JPH06100832B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、複写機等の画像形成装置に使用される電子
写真感光体に関するものである。

〈従来の技術〉 近時、いわゆるカールソンプロセスを利用した、複写機
等の画像形成装置においては、光照射により電荷を発生
させる電荷発生材料と、発生した電荷を輸送する電荷輸
送材料とを併用することにより、電荷発生機能と電荷輸
送機能とを分離した、いわゆる機能分離型のものが、高
感度化が容易であるため、多用されている。この機能分
離型の感光体としては、上記電荷発生材料を含有した電
荷発生層と、電荷輸送材料を含有した電荷輸送層とを備
えた積層型の感光層を、導電性基体の表面に形成した積
層型のものと、電荷発生材料および電荷輸送材料を含有
した単層型の感光層を、導電性基体の表面に形成した単
層型のものとがある。

また、上記機能分離型の感光体においては、導電性基体
の表面に形成された単層型または積層型の感光層の全体
を、上記電荷発生材料や電荷輸送材料等の機能成分を結
着樹脂中に含有させた有機の層とした有機感光体や、上
記積層型の感光層の一部を、上記有機の層とした複合型
感光体が、材料の選択幅が広く、生産性に優れ、且つ機
能設計の自由度が高いために好適に用いられている。

また、最近では、帯電、露光、除電等の画像形成プロセ
スを繰り返し行った際に、上記有機感光体や複合型感光
体中の有機の層が疲労して帯電量低下や感度低下等を生
じることを防止するため、通常の電荷輸送材料に加え
て、上記帯電量低下や感度低下等の防止作用に優れたｍ
−フェニレンジアミン系化合物を電荷輸送材料として含
有させた感光体が提案されている。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有
する感光体は、特に、画像形成装置の運転時等、感光体
が加熱された状態において、蛍光灯やキセノンランプ、
或いは太陽光等が照射されると、これらの光の中に含ま
れる紫外線により、感度低下を起こすという問題があっ
た。

上記紫外線照射による感度低下（紫外線劣化）は、ｍ−
フェニレンジアミン系化合物が、自身の紫外線吸収、或
いは、電荷発生材料等の紫外線吸収物質からのエネルギ
ー伝達によって励起し、二量化反応もしくは分解反応を
生じて、感光体の感度を低下させるキャリアトラップと
なる物質に変化することが原因であると考えられる。

この発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであっ
て、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量低
下や感度低下等の防止作用に優れたｍ−フェニレンジア
ミン系化合物を含有し、しかも紫外線劣化を起しにくい
電子写真感光体を提供することを目的としている。

〈課題を解決するための手段および作用〉 上記課題を解決するための、この発明の電子写真感光体
は、ｍ−フェニレンジアミン系化合物を電荷輸送材料と
して含有する有機の層を備えた電子写真感光体におい
て、上記有機の層中に、三重項励起エネルギーが60〜68
kcal/molの範囲内の化合物を含有することを特徴として
いる。なお、ここでいう三重項励起エネルギーの値は、
例えば飽和炭化水素やベンゼンのような無極性溶媒中で
の測定値を示す。

上記構成からなる、この発明の電子写真感光体によれ
ば、上記三重項励起エネルギーの範囲は、ｍ−フェニレ
ンジアミン系化合物の予想される励起状態におけるエネ
ルギーレベル（約68.5±0.5kcal/mol）よりも低い値で
あるので、三重項励起エネルギーが上記範囲内の化合物
（以下「特定化合物」という）は、紫外線照射により励
起したｍ−フェニレンジアミン系化合物から励起エネル
ギーを奪い、当該ｍ−フェニレンジアミン系化合物が二
量化、或いは分解により、感光体の感度を低下させるキ
ャリアトラップとなる物質に変化することを防止する。

