−５０４７８号（Ｓ８３．３．３公開）であ
る。

これは炭素Ｃの薄膜を作るものである。例えばＣＨ４、
ＣＦ４を原料ガスとするが、これに９０％以上のＨｅガ
スを加える。これが特徴である。

Ｈｅガスが大量にあるので、大気圧近傍であってもグロ
ー放電を維持できる、というのである。

大気圧下であるので真空チャンバ、真空排気装置が不要
である。薄膜形成のコストを著しく削減することができ
る。優れた発明であると思う。

Ｈｅガスを使ったら、グロー放電が大気圧下でも起こり
安定に持続する、ということがこの方法の重要なポイン
トである。

何故Ｈｅか？ということについて、発明者は次のように
説明している。

（ａ）Ｈｅは放電により励起されやすい。

（ｂ）Ｈａは多くの準安定状態を有し、励起状態の活性
粒子を多く作ることができる。

（ｃ）Ｈｅ中の活性粒子が、炭化水素やハロゲン化水素
を解離する。

（ｄ）Ｈｅ中ではイオンが拡散し易い。このため放電が
拡がり易い。

このようにＨｅに固有の性質を発見し利用したものであ
る。

明細書の記述によると、Ｈｅと原料ガスの比率が９２＝
８になると、グロー放電の拡がりが狭くなり、９０：１
０になるとコロナ放電になり、８９．５：　１０．５に
なると火花放電になるとある。

第２図は特開昭８３−５０４７８号に示された装置を示
す。

縦長の反応容器１１の中に上方から円筒１２が垂下され
ている。

円筒１２の下方に電極１４がある。ＲＦ発振器１６から
、円筒１２を貫く金属棒を介して電極１４にＲＦ電圧が
与えられる。

容器の下方には、支持基板（導体）１７、絶縁体１８、
試料基板１９が設けられる。また環状の外部電極２０が
ある。

ＨｅとＣＨ４の混合ガス（ＨｅとＣ１１４とＣＦ４の場
合もある）は、円筒１２上端のガス人口２１から送給さ
れる。このガスは円筒の中を流下し、電極１４の側方を
通り過ぎて、試料基板１９に当たり、部が反応し薄膜と
なり、残りは側方のガス出口２２から排出される。

電極１４と支持基板（試料極）１７の間にグロー放電が
生ずる。

またこの明細書によると、この発明は、「窒化けい素膜
、アモルファスシリコン、炭化けい素膜などその他の薄
膜の形成にも同様に適用することができる。」 という応用を述べている。

本出願人はこれを参考にさらに研究を進め、プラズマＣ
ＶＤ法による薄膜形成法の発明をした。

特願昭８３−１９９６４７．８３−１１９ｆｔ４８．８
３−１１９８４！１．１ｌｉ３−２２５３５５．６３−
２２７１２１．１ｌｔ３−２３３１３０．［１３−２３
０５５５などである。

（ｄ）発明が解決しようとする課題 特開昭６３−５０４７８号の発明はクレームによると、 「約２００Ｔｏｒｒから２気圧の範囲内の圧力下で、約
９０％以上の希ガスと膜成分を含む気体との混合ガスを
グロー放電によりプラズマ状となし、基板上に薄膜とし
て形成する事を特徴とする薄膜形成法。」 ということである。

ＣＶＤは基板の上に、物質を堆積させることであり、表
面処理は物質の表面を酸化、窒化、改質クリーニングな
どする作用である。両者は判然と異なる。しかしプラズ
マＣＶＤもプラズマ表面処理もプラズマを発生させ安定
に維持して所望の作用をさせるものである。

そこでこの発明を参考にして、表面処理ガスを希ガスで
９０％以上に希釈して、大気圧でグロー放電を起こさせ
れば、プラズマ表面処理が可能になるのではないかと類
推される。

