JPH06100836B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。
用される電子写真感光体に関する。
(従来技術) 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少なくとも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されてい
る。
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少なくとも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されてい
る。
上記積層感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とにより各
種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異な
り、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点があ
る。
種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異な
り、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点があ
る。
ところで、電荷輸送材料には正電荷輸送型が多いことや
表面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積
層感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層感光体では負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚染
を引き起こしたり、また現象時には製造が困難である正
帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。
表面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積
層感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層感光体では負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚染
を引き起こしたり、また現象時には製造が困難である正
帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。
一方上記の単層型感光体は、正帯電させることができる
だけでなく、感光体の静電潜像を現象するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。しかしながら、一層中で電子と正孔を移
動させるため、どちらかがトラップとなり残留電位が大
きくなる傾向がある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送
材料との組合せ方により、帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性が大きく左右されるという問題点があ
る。
だけでなく、感光体の静電潜像を現象するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。しかしながら、一層中で電子と正孔を移
動させるため、どちらかがトラップとなり残留電位が大
きくなる傾向がある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送
材料との組合せ方により、帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性が大きく左右されるという問題点があ
る。
そこで、上記問題点に鑑みジブロモアンスアンスロンと
ジアミン誘導体とを組み合わせた電子写真感光体(特開
昭63-223651号公報)が提案されている。
ジアミン誘導体とを組み合わせた電子写真感光体(特開
昭63-223651号公報)が提案されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記感光体では未だ十分な電子写真特性
を得ることができず、帯電特性、感度、残留電位等の電
子写真特性が優れ、さらに複写プロセスの組み返しにお
いても、より表面電位の安定性に優れた感光体の開発が
望まれている。
を得ることができず、帯電特性、感度、残留電位等の電
子写真特性が優れ、さらに複写プロセスの組み返しにお
いても、より表面電位の安定性に優れた感光体の開発が
望まれている。
従って、本発明は帯電特性、感度、残留電位等の電子写
真特性だけでなく、さらに繰り返し安定性にも優れた正
帯電性の単層型電子写真感光体を提供することを目的と
する。
真特性だけでなく、さらに繰り返し安定性にも優れた正
帯電性の単層型電子写真感光体を提供することを目的と
する。
(問題点を解決するための手段および作用) 従って、本発明においては結着樹脂中に、電荷発生材料
として下記一般式〔I〕 (式中、R1はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、nは
0〜4の整数を示す)で表されるジベンゾピレン系化合
物と、電荷輸送材料として下記一般式〔II〕 で表されるジアミン誘導体と、 さらに、下記一般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化
合物、下記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系化合
物、下記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジアミ
ン系化合物 (式中、R2は水素原子またはアルキル基を示す) (式中、R3、R4、R5およびR6は、水素原子またはアルキル
基を示す) (式中、R7、R8、R9、R10、R11は、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子を示し、それぞれフェニル基に置換し
なくてもまた、置換し得る限り何個置換してもよく、ま
たすべての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なって
いてもよい)よりなる群の中から少なくとも一種を選択
して含有する感光層を、導電性基体上に形成して電子写
真感光体を構成することにより上記目的を達成した。
として下記一般式〔I〕 (式中、R1はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、nは
0〜4の整数を示す)で表されるジベンゾピレン系化合
物と、電荷輸送材料として下記一般式〔II〕 で表されるジアミン誘導体と、 さらに、下記一般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化
合物、下記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系化合
物、下記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジアミ
ン系化合物 (式中、R2は水素原子またはアルキル基を示す) (式中、R3、R4、R5およびR6は、水素原子またはアルキル
基を示す) (式中、R7、R8、R9、R10、R11は、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子を示し、それぞれフェニル基に置換し
なくてもまた、置換し得る限り何個置換してもよく、ま
たすべての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なって
いてもよい)よりなる群の中から少なくとも一種を選択
して含有する感光層を、導電性基体上に形成して電子写
真感光体を構成することにより上記目的を達成した。
本発明者等が鋭意研究の結果、電荷発生材料として一般
式〔I〕で表されるシベンゾピレン系化合物と、電荷輸
送材料として一般式〔II〕で表されるジアミン誘導体と
を結着樹脂中に含有する系の単層型感光層を有する感光
体においては、前記一般式〔III〕で表されるヒドラゾ
ン系化合物、前記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系
化合物、前記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジ
アミン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選
択して混合させることによって、複写プロセスを繰り返
した場合においても安定した表面電位を維持できること
が判明した。
式〔I〕で表されるシベンゾピレン系化合物と、電荷輸
送材料として一般式〔II〕で表されるジアミン誘導体と
を結着樹脂中に含有する系の単層型感光層を有する感光
体においては、前記一般式〔III〕で表されるヒドラゾ