以下に、この発明を詳細に説明する。

ｍ−フェニレンジアミン系化合物は、下記一般式〔Ｉ〕
で表される。

（但し、上記式〔Ｉ〕中R¹〜R⁵は、それぞれ、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子および水素原子からな
る群より選ばれた同一または異なる基を表す） 上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物としては、N,N,
N′,N′−テトラフェニル−1,3−フェニレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラキス（３−トリル）−1,3−フェニ
レンジアミン、N,N,N′,N′−テトラフェニル−3,5−ト
リレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−トリ
ル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス（４−トリル）−1,3−フェニレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラキス（４−トリル）−3,5−トリレンジ
アミン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−エチルフェニ
ル）−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラ
キス（４−プロピルフェニル）−1,3−フェニレンジア
ミン、N,N,N′,N′−テトラフェニル−５−メトキシ−
1,3−フェニレンジアミン、N,N−ビス（３−トリル）−
Ｎ′,N′−ジフェニル−1,3−フェニレンジアミン、N,
N′−ビス（４−トリル）−N,N′−ジフェニル−1,3−
フェニレンジアミン、N,N′−ビス（４−トリル）−N,
N′−ビス（３−トリル）−1,3−フェニレンジアミン、
N,N′−ビス（４−トリル）−N,N′−ビス（３−トリ
ル）−3,5−トリレンジアミン、N,N′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−N,N′−ビス（３−エチルフェニル）−
1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス（４−エチルフ
ェニル）−N,N′−ビス（３−エチルフェニル）−3,5−
トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス（2,4,6−
トリメチルフェニル）−1,3−フェニレンジアミン、N,
N,N′,N′−テトラキス（2,4,6−トリメチルフェニル）
−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス
（3,5−ジメチルフェニル）−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス（3,5−ジメチルフェニ
ル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス（3,5−ジエチルフェニル）−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス（3,5−ジエチルフェニ
ル）−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス（３−クロロフェニル）−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス（３−ブロモフェニル）
−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス
（３−ヨードフェニル）−1,3−フェニレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラキス（３−フルオロフェニル）−
1,3−フェニレンジアミン等が挙げられる。そして、上
記各化合物の中でも、前記一般式〔Ｉ〕中の基R¹〜R
⁵が、各ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭
素に対してメタ位の炭素に結合した化合物、または、基
R¹,R⁵が、ベンゼン環のうち、チッ素原子が結合された
炭素に対してパラ位の炭素に結合し、基R²,R⁴が、ベン
ゼン環のうち、チッ素原子が結合された炭素に対してメ
タ位の炭素に結合した化合物は、分子の非対称性が大き
く、分子間の相互作用が小さくて結晶化し難いので、結
着樹脂中に容易に分散させることができ、この発明に、
より好ましいものとして挙げられる。具体的には、N,N,
N′,N′−テトラキス（３−トリル）−1,3−フェニレン
ジアミン、N,N′−ビス（４−トリル）−N,N′−ビス
（３−トリル）−1,3−フェニレンジアミン等の化合物
が、より好ましいものとして例示される。

また、上記ｍ−フェニレンジアミンと共に層中に含有さ
れる、前記特定化合物としては、ナフタレン、フェナン
トレン、ｍ−ターフェニル、ビフェニル、フルオレン等
が挙げられる。

なお、上記特定化合物の三重項励起エネルギーが60kcal
/mol未満では、ｍ−フェニレンジアミン系化合物の励起
状態のエネルギーレベルとの間に開きがあるため、紫外
線照射によって励起したｍ−フェニレンジアミン系化合
物から励起エネルギーを奪うことができない。一方、三
重項励起エネルギーが68kcal/molを超えた場合には、こ
の三重項励起エネルギーのレベルがｍ−フェニレンジア
ミン系化合物の励起状態のエネルギーレベルよりも高く
なるため、逆に、ｍ−フェニレンジアミン系化合物に二
量化、分解のためのエネルギーを付与して、劣化を増長
させてしまうという問題がある。したがって、上記特定
化合物の三重項励起エネルギーは、60〜68kcal/molの範
囲内に限定されるのである。