本発明者はこの開示により、０□ガスをＨｅガスが９０
％となるように希釈し、Ｓｌ基板のプラズマ酸化を試み
た。圧力は大気圧である。電極は平行平板電極である。

この条件で、１３．５［ｉＭＨｚの高周波を電極間に印
加するとアーク放電が起こり、グロー放電は起こらなか
った。

そこでＨｅの希釈率を９５％に上昇させた。すると電極
間に安定なグロー放電を生じさせる事ができた。

しかし次の難点があった。

大気圧下であるため、ガス置換が有効に行われず０２ガ
スがプラズマ外周部付近で集中的に分解、イオン化した
。このため外周部分の酸化速度が異常に速（なった。反
面、基板中央部の酸化速度は遅く、外周部の１／１０以
下であった。このような空間的な酸化の不均一性が著し
かった。

０□ガズの代わりにＮ　Ｎ２＋■２ガスを用いてプラズ
マ窒化を試みたところ、Ｈｅ希釈率９０％でもグロー放
電が得られた。しかし窒化速度はやはりプラズマ外周部
で大きく、中央部で小さかった。空間的に均一な窒化が
できなかった。

また本発明者は０２をＨｅで９８％希釈したガスを用い
てポリエチレン表面の親水化も試みた。しかし同様に空
間的に均一な処理ができなかった。

従って、特開昭Ｅ３３−５０４７８号の大気圧下プラズ
マＣＶＤを単に表面処理に応用するだけでは、大面積の
試料を均一に制御性良く表面処理する事は不可能である
ということが分かる。

（ｅ）　　　　　目　　　的 大気圧近傍の圧力下で、大面積試料を均一にプラズマ表
面処理する方法を提供することが本発明の目的である。

（ｆ）課題を解決するための手段 本発明の方法を述べる。

大気圧下で安定なグロー放電を形成するために表面処理
用の原料ガスを大量の希ガスにより希釈・する。

また、表面処理用の原料ガスと希ガスとからなる混合ガ
スを、全ガス流！ＩＱを放電空間の体積Ｓで割った値Ｑ
／Ｓが１０−１〜１０２ｓｅｃ　−’になるように、対
向電極間の放電空間に供給する。つまり放電空間にある
ガスが、１０−”〜１Ｑｓｅｃで置換されるようにする
のである。これは内外での表面処理の不均一を無くすた
めである。

さらに安定なグロー放電を形成し、大面積にわたって均
一な表面処理を行うためには、互いに対向した二つの電
極の対向面の少なくとも一方に設置した試料基板とそれ
が対向する電極との間の距離、または試料基板とそれに
対向する別の試料基板との間の距離ｇは、１０ｍｍ以下
、０．１ｍｍ以上であるのが望ましい。

以上のように本発明のプラズマ表面処理法には次の２の
特徴がある。

（１）原料ガスを大量の希ガスで希釈する。

（２）放電空間（体積Ｓ）に供給されるガス流量Ｑは １０−’５ｅｃ−”≦Ｑ／Ｓ≦１０２ｓｅｃ−’という
条件を満足しなければならない。

さらに望ましくは、 （３）試料基板とそれが対向する電極間の距離、または
試料基板とそれが対向する別の試料基板との距離ｇは ０．１ｍｍ５ｇ≦１０ｍｍ とするのが良い。

以下、第１図により本発明法を説明する。

第１図は本発明を実施するプラズマ表面処理装置の一例
であるが、本発明は第１図によりなんら制約を受けるも
のではない。

処理室１の中には、互いに対向する電極２．３が設けら
れる。一方の電極３は接地されている。

これを接地電極３と呼ぶ。他方は非接地電極２といって
区別する。

電極３の上に試料基板４を置く。

ここで電極２は、放電空間へのガス供給口を兼ねており
、電極２の試料基板４との対向面は多孔板になっている
。

ここで電極２を多孔板としガス供給口とするのは、プラ
ズマ中央部でのガス置換を有効に行い大きな面積で均一
な表面処理を行うためである。

試料基板４と電極２との距離ｇは１０ｍｍ〜０１ｍｍと
するのが望ましい。

非接地電極２には高周波電源６を接続する。これは例え
ば１３．５８ＭＨｚのＲＦ発振器と増幅器とを用いるこ
とができる。

原料ガスを大量の希ガスで希釈した混合ガスはガス導入
口５から導入され、電極２を介して放電空間に供給され
る。表面処理作用を行った後ガス排出口８から処理室１
の外部に排出される。

