JPH0596277A - 純水の製造方法及び装置 - Google Patents
純水の製造方法及び装置Info
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- JPH0596277A JPH0596277A JP3257291A JP25729191A JPH0596277A JP H0596277 A JPH0596277 A JP H0596277A JP 3257291 A JP3257291 A JP 3257291A JP 25729191 A JP25729191 A JP 25729191A JP H0596277 A JPH0596277 A JP H0596277A
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- C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
- C02F1/78—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation with ozone
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- C02F9/00—Multistage treatment of water, waste water or sewage
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 純水あるいは超純水中の非イオン性のシリカ
成分を可及的に少なくすることができる純水の製造方法
及び装置を提供する。 【構成】 水に含まれていて、そのままではモリブデン
酸試薬に反応しない非イオン性のシリカ成分を、オゾン
と接触反応させ、この反応工程と同時又はこの反応工程
の後に紫外線を照射してイオン化させ、イオン交換樹脂
塔に通す。このイオン交換樹脂搭を通った処理水は、非
イオン性のシリカ成分を実質的に含まない。
成分を可及的に少なくすることができる純水の製造方法
及び装置を提供する。 【構成】 水に含まれていて、そのままではモリブデン
酸試薬に反応しない非イオン性のシリカ成分を、オゾン
と接触反応させ、この反応工程と同時又はこの反応工程
の後に紫外線を照射してイオン化させ、イオン交換樹脂
塔に通す。このイオン交換樹脂搭を通った処理水は、非
イオン性のシリカ成分を実質的に含まない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、純水の製造方法や製造
装置に関し、特に限定されるものではないが例えば、半
導体製造工場において設備される洗浄用超純水の製造設
備、火力発電所や原子力発電所の復水の補給設備、医薬
品製造業等で使用される純水，超純水等の製造方法，装
置に関するものである。
装置に関し、特に限定されるものではないが例えば、半
導体製造工場において設備される洗浄用超純水の製造設
備、火力発電所や原子力発電所の復水の補給設備、医薬
品製造業等で使用される純水，超純水等の製造方法，装
置に関するものである。
【０００２】
【発明の背景と従来の技術】本発明を、半導体製造等の
電子工業分野を例にして以下説明する。半導体製造にお
いては、ウエハ洗浄等のために、従来から電解質、微粒
子、生菌等が極めて少ない高度に精製された超高度純
水、いわゆる超純水が用いられている。この超純水製造
設備は、純水中に微量に含まれる電解質、微粒子、有機
物、生菌等を除去するためにイオン交換樹脂、逆浸透膜
あるいは限外濾過膜等の膜濾過手段、紫外線酸化手段、
ポリシャーなどを用いたシステムの組合わせで構成され
るのが一般的である。図９はこのような従来設備の一例
を示し、凝集沈殿装置，濾過装置等の前処理装置で原水
中の懸濁物質の除去を行ない、次にイオン交換樹脂を用
いた脱塩水製造装置、純水製造装置、逆浸透膜装置、真
空脱気装置、ポリシャー（ＭＢＰ）等で大半の電解質，
微粒子，生菌等の除去を行ない、このような一次系純水
製造装置から得られる一次純水をさらに殺菌や有機物分
解をするための紫外線（殺菌，酸化）装置，ポリシャ
ー、限外濾過膜等からなる二次系純水製造装置で上記一
次純水にわずかに残留している極微量の不純物の除去を
行なうという構成である。なお、二次系純水製造装置
は、一次系純水製造装置から離してユースポイント
（Ｕ．Ｐ）近傍に設ける場合が多い。
電子工業分野を例にして以下説明する。半導体製造にお
いては、ウエハ洗浄等のために、従来から電解質、微粒
子、生菌等が極めて少ない高度に精製された超高度純
水、いわゆる超純水が用いられている。この超純水製造
設備は、純水中に微量に含まれる電解質、微粒子、有機
物、生菌等を除去するためにイオン交換樹脂、逆浸透膜
あるいは限外濾過膜等の膜濾過手段、紫外線酸化手段、
ポリシャーなどを用いたシステムの組合わせで構成され
るのが一般的である。図９はこのような従来設備の一例
を示し、凝集沈殿装置，濾過装置等の前処理装置で原水
中の懸濁物質の除去を行ない、次にイオン交換樹脂を用
いた脱塩水製造装置、純水製造装置、逆浸透膜装置、真
空脱気装置、ポリシャー（ＭＢＰ）等で大半の電解質，
微粒子，生菌等の除去を行ない、このような一次系純水
製造装置から得られる一次純水をさらに殺菌や有機物分
解をするための紫外線（殺菌，酸化）装置，ポリシャ
ー、限外濾過膜等からなる二次系純水製造装置で上記一
次純水にわずかに残留している極微量の不純物の除去を
行なうという構成である。なお、二次系純水製造装置
は、一次系純水製造装置から離してユースポイント
（Ｕ．Ｐ）近傍に設ける場合が多い。
【０００３】半導体製造分野において純水でなく超純水
が要求されるのは、ウエハ洗浄水に含まれる不純物の存
在が製品歩留まりに大きく影響するからである。例えば
不純物のうちの微粒子は、蒸発残渣としてウエハにシミ
を作って歩留まりを低下させる。したがって、超純水で
あっても洗浄用水中の不純物をより一層低減化すること
はこの分野では製品歩留まりを向上させるために常に求
められている課題であると言ってよい。またそれだけで
なく、半導体産業の発展は近時めざましいものがあっ
て、例えばＤＲＡＭは４Ｍ，１６Ｍの量産体制からさら
に６４ＭＤＲＡＭの生産へと集積化がますます進展して
おり、それと共に洗浄時の上記シミの発生許容値（数，
大きさの許容値）もますます厳しく管理が求められ、超
純水の水質に対する要求も従来の水準からさらに一歩進
んだ超高度な精製が求められるようになってきている。
が要求されるのは、ウエハ洗浄水に含まれる不純物の存
在が製品歩留まりに大きく影響するからである。例えば
不純物のうちの微粒子は、蒸発残渣としてウエハにシミ
を作って歩留まりを低下させる。したがって、超純水で
あっても洗浄用水中の不純物をより一層低減化すること
はこの分野では製品歩留まりを向上させるために常に求
められている課題であると言ってよい。またそれだけで
なく、半導体産業の発展は近時めざましいものがあっ
て、例えばＤＲＡＭは４Ｍ，１６Ｍの量産体制からさら
に６４ＭＤＲＡＭの生産へと集積化がますます進展して
おり、それと共に洗浄時の上記シミの発生許容値（数，
大きさの許容値）もますます厳しく管理が求められ、超
純水の水質に対する要求も従来の水準からさらに一歩進
んだ超高度な精製が求められるようになってきている。
【０００４】しかし、超純水という極めて高度に精製さ
れた水中からさらに数ｐｐｂオーダ、あるいはそれ以下
という極く微量しか含まれていない不純物、特に微粒子
を除去することは、甚だ困難であり、特に半導体洗浄用
水の製造という工業的規模の設備でこれを実現すること
は、単なる実験室レベルでの実現可能性とは異なった課
題、例えば超純水の連続製造のためには蒸留等の手法は
実現可能性がないとか、吸着剤として活性炭を使用した
のではむしろこれから漏出する極めて微細な粒子の除去
が問題になるとかの課題を、総合的に解決できる技術で
なければならないという困難性がある。
れた水中からさらに数ｐｐｂオーダ、あるいはそれ以下
という極く微量しか含まれていない不純物、特に微粒子
を除去することは、甚だ困難であり、特に半導体洗浄用
水の製造という工業的規模の設備でこれを実現すること
は、単なる実験室レベルでの実現可能性とは異なった課
題、例えば超純水の連続製造のためには蒸留等の手法は
実現可能性がないとか、吸着剤として活性炭を使用した
のではむしろこれから漏出する極めて微細な粒子の除去
が問題になるとかの課題を、総合的に解決できる技術で
なければならないという困難性がある。
【０００５】ところで、本発明者等が特に注目した超純
水中の蒸発残渣の原因となる無機質微粒子に関連して、
例えばMarc Edwards氏とMaek M.Benjamin 氏により、コ
ロイダル状物質をオゾンで強制酸化して酸化状固形微粒
子にし、除去することが提案されている（"A Mechanist
ic Study of Ozone-Induced Particle Destabilizatio
n",JOURNAL AWWA, 1991）。この文献によれば、純水に
オゾンをバブリングすることで、コロイダル状物質が酸
化状固形微粒子となって限外濾過膜等の膜により除去さ
れる微粒子数が増大するとされている。本発明者もこの
処理を行なった純水を分析することで、微粒子の増大と
これを膜濾過により除去できることを確認した。
水中の蒸発残渣の原因となる無機質微粒子に関連して、
例えばMarc Edwards氏とMaek M.Benjamin 氏により、コ
ロイダル状物質をオゾンで強制酸化して酸化状固形微粒
子にし、除去することが提案されている（"A Mechanist
ic Study of Ozone-Induced Particle Destabilizatio
n",JOURNAL AWWA, 1991）。この文献によれば、純水に
オゾンをバブリングすることで、コロイダル状物質が酸
化状固形微粒子となって限外濾過膜等の膜により除去さ
れる微粒子数が増大するとされている。本発明者もこの
処理を行なった純水を分析することで、微粒子の増大と