ｍ−フェニレンジアミン系化合物に対する上記特定化合
物の配合量は特に限定されないが、前記ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物100重量部に対し、20〜150重量部の範
囲内であるのが好ましい。ｍ−フェニレンジアミン系化
合物100重量部に対する特定化合物の配合量が、20重量
部未満では、ｍ−フェニレンジアミン系化合物の紫外線
劣化を十分に防止することができず、150重量部を超え
ると、感光層のガラス転位温度が低下し、電子写真感光
体の耐熱性が劣化する虞がある。

この発明の構成は、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合
物および特定化合物を含有し得る有機の層（以下「特定
層」という）を備えた、種々のタイプの感光層を有する
電子写真感光体に適用することができ、上記特定層とし
ては、例えば下記の各層が挙げられる。

結着樹脂中に電荷発生材料と電荷輸送材料とを含有
する単層型の有機感光層。

有機の電荷発生層と有機の電荷輸送層とが積層され
た積層型の有機感光層における、当該電荷輸送層。

半導体材料の薄膜からなる電荷発生層と有機の電荷
輸送層とが積層された複合型の感光層における、当該電
荷輸送層。

上記特定層や、積層型の有機感光層のうちの電荷発生
層、並びに、上記各タイプの感光層の最表層に必要に応
じて形成される表面保護層等の有機の層を構成する結着
樹脂としては、例えば熱硬化性シリコーン樹脂；エポキ
シ樹脂；ウレタン樹脂；硬化性アクリル樹脂；アルキッ
ド樹脂；不飽和ポリエステル樹脂；ジアリルフタレート
樹脂；フェノール樹脂；尿素樹脂；ベンゾグアナミン樹
脂；メラミン樹脂；スチレン系重合体；アクリル系重合
体；スチレン−アクリル系共重合体；ポリエチレン、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポ
リプロピレン、アイオノマー等のオレフィン系重合体；
ポリ塩化ビニル；塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体；ポ
リ酢酸ビニル；飽和ポリエステル；ポリアミド；熱可塑
性ウレタン樹脂；ポリカーボネート；ポリアリレート；
ポリスルホン；ケトン樹脂；ポリビニルブチラール；ポ
リエーテル等が挙げられる。

前記各タイプの感光層のうち、複合型感光層において、
電荷発生層として用いられる薄膜を構成する半導体材料
としては、例えばα−Se、α−As₂Se₃、α−SeAsTe等の
アモルファスカルコゲン化物やアモルファスシリコン
（α−Si）が挙げられる。上記半導体材料からなる薄膜
状の電荷発生層は、真空蒸着法、グロー放電分解法等の
公知の薄膜形成方法によって、導電性基材の表面に形成
することができる。

また、単層型の有機感光層（前記特定層）や、積層型
の有機感光層における電荷発生層に使用される、有機ま
たは無機の電荷発生材料としては、例えば前記半導体材
料の粉末;ZnO、CdS等のII-VI族微結晶；ピリリウム塩；
アゾ系化合物；ビスアゾ系化合物；α型，β型，γ型等
の結晶型を有するアルミニウムフタロシアニン、銅フタ
ロシアニン、メタルフリーフタロシアニン、チタニルフ
タロシアニン等のフタロシアニン系化合物；アンサンス
ロン系化合物；インジゴ系化合物；トリフェニルメタン
系化合物；スレン系化合物；トルイジン系化合物；ピラ
ゾリン系化合物；キナクリドン系化合物；ピロロピロー
ル系化合物が挙げられる。これらの電荷発生材料は、そ
れぞれ単独で用いられる他、複数種を併用することもで
きる。