ガス流量Ｑは、放電空間の体積Ｓに対して、Ｑ／Ｓが、
１０−’５ｅｃ−’　−１０”５ｅｅ−”になるように
する。

ここで放電空間の体積Ｑは、電極の面積Ａに電極と試料
基板の距離ｇを乗じたものである。

基板４には電源９により適宜バイアス電圧を印加する。

第１図の構成は一例に過ぎない。ガスの流れは縦方向に
限らない。横方向でも良い。

第４図は本発明の他の例を示す構成図である。

これは、処理室１の側方にガス導入口５、ガス排出口８
を設けている。ガスは電極２．３の間を面に平行に流れ
る。さらに電極２．３には絶縁体１０が取り付けである
。

接地電極２の方にヒータ７があり、この上に絶縁体１０
を介して試料基板４が戴置しである。絶縁体１０は対向
電極の両方に入れても、片方でも良い。絶縁体を入れる
とアーク放電への移行を有効に防ぐ、グロー放電を安定
化させることができる。

特に、電極、試料基板の距離ｇが大きいとか、希ガスの
濃度が低いときはアーク放電に移行し易い。このような
時に絶縁体１０を入れることは有効である。

ガスを横方向に流すときでも、Ｑ／Ｓは１０ｓｅｃ−’
〜１０　”５ｅｃ−’という条件を課さなければならな
い。

さらに電極が処理室の内部になければならないというこ
ともない。第５図はそのような例を示すこの例において
処理室が絶縁体で出来ており、電極２、電極３が処理室
の外側にある。試料基板４は電極２に対応する処理室の
内部の位置に戴置しである。

これは処理室を小さくすることができるという利点があ
る。

（ｇ）　　　作　　用 ガス導入口５より原料ガスと希ガス（例えばＨｅガス）
の混合ガスを導入し電極３に高周波電圧をかける。圧力
は大気圧またはその近傍の圧力である。　電極間にグロ
ー放電が生ずる。希ガスの割合が大きいので、大気圧下
であってもグロー放電が発生し、安定に維持される。

混合ガスはグロー放電によって励起されて、プラズマと
なる。

試料基板４は、必要に応じて、ヒータ７によって予め加
熱されている。

ここで、試料基板４と電極２の間の距離ｇは１０ｍｍ以
下とするのが望ましい。これはグロー放電の起こる範囲
を拡げ、放電の局所化を防ぎ、かつ放電の強さを均一に
するためである。

未反応のガスや反応生成物などは、希ガスとともに、ガ
ス排出口８から排除される。

ガスが電極２の多数の穴をを介して、放電空間に供給さ
れる。Ｑ／Ｓが１０−１〜１０２ｓｅｃ　−’であるの
で、原料ガスは電極の中央に到達できる。

放電が広く均一に生じ、試料基板が広くても均一な表面
処理が可能となる。

もしもガス流ｆｌＱが不足すると、ガスの置換が有効に
行われず、原料ガスがグロー放電領域に供給されるや否
や分解してしまう。この結果、放電領域の外周部で酸化
速度、窒化速度などが異常に速くなる。それゆえ空間的
に均一な表面処理が不可能となる。

それで、ガス流ｆｆ１Ｑは、放電空間の体積Ｓを少なく
とも１０秒で置き換えるような量としなければならない
。

反対にガス流ｆｉＱが多すぎると、ガスが無駄に消費さ
れる。それだけでなく、表面処理速度がかえって低下す
る。

このようなわけで、Ｑ／Ｓを１０−１〜１０２ｓｅｃ　
−１とするのである。

次に原料ガスと希ガスの比率について述べる。

原料ガスを希ガスによって希釈しているので放電維持電
圧が低い。希ガスが１００％であれば大気圧下でグロー
放電を維持できる。本発明では希ガスが多く、原料ガス
の比率が小さいので大気圧下でもグロー放電が可能とな
る。