これを膜濾過により除去できることを確認した。
【０００６】しかしながら純水にオゾンをバブリングし
た後、イオン交換処理と膜処理を行なった超純水を半導
体の洗浄に用い、ウエハ表面の状態を観察したところ相
変わらずシミが発生した。
た後、イオン交換処理と膜処理を行なった超純水を半導
体の洗浄に用い、ウエハ表面の状態を観察したところ相
変わらずシミが発生した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、ウエハ
表面のシミ発生の原因となる超純水中の不純物の除去を
一つの目的として本発明を提案するものである。
表面のシミ発生の原因となる超純水中の不純物の除去を
一つの目的として本発明を提案するものである。
【０００８】すなわち、上記事実から本発明者等は、上
記のオゾンによる酸化処理でコロイダル状物質を固形状
化する方法では除去できないシミ発生の原因物質を分析
的に調べたところ、これがコロイダル状物質のうちの非
イオン性のシリカ成分（コロイダルシリカ）であること
が分かった。
記のオゾンによる酸化処理でコロイダル状物質を固形状
化する方法では除去できないシミ発生の原因物質を分析
的に調べたところ、これがコロイダル状物質のうちの非
イオン性のシリカ成分（コロイダルシリカ）であること
が分かった。
【０００９】超純水中に含まれるコロイダル状物質のう
ちのシリカ成分は、例えば特開昭６２−３９７６９号公
報でも指摘されているように製品の性能に悪い影響を及
ぼすことから、図９に示した従来の超純水製造装置にお
いても、非イオン性の微粒子を膜（ＲＯ等）濾過により
極力除去し、またＭＢＰを通してイオン交換樹脂により
イオン性のシリカ成分を除去しているが、その処理水を
みても図７に示すように逆浸透膜等の膜やイオン交換樹
脂を通過してしまう非イオン性のシリカ成分について
は、適当な除去方法が従来なかった。
ちのシリカ成分は、例えば特開昭６２−３９７６９号公
報でも指摘されているように製品の性能に悪い影響を及
ぼすことから、図９に示した従来の超純水製造装置にお
いても、非イオン性の微粒子を膜（ＲＯ等）濾過により
極力除去し、またＭＢＰを通してイオン交換樹脂により
イオン性のシリカ成分を除去しているが、その処理水を
みても図７に示すように逆浸透膜等の膜やイオン交換樹
脂を通過してしまう非イオン性のシリカ成分について
は、適当な除去方法が従来なかった。
【００１０】超純水中のシリカの濃度は、一般的にはＪ
ＩＳＫ０１０１に準じて測定される。すなわち水中に溶
存するイオン性シリカを酸性領域でモリブデン酸アンモ
ニウムと反応させて生成するモリブデン黄を還元してモ
リブデン青とし、その吸光度を測定することでシリカを
検出する方法である。しかしこの説明でも分かる通り、
シリカの検出はイオンとして水中に存在する場合にのみ
可能であり、非イオン性のシリカはモリブデン酸青を生
成しない。したがって測定のためには、非イオン性のシ
リカをイオン性のシリカに変換する操作を必要とする。
ＩＳＫ０１０１に準じて測定される。すなわち水中に溶
存するイオン性シリカを酸性領域でモリブデン酸アンモ
ニウムと反応させて生成するモリブデン黄を還元してモ
リブデン青とし、その吸光度を測定することでシリカを
検出する方法である。しかしこの説明でも分かる通り、
シリカの検出はイオンとして水中に存在する場合にのみ
可能であり、非イオン性のシリカはモリブデン酸青を生
成しない。したがって測定のためには、非イオン性のシ
リカをイオン性のシリカに変換する操作を必要とする。
【００１１】そこで本発明者等は、水中のシリカの挙動
を把握するため、上述したオゾンによる強制酸化でコロ
イダル状物質を酸化状固形微粒子とする方式で得られた
水に含まれるシリカ成分と、その処理を行なわない水に
含まれるシリカ成分ついて、イオン性及び非イオン性の
シリカ濃度を測定した。図８はこの測定結果を示すもの
であるが、コロイダル状物質を酸化状固形微粒子化する
上記の強制酸化処理を行なっても、全シリカのうちで
もともと原水に含まれているイオン状シリカ成分は、
オゾンバブリングを行なっても殆ど増加せず、したがっ
て非イオン性のシリカ濃度は殆ど低下しなかった。
を把握するため、上述したオゾンによる強制酸化でコロ
イダル状物質を酸化状固形微粒子とする方式で得られた
水に含まれるシリカ成分と、その処理を行なわない水に
含まれるシリカ成分ついて、イオン性及び非イオン性の
シリカ濃度を測定した。図８はこの測定結果を示すもの
であるが、コロイダル状物質を酸化状固形微粒子化する
上記の強制酸化処理を行なっても、全シリカのうちで
もともと原水に含まれているイオン状シリカ成分は、
オゾンバブリングを行なっても殆ど増加せず、したがっ
て非イオン性のシリカ濃度は殆ど低下しなかった。
【００１２】このように、コロイダル状物質を強制酸化
して固形微粒子とし除去する方法によっては、純水中の
非イオン性のシリカ成分を除去することができないこと
が分かったのである。超純水製造の過程で、水に含まれ
ている非イオン性のシリカ成分をイオン化してイオン交
換樹脂により除去することは従来全く試みられていなか
った。なお非イオン性のシリカ成分を含む水に炭酸水素
ナトリウムを混入し煮沸してイオン性シリカに変換する
ＪＩＳＫ０１０１の方法（あるいは特開昭６２−３９７
６９号公報に記載の方法）等でイオン化することは知ら
れているが、この方法は、分析，測定のためには利用で
きるものの、超純水を連続的に製造する工業的な設備に
適用することは、煮沸等の工程が必要であるなどの理由
で不可能であるからである。
して固形微粒子とし除去する方法によっては、純水中の
非イオン性のシリカ成分を除去することができないこと
が分かったのである。超純水製造の過程で、水に含まれ
ている非イオン性のシリカ成分をイオン化してイオン交
換樹脂により除去することは従来全く試みられていなか
った。なお非イオン性のシリカ成分を含む水に炭酸水素
ナトリウムを混入し煮沸してイオン性シリカに変換する
ＪＩＳＫ０１０１の方法（あるいは特開昭６２−３９７
６９号公報に記載の方法）等でイオン化することは知ら
れているが、この方法は、分析，測定のためには利用で
きるものの、超純水を連続的に製造する工業的な設備に
適用することは、煮沸等の工程が必要であるなどの理由
で不可能であるからである。
【００１３】本発明者等は、以上のような従来技術の下
で、超純水製造の工業的設備に適用が可能である超純水
中の非イオン性のシリカ成分の除去法につき鋭意検討し
た。そしてこの検討の過程において、オゾンをバブリン
グしても超純水中の非イオン性のシリカ成分は固形微粒
子化せず、除去できないが、非イオン性シリカを特定の
条件（濃度，時間）で水中でオゾンと反応させ、しかも
紫外線照射を行なうことにより、イオン化が可能である
ことを見出した。すなわち、上述した図８の試験に加え
て、非イオン性のシリカ成分を含む水に濃度を変えてオ
ゾンを溶解させて所要時間の反応を行なわせると共に、
紫外線（ＵＶ）照射を同時又は順次に行なわせたと
きのイオン状シリカの濃度を測定すると、イオン状シリ
カ濃度が大幅に上昇することを知見したのである。しか
もこの処理法は純水製造設備あるいは超純水製造設備の
一部に組み込むことが可能かつ容易であり、連続した純
水製造あるいは超純水製造の工業的な装置の実現に極め
て有効である。
で、超純水製造の工業的設備に適用が可能である超純水
中の非イオン性のシリカ成分の除去法につき鋭意検討し
た。そしてこの検討の過程において、オゾンをバブリン
グしても超純水中の非イオン性のシリカ成分は固形微粒
子化せず、除去できないが、非イオン性シリカを特定の
条件（濃度，時間）で水中でオゾンと反応させ、しかも
紫外線照射を行なうことにより、イオン化が可能である
ことを見出した。すなわち、上述した図８の試験に加え
て、非イオン性のシリカ成分を含む水に濃度を変えてオ
ゾンを溶解させて所要時間の反応を行なわせると共に、
紫外線（ＵＶ）照射を同時又は順次に行なわせたと
きのイオン状シリカの濃度を測定すると、イオン状シリ
カ濃度が大幅に上昇することを知見したのである。しか
もこの処理法は純水製造設備あるいは超純水製造設備の
一部に組み込むことが可能かつ容易であり、連続した純
水製造あるいは超純水製造の工業的な装置の実現に極め
て有効である。
【００１４】本発明はかかる知見に基づいてなされたも
のであり、その目的は、純水あるいは超純水の製造を工
業的な規模で行なう場合に、製造された純水（超純水）
中の非イオン性のシリカ成分を可及的に減少させ、望ま
しくは実質的に零とすることができる新規な純水（超純
水）製造方法を提供することにある。
のであり、その目的は、純水あるいは超純水の製造を工
業的な規模で行なう場合に、製造された純水（超純水）
中の非イオン性のシリカ成分を可及的に減少させ、望ま
しくは実質的に零とすることができる新規な純水（超純
水）製造方法を提供することにある。
【００１５】また本発明の別の目的は、非イオン性のシ
リカ成分が水中に殆ど存在しない純水（超純水）を製造
するのに適した工業的規模の純水（超純水）製造装置を
提供することにある。
リカ成分が水中に殆ど存在しない純水（超純水）を製造
するのに適した工業的規模の純水（超純水）製造装置を
提供することにある。
【００１６】また本発明の他の目的は、半導体製造分野
における洗浄用超純水として有益な超純水を提供するこ
とにある。
における洗浄用超純水として有益な超純水を提供するこ
とにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記のような目
的を実現するために、本発明者等は特許請求の範囲の各
請求項に記載した本発明を完成した。
的を実現するために、本発明者等は特許請求の範囲の各
請求項に記載した本発明を完成した。
【００１８】本発明方法は、純水製造の工程の一部に、
水中に含まれていてそのままではモリブデン酸試薬に反
応しない非イオン性のシリカ成分をイオン化させ、これ
を固体電解質に吸着して除去する工程を有することを特
徴としており、非イオン性のシリカ成分をイオン化させ
る具体的方法としては、非イオン性のシリカ成分をオゾ