ン系化合物、前記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系
化合物、前記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジ
アミン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選
択して混合させることによって、複写プロセスを繰り返
した場合においても安定した表面電位を維持できること
が判明した。
(発明の好適態様) 本発明に使用される電荷発生材料としてのジベンゾピレ
ン系化合物は、前記一般式〔I〕で表され、式中のR1の
うちハロゲン原子としては、弗素、臭素、ヨウ素が例示
される。上記ハロゲン原子のうち、塩素または臭素が好
ましい。
ン系化合物は、前記一般式〔I〕で表され、式中のR1の
うちハロゲン原子としては、弗素、臭素、ヨウ素が例示
される。上記ハロゲン原子のうち、塩素または臭素が好
ましい。
また、アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、
tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等
の炭素数1〜6のアルコキシ基が例示される。
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、
tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等
の炭素数1〜6のアルコキシ基が例示される。
具体的には、ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジ
オン、2,8−ジクロロ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジクロロ−ジベンゾ〔def,mno〕
クリセン−6,12−ジオン、2,4,8,10−テトラクロロ−ジ
ベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジブ
ロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
4,10−ジブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12
−ジオン、2,4,8,10−テトラブロモ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジクロロ−4,10−ジ
ブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオ
ン、2,8−ジメトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジメトキシ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジエトキシ−ジベン
ゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジエト
キシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
2,4,8,10−テトラメトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリ
セン−6,12−ジオン、2,4,8,10−テトラエトキシ−ジベ
ンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジメト
キシ−4,10−ジエトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセ
ン−6,12−ジオン、4,10−ジプロポキシ−ジベンゾ〔de
f,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジイソプロポ
キシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
4,10−ジブトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,1
2−ジオン、4,10−ジイソブトキシ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジ−tert−ブトキ
シ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,1
0−ジペンチルオキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジヘキシルオキシ−ジベンゾ〔de
f,mno〕クリセン−6,12−ジオン等が例示される。上記
ジベンゾピレン系化合物のうち、特に、4,10−ジブロモ
−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオンが好ま
しい。
オン、2,8−ジクロロ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジクロロ−ジベンゾ〔def,mno〕
クリセン−6,12−ジオン、2,4,8,10−テトラクロロ−ジ
ベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジブ
ロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
4,10−ジブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12
−ジオン、2,4,8,10−テトラブロモ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジクロロ−4,10−ジ
ブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオ
ン、2,8−ジメトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジメトキシ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジエトキシ−ジベン
ゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジエト
キシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
2,4,8,10−テトラメトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリ
セン−6,12−ジオン、2,4,8,10−テトラエトキシ−ジベ
ンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、2,8−ジメト
キシ−4,10−ジエトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセ
ン−6,12−ジオン、4,10−ジプロポキシ−ジベンゾ〔de
f,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジイソプロポ
キシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、
4,10−ジブトキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,1
2−ジオン、4,10−ジイソブトキシ−ジベンゾ〔def,mn
o〕クリセン−6,12−ジオン、4,10−ジ−tert−ブトキ
シ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオン、4,1
0−ジペンチルオキシ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−
6,12−ジオン、4,10−ジヘキシルオキシ−ジベンゾ〔de
f,mno〕クリセン−6,12−ジオン等が例示される。上記
ジベンゾピレン系化合物のうち、特に、4,10−ジブロモ
−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオンが好ま
しい。
なお、上記記載のジベンゾピレン系化合物のハロゲン化
物、アルコキシ化物は、単離、精製が困難であり、上記
置換基の位置を特定できない場合がある。
物、アルコキシ化物は、単離、精製が困難であり、上記
置換基の位置を特定できない場合がある。
上記一般式〔I〕で表されるジベンゾピレン系化合物
は、一種または二種以上混合して用いられる。
は、一種または二種以上混合して用いられる。
本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記一般式〔II〕で表される3,3′−ジメ
チル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニル
(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミンが用いられ