なお、前記各特定層中には、通常、前記ｍ−フェニレン
ジアミン系化合物と共に、従来公知の他の電荷輸送材料
（以下、単に「他の電荷輸送材料」という）が含有され
ることが好ましい。ｍ−フェニレンジアミン系化合物と
共に特定層中に含有される他の電荷輸送材料としては、
例えばテトラシアノエチレン;2,4,7−トリニトロ−９−
フルオレノン等のフルオレノン系化合物;9−カルバゾリ
ルイミノフルオレン等のフルオレン系化合物；ジニトロ
アントラセン等のニトロ化化合物；無水コハク酸；無水
マレイン酸；ジブロモ無水マレイン酸；トリフェニルメ
タン系化合物;2,5−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）
−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化
合物;9−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン
等のスチリル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
等のカルバゾール系化合物;1−フェニル−３−（ｐ−ジ
メチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化
合物;4,4′,4″−トリス（N,N−ジフェニルアミノ）ト
リフェニルアミン、3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テ
トラキス−４−メチルフェニル（1,1′−ビフェニル）
−4,4′−ジアミン等のアミン誘導体;1,1−ビス（４−
ジエチルアミノフェニル）−4,4−ジフェニル−1,3−ブ
タジエン等の共役不飽和化合物;4−（N,N−ジエチルア
ミノ）ベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン
等のヒドラゾン系化合物；インドール系化合物、オキサ
ゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾー
ル系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系
化合物、ピラゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、ト
リアゾール系化合物等の含窒素環式化合物；縮合多環族
化合物が挙げられる。なお、上記他の電荷輸送材料の中
でも、前記ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の光導電性
を有する高分子材料は、特定層の結着樹脂としても使用
することができる。

上記他の電荷輸送材料とｍ−フェニレンジアミン系化合
物との、特定層中における配合比率は特に限定されない
が、重量比で95:5〜25:75の範囲内、特に、80:20〜50:5
0の範囲内であることが好ましい。他の電荷輸送材料と
ｍ−フェニレンジアミン系化合物との配合比率が95:5を
下回ると、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯
電量低下や感度低下等の防止効果が不十分になり、逆
に、配合比率が25:75を超えると、感光体の感度が不十
分になる虞がある。

前述した各タイプの感光層のうち、単層型の有機感光層
における、結着樹脂100重量部に対する電荷発生材料の
含有量は、２〜20重量部の範囲内、特に３〜15重量部の
範囲内であることが好ましい。また、結着樹脂100重量
部に対する、他の電荷輸送材料の含有量は、40〜200重
量部の範囲内、特に50〜100重量部の範囲内であること
が好ましい。電荷発生材料の含有量が２重量部未満、ま
たは、他の電荷輸送材料の含有量が40重量部未満では、
感光体の感度が不十分になったり、残留電位が大きくな
ったりする虞がある。一方、電荷発生材料の含有量が20
重量部を超えた場合、または、他の電荷輸送材料の含有
量が200重量部を超えた場合には、感光体の耐摩耗性が
不足する虞がある。

上記単層型の有機感光層の厚みは特に限定されないが、
従来の単層型の有機感光層と同程度、すなわち、10〜50
μｍ、特に15〜25μｍの範囲内であることが好ましい。

積層型の有機感光層を構成する各層のうち、有機の電荷
発生層における、結着樹脂100重量部に対する電荷発生
材料の含有量は、５〜500重量部の範囲内、特に10〜250
重量部の範囲内であることが好ましい。電荷発生材料の
含有量が５重量部未満では、電荷発生能が小さ過ぎ、50
0重量部を超えると、基材や隣設する他の層との密着性
が低下する虞がある。

上記電荷発生層の厚みは特に限定されないが、0.01〜３
μｍ、特に0.1〜２μｍの範囲内であることが好まし
い。

積層型の有機感光層または複合形感光層を構成する各層
のうち、電荷輸送層における、結着樹脂100重量部に対
する他の電荷輸送材料の含有量は、10〜500重量部の範
囲内、特に25〜200重量部の範囲内であることが好まし
い。他の電荷輸送材料の含有量が10重量部未満では、電
荷輸送能が十分でなく、500重量部を超えると、電荷輸
送層の機械的強度が低下する虞がある。