ンに接触させて反応させ、更に該シリカ成分に、オゾン
接触工程と同時又はこの工程に次いて紫外線を照射する
ことを特徴としている。
水中に含まれていてそのままではモリブデン酸試薬に反
応しない非イオン性のシリカ成分をイオン化させ、これ
を固体電解質に吸着して除去する工程を有することを特
徴としており、非イオン性のシリカ成分をイオン化させ
る具体的方法としては、非イオン性のシリカ成分をオゾ
ンに接触させて反応させ、更に該シリカ成分に、オゾン
接触工程と同時又はこの工程に次いて紫外線を照射する
ことを特徴としている。
【００１９】この方法に於いては非イオン性のシリカ成
分をオゾンに接触，反応させる条件が重要であって、こ
のシリカ成分を含む水をオゾン濃度０．５ｐｐｍ以上、
好ましくは１ｐｐｍ以上、最適には３〜４ｐｐｍに維持
しながら必要であれば撹拌して、２０分以上、好ましく
は４０分以上反応させることがよい。オゾン濃度が０．
５ｐｐｍ未満であると後述の紫外線照射を併せて行なっ
ても非イオン性のシリカ成分をイオン化させることが不
十分となり、また反応時間が２０分未満であると、同様
にシリカ成分のイオン化が不十分となる。
分をオゾンに接触，反応させる条件が重要であって、こ
のシリカ成分を含む水をオゾン濃度０．５ｐｐｍ以上、
好ましくは１ｐｐｍ以上、最適には３〜４ｐｐｍに維持
しながら必要であれば撹拌して、２０分以上、好ましく
は４０分以上反応させることがよい。オゾン濃度が０．
５ｐｐｍ未満であると後述の紫外線照射を併せて行なっ
ても非イオン性のシリカ成分をイオン化させることが不
十分となり、また反応時間が２０分未満であると、同様
にシリカ成分のイオン化が不十分となる。
【００２０】本発明方法においては、上述のように非イ
オン性のシリカ成分を上記のオゾン濃度を維持した水中
で、シリカ成分に紫外線を照射することが必須である。
これによって、非イオン性のシリカ成分のイオン化が初
めて有効に行なわれる。
オン性のシリカ成分を上記のオゾン濃度を維持した水中
で、シリカ成分に紫外線を照射することが必須である。
これによって、非イオン性のシリカ成分のイオン化が初
めて有効に行なわれる。
【００２１】なおコロイダル状物質を固形微粒子化する
従来技術において、残存オゾンを分解する目的で用いら
れている活性炭や硫酸水素ナトリウム等の還元剤を適用
しても本発明の目的は達成できない。
従来技術において、残存オゾンを分解する目的で用いら
れている活性炭や硫酸水素ナトリウム等の還元剤を適用
しても本発明の目的は達成できない。
【００２２】本発明において用いられるＵＶは、特に限
定されるものではなく一般的にＵＶランプと称されてい
るもの（通常発光波長が１７０〜４００ｎｍのランプ）
を用いて有効に実施できる。ＵＶの照射は、少なくとも
上記の濃度で水中に溶解されているオゾンを分解するの
に十分な程度照射される。
定されるものではなく一般的にＵＶランプと称されてい
るもの（通常発光波長が１７０〜４００ｎｍのランプ）
を用いて有効に実施できる。ＵＶの照射は、少なくとも
上記の濃度で水中に溶解されているオゾンを分解するの
に十分な程度照射される。
【００２３】本発明の純水製造装置は、その製造ライン
中に、非イオン性のシリカ成分をイオン化させる手段
と、イオン化した水中のシリカ成分を固体電解質にイオ
ン交換により固定化する手段、例えばイオン交換樹脂塔
を設けることによって構成される。これらは、装置が超
純水製造装置である場合には一次系純水製造装置内に設
けることが好ましい。
中に、非イオン性のシリカ成分をイオン化させる手段
と、イオン化した水中のシリカ成分を固体電解質にイオ
ン交換により固定化する手段、例えばイオン交換樹脂塔
を設けることによって構成される。これらは、装置が超
純水製造装置である場合には一次系純水製造装置内に設
けることが好ましい。
【００２４】上記の非イオン性のシリカ成分をイオン化
させる手段は、例えば水を所定時間通過滞留させる容器
（オゾン反応槽）と、この容器内の水のオゾン濃度を一
定値以上に維持するようにオゾンを溶解する手段と、オ
ゾンが溶解した水にＵＶ照射をする手段と、更に要すれ
ば容器内の水を撹拌する手段を組合せることで構成され
る。オゾン溶解手段としては、特に限定されるものでは
ないが、例えば容器に水を給水するライン中にエゼク
タ，アトマイザ，タービン，ミキサ等を設けて気液混合
させる方式が採用できる。上記容器は特に限定されるも
のではないが、下部から未処理水を流入させると共に下
部からオゾンを曝気し、上部から溢流式で処理水を次段
に流す方式のものを代表的に例示することができる。ま
たオゾン曝気に伴って水中に気泡が混入することが考え
られる場合には、次の工程でＵＶ照射効率を効率化する
ためにオゾン曝気槽とＵＶ照射装置の間に気液分離槽を
設けることが好ましい。
させる手段は、例えば水を所定時間通過滞留させる容器
（オゾン反応槽）と、この容器内の水のオゾン濃度を一
定値以上に維持するようにオゾンを溶解する手段と、オ
ゾンが溶解した水にＵＶ照射をする手段と、更に要すれ
ば容器内の水を撹拌する手段を組合せることで構成され
る。オゾン溶解手段としては、特に限定されるものでは
ないが、例えば容器に水を給水するライン中にエゼク
タ，アトマイザ，タービン，ミキサ等を設けて気液混合
させる方式が採用できる。上記容器は特に限定されるも
のではないが、下部から未処理水を流入させると共に下
部からオゾンを曝気し、上部から溢流式で処理水を次段
に流す方式のものを代表的に例示することができる。ま
たオゾン曝気に伴って水中に気泡が混入することが考え
られる場合には、次の工程でＵＶ照射効率を効率化する
ためにオゾン曝気槽とＵＶ照射装置の間に気液分離槽を
設けることが好ましい。
【００２５】本発明の純水製造装置を一次系純水製造装
置内に設ける場合、実施例で詳細に後述する如く一次系
純水製造装置に用いられている複床式純水製造装置と組
み合わせることができる。この複床式純水製造装置とし
ては、例えば強酸性陽イオン交換樹脂を充填したＫ塔
と、脱炭酸塔と、強塩基性陰イオン交換樹脂を充填した
Ａ塔とを組合せた所謂２床３塔式純水製造装置を代表的
に例示でき、原水を先ずＫ塔に通水して原水に含まれる
陽イオンを水素イオンに置換して鉱酸（ＨＣｌ，ＨＮＯ
3 ，Ｈ2 ＳＯ4 等）、炭酸（Ｈ2 ＣＯ3 ）、珪酸（Ｈ2
ＳｉＯ3 等）を生成させ、次いで上記酸のうち炭酸を脱
炭酸塔で物理的手段によって除去した後、鉱酸及び珪酸
をＡ塔で除去するものである。
置内に設ける場合、実施例で詳細に後述する如く一次系
純水製造装置に用いられている複床式純水製造装置と組
み合わせることができる。この複床式純水製造装置とし
ては、例えば強酸性陽イオン交換樹脂を充填したＫ塔
と、脱炭酸塔と、強塩基性陰イオン交換樹脂を充填した
Ａ塔とを組合せた所謂２床３塔式純水製造装置を代表的
に例示でき、原水を先ずＫ塔に通水して原水に含まれる
陽イオンを水素イオンに置換して鉱酸（ＨＣｌ，ＨＮＯ
3 ，Ｈ2 ＳＯ4 等）、炭酸（Ｈ2 ＣＯ3 ）、珪酸（Ｈ2
ＳｉＯ3 等）を生成させ、次いで上記酸のうち炭酸を脱
炭酸塔で物理的手段によって除去した後、鉱酸及び珪酸
をＡ塔で除去するものである。
【００２６】脱炭酸塔は、ラシヒリング、テラレットパ
ッキン等の充填材を充填した充填塔と、その下部に有す
る脱炭酸水槽から成るもので、Ｋ塔処理水を充填塔の上
部から流入させ、充填塔の下部からブロアーを用いて空
気等の気体を流入させてここで気液接触させ、Ｋ塔処理
水中に含まれている炭酸を炭酸ガスとして放出させ、炭
酸を除いた水を脱炭酸水槽に滞留させるものであり、Ｋ
塔処理水中に含まれる炭酸を脱炭酸塔で除去することに
よりＡ塔のイオン負荷を低減させるるものである。
ッキン等の充填材を充填した充填塔と、その下部に有す
る脱炭酸水槽から成るもので、Ｋ塔処理水を充填塔の上
部から流入させ、充填塔の下部からブロアーを用いて空
気等の気体を流入させてここで気液接触させ、Ｋ塔処理
水中に含まれている炭酸を炭酸ガスとして放出させ、炭
酸を除いた水を脱炭酸水槽に滞留させるものであり、Ｋ
塔処理水中に含まれる炭酸を脱炭酸塔で除去することに
よりＡ塔のイオン負荷を低減させるるものである。
【００２７】
【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。
る。
【００２８】実施例１ 図１は、本発明を適用した超純水製造装置の構成概要の
一部を示したものであり、この図の例は、図９に示した
従来一般的な超純水製造装置の一次系純水製造装置に、
非イオン性のシリカ成分を除去するための構成を組み込
んだ例のものを示している。
一部を示したものであり、この図の例は、図９に示した
従来一般的な超純水製造装置の一次系純水製造装置に、
非イオン性のシリカ成分を除去するための構成を組み込
んだ例のものを示している。
【００２９】超純水製造設備の一次系に設けられる、非
イオン性のシリカ成分を除去する図１の構成では、未処
理水（非イオン性のシリカ成分の除去がされていない
水）は、前段の例えば原水タンク１から未処理水送水管
２を通してポンプＰにより反応槽３に送られる。そして
この未処理水送水管２の途中には耐酸・耐オゾン性の材
質で作られたエゼクタ４が設けられ、そのアスピレータ
の作用でオゾンを吸引して効率の良い気液混合が行なわ
れる。
イオン性のシリカ成分を除去する図１の構成では、未処
理水（非イオン性のシリカ成分の除去がされていない
水）は、前段の例えば原水タンク１から未処理水送水管
２を通してポンプＰにより反応槽３に送られる。そして
この未処理水送水管２の途中には耐酸・耐オゾン性の材
質で作られたエゼクタ４が設けられ、そのアスピレータ
の作用でオゾンを吸引して効率の良い気液混合が行なわ
れる。
【００３０】上記の耐酸・耐オゾン性の材質で作られた
反応槽３には、上記オゾンを溶解した未処理水が下部か
ら供給されることで、槽底部に設けられた散気管５によ
りオゾンが曝気され、この反応槽３内のオゾン濃度を所
定値以上に維持する。なおこの実施装置においては、反
応槽３及び散気管５の内面を精密電解複合研磨を行なっ
て微粒子汚染を防止することがよい。
反応槽３には、上記オゾンを溶解した未処理水が下部か
