JPH0598420A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
- Publication number
- JPH0598420A JPH0598420A JP3259301A JP25930191A JPH0598420A JP H0598420 A JPH0598420 A JP H0598420A JP 3259301 A JP3259301 A JP 3259301A JP 25930191 A JP25930191 A JP 25930191A JP H0598420 A JPH0598420 A JP H0598420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate
- thin film
- film layer
- film
- visible light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 可視光に対して高い透過率を示し、低価格
で、容易に製造できる、導電、熱線反射、帯電防止、電
磁波遮断、透明断熱等の用途に用いる積層体を提供す
る。 【構成】 光透過性基材の少なくとも片面に、プラズマ
重合膜層、金属薄膜層およびプラズマ重合膜層が、この
順序で積層されてなる選択光透過性積層体。
で、容易に製造できる、導電、熱線反射、帯電防止、電
磁波遮断、透明断熱等の用途に用いる積層体を提供す
る。 【構成】 光透過性基材の少なくとも片面に、プラズマ
重合膜層、金属薄膜層およびプラズマ重合膜層が、この
順序で積層されてなる選択光透過性積層体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、可視光に対する透過率
の改善された、導電性積層体に関する。
の改善された、導電性積層体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、(1)銀、銅、金等の金属薄
膜、(2)SnO2 、ITO等の金属酸化物薄膜、ある
いは(3)高屈折率誘導体/Ag/高屈折率誘導体の薄
膜三層積層体を透明性基板上に形成した積層体は、導
電、熱線反射、帯電防止、電磁波遮断、透明断熱等の用
途に利用されている。
膜、(2)SnO2 、ITO等の金属酸化物薄膜、ある
いは(3)高屈折率誘導体/Ag/高屈折率誘導体の薄
膜三層積層体を透明性基板上に形成した積層体は、導
電、熱線反射、帯電防止、電磁波遮断、透明断熱等の用
途に利用されている。
【0003】しかし、(1)の金属薄膜の場合、金属の
特性である高い導電性に基づき良好な導電特性を示し、
また、真空蒸着、スパッタリング等の手法で容易に形成
することができるが、可視光に対する反射率が高く、高
い可視光透過率が要求される用途には利用できない。
特性である高い導電性に基づき良好な導電特性を示し、
また、真空蒸着、スパッタリング等の手法で容易に形成
することができるが、可視光に対する反射率が高く、高
い可視光透過率が要求される用途には利用できない。
【0004】また、(2)の金属酸化物薄膜は、高い可
視光透過率が得られるが、導電性が低く、高い導電性が
要求される用途には利用できない。また、SnO2 、I
TO等の膜を低温で効率よく成膜することは非常に難し
く、コストが高いために用途が限定されているのが現状
である。
視光透過率が得られるが、導電性が低く、高い導電性が
要求される用途には利用できない。また、SnO2 、I
TO等の膜を低温で効率よく成膜することは非常に難し
く、コストが高いために用途が限定されているのが現状
である。
【0005】(3)の三層積層体は、1974年にJ.