る。
体としては、前記一般式〔II〕で表される3,3′−ジメ
チル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニル
(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミンが用いられ
る。
本発明に使用される結着樹脂としては、種々のもの、例
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、
アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フ
ェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹
脂等、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高
め、感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共
に結着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ(4,4′
−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネートが好ま
しい。上記ポリ(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニ
ル)カーボネートを用いると、従来、溶液安定性等の点
から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の塩素系
溶剤しか使用できなかったビスフェノールA型ポリカー
ボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチルエチル
ケトン等の溶剤も使用することができるので、安全衛生
上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記ポリ
(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネー
トの中でも、分子量15000〜25000、ガラス転移点が58℃
程度のものが好ましい。
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、
アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、
アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、ケトン樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フ
ェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹
脂等、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を高
め、感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると共
に結着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ(4,4′
−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネートが好ま
しい。上記ポリ(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニ
ル)カーボネートを用いると、従来、溶液安定性等の点
から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン等の塩素系
溶剤しか使用できなかったビスフェノールA型ポリカー
ボネートと異なり、テトラヒドロフラン、メチルエチル
ケトン等の溶剤も使用することができるので、安全衛生
上も好ましく、取扱いが容易である。なお、上記ポリ
(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カーボネー
トの中でも、分子量15000〜25000、ガラス転移点が58℃
程度のものが好ましい。
上記ジベンゾピレン系化合物とジアミン誘導体と上記結
着樹脂との使用割合は、特に限定されず、所望する電子
写真感光体の特性等に応じて適宜選択することができる
が、結着樹脂100重量部に対して、ジベンゾピレン系化
合物2〜20重量部、好ましくは、3〜15重量部、ジアミ
ン誘導体40〜200重量部、好ましくは、50〜100重量部使
用される。ジベンゾピレン系化合物およびジアミン誘導
体が上記使用量よりも少ないと、感光体の感度が十分で
ないばかりか、残留電位が大きくなる。また上記範囲を
越えると感光体の耐摩耗性等が十分でなくなる。
着樹脂との使用割合は、特に限定されず、所望する電子
写真感光体の特性等に応じて適宜選択することができる
が、結着樹脂100重量部に対して、ジベンゾピレン系化
合物2〜20重量部、好ましくは、3〜15重量部、ジアミ
ン誘導体40〜200重量部、好ましくは、50〜100重量部使
用される。ジベンゾピレン系化合物およびジアミン誘導
体が上記使用量よりも少ないと、感光体の感度が十分で
ないばかりか、残留電位が大きくなる。また上記範囲を
越えると感光体の耐摩耗性等が十分でなくなる。
さらに、上記ジベンゾピレン系化合物とジアミン誘導体
とを結着樹脂中に含有する系の単層型感光体に、前記一
般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化合物、前記一般
式〔IV〕で表されるフルオレン系化合物、前記一般式
〔V〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物の中
から一種を選択して混合させるか、前記一般式〔IV〕で
表されるフルオレン系化合物に対して、前記一般式〔II
I〕で表されるヒドラゾン系化合物を組み合わせるか、
あるいは前記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジ
アミン系化合物を組み合わせた二種を選択して混合させ
ることで、複写プロセスの繰り返しにおける表面電位の
低下が防止され安定した表面電位を維持することができ
る。
とを結着樹脂中に含有する系の単層型感光体に、前記一
般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化合物、前記一般
式〔IV〕で表されるフルオレン系化合物、前記一般式
〔V〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物の中
から一種を選択して混合させるか、前記一般式〔IV〕で
表されるフルオレン系化合物に対して、前記一般式〔II
I〕で表されるヒドラゾン系化合物を組み合わせるか、
あるいは前記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジ
アミン系化合物を組み合わせた二種を選択して混合させ
ることで、複写プロセスの繰り返しにおける表面電位の
低下が防止され安定した表面電位を維持することができ
る。
前記一般式〔III〕、〔IV〕、〔V〕におけるアルキル
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル基等の炭素数1〜6のアルキル基が例示される。
また、前記一般式〔V〕におけるアルコキシ基として
は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等が例示される。また、前
記一般式〔V〕におけるハロゲン原子としては、弗素、
塩素、臭素および沃素原子が挙げられる。
基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル基等の炭素数1〜6のアルキル基が例示される。
また、前記一般式〔V〕におけるアルコキシ基として
は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ基等が例示される。また、前
記一般式〔V〕におけるハロゲン原子としては、弗素、
塩素、臭素および沃素原子が挙げられる。
前記一般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化合物とし
ては、3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒ
ドラゾン、N−メチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,
N−ジフェニルヒドラゾン、N−エチル−3−カルバゾ
リルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−プロ
ピル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒ
ドラゾン、N−イソプロピル−3−カルバゾリルアルデ
ヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−ブチル−3−カ
ルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N
−イソブチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフ
ェニルヒドラゾン、N−tert−ブチル−3−カルバゾリ
ルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−ペンチ
ル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒド
ラゾン、N−ヘキシル−3−カルバゾリルアルデヒドN,
N−ジフェニルヒドラゾン等が例示されるが、中でも、
N−エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェ
ニルヒドラゾンが好ましい。
ては、3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒ
ドラゾン、N−メチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,
N−ジフェニルヒドラゾン、N−エチル−3−カルバゾ
リルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−プロ
ピル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒ
ドラゾン、N−イソプロピル−3−カルバゾリルアルデ
ヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−ブチル−3−カ
ルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N
−イソブチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフ
ェニルヒドラゾン、N−tert−ブチル−3−カルバゾリ
ルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン、N−ペンチ
ル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒド
ラゾン、N−ヘキシル−3−カルバゾリルアルデヒドN,
N−ジフェニルヒドラゾン等が例示されるが、中でも、
N−エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェ
ニルヒドラゾンが好ましい。
前記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系化合物として
は、9−カルバゾリルイミノフルオレン、9−(3−メ
チルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ
メチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−
ジエチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3−
エチル−6−メチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、
9−(3,6−ジプロピルカルバゾリルイミノ)フルオレ
ン、9−(3,6−ジイソプロピルカルバゾリルイミノ)
フルオレン、9−(3,6−ジブチルカルバゾリルイミ
ノ)フルオレン、9−(3,6−ジイソブチルカルバゾリ
ルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ−tert−ブチル
カルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジペン
チルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ
ヘキシルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6
−ジメチルカルバゾリルイミノ)−3−メチルフルオレ
ン、9−(3,6−ジメチルカルバゾリルイミノ)−3,6−
ジメチルフルオレン、9−(3,6−ジメチルカルバゾリ
ルイミノ)−3,6−ジエチルフルオレン、9−(3,6−ジ
メチルカルバゾリルイミノ)−3−エチルフルオレン等
が例示されるが、中でも、9−カルバゾリルイミノフル
オレンが好ましい。
は、9−カルバゾリルイミノフルオレン、9−(3−メ
チルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ
メチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−
ジエチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3−
エチル−6−メチルカルバゾリルイミノ)フルオレン、
9−(3,6−ジプロピルカルバゾリルイミノ)フルオレ
ン、9−(3,6−ジイソプロピルカルバゾリルイミノ)
フルオレン、9−(3,6−ジブチルカルバゾリルイミ
ノ)フルオレン、9−(3,6−ジイソブチルカルバゾリ
ルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ−tert−ブチル
カルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジペン
チルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6−ジ
ヘキシルカルバゾリルイミノ)フルオレン、9−(3,6
−ジメチルカルバゾリルイミノ)−3−メチルフルオレ
ン、9−(3,6−ジメチルカルバゾリルイミノ)−3,6−
ジメチルフルオレン、9−(3,6−ジメチルカルバゾリ
ルイミノ)−3,6−ジエチルフルオレン、9−(3,6−ジ
メチルカルバゾリルイミノ)−3−エチルフルオレン等
が例示されるが、中でも、9−カルバゾリルイミノフル
オレンが好ましい。
前記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジアミン系
化合物としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,3−
フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−
トリル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テ
トラフェニル−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−
テトラキス(3−トリル)−3,5−トリレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラキス(4−トリル)−1,3−フェニ
レンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(4−トリ
ル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス(3−エチルフェニル)−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(4−プロピルフェニ
ル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラ
フェニル−5−メトキシ−1,3−フェニレンジアミン、
N,N−ビス(3−トリル)−N′,N′−ジフェニル−1,3
−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリル)−
N,N′−ジフェニル−1,3−フェニレンジアミン、N,N′
−ビス(4−トリル)−N,N′−ビス(3−トリル)−
1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリル)
−N,N′−ビス(3−トリル)−3,5−トリレンジアミ
ン、N,N′−ビス(4−エチルフェニル)−N,N′−ビス
(3−エチルフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、
N,N′−ビス(4−エチルフェニル)−N,N′−ビス(3
−エチルフェニル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラキス(2,4,6−トリメチルフェニル)−
1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス
(2,4,6−トリメチルフェニル)−3,5−トリレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5−ジメチル)−1,3
−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5
−ジメチル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−