希ガスの作用により、アーク放電に移行するのを防ぐこ
とができる。

さらにもうひとつ利点がある。同じ圧力であっても、希
ガス・プラズマ中では寿命の長い準安定励起種密度が高
い。このためプラズマが拡がりやすい。

もしも、原料ガス／希ガスの比率δがある値を越えると
、グロー放電が維持できない。アーク放電に移行してし
まう。アーク放電に移行するδの値は、本発明者の実験
によれば、原料ガスの分解しやすさにより異なっている
。

アーク放電への移行を抑制し、安定なグロー放電を得る
ためには、δ≦１０−１である事が必要である。ただし
、Ｎ２０、Ｏ，などの分解し易いガスの場合はδ≦１０
−２であることが好ましい。

反対に、原料ガス／希ガスの比率δが１０”’より小さ
くなると表面処理速度が低下するので望ましくない。

試料基板４と接地電極２の間隙ｇについてのべる。放電
空間において、プラズマを一様に拡げ、放電の局所化を
防ぎ、表面処理速度を均一にするには、間隙ｇを狭くし
たほうが良い。

ｇが狭いほど、グロー放電が電極面内で安定で均一に起
こる。特に試料基板４が導電性の時にはその効果が大き
い。

ｇの値は、１ＯＩＩＩ１１以下であるのが望ましい。

ｇが１０ｍｍ以上でも、電極の少なくとも一方に絶縁材
料を設置するか、試料が絶縁性基板である場合には均一
なグロー放電が得られるが、大きいＲＦパワー、ガス流
量が要求される。

しかし、近付けすぎると、電極２と試料基板４の距離の
均一な設置が難しくなる。僅かな傾きや凹凸が問題にな
るからである。

実用的には、ｇの値は０．１ｔｍ以上とするのが良い。

圧力Ｐは大気圧Ｐ。またはその近傍であっても良い。

真空に引かなくて良いというのが、本発明の最大の利点
である。

圧力Ｐを、大気圧Ｐ。より僅かに高くすると、外部から
処理室１への不純物ガスの混入を防ぐ事ができる。

高周波電源の周波数は、１００１００Ｈｚ−１００であ
って良い。表面処理しようとする膜や、電極間の間隙に
より周波数、パワーの最適値を決める事ができる。

ただし、放電の安定性という事からいえば、１ｋＨｚ以
下では、グロー放電が不安定になる。それ故、１ｋＨｚ
以下にしてはならない。

また、高周波電源のパワーは、１０−”Ｗ　／　ａｍ２
〜＋０２Ｗ　／　ｃｍ”とする。１０”　Ｗ　／　ｃｍ
２より大きくなると、電極２がイオンによってスパッタ
される。

このため、不純物が試料基板に混入する。

１Ｏ−２Ｗ　／　ｃｍ２よりパワーが低いと、実質的な
表面処理速度が得られない。

また、場合によっては、基板に正または負のバイアス電
圧を印加して基板への入射イオン衝撃をすることによっ
て、基板への入射イオン衝撃を制御し、表面処理速度の
向上や形成膜（酸化膜、窒化膜など）の高品質化を図る
事も可能である。

以上ここでは表面処理基板が１枚の場合を示したが、お
互いに対向したふたつの電極の両方に、表面処理すべき
試料基板を配置することも、同様に可能である。そうす
れば処理速度が２倍に増える。

また試料基板と電極の間に絶縁体を介在させることも有
効である。絶縁体はアーク放電に移行するのを抑制する
上で有効である。特に、電極と試料基板の間隔ｇが広い
時、希ガス濃度が低い時はアーク放電に移行し易いが、
この場合絶縁体を用いるのが良い。