上記電荷輸送層の厚みは特に限定されないが、２〜100
μｍ、特に５〜30μｍの範囲内であることが好ましい。

また、上記各タイプの感光層の最表層に形成することが
できる表面保護層は、前記結着樹脂を主成分とし、その
他必要に応じて、導電性付与材やベンゾキノン系紫外線
吸収剤等の添加剤を適宜量含有させることができる。

上記表面保護層の厚みは、0.1〜10μｍ、特に２〜５μ
ｍの範囲内であることが好ましい。

なお、前記各タイプの感光層のうちの有機の層や、上記
表面保護層等に酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を
受けやすい構造を持つ、電荷輸送材料等の機能成分の酸
化による劣化を防止することができる。

上記酸化防止剤としては、2,6−ジ−tert−ブチル−ｐ
−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス［３−
（３−tert−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート］、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリチル−テト
ラキス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス［３−（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、2,2−チオビス（４−
メチル−６−tert−ブチルフェノール）、N,N′−ヘキ
サメチレンビス（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド）、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス（3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤が挙げ
られる。

上記各タイプの感光層が表面に形成される導電性基材
は、電子写真感光体が組み込まれる画像形成装置の機
構、構造に対応して、シート状あるいはドラム状等、適
宜の形状に形成される。

上記導電性基材は、全体を金属等の導電性材料で構成し
ても良く、また、基材自体は導電性を有さない構造材料
で形成して、その表面に導電性を付与しても良い。

導電性基材の全体を導電性材料で構成する、前者の場合
に使用される導電性材料としては、表面がアルマイト処
理された、または未処理のアルミニウム、銅、スズ、白
金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミ
ウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ス
テンレス鋼、真鍮等の金属材料が好ましく、特に、硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封
孔処理したアルミニアムが好ましく用いられる。

一方、導電性を有さない構造材料からなる基材の表面に
導電性を付与する後者の場合には、合成樹脂製基材やガ
ラス基材の表面に、上記例示の金属や、ヨウ化アルミニ
ウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性材料からな
る薄膜が、真空蒸着法、湿式めっき法等の公知の膜形成
方法によって形成された構造、上記合成樹脂成形品やガ
ラス基材の表面に上記金属材料等のフィルムがラミネー
トされた構造、または、上記合成樹脂製基材やガラス基
材の表面に、導電性を付与する物質が注入された構造等
を採用することができる。

なお、導電性基材は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤等の表面処理剤で表面処理
を施し、感光層との密着性を高めても良い。

以上で説明した各タイプの感光層のうちの有機の各層お
よび表面保護層は、前述した各成分を含有する各層用の
塗布液を調整し、これら塗布液を、前述した層構成を形
成し得るように、各層毎に順次導電性基材上に塗布し、
乾燥または硬化させることで積層形成することができ
る。

なお、上記塗布液の調製に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて種々の溶剤を使用することができ
る。上記溶剤としては、ｎ−ヘキサン、オクタン、シク
ロヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、キシレン、
トルエン等の芳香族炭化水素；ジクロロメタン、四塩化
炭素、クロロベンゼン、塩化メチレン等のハロゲン化炭
化水素；メチルアルコール、エチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、アリルアルコール、シクロペンタノ
ール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、ジ
アセトンアルコール等のアルコール類；ジメチルエーテ
ル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレン
グリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル
等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；
酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホル
ムアミド；ジメチルスルホキシド等、種々の溶剤が挙げ
られ、これらは一種または二種以上を混合して用いられ
る。また、上記塗布液を調整する際、分散性、塗工性等
を向上させるため、界面活性剤やレベリング剤等を併用
しても良い。

