JPH02230245A - リソグラフイー用ペリクル - Google Patents
リソグラフイー用ペリクルInfo
- Publication number
- JPH02230245A JPH02230245A JP1051290A JP5129089A JPH02230245A JP H02230245 A JPH02230245 A JP H02230245A JP 1051290 A JP1051290 A JP 1051290A JP 5129089 A JP5129089 A JP 5129089A JP H02230245 A JPH02230245 A JP H02230245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pellicle
- lithography
- polymer
- light
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- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリソグラフィー用ぺリクル、特にはＬＳＩ，超
ＬＳＩなどの半導体装置を製造するときに使用される、
実質的に５００ｎ１以下の光を用いる露光方式における
リソグラフィー用ゴミよけベリクルに関するものである
． （従来の技術） ＬＳＩ．超ＬＳＩ半導体装置の製造においては半導体ウ
エ八一に光を照射してバターニングを作成するのである
が、この場合に用いられる露光原版にゴミが付着してい
るとこのゴミが光を吸収したり、あるいは光を曲げてし
まうために転写したバターニングが変形したり、エッジ
ががさついたものとなり、さらには白地が黒く汚れたり
して、寸法、品質ならびに外観が損なわれるという不利
が生じる． そのため、この種の作業は通常クリーンルームで行なわ
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのために露光用の光をよく通過させるベ
リクルを貼着する方法が採られており、このベリクルと
してはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が
使用されている。
ＬＳＩなどの半導体装置を製造するときに使用される、
実質的に５００ｎ１以下の光を用いる露光方式における
リソグラフィー用ゴミよけベリクルに関するものである
． （従来の技術） ＬＳＩ．超ＬＳＩ半導体装置の製造においては半導体ウ
エ八一に光を照射してバターニングを作成するのである
が、この場合に用いられる露光原版にゴミが付着してい
るとこのゴミが光を吸収したり、あるいは光を曲げてし
まうために転写したバターニングが変形したり、エッジ
ががさついたものとなり、さらには白地が黒く汚れたり
して、寸法、品質ならびに外観が損なわれるという不利
が生じる． そのため、この種の作業は通常クリーンルームで行なわ
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのために露光用の光をよく通過させるベ
リクルを貼着する方法が採られており、このベリクルと
してはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が
使用されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、このニトロセルロース、酢酸セルロースなどで
作られたベリクルは２１０〜４００ｎｍのような短波長
域では大きな吸収端ができるし、安定性が乏しく使用中
に黄変するために、半導体装置にエキシマレーザーやｌ
線の紫外線のように波長域が２１０〜４００ｎｍである
露光を行なう超ＬＳＩ用のリソグラフィーとしては使用
できないという不利があり、このような短波長域にも使
用することのできるリソグラフィー用のペリクルの出現
が求められている。
作られたベリクルは２１０〜４００ｎｍのような短波長
域では大きな吸収端ができるし、安定性が乏しく使用中
に黄変するために、半導体装置にエキシマレーザーやｌ
線の紫外線のように波長域が２１０〜４００ｎｍである
露光を行なう超ＬＳＩ用のリソグラフィーとしては使用
できないという不利があり、このような短波長域にも使
用することのできるリソグラフィー用のペリクルの出現
が求められている。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような不利を解決したりリソグラフィー用
ぺリクルに関するものであり、これは実質的に５００ｎ
ｍ以下の光を用いる露光方式において、高分子有機けい
素化合物膜をゴミよけ用ぺリクルとして用いてなること
を特徴とするものである。
ぺリクルに関するものであり、これは実質的に５００ｎ
ｍ以下の光を用いる露光方式において、高分子有機けい
素化合物膜をゴミよけ用ぺリクルとして用いてなること
を特徴とするものである。
すなわち、木発明者らは短波長域での使用に適したリソ
グラフィー用ペリクルを開発すべく種々検討した結果、
従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて
高分子有機けい素化合物膜を使用したところ、このもの
は５００ｎｍ以下の光もよく通過させるし、２１０〜４
００ｎｍの短波長域でも吸収端を生じることがないので
、５００ｎｍ以下の短波長域でのリング、ラフイー用ぺ
リクルとして有用であるということを見出し、このベリ