ら供給されることで、槽底部に設けられた散気管５によ
りオゾンが曝気され、この反応槽３内のオゾン濃度を所
定値以上に維持する。なおこの実施装置においては、反
応槽３及び散気管５の内面を精密電解複合研磨を行なっ
て微粒子汚染を防止することがよい。
【００３１】オゾン曝気の終った処理水は、気液分離槽
６に導かれて気液分離し、更に紫外線照射装置７を通し
た後、例えば図９で示しているフローに従って、無塵ポ
ンプ（二国機械工業社製等）８により膜処理装置（例え
ば逆浸透膜：日東電工社製）９で膜濾過し、混床式イオ
ン交換樹脂塔（ＭＢＰ）１０で処理される。
６に導かれて気液分離し、更に紫外線照射装置７を通し
た後、例えば図９で示しているフローに従って、無塵ポ
ンプ（二国機械工業社製等）８により膜処理装置（例え
ば逆浸透膜：日東電工社製）９で膜濾過し、混床式イオ
ン交換樹脂塔（ＭＢＰ）１０で処理される。
【００３２】実施例２ 図２は、本発明の特徴的な構成である非イオン性のシリ
カ成分の除去機構を超純水製造装置の二次系純水製造装
置内に設けた場合の代表的な一例を示したものである。
この図の例では、一次系純水製造装置では、原水が前処
理装置を経てイオン交換樹脂塔、逆浸透膜、ポリシャー
を通して一次純水が製造され、一次純水貯留タンク１１
に溜められる。次に図１で示した非イオン性のシリカ成
分の除去機構であるオゾン反応、気液分離、紫外線照射
の各処理装置を通した後、脱酸素装置（例えば真空脱
気、パラジュウム樹脂塔、窒素曝気）を通し、更にイオ
ン交換手段（ＣＰ）、膜濾過手段（ＵＦ，ＲＯ）を経て
ユースポイント（Ｕ．Ｐ）に給水されるようにしてい
る。余分の超純水は貯留タンク１１に戻される。
カ成分の除去機構を超純水製造装置の二次系純水製造装
置内に設けた場合の代表的な一例を示したものである。
この図の例では、一次系純水製造装置では、原水が前処
理装置を経てイオン交換樹脂塔、逆浸透膜、ポリシャー
を通して一次純水が製造され、一次純水貯留タンク１１
に溜められる。次に図１で示した非イオン性のシリカ成
分の除去機構であるオゾン反応、気液分離、紫外線照射
の各処理装置を通した後、脱酸素装置（例えば真空脱
気、パラジュウム樹脂塔、窒素曝気）を通し、更にイオ
ン交換手段（ＣＰ）、膜濾過手段（ＵＦ，ＲＯ）を経て
ユースポイント（Ｕ．Ｐ）に給水されるようにしてい
る。余分の超純水は貯留タンク１１に戻される。
【００３３】図１に示した本発明の装置を使用して超純
水中の非イオン性のシリカ成分の除去を行なった場合の
試験例を説明する。
水中の非イオン性のシリカ成分の除去を行なった場合の
試験例を説明する。
【００３４】試験例１反応槽 図１の装置における未処理水（脱塩水）液量を２５０リ
ットル／ｈ、反応タンク容量を１ｍ3 （曝気槽５００リ
ットル、気液分離槽５００リットル；従って反応時間２
時間）として、超純水製造を行なった。
ットル／ｈ、反応タンク容量を１ｍ3 （曝気槽５００リ
ットル、気液分離槽５００リットル；従って反応時間２
時間）として、超純水製造を行なった。
【００３５】オゾン注入量 注入オゾン濃度：１０４ｇ／Ｎｍ3 オゾン注入量：４ｌ／ｍｉｎ なお処理中の反応槽出口のオゾン濃度は２．５〜３ｐｐ
ｍで変動した。
ｍで変動した。
【００３６】シリカ成分の測定 上記反応槽３の出口水を紫外線照射装置（千代田工販社
製；波長２５４ｎｍ，殺菌効果１ｍ3 ／ｈ用；照射量３
０Ｗ・ｈ／ｍ3 ）に通した後、無塵ポンプ（二国機械工
業社製）により膜処理装置（逆浸透膜：日東電工社製）
に通した水、及びこれを更に混床式イオン交換樹脂塔に
通した水、に含まれるシリカを、誘導結合プラズマ質量
分析装置ＩＣＰ−ＭＳ（横河電機社製）によって測定し
た。結果を図３及び下記表１に示した。
製；波長２５４ｎｍ，殺菌効果１ｍ3 ／ｈ用；照射量３
０Ｗ・ｈ／ｍ3 ）に通した後、無塵ポンプ（二国機械工
業社製）により膜処理装置（逆浸透膜：日東電工社製）
に通した水、及びこれを更に混床式イオン交換樹脂塔に
通した水、に含まれるシリカを、誘導結合プラズマ質量
分析装置ＩＣＰ−ＭＳ（横河電機社製）によって測定し
た。結果を図３及び下記表１に示した。
【００３７】
【表１】
【００３８】また、比較のためにオゾン処理を行なわな
かった場合（但し、紫外線照射は同様に行なった）の水
につき、同様の測定を行ないその結果を併せて表１に示
した。
かった場合（但し、紫外線照射は同様に行なった）の水
につき、同様の測定を行ないその結果を併せて表１に示
した。
【００３９】実施例３ 本例は複床式純水製造装置を本発明に組み合わせた例を
示し図４はそのフローの一例を示している。
示し図４はそのフローの一例を示している。
【００４０】この図４において、１０１は強酸性陽イオ
ン交換樹脂を充填したＫ塔、１０４は充填塔１０２及び
脱炭酸水槽１０３からなる脱炭酸塔であり、脱炭酸塔１
０４を通った水は脱炭酸水ポンプ１０５により紫外線照
射装置１０６と強塩基性陰イオン交換樹脂を充填したＡ
塔１０７を通過するように流される。
ン交換樹脂を充填したＫ塔、１０４は充填塔１０２及び
脱炭酸水槽１０３からなる脱炭酸塔であり、脱炭酸塔１
０４を通った水は脱炭酸水ポンプ１０５により紫外線照
射装置１０６と強塩基性陰イオン交換樹脂を充填したＡ
塔１０７を通過するように流される。
【００４１】そして本例の装置では充填塔１０２の下部
からオゾンを流入することを特徴としている。
からオゾンを流入することを特徴としている。
【００４２】すなわちＫ塔１０１の処理水を、オゾンを
流入する充填塔１０２で気液接触させることにより脱炭
酸を行なうと共にオゾンを溶解させ、次いで脱炭酸水槽
１０３内でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させ、その
後、紫外線照射装置１０６でオゾンを含有する脱炭酸水
に紫外線を照射して、非イオン性のシリカ成分をイオン
化し、次いでＡ塔１０７で当該イオン化したシリカ成分
と共に、元々存在するイオン状シリカ、鉱酸、残留する
炭酸等の陰イオンを除去することができる。
流入する充填塔１０２で気液接触させることにより脱炭
酸を行なうと共にオゾンを溶解させ、次いで脱炭酸水槽
１０３内でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させ、その
後、紫外線照射装置１０６でオゾンを含有する脱炭酸水
に紫外線を照射して、非イオン性のシリカ成分をイオン
化し、次いでＡ塔１０７で当該イオン化したシリカ成分
と共に、元々存在するイオン状シリカ、鉱酸、残留する
炭酸等の陰イオンを除去することができる。
【００４３】なお上記フローにおいて脱炭酸水槽におけ
るオゾン濃度、接触時間、紫外線照射等の条件は、上述
の条件と同様とされる。本例によれば、オゾン反応と脱
炭酸の処理を一括して行なわせることができる。
るオゾン濃度、接触時間、紫外線照射等の条件は、上述
の条件と同様とされる。本例によれば、オゾン反応と脱
炭酸の処理を一括して行なわせることができる。
【００４４】また本例の装置において、脱炭素水槽１０
３内に紫外線ランプを組み入れることにより、紫外線照
射装置１０６を省略することが可能となり、よりシンプ
ルな装置構造とすることができる。
３内に紫外線ランプを組み入れることにより、紫外線照
射装置１０６を省略することが可能となり、よりシンプ
ルな装置構造とすることができる。
【００４５】図５は複床式純水製造装置を用いる本発明
の他の例を示し、この例の特徴は、脱炭酸塔１０４とＡ
塔１０７の間に、反応タンク１１０と紫外線照射装置１
０６を設置したことにある。本例の場合は、脱炭酸塔１
０４の充填塔１０２ではブロアー１０８より空気を流入
し、脱炭酸水ポンプ１０５で吐出される脱炭酸水にエゼ
クター１０９によってオゾンを流入し、次いで反応タン
ク１１０でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させる。以降
は図４と同様であり、図５に示した例は例えば既設の複
床式純水製造装置に本発明を組み入れる場合に採用され
る。
の他の例を示し、この例の特徴は、脱炭酸塔１０４とＡ
塔１０７の間に、反応タンク１１０と紫外線照射装置１
０６を設置したことにある。本例の場合は、脱炭酸塔１
０４の充填塔１０２ではブロアー１０８より空気を流入
し、脱炭酸水ポンプ１０５で吐出される脱炭酸水にエゼ
クター１０９によってオゾンを流入し、次いで反応タン
ク１１０でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させる。以降
は図４と同様であり、図５に示した例は例えば既設の複
床式純水製造装置に本発明を組み入れる場合に採用され
る。
【００４６】図４及び図５に示したＫ塔及びＡ塔は、そ
れぞれ強酸性陽イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換
樹脂を充填するものであるが、これに限らず種々の形態
とすることができる。例えばＫ塔について言えば、Ｋ塔
内に弱酸性陽イオン交換樹脂と強酸性陽イオン交換樹脂
を複層床にして充填して、原水を弱酸性陽イオン交換樹
脂、強酸性陽イオン交換樹脂の順に通水するもの、ある
いはＫ塔を２塔にして第１塔に弱酸性陽イオン交換樹脂
を充填し、第２塔に強酸陽イオン交換樹脂を充填して、
原水を弱酸性陽イオン交換樹脂、強酸性陽イオン交換樹
脂の順に通水するものが採用でき、またＡ塔についても
Ａ塔内に弱塩基性陰イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン
交換樹脂を複層床に充填して、脱炭酸水を弱塩基性陰イ
オン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂の順に通水す
るもの、あるいはＡ塔を２塔にして第１塔に弱塩基性陰
イオン交換樹脂を充填し、第２塔に強塩基性陰イオン交
換樹脂を充填して、脱炭酸水を弱塩基性陰イオン交換樹
脂、強塩基性陰イオン交換樹脂の順に通水するものが採
用できる。
れぞれ強酸性陽イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換