また、上記塗布液は従来慣用の方法、例えばミキサー、
ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、アトラ
イター、超音波分散機等を用いて調製することができ
る。

〈実施例〉 以下に、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明す
る。

実施例１〜４ 結着樹脂としてのポリー（4,4′−シクロヘキシリデン
ジフェニル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名
ポリカーボネートＺ）100重量部、電荷発生材料として
の4,10−ジブロモ−ジベンゾ［def,mno］クリセン6,12
−ジオン（2,7−ジブロモアンサンスロン）８重量部お
よびＸ型メタルフリーフタロシアニン（大日本インキ社
製）0.2重量部、電荷輸送材料としての3,3′−ジメチル
−N,N,N′,N′−テトラキス−４−メチルフェニル（1,
1′−ビフェニル）−4,4′−ジアミン40重量部およびN,
N,N′,N′−テトラキス（３−トリル）−1,3−フェニレ
ンジアミン40重量部、酸化防止剤としての2,6−ジ−ter
t−ブチル−ｐ−クレゾール（川口化学社製、商品名ア
ンテージBHT）５重量部、可塑剤としてのポリジメチル
シロキサン（シリコーンオイル）0.1重量部に、次表に
示す、三重項励起エネルギーが60〜68kcal/molの範囲内
の特定化合物20重量部を加え、所定量のテトラヒドロフ
ランと共に超音波分散器で混合分散させて単層型感光層
用塗布液を調製した。この塗布液を外径78mm×長さ340m
mのアルミニウム素管上に塗布した後、暗所で100℃で30
分間加熱乾燥させて、厚み約24μｍの単層型感光層を形
成し、ドラム型の電子写真感光体を作製した。

比較例1,2 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが60kcal/mol未満の化合物20重量部を用いたこと以外
は、上記実施例１〜４と同様にして、電子写真感光体を
作製した。

比較例3,4 特定化合物に代えて、次表に示す、三重項励起エネルギ
ーが68kcal/molを超える化合物20重量部を用いたこと以
外は、上記実施例１〜４と同様にして、電子写真感光体
を作製した。

比較例５ 特定化合物を配合しなかったこと以外は、上記実施例１
〜４と同様にして、電子写真感光体を作製した。

比較例６ N,N,N′,N′−テトラキス（３−トリル）−1,3−フェニ
レンジアミンを配合せず、3,3′−ジメチル−N,N,N′,
N′−テトラキス−４−メチルフェニル（1,1′−ビフェ
ニル）−4,4′−ジアミン80重量部を電荷輸送材料とし
て配合したこと以外は、上記比較例５と同様にして、電
子写真感光体を作製した。

上記各実施例並びに比較例で作製した電子写真感光体に
ついて、下記の各試験を行った。

初期表面電位測定 上記各電子写真感光体を、静電複写試験装置（ジェンテ
ック社製、ジェンテックシンシア30M）に装填し、その
表面を正に帯電させて表面電位V₁s.p.(V)を測定した。

半減露光量、残留電位測定 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプを用いて露光し、
前記表面電位V₁s.p.(V)が半分となるまでの時間を求
め、半減露光量E1/2（μJ/cm²）を算出した。

また、上記露光開始時から0.15秒経過後の表面電位を、
残留電位V₁r.p.(V)として測定した。

紫外線照射後の表面電位変化値および残留電位変化値測
定 上記各電子写真感光体上の２個所の地点で、上記各測定
と同様にして、表面電位V_1as.p.、V_1bs.p.、並びに、残
留電位V_1ar.p.、V_1br.p.［以上、単位（Ｖ）］を測定し
た後、この電子写真感光体を、暗所で60℃に予熱して20
分間保管し、次いで、60℃に保温しつつ、上記２個所の
地点のうちのV_1b側を遮光体でマスキングして、上記電
子写真感光体の表面に、白色蛍光灯を用いて、1500lux
の、紫外線を含む白色光を20分間露光した。そして、露
光後の電子写真感光体を、暗所において、室温で30分間
放置、冷却した後、静電複写試験装置（ジェンテック社
製、ジェンテックシンシア30M）に装填し、その表面を
正に帯電させて、上記２個所の表面電位V_2as.p.（露光
側）、V_2bs.p.（遮光側）、並びに、残留電位V_2ar.p.
（露光側）、V_2br.p.（遮光側）［以上、単位（Ｖ）］
を測定した。