C.C.FanらによりTiO2 /Ag/TiO2 の積
層構造が発表され、選択光透過積層体として既に実用化
されており、(1)に比べて可視光透過率が高く、
(2)に比べると製造コストが低いという特性を有して
いる。
C.C.FanらによりTiO2 /Ag/TiO2 の積
層構造が発表され、選択光透過積層体として既に実用化
されており、(1)に比べて可視光透過率が高く、
(2)に比べると製造コストが低いという特性を有して
いる。
【0006】この三層積層体に用いる高屈折率誘電体と
しては、ZnS,TiO2 ,Bi2O3 などが知られて
いる。これらの薄膜の形成には、RFスパッタリング
法、反応性DCスパッタリング法、反応性蒸着法などが
用いられるが、これらの成膜法は、装置の初期投資やラ
ンニングコストが高い欠点がある。
しては、ZnS,TiO2 ,Bi2O3 などが知られて
いる。これらの薄膜の形成には、RFスパッタリング
法、反応性DCスパッタリング法、反応性蒸着法などが
用いられるが、これらの成膜法は、装置の初期投資やラ
ンニングコストが高い欠点がある。
【0007】そこで、TiO2 などの薄膜を形成する方
法として、金属アルコキシドから化学的に形成する方法
も提案されているが、この方法を用いて積層体を形成す
るためには、金属アルコキシドの湿式塗布→乾燥→加熱
による金属酸化物の形成→真空系での金属薄膜の形成→
金属アルコキシドの湿式塗布→乾燥→加熱による金属酸
化物の形成からなるプロセスとなるため、プロセスが複
雑で長く、高い生産性、低コスト化を望むのは難しい。
法として、金属アルコキシドから化学的に形成する方法
も提案されているが、この方法を用いて積層体を形成す
るためには、金属アルコキシドの湿式塗布→乾燥→加熱
による金属酸化物の形成→真空系での金属薄膜の形成→
金属アルコキシドの湿式塗布→乾燥→加熱による金属酸
化物の形成からなるプロセスとなるため、プロセスが複
雑で長く、高い生産性、低コスト化を望むのは難しい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、可視
光に対して高い透過率を示す導電性積層体で、低価格
で、容易に製造できる新規な積層体を提供することにあ
る。
光に対して高い透過率を示す導電性積層体で、低価格
で、容易に製造できる新規な積層体を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、光
透過性基材(A)の少なくとも片面に、プラズマ重合膜
層(B1)、金属薄膜層(C)およびプラズマ重合膜層
(B2)が、(A)/(B1)/(C)/(B2)の順
に積層されてなる積層体である。
透過性基材(A)の少なくとも片面に、プラズマ重合膜
層(B1)、金属薄膜層(C)およびプラズマ重合膜層
(B2)が、(A)/(B1)/(C)/(B2)の順
に積層されてなる積層体である。
【0010】
【作用】本発明に用いる光透過性基材は、特に限定され
るものではないが、光透過性の積層体の基材として用い
ることから、可視光の透過率が50%以上であることが
好ましく、70%以上であることがより好ましい。光透
過性基材は、無機物、有機物の何れでもよい。無機物の
基材としては、例えば一般的な石英ガラスなどがあげら
れる。有機物の基材としては、例えばポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレンナフタレー
ト、ナイロン等を主成分とするフィルムまたはシートが
あげられる。本発明においては、プラズマ重合膜との接
着性の観点から、有機基材を用いるのが好ましい。
るものではないが、光透過性の積層体の基材として用い
ることから、可視光の透過率が50%以上であることが
好ましく、70%以上であることがより好ましい。光透
過性基材は、無機物、有機物の何れでもよい。無機物の
基材としては、例えば一般的な石英ガラスなどがあげら
れる。有機物の基材としては、例えばポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレンナフタレー
ト、ナイロン等を主成分とするフィルムまたはシートが
あげられる。本発明においては、プラズマ重合膜との接
着性の観点から、有機基材を用いるのが好ましい。
【0011】プラズマ重合膜の製造に用いるモノマーと
しては、ガス状になる殆ど全ての化合物がプラズマ重合
可能であり、使用することができるが、室温で気体状ま
たは液状の物質が取り扱いが容易であり、好ましい。ま
た、重合速度が早く、成膜速度が大きいことから、アセ
チレン、エチレン、プロピレン、ベンゼン、スチレン、
ナフタレンなどの不飽和炭化水素やチオフェン、ピリジ
ン、ピペリジンなどの複素環化合物が好ましい。
しては、ガス状になる殆ど全ての化合物がプラズマ重合
可能であり、使用することができるが、室温で気体状ま
たは液状の物質が取り扱いが容易であり、好ましい。ま
た、重合速度が早く、成膜速度が大きいことから、アセ
チレン、エチレン、プロピレン、ベンゼン、スチレン、
ナフタレンなどの不飽和炭化水素やチオフェン、ピリジ
ン、ピペリジンなどの複素環化合物が好ましい。