クルとしての高分子有機けい素化合物薄膜の形状、構造
、その製造方法、高分子有機けい素化合物の種類などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
グラフィー用ペリクルを開発すべく種々検討した結果、
従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて
高分子有機けい素化合物膜を使用したところ、このもの
は５００ｎｍ以下の光もよく通過させるし、２１０〜４
００ｎｍの短波長域でも吸収端を生じることがないので
、５００ｎｍ以下の短波長域でのリング、ラフイー用ぺ
リクルとして有用であるということを見出し、このベリ
クルとしての高分子有機けい素化合物薄膜の形状、構造
、その製造方法、高分子有機けい素化合物の種類などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
（作用）
本発明のリソグラフィー用ぺリクルは前記したように高
分子有機けい素化合物膜を使用するものであるが、この
高分子有機けい素化合膜は高分子有機けい素化合物をベ
ンゼン、トルエンなどのような溶剤に適宜に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キャスター法で成形するか、あるいはこの高
分子有機けい素化合物をＴダイ法、インフレーション法
などで溶融押出しする方法などのような公知の方法で膜
状物に成形加工することによって製造することができる
。
分子有機けい素化合物膜を使用するものであるが、この
高分子有機けい素化合膜は高分子有機けい素化合物をベ
ンゼン、トルエンなどのような溶剤に適宜に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キャスター法で成形するか、あるいはこの高
分子有機けい素化合物をＴダイ法、インフレーション法
などで溶融押出しする方法などのような公知の方法で膜
状物に成形加工することによって製造することができる
。
ここに使用する高分子有機けい素化合物は膵形成能のあ
る公知の有機けい素化合物の重合体とすればよいが、特
には２１０〜４００ｎｍのような短波長域での光透過率
がよく、充分な膜強度をもつものを与えるということか
らは一般式 で示され、ｎｌ．Ｒ２、Ｒ３ がメチル基、エチル基
、プロビル基、ブチル基、オクチル基などのような同一
または異種のアルキル基であり、ｎが正の整数であるも
のとすることが好ましく、これにはボリトリメチルビニ
ルシラン、ボリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジ
メチルビニルシランなどが例示される． 上記したような方法で作られた高分子有機けい素化合物
膜４よペリクルとして使用したときの機械的強度をもた
せるために厚さが０．５μｍ以上のものとすることがよ
いが、これはまた２４９μｍ以上の波長域の紫外線を９
６％以上通過させるために表面反射防止処理を行なった
場合でも３００μｍ以下のものとすることが望ましい。
る公知の有機けい素化合物の重合体とすればよいが、特
には２１０〜４００ｎｍのような短波長域での光透過率
がよく、充分な膜強度をもつものを与えるということか
らは一般式 で示され、ｎｌ．Ｒ２、Ｒ３ がメチル基、エチル基
、プロビル基、ブチル基、オクチル基などのような同一
または異種のアルキル基であり、ｎが正の整数であるも
のとすることが好ましく、これにはボリトリメチルビニ
ルシラン、ボリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジ
メチルビニルシランなどが例示される． 上記したような方法で作られた高分子有機けい素化合物
膜４よペリクルとして使用したときの機械的強度をもた
せるために厚さが０．５μｍ以上のものとすることがよ
いが、これはまた２４９μｍ以上の波長域の紫外線を９
６％以上通過させるために表面反射防止処理を行なった
場合でも３００μｍ以下のものとすることが望ましい。
この高分子有機けい素化合物膜は紫外線透過率が高く、
波長が２１０〜４００ｎｍの短波長域の光もよく透過さ
せるので、短波長域でのリソグラフィー用ペリクルとし
て特に有用とされるが、この使用に当ってはアルミニウ
ムなどの枠体に接着固定して使用することがよい。
波長が２１０〜４００ｎｍの短波長域の光もよく透過さ
せるので、短波長域でのリソグラフィー用ペリクルとし
て特に有用とされるが、この使用に当ってはアルミニウ
ムなどの枠体に接着固定して使用することがよい。
（実施例）
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例１，比較例
２０℃のトルエン溶液における固有粘度が０．９５ｄＪ
２／ｇであるボリトリメチルビニルシランをトルエンに
溶かして３％溶液としたものをクリアランス５０μｍの
ナイフコーターを用いて平滑なガラス板上にキャストし
、室温で２４時間乾燥後、６０℃で２時間、１００℃で
１時間乾燥した。
２／ｇであるボリトリメチルビニルシランをトルエンに
溶かして３％溶液としたものをクリアランス５０μｍの
ナイフコーターを用いて平滑なガラス板上にキャストし
、室温で２４時間乾燥後、６０℃で２時間、１００℃で
１時間乾燥した。
ついで内径１３０ｍｍのアルミニウムフレームの端面に
エボキシ系接着剤・アラルダイトラピッド〔昭和高分子
（株）製商品名〕を塗布したものにこのボリトリメチル