以上の各測定値を元に、下記式（ａ）を用いて紫外線照
射後の表面電位変化値ΔVs.p.（Ｖ）を算出し、下記式
（ｂ）を用いて紫外線照射後の残留電位変化値ΔVr.p.
（Ｖ）を算出した。

ΔVs.p.＝ （V_2as.p.-V_1as.p.)-(V_2bs.p.-V_1bs.p.) …（ａ） ΔVr.p.＝ （V_2ar.p.-V_1ar.p.)-(V_2br.p.-V_1br.p.) …（ｂ） 繰返し露光後の表面電位測定 前記各電子写真感光体を複写機（三田工業社製、DC-111
型機）に装填して500枚の複写処理を行った後、静電複
写試験装置（ジェンテック社製、ジェンテックシンシア
30M）に装填し、その表面を正に帯電させて、繰返し露
光後の表面電位V₃s.p.(V)を測定した。

また、下記式（ｃ）を用いて繰返し露光後の表面電位変
化値ΔV_1-3(V)を算出した。

ΔV_1-3（Ｖ）＝ V₁s.p.(V)-V₃s.p.(V) …（ｃ） 以上の結果を次表に示す。

上記表の結果より、三重項励起エネルギーが60kcal/mol
未満の化合物を用いた比較例1,2の電子写真感光体は、
何れも、紫外線照射によって、特定化合物を含有させな
かった比較例５と同程度まで、表面電位および残留電位
が低下した。また、三重項励起エネルギーが68kcal/mol
を超える化合物を用いた比較例3,4の電子写真感光体
は、何れも、紫外線照射によって、上記比較例５以上
に、表面電位および残留電位が大きく低下した。これに
対し、三重項励起エネルギーが60〜68kcal/molの範囲内
である特定化合物を用いた実施例１〜４の電子写真感光
体は、何れも、上記各比較例に比べて、紫外線照射によ
る表面電位および残留電位の変化量が小さく、このこと
から、実施例１〜４の電子写真感光体は、紫外線劣化し
難いものであることが判明した。また、上記実施例１〜
４、比較例５の電子写真感光体は、何れも、電荷輸送材
料としてｍ−フェニレンジアミン系化合物を併用しなか
った比較例６に比べて、繰返し露光による表面電位変化
量が小さく、このことから、上記特定化合物は、ｍ−フ
ェニレンジアミン系化合物の持つ、帯電量低下や感度低
下等の防止作用に影響を与えないことが判明した。

〈発明の効果〉 この発明の電子写真感光体は、以上のように構成されて
おり、画像形成プロセスを繰り返し行った際の、帯電量
低下や感度低下等の防止作用に優れたｍ−フェニレンジ
アミン系化合物を含有する層が、当該ｍ−フェニレンジ
アミン系化合物の紫外線劣化を防止する作用を有する特
定化合物を含有しているので、特に、画像形成装置の運
転時等、感光体が加熱された状態において、蛍光灯やキ
セノンランプ、或いは太陽光等の紫外線を含む光が照射
されても、感度低下し難いものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】結着樹脂中に、ｍ−フェニレンジアミン系
   化合物を電荷輸送材料として含有する層を備えた電子写
   真感光体において、上記層中に、三重項励起エネルギー
   が60〜68kcal/molの範囲内の化合物を含有することを特
   徴とする電子写真感光体。