【0012】プラズマ重合膜の膜厚の最適値は、プラズ
マ重合膜、金属膜および基材の各光学定数によって変化
するが、通常100オングストロームから1000オン
グストロームの間に設定する。
マ重合膜、金属膜および基材の各光学定数によって変化
するが、通常100オングストロームから1000オン
グストロームの間に設定する。
【0013】プラズマ重合の方法としては、プラズマの
安定性の観点から高周波電圧の印加による方法が好まし
く、周波数は数KHzからMHz、特に好ましくは1
3.56MHzが用いられる。電極の方式、ベルジャー
またはチャンバーの形状などは特に限定されるものでは
なく、基材の形状、モノマーの重合特性などにより、適
宣選択する。
安定性の観点から高周波電圧の印加による方法が好まし
く、周波数は数KHzからMHz、特に好ましくは1
3.56MHzが用いられる。電極の方式、ベルジャー
またはチャンバーの形状などは特に限定されるものでは
なく、基材の形状、モノマーの重合特性などにより、適
宣選択する。
【0014】プラズマ重合膜(B1)とプラズマ重合膜
(B2)とは同じものでも異なるものでもよく、膜厚が
異なっていてもよい。
(B2)とは同じものでも異なるものでもよく、膜厚が
異なっていてもよい。
【0015】本発明において形成される金属薄膜層
(C)の材料は、特に限定されるものではなく、例えば
銀、銅、金、パラジウム、アルミニウム、亜鉛、チタ
ン、クロム、珪素等が挙げられる。
(C)の材料は、特に限定されるものではなく、例えば
銀、銅、金、パラジウム、アルミニウム、亜鉛、チタ
ン、クロム、珪素等が挙げられる。
【0016】金属薄膜層(C)の膜厚は、連続的な薄膜
が形成されれば特に限定されないが、高い可視光透過率
と良好な導電性を有する積層体を得るためには、300
オングストローム以下が好ましい。
が形成されれば特に限定されないが、高い可視光透過率
と良好な導電性を有する積層体を得るためには、300
オングストローム以下が好ましい。
【0017】金属薄膜の形成方法としては、特に限定さ
れるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の公知の方法が用いられる。
れるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等の公知の方法が用いられる。
【0018】本発明の積層体の各層の積層順序は、二つ
のプラズマ重合膜層(B1およびB2)が金属薄膜層
(C)を挾むよう積層される必要がある。この順序で積
層されることにより始めて干渉の効果による反射防止効
果が発揮され、可視光に対して高い透過率を示す積層体
を得ることが可能となる。また、高い導電性を得るため
には、金属薄膜層(C)が必須である。すなわち、積層
順序が(A)/(B1)/(C)/(B2)以外の構造
では、高い可視光透過率と高い導電性の両方の性能を同
時に満たす積層体は得られない。
のプラズマ重合膜層(B1およびB2)が金属薄膜層
(C)を挾むよう積層される必要がある。この順序で積
層されることにより始めて干渉の効果による反射防止効
果が発揮され、可視光に対して高い透過率を示す積層体
を得ることが可能となる。また、高い導電性を得るため
には、金属薄膜層(C)が必須である。すなわち、積層
順序が(A)/(B1)/(C)/(B2)以外の構造
では、高い可視光透過率と高い導電性の両方の性能を同
時に満たす積層体は得られない。
【0019】本発明の積層体は、プラズマ重合膜(B
2)の上に、この積層体を保護する目的で、透明な保護
層を形成することができる。このような保護層は、公知
の透明性樹脂、例えばアクリル系樹脂、ポリエステル系
樹脂、ポリスチレン系樹脂などを塗工するか、あるい
は、ポリエチレンやポリプロピレン、ポリエステル等の
フィルムをラミネートする方法などにより形成すること
ができる。
2)の上に、この積層体を保護する目的で、透明な保護
層を形成することができる。このような保護層は、公知
の透明性樹脂、例えばアクリル系樹脂、ポリエステル系
樹脂、ポリスチレン系樹脂などを塗工するか、あるい
は、ポリエチレンやポリプロピレン、ポリエステル等の
フィルムをラミネートする方法などにより形成すること
ができる。
【0020】このような本発明の積層体は、可視光積分
透過率が65%以上であることが好ましい。なお、ここ
でいう可視光積分透過率とは、400nm〜700nm
の透過率の値を積分して得た値をいう。
透過率が65%以上であることが好ましい。なお、ここ
でいう可視光積分透過率とは、400nm〜700nm
の透過率の値を積分して得た値をいう。
【0021】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明する。これらの実施例は、図1に示す薄膜形成装置を
用いて実施した。
明する。これらの実施例は、図1に示す薄膜形成装置を
用いて実施した。
【0022】図において、1はベルジャー内に配設され
たコイル状電極であり、リード線を介して高周波電源2
に連結されている。モノマーガスは、パイプ3を通じて
導入され、流量はマスフロメーター4により調節され
る。排気は、パイプ5を通じて真空ポンプにより成され