テトラキス(3,5−ジエチル)−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5−ジメチル)−3,5
−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−
クロロフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラキス(3−ブロモフェニル)−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−ヨ
ードフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,
N′−テトラキス(3−フルオロフェニル)−1,3−フェ
ニレンジアミン等が例示されるが、中でも、分子の対称
性が悪いことに起因して分子間の相互作用が小さくな
り、逆に樹脂との相互作用が大きくなることから極めて
結晶化しにくい特性を持ち樹脂中に十分溶解できること
から、前記一般式〔V〕中のR7、R8、R10、R11を窒素原子
に対してメタ位に置換する基とした化合物、あるいは
R7、R11を窒素原子に対してパラ位に、R8、R10を窒素原子
に対してメタ位に置換する基とした化合物が好ましい。
具体的には、N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)
−1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリ
ル)−N,N′−ビス(3−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミンである。
化合物としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,3−
フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−
トリル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テ
トラフェニル−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−
テトラキス(3−トリル)−3,5−トリレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラキス(4−トリル)−1,3−フェニ
レンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(4−トリ
ル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキ
ス(3−エチルフェニル)−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(4−プロピルフェニ
ル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラ
フェニル−5−メトキシ−1,3−フェニレンジアミン、
N,N−ビス(3−トリル)−N′,N′−ジフェニル−1,3
−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリル)−
N,N′−ジフェニル−1,3−フェニレンジアミン、N,N′
−ビス(4−トリル)−N,N′−ビス(3−トリル)−
1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリル)
−N,N′−ビス(3−トリル)−3,5−トリレンジアミ
ン、N,N′−ビス(4−エチルフェニル)−N,N′−ビス
(3−エチルフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、
N,N′−ビス(4−エチルフェニル)−N,N′−ビス(3
−エチルフェニル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラキス(2,4,6−トリメチルフェニル)−
1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス
(2,4,6−トリメチルフェニル)−3,5−トリレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5−ジメチル)−1,3
−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5
−ジメチル)−3,5−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−
テトラキス(3,5−ジエチル)−1,3−フェニレンジアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラキス(3,5−ジメチル)−3,5
−トリレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−
クロロフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラキス(3−ブロモフェニル)−1,3−フ
ェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(3−ヨ
ードフェニル)−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N′,
N′−テトラキス(3−フルオロフェニル)−1,3−フェ
ニレンジアミン等が例示されるが、中でも、分子の対称
性が悪いことに起因して分子間の相互作用が小さくな
り、逆に樹脂との相互作用が大きくなることから極めて
結晶化しにくい特性を持ち樹脂中に十分溶解できること
から、前記一般式〔V〕中のR7、R8、R10、R11を窒素原子
に対してメタ位に置換する基とした化合物、あるいは
R7、R11を窒素原子に対してパラ位に、R8、R10を窒素原子
に対してメタ位に置換する基とした化合物が好ましい。
具体的には、N,N,N′,N′−テトラキス(3−トリル)
−1,3−フェニレンジアミン、N,N′−ビス(4−トリ
ル)−N,N′−ビス(3−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミンである。
なお、上記各化合物は、感光体の特性等に応じて適宜量
使用することができるが、上記各化合物のうちヒドラゾ
ン系化合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジ
アミン系化合物とヒドラゾン系化合物とが95:5乃至90:1
0の重量比で感光層中に含有することが好ましい。
使用することができるが、上記各化合物のうちヒドラゾ
ン系化合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジ
アミン系化合物とヒドラゾン系化合物とが95:5乃至90:1
0の重量比で感光層中に含有することが好ましい。
また、上記各化合物のうちフルオレン系化合物を使用す
る場合は、電荷輸送材料としてのジアミン系化合物とフ
ルオレン系化合物とが90:10乃至80:20の重量比で感光層
中に含有することが好ましい。
る場合は、電荷輸送材料としてのジアミン系化合物とフ
ルオレン系化合物とが90:10乃至80:20の重量比で感光層
中に含有することが好ましい。
また、上記各化合物のうちm−フェニレンジアミン系化
合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジアミン
系化合物とm−フェニレンジアミン系化合物とが75:25
乃至25:75の重量比、特に70:30乃至50:50の重量比で感
光層中に含有することが好ましい。
合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジアミン
系化合物とm−フェニレンジアミン系化合物とが75:25
乃至25:75の重量比、特に70:30乃至50:50の重量比で感
光層中に含有することが好ましい。
すなわち、感光層中に上記重量比より少ない割合で上記
各化合物を含有すると繰り返し特性が十分でなく、上記
重量比を越えた割合で上記各化合物を含有すると繰り返
し特性は高くなるものの感度等が十分でなくなるのであ
る。
各化合物を含有すると繰り返し特性が十分でなく、上記
重量比を越えた割合で上記各化合物を含有すると繰り返
し特性は高くなるものの感度等が十分でなくなるのであ
る。
また、上記ジベンゾピレン系化合物が長波長側に分光感
度がないことから、本発明の単層型電子写真感光体を赤
の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組み合わせ
た場合においてより高感度化するために、長波長側に分
光感度を持ちメタルフリーフタロシアニンやオキソチタ
ニルフタロシアニン等のフタロシアニン系化合物を使用
するのが好ましい。
度がないことから、本発明の単層型電子写真感光体を赤
の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組み合わせ