樹脂を充填するものであるが、これに限らず種々の形態
とすることができる。例えばＫ塔について言えば、Ｋ塔
内に弱酸性陽イオン交換樹脂と強酸性陽イオン交換樹脂
を複層床にして充填して、原水を弱酸性陽イオン交換樹
脂、強酸性陽イオン交換樹脂の順に通水するもの、ある
いはＫ塔を２塔にして第１塔に弱酸性陽イオン交換樹脂
を充填し、第２塔に強酸陽イオン交換樹脂を充填して、
原水を弱酸性陽イオン交換樹脂、強酸性陽イオン交換樹
脂の順に通水するものが採用でき、またＡ塔についても
Ａ塔内に弱塩基性陰イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン
交換樹脂を複層床に充填して、脱炭酸水を弱塩基性陰イ
オン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂の順に通水す
るもの、あるいはＡ塔を２塔にして第１塔に弱塩基性陰
イオン交換樹脂を充填し、第２塔に強塩基性陰イオン交
換樹脂を充填して、脱炭酸水を弱塩基性陰イオン交換樹
脂、強塩基性陰イオン交換樹脂の順に通水するものが採
用できる。
【００４７】またイオン交換樹脂を再生するために用い
る再生薬液の通液についても、通水と同じ方向に再生薬
液を通液する並流再生式や通水と逆方向に再生薬液を通
液する向流再生式のいずれも用いることができる。
る再生薬液の通液についても、通水と同じ方向に再生薬
液を通液する並流再生式や通水と逆方向に再生薬液を通
液する向流再生式のいずれも用いることができる。
【００４８】図４及び図５は、本発明を一次系純水製造
装置に用いられる複床式純水製造装置に用いる例を述べ
たが、超純水製造設備の一次系純水製造装置内に本発明
を組み合わせる場合、例えば図６に示したフローとする
ことも出来る。
装置に用いられる複床式純水製造装置に用いる例を述べ
たが、超純水製造設備の一次系純水製造装置内に本発明
を組み合わせる場合、例えば図６に示したフローとする
ことも出来る。
【００４９】すなわち凝集沈澱装置や濾過装置、あるい
は凝集剤を添加しながら濾過するマイクロフロック濾過
装置等の前処理装置１２０で原水を処理して主に原水中
の懸濁物質を除去した後、２床３塔式純水製造装置１２
１で純水を製造し、次いで当該純水にオゾンを溶解させ
反応槽１２２で反応させた後、紫外線照射装置１２３で
処理して２床３塔式純水製造装置１２１の処理水中に含
まれる非イオン性のシリカ成分をイオン化する。
は凝集剤を添加しながら濾過するマイクロフロック濾過
装置等の前処理装置１２０で原水を処理して主に原水中
の懸濁物質を除去した後、２床３塔式純水製造装置１２
１で純水を製造し、次いで当該純水にオゾンを溶解させ
反応槽１２２で反応させた後、紫外線照射装置１２３で
処理して２床３塔式純水製造装置１２１の処理水中に含
まれる非イオン性のシリカ成分をイオン化する。
【００５０】次いで真空脱気装置１２４で処理して水中
の酸素を代表とする溶存気体を除去し、次いで混床式純
水製造装置１２５で前記イオン化したシリカとその他の
残留イオンを除去し、さらに逆浸透膜装置１２６で処理
して一次純水を製造する。なお前処理装置１２０から逆
浸透膜装置１２６までが一次系純水製造装置Ａである。
の酸素を代表とする溶存気体を除去し、次いで混床式純
水製造装置１２５で前記イオン化したシリカとその他の
残留イオンを除去し、さらに逆浸透膜装置１２６で処理
して一次純水を製造する。なお前処理装置１２０から逆
浸透膜装置１２６までが一次系純水製造装置Ａである。
【００５１】このようにして製造した一次純水を一次純
水貯槽１２７に移送し、次いで下記の２次系純水製造装
置（サブシステム）Ｂで処理する。
水貯槽１２７に移送し、次いで下記の２次系純水製造装
置（サブシステム）Ｂで処理する。
【００５２】すなわち一次純水を１８０ｎｍ前後の波長
を出す紫外線ランプを用いる紫外線照射装置１２８で処
理して微量残留する有機物を酸化分解し、次いで混床式
ポリシャー１２９、限外濾過膜装置１３０で処理して超
純水を製造する。なお得られた超純水はユースポイント
１３１で必要の都度用い、残余の超純水は一次純水貯槽
１２７に循環する。
を出す紫外線ランプを用いる紫外線照射装置１２８で処
理して微量残留する有機物を酸化分解し、次いで混床式
ポリシャー１２９、限外濾過膜装置１３０で処理して超
純水を製造する。なお得られた超純水はユースポイント
１３１で必要の都度用い、残余の超純水は一次純水貯槽
１２７に循環する。
【００５３】
【発明の効果】上述したように、本発明の方法によれ
ば、純水あるいは超純水の製造を工業的な規模で行なう
場合に、製造された純水（超純水）中の非イオン性のシ
リカ成分の量が、従来の方法によって製造されていた純
水（超純水）に比べて大幅に減少された純水（超純水）
を提供できるという効果がある。
ば、純水あるいは超純水の製造を工業的な規模で行なう
場合に、製造された純水（超純水）中の非イオン性のシ
リカ成分の量が、従来の方法によって製造されていた純
水（超純水）に比べて大幅に減少された純水（超純水）
を提供できるという効果がある。
【００５４】また、非イオン性のシリカ成分が水中に殆
ど存在しない純水（超純水）を工業的な規模の純水（超
純水）製造装置によって初めて提供できるという効果が
ある。
ど存在しない純水（超純水）を工業的な規模の純水（超
純水）製造装置によって初めて提供できるという効果が
ある。
【００５５】更に、特に本発明によれば、製品の品質管
理等の条件が年々厳しくなっている半導体製造分野にお
いて、製品歩留まりを低下させる要因となっている洗浄
用超純水中の不純物の量を飛躍的に減少できるという効
果もある。
理等の条件が年々厳しくなっている半導体製造分野にお
いて、製品歩留まりを低下させる要因となっている洗浄
用超純水中の不純物の量を飛躍的に減少できるという効
果もある。
【００５６】また更に本発明の方法及び装置によれば、
非イオン性のシリカ成分が除去できるだけでなく、オゾ
ンの溶解によって同時に、シリカ以外の無機質微粒子の
固形状化、紫外線併用で純水中の有機物の分解が行なわ
れ膜によって濾過除去もできるという効果がある。
非イオン性のシリカ成分が除去できるだけでなく、オゾ
ンの溶解によって同時に、シリカ以外の無機質微粒子の
固形状化、紫外線併用で純水中の有機物の分解が行なわ
れ膜によって濾過除去もできるという効果がある。
【図１】非イオン性のシリカ成分の除去装置を超純水製
造設備の一次系に組み込んだ場合の構成概要一例をフロ
ーで示した図。
造設備の一次系に組み込んだ場合の構成概要一例をフロ
ーで示した図。
【図２】超純水製造設備の二次系に非イオン性のシリカ
成分の除去装置を組み込んだ構成概要一例をフローで示
した図。
成分の除去装置を組み込んだ構成概要一例をフローで示
した図。
【図３】図１の装置で非イオン性のシリカ成分を除去し
た試験の結果を示した図。
た試験の結果を示した図。
【図４】非イオン性のシリカ成分の除去装置を組み込ん
だ複床式純水製造装置の構成概要一例をフローで示した
図。
だ複床式純水製造装置の構成概要一例をフローで示した
図。
【図５】非イオン性のシリカ成分の除去装置を組み込ん
だ複床式純水製造装置の他の例をフローで示した図。
だ複床式純水製造装置の他の例をフローで示した図。
【図６】超純水製造設備の一次系に、非イオン性のシリ
カ成分の除去装置を組み込んだ場合の構成概要一例をフ
ローで示した図。
カ成分の除去装置を組み込んだ場合の構成概要一例をフ
ローで示した図。
【図７】従来の純水製造法で処理された水に含まれるシ
リカの濃度変化を示した図。
リカの濃度変化を示した図。
【図８】オゾン処理、紫外線照射の条件によって、水中
のシリカ成分がイオン化する割合が異なることを検討し
た結果を示した図。
のシリカ成分がイオン化する割合が異なることを検討し
た結果を示した図。
【図９】従来の超純水製造装置の構成概要一例をフロー
で示した図。
で示した図。
１：原水タンク、２：未処理水送水管、３：反応槽、
４：エゼクタ、５：散気管、６：気液分離槽、７：紫外
線照射装置、８：無塵ポンプ ９：膜処理装置、１０：混床式イオン交換樹脂塔、１
１：貯留タンク。
４：エゼクタ、５：散気管、６：気液分離槽、７：紫外
線照射装置、８：無塵ポンプ ９：膜処理装置、１０：混床式イオン交換樹脂塔、１
１：貯留タンク。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【発明の背景と従来の技術】本発明を、半導体製造等の
電子工業分野を例にして以下説明する。半導体製造にお
いては、ウエハ洗浄等のために、従来から電解質、微粒
子、生菌等が極めて少ない高度に精製された超高度純
水、いわゆる超純水が用いられている。この超純水製造
設備は、純水中に微量に含まれる電解質、微粒子、有機
物、生菌等を除去するためにイオン交換樹脂、逆浸透膜
あるいは限外濾過膜等の膜濾過手段、紫外線酸化手段、
ポリシャーなどを用いたシステムの組合わせで構成され
るのが一般的である。図９はこのような従来設備の一例
を示し、凝集沈殿装置，濾過装置等の前処理装置で原水
中の懸濁物質の除去を行ない、次にイオン交換樹脂を用
いた脱塩水（純水）製造装置、逆浸透膜装置、真空脱気
装置、ポリシャー（ＭＢＰ）等で大半の電解質，微粒
子，生菌等の除去を行ない、このような一次系純水製造
装置から得られる一次純水をさらに殺菌や有機物分解を
するための紫外線（殺菌，酸化）装置，ポリシャー、限
外濾過膜等からなる二次系純水製造装置で上記一次純水
にわずかに残留している極微量の不純物の除去を行なう
という構成である。なお、二次系純水製造装置は、一次
系純水製造装置から離してユースポイント（Ｕ．Ｐ）近
傍に設ける場合が多い。
電子工業分野を例にして以下説明する。半導体製造にお
いては、ウエハ洗浄等のために、従来から電解質、微粒
子、生菌等が極めて少ない高度に精製された超高度純
水、いわゆる超純水が用いられている。この超純水製造
設備は、純水中に微量に含まれる電解質、微粒子、有機
物、生菌等を除去するためにイオン交換樹脂、逆浸透膜
あるいは限外濾過膜等の膜濾過手段、紫外線酸化手段、