る。成膜に供する基板は、ベルジャー上部のホルダー6
に取り付けられる。7は抵抗蒸着ボード、8は抵抗蒸着
用電源、9はEBガン及びその蒸着源、10はEBガン
用電源である。
たコイル状電極であり、リード線を介して高周波電源2
に連結されている。モノマーガスは、パイプ3を通じて
導入され、流量はマスフロメーター4により調節され
る。排気は、パイプ5を通じて真空ポンプにより成され
る。成膜に供する基板は、ベルジャー上部のホルダー6
に取り付けられる。7は抵抗蒸着ボード、8は抵抗蒸着
用電源、9はEBガン及びその蒸着源、10はEBガン
用電源である。
【0023】成膜方法を具体的に述べると、まず、基板
(A)をホルダー6に取り付け、10-5Torr以下ま
で排気した後、モノマーガス単独またはHe、Arなど
の不活性ガスをキャリヤーガスとして反応器内に導入
し、かつ排気のコンダクタンスを調整して、ベルジャー
内を所定の圧力とした。次に、所定の出力の高周波を印
加し、基板上にプラズマ重合膜(B1)を形成した。次
いで、プラズマ重合膜層(B1)の上に、抵抗蒸着また
はEB蒸着のいづれか一方または両方により、金属薄膜
(C)を形成した。蒸着膜厚は、ベルジャー上部に取り
付けた水晶振動子膜厚計11によりモニターした。次
に、金属薄膜(C)層上に、プラズマ重合膜(B2)を
成膜し、選択光透過性積層体を作成した。
(A)をホルダー6に取り付け、10-5Torr以下ま
で排気した後、モノマーガス単独またはHe、Arなど
の不活性ガスをキャリヤーガスとして反応器内に導入
し、かつ排気のコンダクタンスを調整して、ベルジャー
内を所定の圧力とした。次に、所定の出力の高周波を印
加し、基板上にプラズマ重合膜(B1)を形成した。次
いで、プラズマ重合膜層(B1)の上に、抵抗蒸着また
はEB蒸着のいづれか一方または両方により、金属薄膜
(C)を形成した。蒸着膜厚は、ベルジャー上部に取り
付けた水晶振動子膜厚計11によりモニターした。次
に、金属薄膜(C)層上に、プラズマ重合膜(B2)を
成膜し、選択光透過性積層体を作成した。
【0024】各層の膜厚は、ランクテイラーホブソン社
製タリステップにより測定した。可視光透過率及び20
00nmにおける反射率は、日立分光光度計U−340
0により測定し、可視光透過率については、400nm
の値から700nmの値までを積分して、積分可視光透
過率とした。積層体の表面抵抗は、三菱油化製の表面抵
抗計ロレスタにより、四端針測定方式で測定した。 実施例1〜4、比較例1、2 図1に示す反応器のホルダー6に、表1に示す基材を取
り付け1×10-5Torrまで排気した後、表1に示す
モノマーガスを導入し、13.56MHzの高周波を5
0W印加し、5分間プラズマ重合を行い、表1に示す膜
厚のプラズマ重合膜(B1)を得た。次に、1×10-5
Torrまで排気した後、実施例1、3、4では抵抗蒸
着により、銀まては金薄膜層(C)を120オングスト
ローム形成し、実施例3では、抵抗加熱により銀を、E
B加熱により銅を蒸発させて、表1に示す組成の金属薄
膜層(C)を120オングストローム形成した。さらに
金属薄膜層(C)上に、先と同じ条件で、プラズマ重合
膜(B2)を形成し積層体を得た。
製タリステップにより測定した。可視光透過率及び20
00nmにおける反射率は、日立分光光度計U−340
0により測定し、可視光透過率については、400nm
の値から700nmの値までを積分して、積分可視光透
過率とした。積層体の表面抵抗は、三菱油化製の表面抵
抗計ロレスタにより、四端針測定方式で測定した。 実施例1〜4、比較例1、2 図1に示す反応器のホルダー6に、表1に示す基材を取
り付け1×10-5Torrまで排気した後、表1に示す
モノマーガスを導入し、13.56MHzの高周波を5
0W印加し、5分間プラズマ重合を行い、表1に示す膜
厚のプラズマ重合膜(B1)を得た。次に、1×10-5
Torrまで排気した後、実施例1、3、4では抵抗蒸
着により、銀まては金薄膜層(C)を120オングスト
ローム形成し、実施例3では、抵抗加熱により銀を、E
B加熱により銅を蒸発させて、表1に示す組成の金属薄
膜層(C)を120オングストローム形成した。さらに
金属薄膜層(C)上に、先と同じ条件で、プラズマ重合
膜(B2)を形成し積層体を得た。
【0025】比較例1、2では、基材(A)上に表1に
示す組成の金属薄膜層(C)を120オングストローム
形成した。これらの積層体の可視光積分透過率と表面抵
抗を評価した結果を表1に示した。
示す組成の金属薄膜層(C)を120オングストローム
形成した。これらの積層体の可視光積分透過率と表面抵
抗を評価した結果を表1に示した。
【0026】基材(A)上にプラズマ重合膜(B1)、
銀を主成分とする金属薄膜層(C)および薄膜プラズマ
重合膜(B2)を、(A)/(B1)/(C)/(B
2)の順序で積層することにより、可視光線に対して高
い透過率を示す導電性積層体が得られた。
銀を主成分とする金属薄膜層(C)および薄膜プラズマ
重合膜(B2)を、(A)/(B1)/(C)/(B
2)の順序で積層することにより、可視光線に対して高