た場合においてより高感度化するために、長波長側に分
光感度を持ちメタルフリーフタロシアニンやオキソチタ
ニルフタロシアニン等のフタロシアニン系化合物を使用
するのが好ましい。
上記メタルフリーフタロシアニンとしては、ブラッグ角
度(2θ±0.2°)が7.5°、9.1°、16.7°、17.3°、2
2.3°に強い回析ピークを示すX型のものが好ましい。
上記X型メタルフリーフタロシアニンは、ジベンゾピレ
ン系化合物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部添加
すると分光感度領域が長波長側にシフトし、より感光体
の感度が高くなるのである。しかし、X型メタルフリー
フタロシアニンをジベンゾピレン系化合物100重量部に
対して1.25重量部以下添加しただけでは、長波長側への
増感効果が生じない。また、X型メタルフリーフタロシ
アニンをジベンゾピレン系化合物100重量部に対して3.7
5重量部以上添加すると逆に長波長側での分光感度が高
くなってしまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしま
う。
度(2θ±0.2°)が7.5°、9.1°、16.7°、17.3°、2
2.3°に強い回析ピークを示すX型のものが好ましい。
上記X型メタルフリーフタロシアニンは、ジベンゾピレ
ン系化合物100重量部に対して1.25乃至3.75重量部添加
すると分光感度領域が長波長側にシフトし、より感光体
の感度が高くなるのである。しかし、X型メタルフリー
フタロシアニンをジベンゾピレン系化合物100重量部に
対して1.25重量部以下添加しただけでは、長波長側への
増感効果が生じない。また、X型メタルフリーフタロシ
アニンをジベンゾピレン系化合物100重量部に対して3.7
5重量部以上添加すると逆に長波長側での分光感度が高
くなってしまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしま
う。
上記オキソチタニルフタロシアニンとしては、例えば、
α型、β型、γ型、δ型およびε型など、種々の結晶型
を有する下記一般式〔VI〕 (式中、Xはハロゲン原子を示し、mは0または1以上
の整数を示す)で表されるオキソチタニルフタロシアニ
ンが例示されるが、中でも、前記一般式〔VI〕における
ハロゲン原子が、臭素あるいは塩素で、mが0であり、
X線回析スペクトルにおけるブラッグ角(2θ±0.2
°)が6.9°、9.6°、15.6°、17.6°、21.9°、23.6
°、24.7°および28.0°に強い回析ピークを示し、上記
ブラッグ角のうち6.9°の回析ピークが最も大きい特性
を示すα型オキソチタニルフタロシアニンが好ましい。
α型、β型、γ型、δ型およびε型など、種々の結晶型
を有する下記一般式〔VI〕 (式中、Xはハロゲン原子を示し、mは0または1以上
の整数を示す)で表されるオキソチタニルフタロシアニ
ンが例示されるが、中でも、前記一般式〔VI〕における
ハロゲン原子が、臭素あるいは塩素で、mが0であり、
X線回析スペクトルにおけるブラッグ角(2θ±0.2
°)が6.9°、9.6°、15.6°、17.6°、21.9°、23.6
°、24.7°および28.0°に強い回析ピークを示し、上記
ブラッグ角のうち6.9°の回析ピークが最も大きい特性
を示すα型オキソチタニルフタロシアニンが好ましい。
上記ジベンゾピレン系化合物が長波長側に分光感度を有
しないことから、上記オキソチタニルフタロシアニンを
ジベンゾピレン系化合物100重量部に対して0.62乃至1.8
8重量部添加することで分光感度領域が長波長側にシフ
トし、赤の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組
み合わせた場合において、より感光体の感度が高くなる
のである。しかし、オキソチタニルフタロシアニンをジ
ベンゾピレン系化合物100重量部に対して0.62重量部以
下添加しただけでは、長波長側への増感効果が生じな
い。また、オキソチタニルフタロシアニンをジベンゾピ
レン系化合物100重量部に対して1.88重量部以上添加す
ると逆に長波長側での分光感度が高くなってしまい、赤
色原稿の再現性が悪くなってしまう。
しないことから、上記オキソチタニルフタロシアニンを
ジベンゾピレン系化合物100重量部に対して0.62乃至1.8
8重量部添加することで分光感度領域が長波長側にシフ
トし、赤の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組
み合わせた場合において、より感光体の感度が高くなる
のである。しかし、オキソチタニルフタロシアニンをジ
ベンゾピレン系化合物100重量部に対して0.62重量部以
下添加しただけでは、長波長側への増感効果が生じな
い。また、オキソチタニルフタロシアニンをジベンゾピ
レン系化合物100重量部に対して1.88重量部以上添加す
ると逆に長波長側での分光感度が高くなってしまい、赤
色原稿の再現性が悪くなってしまう。
また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受け安い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。
上記酸化防止剤としては、2,6−ジ−tert−ブチル−p
−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス〔3−
(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕、ペンタエリスリチル−テト
ラキス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオビス(4−
メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N,N′−ヘキ
サメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤を例示
することができるが、中でも、2,6−ジ−tert−ブチル
−p−クレゾールが好ましい。
−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス〔3−
(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビ
ス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート〕、ペンタエリスリチル−テト
ラキス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオ−ジエチレ
ンビス〔3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオビス(4−
メチル−6−tert−ブチルフェノール)、N,N′−ヘキ
サメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン等のフェノール系酸化防止剤を例示
することができるが、中でも、2,6−ジ−tert−ブチル
−p−クレゾールが好ましい。
本発明の感光体は、前述した各成分を含有する塗布液を
調整し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。
調整し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。
上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封
孔処理したアルミニウムが好ましい。
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封
孔処理したアルミニウムが好ましい。
また、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。
なお、上記塗布液の調整に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機
溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコ
ール類、n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類
等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して
用いられる。また、上記各塗布液を調整する際、分散
性、塗工性等をよくするため、ポリジメチルシロキサン
等のシリコーンオイル、界面活性剤などのレベリング
剤、あるいはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセ
ナフチレンなどの従来公知の増感剤等、種々の添加剤を
併用していてもよい。
脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機
溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコ
ール類、n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類
等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して
用いられる。また、上記各塗布液を調整する際、分散
性、塗工性等をよくするため、ポリジメチルシロキサン
等のシリコーンオイル、界面活性剤などのレベリング
剤、あるいはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセ
ナフチレンなどの従来公知の増感剤等、種々の添加剤を
併用していてもよい。
上記各塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、例え
ば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サン
ドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整す
ることができ、得られた分散液などの塗布に際しては、
従来慣用のコーティング方法、例えば、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンコーティング、
ローラーコーティング、ブレードコーティング、カーテ
ンコーティング、バーコーティング法等が採用される。
ば、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サン
ドミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整す
ることができ、得られた分散液などの塗布に際しては、
従来慣用のコーティング方法、例えば、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、スピンコーティング、
ローラーコーティング、ブレードコーティング、カーテ
ンコーティング、バーコーティング法等が採用される。
本発明における電子写真感光体の単層型感光層は、適宜
の厚みを有してもよいが、15〜30μm、特に18〜27μm
の厚みを有するものが好ましい。
の厚みを有してもよいが、15〜30μm、特に18〜27μm
の厚みを有するものが好ましい。
(実施例) 以下に、実施例に基づき、この発明をより詳細に説明す
る。
る。
実施例1 ポリ−(4,4′−シクロヘキシリデンジフェニル)カー
ボネート(三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネート
Z)100重量部、4,10−ジブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕
クリセン−6,12−ジオン8重量部、X型メタルフリーフ
タロシアニン(大日本インキ社製)0.2重量部、3,3′−
ジメチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェ
ニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン95重量
部、N−エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジ
フェニルヒドラゾン5重量部、酸化防止剤(川口化学社
製、商品名アンテージBHT)5重量部、ポリジメチルシ
ロキサン(信越化学社製)0.01重量部および所定量のテ
トラヒドロフランを、超音波分散器で混合分散し単層型
感光層用分散液を調整すると共に、アルマイト処理され
たアルミニウム素管上に塗布し、厚み約23μmの感光層
を形成し、約100℃で熱処理加工することにより電子写
真感光体を作成した。
ボネート(三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボネート
Z)100重量部、4,10−ジブロモ−ジベンゾ〔def,mno〕
クリセン−6,12−ジオン8重量部、X型メタルフリーフ
タロシアニン(大日本インキ社製)0.2重量部、3,3′−
ジメチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェ
ニル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン95重量
部、N−エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジ
フェニルヒドラゾン5重量部、酸化防止剤(川口化学社
製、商品名アンテージBHT)5重量部、ポリジメチルシ
ロキサン(信越化学社製)0.01重量部および所定量のテ
トラヒドロフランを、超音波分散器で混合分散し単層型
感光層用分散液を調整すると共に、アルマイト処理され
たアルミニウム素管上に塗布し、厚み約23μmの感光層
を形成し、約100℃で熱処理加工することにより電子写
真感光体を作成した。
実施例2 さらに、9−カルバゾリルイミノフルオレン10重量部を
添加する以外は、実施例1と同様にして単層型の電子写
真感光体を作成した。
添加する以外は、実施例1と同様にして単層型の電子写
真感光体を作成した。
実施例3 実施例1で用いた3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミン95重量部に代えて30重量部用い、N−
エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニル
ヒドラゾン5重量部に代えてN,N,N′,N′−テトラキス
(3−トリル)−1,3−フェニレンジアミン70重量部を
用いること以外は、実施例1と同様にして単層型の電子
写真感光体を作成した。
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミン95重量部に代えて30重量部用い、N−
エチル−3−カルバゾリルアルデヒドN,N−ジフェニル
ヒドラゾン5重量部に代えてN,N,N′,N′−テトラキス
(3−トリル)−1,3−フェニレンジアミン70重量部を
用いること以外は、実施例1と同様にして単層型の電子
写真感光体を作成した。
実施例4 実施例3で用いたN,N,N′,N′−テトラキス(3−トリ
ル)−1,3−フェニレンジアミンに代えてN,N′−ビス
(4−トリル)−N,N′−ビス(3−トリル)−1,3−フ
ェニレンジアミンを用いること以外は、実施例3と同様
にして単層型の電子写真感光体を作成した。
ル)−1,3−フェニレンジアミンに代えてN,N′−ビス
(4−トリル)−N,N′−ビス(3−トリル)−1,3−フ
ェニレンジアミンを用いること以外は、実施例3と同様
にして単層型の電子写真感光体を作成した。
実施例5 さらに、9−カルバゾリルイミノフルオレン10重量部を
添加する以外は、実施例3と同様にして単層型の電子写
真感光体を作成した。
添加する以外は、実施例3と同様にして単層型の電子写
真感光体を作成した。
実施例6 実施例1のX型メタルフリーフタロシアニン0.2重量部
に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン0.1重量部
を用いること以外は、実施例1と同様にして単層型の電
子写真感光体を作成した。
に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン0.1重量部
を用いること以外は、実施例1と同様にして単層型の電
子写真感光体を作成した。
比較例1 実施例1で用いたN−エチル−3−カルバゾリルアルデ
ヒドN,N−ジフェニルヒドラゾンを添加せず、3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニ
ル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン95重量部に
代えて100重量部を用いること以外は、実施例1と同様
にして単層型の電子写真感光体を作成した。
ヒドN,N−ジフェニルヒドラゾンを添加せず、3,3′−ジ
メチル−N,N,N′,N′−テトラキス−4−メチルフェニ
ル(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジアミン95重量部に
代えて100重量部を用いること以外は、実施例1と同様
にして単層型の電子写真感光体を作成した。
比較例2 実施例1で用いた3,3′−ジメチル−N,N,N′,N′−テト
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミンを添加せず、N−エチル−3−カルバ
ゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン5重量部
に代えて100重量部を用いること以外は、実施例1と同
様にして単層型の電子写真感光体を作成した。
ラキス−4−メチルフェニル(1,1′−ビフェニル)−
4,4′−ジアミンを添加せず、N−エチル−3−カルバ
ゾリルアルデヒドN,N−ジフェニルヒドラゾン5重量部
に代えて100重量部を用いること以外は、実施例1と同
様にして単層型の電子写真感光体を作成した。
そして、上記実施例および比較例で得られた各電子写真