ポリシャーなどを用いたシステムの組合わせで構成され
るのが一般的である。図９はこのような従来設備の一例
を示し、凝集沈殿装置，濾過装置等の前処理装置で原水
中の懸濁物質の除去を行ない、次にイオン交換樹脂を用
いた脱塩水（純水）製造装置、逆浸透膜装置、真空脱気
装置、ポリシャー（ＭＢＰ）等で大半の電解質，微粒
子，生菌等の除去を行ない、このような一次系純水製造
装置から得られる一次純水をさらに殺菌や有機物分解を
するための紫外線（殺菌，酸化）装置，ポリシャー、限
外濾過膜等からなる二次系純水製造装置で上記一次純水
にわずかに残留している極微量の不純物の除去を行なう
という構成である。なお、二次系純水製造装置は、一次
系純水製造装置から離してユースポイント（Ｕ．Ｐ）近
傍に設ける場合が多い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】本発明において用いられるＵＶは、特に限
定されるものではなく一般的にＵＶランプと称されてい
るもの（たとえば発光波長が１７０〜４００ｎｍのラン
プ）を用いて有効に実施できる。ＵＶの照射は、少なく
とも上記の濃度で水中に溶解されているオゾンを分解す
るのに十分な程度照射される。
定されるものではなく一般的にＵＶランプと称されてい
るもの（たとえば発光波長が１７０〜４００ｎｍのラン
プ）を用いて有効に実施できる。ＵＶの照射は、少なく
とも上記の濃度で水中に溶解されているオゾンを分解す
るのに十分な程度照射される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】本発明の純水製造装置は、その製造ライン
中に、非イオン性のシリカ成分をイオン化させる手段
と、イオン化した水中のシリカ成分を固体電解質にイオ
ン交換により固定化する手段、例えばイオン交換樹脂塔
を設けることによって構成される。これらは、装置が超
純水製造装置である場合には一次系純水製造装置内に設
けることが好ましい。なお本発明における固体電解質と
は、イオン状シリカを吸着固定できる球状，破砕状，粉
末状，繊維状の無機質イオン交換体，有機質イオン交換
体を指し、たとえばスチレンとジビニルベンゼンの共重
合体に交換基として第４アンモニウム塩を有した強塩基
性陰イオン交換樹脂が好ましく用いられる。
中に、非イオン性のシリカ成分をイオン化させる手段
と、イオン化した水中のシリカ成分を固体電解質にイオ
ン交換により固定化する手段、例えばイオン交換樹脂塔
を設けることによって構成される。これらは、装置が超
純水製造装置である場合には一次系純水製造装置内に設
けることが好ましい。なお本発明における固体電解質と
は、イオン状シリカを吸着固定できる球状，破砕状，粉
末状，繊維状の無機質イオン交換体，有機質イオン交換
体を指し、たとえばスチレンとジビニルベンゼンの共重
合体に交換基として第４アンモニウム塩を有した強塩基
性陰イオン交換樹脂が好ましく用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】オゾン曝気の終った処理水は、気液分離槽
６に導かれて気液分離し、更に紫外線照射装置７を通し
た後、無塵ポンプ（二国機械工業社製等）８により膜処
理装置（例えば逆浸透膜：日東電工社製）９で膜濾過
し、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹
脂の混合樹脂が充填された混床式イオン交換樹脂塔（Ｍ
ＢＰ）１０で処理される。未処理水中の非イオン状シリ
カは、オゾン処理および紫外線処理によってイオン状シ
リカとなり、このイオン状シリカは混床式イオン交換樹
脂塔内の強塩基性陰イオン交換樹脂によって除去され
る。
６に導かれて気液分離し、更に紫外線照射装置７を通し
た後、無塵ポンプ（二国機械工業社製等）８により膜処
理装置（例えば逆浸透膜：日東電工社製）９で膜濾過
し、強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰イオン交換樹
脂の混合樹脂が充填された混床式イオン交換樹脂塔（Ｍ
ＢＰ）１０で処理される。未処理水中の非イオン状シリ
カは、オゾン処理および紫外線処理によってイオン状シ
リカとなり、このイオン状シリカは混床式イオン交換樹
脂塔内の強塩基性陰イオン交換樹脂によって除去され
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】実施例２ 図２は、本発明の特徴的な構成である非イオン性のシリ
カ成分の除去機構を超純水製造装置の二次系純水製造装
置内に設けた場合の代表的な一例を示したものである。
この図の例では、一次系純水製造装置では、原水が前処
理装置を経てイオン交換樹脂塔、逆浸透膜、ポリシャー
を通して一次純水が製造され、一次純水貯留タンク１１
に溜められる。次に図１で示した非イオン性のシリカ成
分をイオン状シリカに変換する機構であるオゾン反応、
気液分離、紫外線照射の各処理装置を通した後、脱酸素
装置（例えば真空脱気、パラジュウム樹脂塔、窒素曝
気）を通し、更に強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰
イオン交換樹脂の混合樹脂を用いるイオン交換手段（Ｃ
Ｐ）、膜濾過手段（ＵＦ，ＲＯ）を経てユースポイント
（Ｕ．Ｐ）に給水されるようにしている。余分の超純水
は貯留タンク１１に戻される。
カ成分の除去機構を超純水製造装置の二次系純水製造装
置内に設けた場合の代表的な一例を示したものである。
この図の例では、一次系純水製造装置では、原水が前処
理装置を経てイオン交換樹脂塔、逆浸透膜、ポリシャー
を通して一次純水が製造され、一次純水貯留タンク１１
に溜められる。次に図１で示した非イオン性のシリカ成
分をイオン状シリカに変換する機構であるオゾン反応、
気液分離、紫外線照射の各処理装置を通した後、脱酸素
装置（例えば真空脱気、パラジュウム樹脂塔、窒素曝
気）を通し、更に強酸性陽イオン交換樹脂と強塩基性陰
イオン交換樹脂の混合樹脂を用いるイオン交換手段（Ｃ
Ｐ）、膜濾過手段（ＵＦ，ＲＯ）を経てユースポイント
（Ｕ．Ｐ）に給水されるようにしている。余分の超純水
は貯留タンク１１に戻される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】試験例１反応槽 図１の装置における未処理水（脱塩水）液量を２５０リ
ットル／ｈ、反応槽容量を１ｍ3 （曝気槽５００リット
ル、気液分離槽５００リットル；従って反応時間２時
間）として、超純水製造を行なった。
ットル／ｈ、反応槽容量を１ｍ3 （曝気槽５００リット
ル、気液分離槽５００リットル；従って反応時間２時
間）として、超純水製造を行なった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】オゾン注入量 注入オゾン濃度：１０４ｇ／Ｎｍ3 オゾン注入量：４ｍｌ／ｍｉｎ なお処理中の反応槽出口のオゾン濃度は２．５〜３ｐｐ
ｍで変動した。
ｍで変動した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】図５は複床式純水製造装置を用いる本発明
の他の例を示し、この例の特徴は、脱炭酸塔１０４とＡ
塔１０７の間に、反応槽１１０と紫外線照射装置１０６
を設置したことにある。本例の場合は、脱炭酸塔１０４
の充填塔１０２ではブロアー１０８より空気を流入し、
脱炭酸水ポンプ１０５で吐出される脱炭酸水にエゼクタ
ー１０９によってオゾンを流入し、次いで反応タンク１
１０でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させる。以降は図
４と同様であり、図５に示した例は例えば既設の複床式
純水製造装置に本発明を組み入れる場合に採用される。
の他の例を示し、この例の特徴は、脱炭酸塔１０４とＡ
塔１０７の間に、反応槽１１０と紫外線照射装置１０６
を設置したことにある。本例の場合は、脱炭酸塔１０４
の充填塔１０２ではブロアー１０８より空気を流入し、
脱炭酸水ポンプ１０５で吐出される脱炭酸水にエゼクタ
ー１０９によってオゾンを流入し、次いで反応タンク１
１０でオゾンと脱炭酸水とを接触反応させる。以降は図
４と同様であり、図５に示した例は例えば既設の複床式
純水製造装置に本発明を組み入れる場合に採用される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０２Ｆ 9/00 Ｚ 6647−4Ｄ (72)発明者 川田 和彦 埼玉県戸田市川岸１丁目４番９号 オルガ ノ株式会社総合研究所内 (72)発明者 伴 功二 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 柳 基典 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 福本 隼明 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社エル・エス・アイ研究所内
Claims (13)
- 【請求項１】 水中に含まれていて、そのままではモリ
ブデン酸試薬に反応しない非イオン性のシリカ成分をイ
オン化させる工程と、このイオン化したシリカ成分を固
体電解質に吸着して水中から除去する工程とを有するこ
とを特徴とする純水の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、水中に含まれていて
そのままではモリブデン酸試薬に反応しない非イオン性
のシリカ成分をイオン化させる工程が、該シリカ成分を
オゾンに接触させる工程と、この工程の次ぎに該シリカ
成分に紫外線を照射する工程とを含むことを特徴とする
純水の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、シリカ成分をオゾン
に接触させる工程が、該シリカ成分を含む水をオゾン濃
度０．５ｐｐｍ以上に維持して２０分以上反応させる工
程であることを特徴とする純水の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１において、水中に含まれていて