ビニルシラン薄膜を接着して！時間硬化させたのち、ガ
ラス板ごと水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然に剥
離したものを取り出し、風乾後、アルミニウムフレーム
の外側にはみ出している部分のフイルムを切りとったと
ころ、均一な張りのある厚さ １．３μｍのリソグラフ
ィー用ぺリクルとしてのボリトリメチルビニルシラン薄
膜が得られた． つぎにこの薄膜の光線透過率をしらべたところ、このも
のは２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％以上の透過率
を示し、膜面両面に反射防止処理をしたものについては
４３６ｎｍのｇ線で９８．４％、 ３６５ｎｍのｉ線で
ｇ６．２％、 ２４９ｎｍのエキシマレーザーで９８．
１％の透過率を示し、さらに２１０ｎｍの透過率が９０
％であり、これはまた使用中に黄変することもなかった
のでペリクルとしてすぐれたものであることが確認され
た。
エボキシ系接着剤・アラルダイトラピッド〔昭和高分子
（株）製商品名〕を塗布したものにこのボリトリメチル
ビニルシラン薄膜を接着して！時間硬化させたのち、ガ
ラス板ごと水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然に剥
離したものを取り出し、風乾後、アルミニウムフレーム
の外側にはみ出している部分のフイルムを切りとったと
ころ、均一な張りのある厚さ １．３μｍのリソグラフ
ィー用ぺリクルとしてのボリトリメチルビニルシラン薄
膜が得られた． つぎにこの薄膜の光線透過率をしらべたところ、このも
のは２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％以上の透過率
を示し、膜面両面に反射防止処理をしたものについては
４３６ｎｍのｇ線で９８．４％、 ３６５ｎｍのｉ線で
ｇ６．２％、 ２４９ｎｍのエキシマレーザーで９８．
１％の透過率を示し、さらに２１０ｎｍの透過率が９０
％であり、これはまた使用中に黄変することもなかった
のでペリクルとしてすぐれたものであることが確認され
た。
しかし、比較のためにニトロセルロース・ＨＩＧ−２０
〔旭化成工業（株）製商品名〕の酢酸エチル溶液を用い
たほかは上記と同様に処理して得た厚さ１．４μｍのリ
ソグラフィー用ぺリクルは４３６μｍのｇＭＡの透過率
は９７．９％、３６５ｎｍのｉ線の透過率は９７．５％
であったが、２４９ｎｍのエキシマレーザーの透過率は
４１．１％とわるく、これはまたｌ線を使用中に黄変す
るためにペリクルとして使用することができないもので
あフな． 実施例２ 実施例１で使用したボリトリメチルビニルシランをトル
エンに溶かして２５％溶液とし、クリアランス１ｍｍの
ナイフコーターを用いて平滑ガラス板上にキャストし、
４０℃で２４時間乾燥したのち７０℃で４時間、 １０
０℃で２時間乾燥し、ついで水中に浸漬してボリトリメ
チルビニルシラン膜を自然剥離させて膜厚が２４９μｍ
の膜体を作った。
〔旭化成工業（株）製商品名〕の酢酸エチル溶液を用い
たほかは上記と同様に処理して得た厚さ１．４μｍのリ
ソグラフィー用ぺリクルは４３６μｍのｇＭＡの透過率
は９７．９％、３６５ｎｍのｉ線の透過率は９７．５％
であったが、２４９ｎｍのエキシマレーザーの透過率は
４１．１％とわるく、これはまたｌ線を使用中に黄変す
るためにペリクルとして使用することができないもので
あフな． 実施例２ 実施例１で使用したボリトリメチルビニルシランをトル
エンに溶かして２５％溶液とし、クリアランス１ｍｍの
ナイフコーターを用いて平滑ガラス板上にキャストし、
４０℃で２４時間乾燥したのち７０℃で４時間、 １０
０℃で２時間乾燥し、ついで水中に浸漬してボリトリメ
チルビニルシラン膜を自然剥離させて膜厚が２４９μｍ
の膜体を作った。
つぎにこの膜体をアルミニウムの端面にエポキシ系接着
材（前出）を用いて平滑となるように接着し、アルミニ
ウムフレームの外側にはみ出した部分を切りとってリソ
グラフィー用ぺリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％
以上の透過率を示し、膜両面に反射防止処理したものに
ついては４３６ｎｍのｇ線が９８．３％、 ３８５ｎｍ
のｌ線が９８．０％、２４９ｎｍのエキシマレーザーが
９１１．６％の光線透過率を示し、このものはまた機械
的強度も充分であり、使用中にベリクルが黄変すること
もなかった。
材（前出）を用いて平滑となるように接着し、アルミニ
ウムフレームの外側にはみ出した部分を切りとってリソ
グラフィー用ぺリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％
以上の透過率を示し、膜両面に反射防止処理したものに
ついては４３６ｎｍのｇ線が９８．３％、 ３８５ｎｍ
のｌ線が９８．０％、２４９ｎｍのエキシマレーザーが
９１１．６％の光線透過率を示し、このものはまた機械
的強度も充分であり、使用中にベリクルが黄変すること
もなかった。
実施例３
２０℃のトルエン溶液における固有粘度が０．９１ ｄ
ＪＺ／ｇであるポリエチルジメチルビニルシランを用い
たほかは実施例１と同様の方法で厚さ１．２μｍのリソ
グラフィー用ペリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、 ２６０〜５００ｎｍの波長域で９０