い透過率を示す導電性積層体が得られた。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】本発明の積層体は、実施例で用いたよう
な簡易な装置を用いて容易に製造することができる。ま
た、この積層体は、導電、熱線反射、帯電防止、電磁波
遮断、透明断熱等の用途で、同時に透明性の要求される
用途に用いると、非常に有用である。
な簡易な装置を用いて容易に製造することができる。ま
た、この積層体は、導電、熱線反射、帯電防止、電磁波
遮断、透明断熱等の用途で、同時に透明性の要求される
用途に用いると、非常に有用である。
【図1】 本発明の選択光透過積層体の製造に用いた薄
膜形成装置の模式図である。
膜形成装置の模式図である。
1:コイル状電極 2:高周波電源 3:モノマーガス導入パイプ 4:マスフロメーター 5:排気パイプ 6:ホルダー 7:抵抗抵蒸着ボート 8:抵抗抵蒸着用電源 9:EBガンおよび蒸着源 10:EBガン用電源 11:水晶振動子膜厚計
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 5/14 A 7244−5G
Claims (1)
- 【請求項1】 光透過性基材(A)の少なくとも片面
に、プラズマ重合膜層(B1)、金属薄膜層(C)およ
びプラズマ重合膜層(B2)が、(A)/(B1)/
(C)/(B2)の順に積層されてなる積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259301A JPH0598420A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259301A JPH0598420A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0598420A true JPH0598420A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17332179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259301A Pending JPH0598420A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0598420A (ja) |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3259301A patent/JPH0598420A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4413877A (en) | Selectively light-transmitting laminated structure | |
| EP0049083B1 (en) | Laminated film | |
| JP2525475B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
| JPH02217339A (ja) | 透明導電ガラス | |
| JPH08111123A (ja) | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット | |
| JPS6036940B2 (ja) | 被膜の形成方法 | |
| JP2004255706A (ja) | 透明導電性積層フィルム | |
| JPH02276630A (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法 | |
| JPS6151762B2 (ja) | ||
| JPS61183809A (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
| JP3501820B2 (ja) | 屈曲性に優れた透明導電性フィルム | |
| JP3489844B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
| JPS6362846B2 (ja) | ||
| JPS6134384B2 (ja) | ||
| JPH05100113A (ja) | 選択光透過積層体 | |
| JP3654841B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
| JPS6238432B2 (ja) | ||
| JPS6226310B2 (ja) | ||
| JP3501819B2 (ja) | 平坦性に優れた透明導電性フィルム | |
| JP2002117735A (ja) | 透明積層体の製造方法 | |
| JPH0116671B2 (ja) | ||
| KR20200102931A (ko) | 광 투과성 도전 필름 | |
| JPH02102036A (ja) | 光学膜を被覆した物品 | |
| JPS626495B2 (ja) | ||
| KR880000988B1 (ko) | 선택적 빛 투과 적층체 |