そのままではモリブデン酸試薬に反応しない非イオン性
のシリカ成分をイオン化させる工程が、該シリカ成分を
オゾンに接触させる工程と、この工程と同時に該シリカ
成分に紫外線を照射する工程とを含むことを特徴とする
純水の製造方法。 - 【請求項５】 水中に含まれていて、そのままではモリ
ブデン酸試薬に反応しない非イオン性のシリカ成分をイ
オン化させる手段と、イオン化された水中のシリカ成分
を固体電解質にイオン交換により固定化する手段と、を
備えたことを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項６】 請求項５のシリカ成分をイオン化させる
手段及びイオン化したシリカ成分を固体電解質に固定化
する手段が、超純水製造設備の一次系純水製造装置内に
設けられていることを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項７】 請求項５又は６において、水中に含まれ
ていてそのままではモリブデン酸試薬に反応しない非イ
オン性のシリカ成分をイオン化させる手段が、該水を所
定時間通過滞留させる容器と、この容器内の水にオゾン
を溶解する手段と、オゾンが溶解した水に紫外線を照射
する手段とを備えたことを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項８】 請求項７において、水を所定時間通過滞
留させる容器と紫外線を照射する手段の間に、気液分離
手段を設けたことを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項９】 請求項５又は６において、水中のイオン
化されたシリカ成分をイオン交換して固体電解質に固定
化する手段が、イオン交換樹脂を充填したイオン交換樹
脂塔であることを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項１０】 請求項６の一次系純水製造装置が複床
式純水製造装置であって、陽イオン交換樹脂を充填する
Ｋ塔と陰イオン交換樹脂を充填するＡ塔の間に、非イオ
ン性のシリカ成分にオゾンを接触させるオゾン反応槽
と、紫外線照射装置とを、非イオン性のシリカ成分をイ
オン化させる手段として設置したことを特徴とする純水
の製造装置。 - 【請求項１１】 請求項１０において、オゾン反応槽の
前段に脱炭酸塔を設置したことを特徴とする純水の製造
装置。 - 【請求項１２】 請求項６の一次系純水製造装置が複床
式純水製造装置であって、陽イオン交換樹脂を充填する
Ｋ塔と陰イオン交換樹脂を充填するＡ塔の間に、オゾン
を曝気気体として用いる脱炭酸塔と紫外線照射装置と
を、非イオン性のシリカ成分をイオン化させる手段とし
て設置したことを特徴とする純水の製造装置。 - 【請求項１３】 請求項１２において、紫外線照射装置
を脱炭酸塔の下部貯水槽に設けたことを特徴とする純水
の製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257291A JP2677468B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 純水の製造方法及び装置 |
| KR1019920018034A KR950006686B1 (ko) | 1991-10-04 | 1992-10-01 | 순수(純水)의 제조방법 및 장치 |
| US07/955,143 US5470461A (en) | 1991-10-04 | 1992-10-01 | Apparatus for producing pure water |
| DE4233270A DE4233270C2 (de) | 1991-10-04 | 1992-10-02 | Verfahren zur Entfernung von nichtionogenen Siliciumdioxidbestandteilen aus Wasser |
| US08/439,124 US5554295A (en) | 1991-10-04 | 1995-05-11 | Method for producing pure water |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257291A JP2677468B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 純水の製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0596277A true JPH0596277A (ja) | 1993-04-20 |
| JP2677468B2 JP2677468B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=17304336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257291A Expired - Fee Related JP2677468B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 純水の製造方法及び装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5470461A (ja) |
| JP (1) | JP2677468B2 (ja) |
| KR (1) | KR950006686B1 (ja) |
| DE (1) | DE4233270C2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6409918B1 (en) * | 1997-11-06 | 2002-06-25 | Kurita Water Industries Ltd. | Apparatus for supplying ozonated ultrapure water |
| JP2007021408A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Mitsubishi Rayon Eng Co Ltd | 水処理装置及び方法 |
| JP2009541036A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | ゴンザレス アルコセアー，ユアン ヨルゲ デイアズ | 水からのシリカ除去を必要とする冷却塔及び各種工程での水処理の方法と統合的システム |
| JP2012179538A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Air Water Inc | 廃水処理装置および方法 |
| JP2017202466A (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | 栗田工業株式会社 | 有機物含有排水の処理方法及び装置 |
| CN111362468A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种臭氧、改性沸石和超滤膜复合装置及其使用方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5645727A (en) * | 1994-05-06 | 1997-07-08 | Illinois Water Treatment, Inc. | On-line ozonation in ultra pure water membrane filtration |
| NZ264188A (en) * | 1994-08-05 | 1996-10-28 | Ennotech Holdings Ltd | Method and apparatus for sterilising electrically conductive liquid by creating a voltage gradient between electrodes in contact with the liquid |
| JP3518112B2 (ja) * | 1995-12-06 | 2004-04-12 | 東京瓦斯株式会社 | 燃料電池の水処理装置 |
| US6562205B1 (en) * | 1997-03-31 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-temperature ultrapure water production apparatus and liquid medicine preparation apparatus equipped with the production apparatus |
| KR100253095B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체소자제조용용수처리설비의광산화처리장치 |
| US6455017B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-09-24 | John R. Kasting, Jr. | Method and mobile apparatus for washdown and sanitizing |
| RU2151106C1 (ru) * | 1999-07-12 | 2000-06-20 | Боголицын Константин Григорьевич | Способ очистки воды и модульное устройство для его осуществления |
| US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| US7456113B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-11-25 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| US6607668B2 (en) | 2001-08-17 | 2003-08-19 | Technology Ventures, Inc. | Water purifier |