さらにガスの流れは、試料基板に対して直角とは限らな
い。第４図、第５図のように試料基板に対して平行流で
あっても良い。

原料ガスを希釈するガスは、Ｈｅ、　Ａｒ１Ｎｅ、　Ｋ
ｒ。

Ｘｅのいずれの希ガスでも良い。

（ｈ）実　施例 （１）　Ｑ　／　Ｓ依存性 ガス流量を変化させ、第１図の装置を用いてプラズマ表
面処理を行った。プロセスは、■Ｎ、＋　Ｉｔ２ガスに
よるＳｌのプラズマ窒化、■ＯＱガスによるポリエチレ
ン表面の親水化、■■２ガスを用いた５１基板の表面ク
リーニング、である。希ガスはいずれもＨｅを用いた。

表面処理条件を第１表に示す。

第１表　表面処理条件 ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　
Ａｎａｌｙｓｔｓ　）により炭素原子のＩＳ軌道の電子
密度を測定したものである。０１．も同様である。ＩＳ
電子は各原子に２つずつ有るので、この比は原子密度の
比に等しい。

この比が小さければ酸化処理されているということであ
る。

放電空間体積Ｓを供給ガス流ｆｉＱで割った値Ｑ／Ｓは
１０−２．１０−’　　１．１Ｏ１１０２１０’５ｅｃ
−’で変化させた。

この時の■５ＩＪ４膜厚と、０表面のＣ，，１０ＩＩｌ
比の試料内における分布の測定結果を第２表に示す。こ
こでＣ１，というのはＥ　Ｓ　ＣＡ　（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎこの表から分かるようにＱ／Ｓが１０−”５ｅｃ−”
の時はガス置換が有効に行われないため、放電外周部が
集中的に窒化されたり、表面改質が進行するという問題
が生ずる。

一方Ｑ／Ｓカ月０３ｓｅｃ−’の場合は、流速が速すぎ
るので、窒化処理の場合は、窒化速度が大幅に低下して
いる。表面改質し親水性を増強しようとする場合は、十
分な親水性が得られないという事が分かった。

■のＨ２ガスを用いたＳ１基板の表面クリーニングにつ
いては、クリーニング処理に引き続いて、５ＩＨ４＋Ｎ
２０ガスをＨｅで９８％に希釈したガスを用いて大気圧
下のプラズマＣＶＤ法によって５１０２膜を堆積させ、
その５１０２／Ｓｌの界面特性を評価した。

この場合Ｑ／Ｓが１０−１〜１０２ｓｅｃ−’の条件で
はクリーニング処理をしない場合に比べて、界面準位密
度が１７３〜１／１０に低減した。

Ｑ／Ｓが１０−”５ｅａ−’の場合には放電外周部では
若干特性が改善されたが、試料中央部では殆ど効果がみ
られなかった。

またＱ／Ｓが１０Ｇｓｅｃ−’の時は、試料全体にわた
って特性の改善は見られなかった。

上の結果から適度な処理速度を得るためにはＱ／Ｓを１
０−’　−１０２ｓｅｃ−’とすることが必要である事
がわかる。

■電極−基板間距離ｇと放電状態 大きな面積で均一な表面処理を行うためには、安定で均
一なプラズマが必要であり、そのためには電極と基板と
の距離ｇが重要である。そこで第３表に示す条件でｇを
１５ｍｍ、１０ｍｍ、　５　ｍｍで変化させ、放電状態
を調べた。結果を第３図に示す。

第３表　表面処理（プラズマ酸化）条件原料ガス　　　
　　　：　０゜ 原料ガス／　Ｈｅ　　　　：　　０２／　Ｈｅ＝　１Ｏ
−３Ｑ／Ｓ　　　　　　　：　　１０ｓｅｃ−’圧　　
力　　　　　　：　大気圧 ＲＦ周波数　　　　　：　　１３．５８ＭＨｚＲＦパワ
ー　　　　　　：　　　１００Ｗ基板バイアス　　　　
：　　＋５０Ｖ 電極面積　　　　　　：　　１０　Ｘ　ｌ　Ｏａｍ２試
料基板　　　　　　：　　Ｓ、１ 第３図に示すようにｇ　：　１５ｍｍの場合には、ＲＦ
パワー１００Ｗではグロー放電が起きなかった。