感光体の帯電特性、感光特性を調べるため、静電複写試
験装置(ジェンテック社製、ジェンテックシンシア 30
M)を用いて、前記各電子写真感光体を正に帯電させ
た。
感光体の帯電特性、感光特性を調べるため、静電複写試
験装置(ジェンテック社製、ジェンテックシンシア 30
M)を用いて、前記各電子写真感光体を正に帯電させ
た。
なお、各電子写真感光体の表面電位VS.P.(V)を測定
すると共に、照度10ルックスのタングステンランプを用
いて、電子写真感光体表面を露光し、上記表面電位V
S.P.が1/2となるまでの時間を求め、半減露光量E1/2
(μJ/cm2)を算出した。また、露光後、0.15秒経過後
の表面電位を残留電位Vr.p.(V)とした。
すると共に、照度10ルックスのタングステンランプを用
いて、電子写真感光体表面を露光し、上記表面電位V
S.P.が1/2となるまでの時間を求め、半減露光量E1/2
(μJ/cm2)を算出した。また、露光後、0.15秒経過後
の表面電位を残留電位Vr.p.(V)とした。
また、1000回の繰り返し使用により表面電位が低下する
か否かを併せて調べた。なお、上記感光体の繰り返し使
用により、感光体の表面電位が100V以上低下したものを
×、50〜100Vの範囲内で低下したものを△、50V以下し
か低下しなかったものを○として評価した。
か否かを併せて調べた。なお、上記感光体の繰り返し使
用により、感光体の表面電位が100V以上低下したものを
×、50〜100Vの範囲内で低下したものを△、50V以下し
か低下しなかったものを○として評価した。
さらに、赤と同じ明度のグレー原稿を複写し、得られた
複写物の反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。上記赤色再現性
が70%以下のものを×、70〜100%の範囲内のものを
△、100%以上のものを○として評価した。
複写物の反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。上記赤色再現性
が70%以下のものを×、70〜100%の範囲内のものを
△、100%以上のものを○として評価した。
上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性等の結果を表1に示す。
帯電特性、感光特性等の結果を表1に示す。
表1から明らかなように、実施例1乃至実施例6の電子
写真感光体は、いずれも帯電特性に優れ、感度が高く、
残留電位が小さいと共に、繰り返し特性や赤色再現性が
良好であることが判明した。これに対して、比較例1乃
至比較例2の電子写真感光体は、いずれも赤色再現性に
は優れているものの、繰り返し特性が不十分であり、さ
らに比較例2の電子写真感光体は感度が低く、残留電位
の高いものであった。
写真感光体は、いずれも帯電特性に優れ、感度が高く、
残留電位が小さいと共に、繰り返し特性や赤色再現性が
良好であることが判明した。これに対して、比較例1乃
至比較例2の電子写真感光体は、いずれも赤色再現性に
は優れているものの、繰り返し特性が不十分であり、さ
らに比較例2の電子写真感光体は感度が低く、残留電位
の高いものであった。
(発明の効果) 以上のように、本発明の電子写真感光体によれば、帯電
特性に優れ、感度が高く、残留電位が小さいと共に、さ
らに繰り返し特性や赤色再現性に優れている。また、単
層型の感光体であるため、正帯電性に優れるだけでな
く、歩留り良く容易に製造することができ安価であると
いう特有の効果を奏する。
特性に優れ、感度が高く、残留電位が小さいと共に、さ
らに繰り返し特性や赤色再現性に優れている。また、単
層型の感光体であるため、正帯電性に優れるだけでな
く、歩留り良く容易に製造することができ安価であると
いう特有の効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 達夫 大阪府大阪市中央区玉造1丁目2番28号 三田工業株式会社内 審査官 須磨 光夫 (56)参考文献 特開 昭62−242950(JP,A) 特開 昭63−271461(JP,A) 特公 昭47−28336(JP,B1)
Claims (4)
- 【請求項1】結着樹脂中に、電荷発生材料として下記一
般式〔I〕 (式中、R1はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、nは
0〜4の整数を示す)で表されるジベンゾピレン系化合
物と、電荷輸送材料として下記一般式〔II〕 で表されるジアミン誘導体と、 さらに、下記一般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化
合物、下記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系化合
物、下記一般式〔V〕で表されるm−フェニレンジアミ
ン系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選択し
て含有する感光層を、導電性基体上に形成することを特
徴とする電子写真感光体。 (式中、R2は水素原子またはアルキル基を示す) (式中、R3、R4、R5およびR6は、水素原子またはアルキル
基を示す) (式中、R7、R8、R9、R10、R11は、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子を示し、それぞれフェニル基に置換し
なくてもまた、置換し得る限り何個置換してもよく、ま
たすべての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なって
いてもよい)。 - 【請求項2】感光層が、メタルフリーフタロシアニンま
たはオキソチタニルフタロシアニンを含有することを特
徴とする上記請求項1記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】感光層が、酸化防止剤を含有する上記請求
項1又は2記載の電子写真感光体。 - 【請求項4】ジベンゾピレン系化合物が、4,10−ジブロ
モ−ジベンゾ〔def,mno〕クリセン−6,12−ジオンであ
る上記請求項1記載の電子写真感光体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8001289A JPH06100836B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
| US07/501,040 US5059503A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-29 | Electrophotosensitive material with combination of charge transfer materials |
| KR1019900004518A KR930007489B1 (ko) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | 전자사진 감광체 |
| DE69022455T DE69022455T2 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | Elektrophotoempfindliches Material. |
| EP90106167A EP0390196B1 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | Electrophotosensitive material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8001289A JPH06100836B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031155A JPH031155A (ja) | 1991-01-07 |
| JPH06100836B2 true JPH06100836B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=13706410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8001289A Expired - Lifetime JPH06100836B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419733B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-02-21 | 기아자동차주식회사 | 화물 적재함의 청소장치 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP8001289A patent/JPH06100836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031155A (ja) | 1991-01-07 |
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