| DE10144510A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-04-03 | Wedeco Ag | Ozon/UV-Kombination zum Abbau von endokrinen Substanzen |
| US20040002430A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-01 | Applied Materials, Inc. | Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use |
| US6991733B2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-01-31 | Industrial Technology Research Institute | Process for removing organics from ultrapure water |
| US8968576B2 (en) * | 2004-11-30 | 2015-03-03 | The Administrators Of The Tulane Educational Fund | Nebulizing treatment method |
| US7564816B2 (en) * | 2006-05-12 | 2009-07-21 | Shared Spectrum Company | Method and system for determining spectrum availability within a network |
| JP5143002B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2013-02-13 | メタウォーター株式会社 | 排水再利用方法 |
| WO2008089279A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | The Purolite Company | Reduced fouling of reverse osmosis membranes |
| RU2431610C2 (ru) * | 2009-06-08 | 2011-10-20 | Витаутас Валентинович Сенкус | Комплексный способ безреагентной очистки сточных вод и брикетирования ила |
| WO2011043686A1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | Limited Liability Corporation Torgovyy Dom "Promtsentr" | Modular water treatment plant (embodiments) |
| RU2422384C1 (ru) * | 2009-12-15 | 2011-06-27 | Владимир Михайлович Еськов-Сосковец | Способ комплексной очистки воды и установка для его реализации |
| CN103449639B (zh) * | 2013-09-16 | 2014-11-05 | 中国海洋石油总公司 | 一种微串联-内循环光电催化氧化废水处理方法 |
| RU2605983C1 (ru) * | 2015-10-08 | 2017-01-10 | Государственное унитарное предприятие города Москвы по эксплуатации московских водоотводящих систем "Мосводосток" (ГУП "Мосводосток") | Установка очистки поверхностного стока |
| CN107673533B (zh) * | 2015-11-13 | 2020-12-04 | 江苏理工学院 | 一种零废水排放的制备超纯水的方法 |
| RU2616463C1 (ru) * | 2016-02-10 | 2017-04-17 | Евгений Анатольевич Погадаев | Способ очистки жидких смесей |
| CN105819628A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-03 | 山东成泰化工有限公司 | 一种工业用水循环再利用装置 |
| CN105967402A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-09-28 | 许昌豪丰化学科技有限公司 | 一种苯硼酸生产线的废水处理系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188988A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-16 | Ebara Res Co Ltd | 純水又は超純水の精製方法及び装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3197401A (en) * | 1963-12-27 | 1965-07-27 | Rohm & Haas | Method for regenerating weakly basic anion exchange resin |
| US3458438A (en) * | 1966-03-09 | 1969-07-29 | Crane Co | Method and apparatus for water treatment |
| US3870033A (en) * | 1973-11-30 | 1975-03-11 | Aqua Media | Ultra pure water process and apparatus |
| US4548716A (en) * | 1984-07-25 | 1985-10-22 | Lucas Boeve | Method of producing ultrapure, pyrogen-free water |
| JPS6239769A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-20 | Hitachi Ltd | 水中の全シリカの自動分析装置 |
| JPH089030B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1996-01-31 | 三菱電機株式会社 | イオン交換樹脂による水のｐＨ制御方法 |
| US5024766A (en) * | 1988-11-09 | 1991-06-18 | Shahzad Mahmud | Point of use deionized water purification unit |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257291A patent/JP2677468B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-01 KR KR1019920018034A patent/KR950006686B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-01 US US07/955,143 patent/US5470461A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-02 DE DE4233270A patent/DE4233270C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-11 US US08/439,124 patent/US5554295A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188988A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-16 | Ebara Res Co Ltd | 純水又は超純水の精製方法及び装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6409918B1 (en) * | 1997-11-06 | 2002-06-25 | Kurita Water Industries Ltd. | Apparatus for supplying ozonated ultrapure water |
| JP2007021408A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Mitsubishi Rayon Eng Co Ltd | 水処理装置及び方法 |
| JP2009541036A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | ゴンザレス アルコセアー，ユアン ヨルゲ デイアズ | 水からのシリカ除去を必要とする冷却塔及び各種工程での水処理の方法と統合的システム |
| JP2012179538A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Air Water Inc | 廃水処理装置および方法 |
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