そこでさらにＲＦパワーを増加させると局所的な放電か
らアーク放電に移行してしまった。

これに対し、２５１０ｍｍの場合には全体に均一なプラ
ズマが得られており、ｇを小さくする事により、放電の
局所化を防止し、プラズマの均一化を図れる事が分かる
。

従って、試料基板上で均一な表面処理を行うためには、
ｇ≦１０ｍ＋ａが必要である。ｇの下限は設置上の理由
から実用的にはＯ，１ｍｍ以上が良い。

但し、上部電極に石英などの絶縁材料を設置するか、試
料が絶縁性基板の場合はｇ　＝　１５ｍｍでもグロー放
電が得られたが、１５０〜２００ＷのＲＦパワーが必要
であった。

と同じ条件で、Ｑ／Ｓは１Ｏｓｅｃ−’とした。結果を
第４表に示す。

０表面処理ガス／希ガス比と放電状態 表面処理を行う場合に用いる表面処理ガスと、希ガスの
比率を変化させてグロー放電の状態を調べた。

電極面積、電極間距離などは、実施例（１）第１表この
表から分かるように、安定なグロー放電が得られる希ガ
ス希釈率の範囲は、表面処理ガスの種類によって若干具
なる。また、用いる希ガスの種類によっても差異が見ら
れる。

しかし、Ｈｅ、　Ｎｅ希釈の場合は比率を約１０−Ｑ以
下、　Ａｒ希釈の場合は比率を約１０−’以下にすれば
、安定なグロー放電が得られ、均一性、制御性に優れた
エツチングを行う事ができる。

（１）発明の効果 本発明によれば、大気圧近傍の圧力で、グロー放電によ
り、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマ表面改質、
表面クリーニングなどの表面処理を行うことができる。

大気圧近傍であるので、真空チャンバや真空排気装置を
必要としない。従って、各種デバイスの作製工程の設備
費を大幅に低減する事ができる。

また、大気圧近傍なのでリーク等による不純物の影響を
低減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ表面処理法に用いられる装置
の概略断面図の一例。 第２図は特開昭Ｅ！３−５０４７８号で開示された薄膜
形成装置の断面図。 第３図は本発明の方法において、試料基板と電極との距
離の違いによる放電の違いを示す図。 第４図は本発明のプラズマ表面処理法に用いられる他の
装置個構成図。 第５図は本発明のプラズマ表面処理法に用いられる他の
装置個構成図。 発　　明 、表面処理室 、非接地電極 、接地電極 、試料基板 ガス導入口 ＲＦ電源 ヒ　　　　−　　　　タ ガス排出口 、バイアス電源 絶　　縁　　板 本　　　恒 川　　　　唯 １）　　　順 暢 司 彦 第　　　　　３　　　　　図 電極−基板間距離ｇと放電状態 第 図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）互いに対向したふたつの電極の対向面の少なくと
   も一方に試料基板を設置、あるいは試料基板が電極を兼
   ねる構成とし、希ガスもしくは希ガスと表面処理ガスの
   混合ガスを、ガス流量Ｑを放電空間の体積Ｓで割った値
   Ｑ／Ｓが１０＾−＾１〜１０＾２ｓｅｃ＾−＾１になる
   ように、試料基板上の放電空間に供給し、大気圧近傍の
   圧力下で、対向電極に与えた高周波電圧により試料基板
   とその試料基板に対向する電極との間、もしくは試料基
   板とその試料基板に対向する別の試料基板との間にグロ
   ー放電を起こさせ試料基板の表面処理を行う事を特徴と
   するプラズマ表面処理法。
2. （２）前記電極の対向面上の少なくとも一方に絶縁材料
   を設置する事を特徴とする請求項１に記載のプラズマ表
   面処理法。