％以上の透過率を示し、膜両面に反射防止処理をしたも
のについては４３ｆｉｎｍｏｇ線で９８．５％、３６５
ｎｍのｌ線で９８．０％、２４９ｒｖのエキシマレーザ
ーで９０．０％であり、これはまた使用中にベリクルが
黄変することもないので、リソグラフィー用ぺリクルと
してすぐれたものであることが確認された． （発明の効果） 本発明のリソグラフィー用ペリクルは上記したように高
分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ぺリクルとして用
いたものであるが、このものは２１０〜５００ｎｍの短
波長域をもつ紫外線の光線透過率が高く、使用中に黄変
することもないので、ＬＳＩ ，超ＬＳＩなどの大規模
集積回路の露光用ぺリクルとして有用とされるし、さら
には光透過性がすぐれていることから露光時間の短縮、
厚膜化によるペリクル膜強度の向上も期待できるという
有利性を与えるものである．
ＪＺ／ｇであるポリエチルジメチルビニルシランを用い
たほかは実施例１と同様の方法で厚さ１．２μｍのリソ
グラフィー用ペリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、 ２６０〜５００ｎｍの波長域で９０
％以上の透過率を示し、膜両面に反射防止処理をしたも
のについては４３ｆｉｎｍｏｇ線で９８．５％、３６５
ｎｍのｌ線で９８．０％、２４９ｒｖのエキシマレーザ
ーで９０．０％であり、これはまた使用中にベリクルが
黄変することもないので、リソグラフィー用ぺリクルと
してすぐれたものであることが確認された． （発明の効果） 本発明のリソグラフィー用ペリクルは上記したように高
分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ぺリクルとして用
いたものであるが、このものは２１０〜５００ｎｍの短
波長域をもつ紫外線の光線透過率が高く、使用中に黄変
することもないので、ＬＳＩ ，超ＬＳＩなどの大規模
集積回路の露光用ぺリクルとして有用とされるし、さら
には光透過性がすぐれていることから露光時間の短縮、
厚膜化によるペリクル膜強度の向上も期待できるという
有利性を与えるものである．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方式にお
いて、高分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ぺリクル
として用いてなることを特徴とするリソグラフィー用ペ
リクル。 ２、高分子有機けい素化合物が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここにＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は同一または異種のア
ルキル基、ｎは正の整数）で示されるものである請求項
１に記載のリソグラフィー用ペリクル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129089A JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
| US07/902,407 US5234742A (en) | 1989-03-03 | 1992-06-19 | Pellicle for lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129089A JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230245A true JPH02230245A (ja) | 1990-09-12 |
| JPH06100826B2 JPH06100826B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12882793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129089A Expired - Lifetime JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100826B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009282298A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5129089A patent/JPH06100826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| US6797207B2 (en) | 1997-12-16 | 2004-09-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Process for producing organic thin film |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009282298A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100826B2 (ja) | 1994-12-12 |
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