JPH031155A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真感光体に関する。

（従来技術） 近年、導電性基体上に感光層が形成された電子写真用感
光体として、加工性がよく製造コストの面で有利である
と共に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用さ
れている。上記有機感光体においては、光照射により電
荷を発生させる電荷発生材料と発生した電荷を輸送する
電荷輸送材料とにより電荷発生機能と電荷輸送機能とを
分離した感光層を有することで、高感度化を図った機能
分離型電子写真用感光体が知られている。上記機能分離
型電子写真用感光体の感光層としては、少なくとも電荷
発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材料と結着
樹脂とを含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光
体や、電荷発生材料および電荷輸送材料とを結着樹脂中
に分散させて成る単層型感光体等が種々提案されている
。

上記積層感光体は、電荷発生層と電荷輸送層とにより各
種機能を分離しているため、前記単層型感光体と異なり
、高感度で感光材料の選択幅が広いという利点がある。

ところで、電荷輸送材料には正電荷輸送型が多いことや
表面に耐久性を持たせるため、導電性基体上に電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層を設けた負帯電用積
層感光体の構造をとることが一般的である。しかしなが
ら、このような負帯電用積層感光体では負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し感光体の劣化及び複写環境の汚染
を引き起こしたり、また現像時には製造が困難である正
帯電性のトナーを必要とする等の問題がある。

一方上記の単層型感光体は、正帯電させることができる
だけでなく、感光体の静電潜像を現像するトナーとして
負帯電性トナーを使用できる。これは、一般にトナーは
負帯電するものが得られ易いため、トナー材料の選択幅
が広く、種々のトナー材料を使用することができるとい
う利点がある。

しかしながら、一層中で電子と正孔を移動させるため、
どちらかがトラップとなり残留電位が大きくなる傾向が
ある。しかも、電荷発生材料と電荷輸送材料との組合せ
方により、帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性
が大きく左右されるという問題点がある。

そこで、上記問題点に鑑みジブロモアンスアンスロンと
ジアミン誘導体とを組み合わせた電子写真感光体（特願
昭６３−２２３６５１号公報）が提案されている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記感光体では未だ十分な電子写真特性
を得ることができず、帯電特性、感度、残留電位等の電
子写真特性が優れ、さらに複写プロセスの繰り返しにお
いても、より表面電位の安定性に優れた感光体の開発が
望まれている。

従って、本発明は帯電特性、感度、残留電位等の電子写
真特性だけでなく、さらに繰り返し安定性にも優れた正
帯電性の単層型電子写真感光体を提供することを目的と
する。

（問題点を解決するための手段および作用）従って、本
発明においては結着樹脂中に、電荷発生材料として下記
−儀式（１） ン系化合物、下記−儀式〔Ｖ〕で表されるｍ−フェニレ
ンジアミン系化合物 （式中、Ｒ１はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、ｎ
はＯ〜４の整数を示す）で表されるジベンゾピレン系化
合物と、電荷輸送材料として下記−般式（ＩＩ） （式中、Ｒ２は水素原子またはアルキル基を示（式中、
Ｒ３、Ｒ’　、Ｒ’およびＲ６は、水素原子またはアル
キル基を示す） で表されるジアミン誘導体と、 さらに下記−儀式（ＩＩ［］で表されるヒドラゾン系化
合物、下記−儀式（ＩＶ）で表されるフルオレ（式中、
Ｒ’　、Ｒ”　、Ｒ”　、Ｒ”％　Ｒ”は、アルキル基
、アルコキシ基、ハロゲン原子を示し、それぞれフェニ
ル基に置換しなくてもまた、置換し得る限り何個置換し
てもよく、またすべての置換基は同一でも、それぞれ互
いに異なっていてもよい）よりなる群の中から少なくと
も一種を選択して含有する感光層を、導電性基体上に形
成して電子写真感光体を構成することにより上記目的を
達成した。

本発明者等が鋭意研究の結果、電荷発生材料として一般
式（１）で表されるジベンゾピレン系化合物と、電荷輸
送材料として一般式（Ｉｌ）で表されるジアミン誘導体
とを結着樹脂中に含有する系の単層型感光層を有する感
光体においては、前記−儀式（ＩＩＩ）で表されるヒド
ラゾン系化合物、前記−形式（ＩＶ）で表されるフルオ
レン系化合物、前記−儀式（Ｖ）で表されるｍ−フェニ
レンジアミン系化合物よりなる群の中から少なくとも一
種を選択して混合させることによって、複写プロセスを
繰り返した場合においても安定した表面電位を維持でき
ることが判明した。

（発明の好適態様） 本発明に使用される電荷発生材料としてのジベンゾピレ
ン系化合物は、前記−儀式ＣＩ）で表され、式中のＲ１
のうちハロゲン原子としては、弗素、臭素、ヨウ素が例
示される。上記ハロゲン原子のうち、塩素または臭素が
好ましい。

また、アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、
ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ
基等の炭素数１〜６のアルコキシ基が例示される。

具体的には、ジベンゾ（ｄｅ　ｆ、ｍｎｏ）　り’）セ
ン−６，１２−ジオン、２，８−ジクロロ−ジベンゾ（
ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、４．１
０−ジクロロ−ジベンゾ（ｄｅｆ。

ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、２，４゜８．１
０−テトラクロロ−ジベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセ
ン−６，１２−ジオン、２．８−ジブロモ−ジベンゾ（
ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、４．１
０−ジブロモージ・＼ンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン
−６，１２−ジオン、２，４，８．１０−テトラブロモ
ージベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジ
オン、２８−ジクロロ−４，１０−ジブロモ−ジベンゾ
（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、２，
８−ジメトキシージベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン
−６，１２−ジオン、４．１０−ジメトキシ−ジベンゾ
［ｄｅ　ｆ、ｍｎｏ］クリセン−６，１２−ジオン、２
，８−ジエトキシージベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセ
ン−６，１２−ジオン、４，１０−ジェトキシ−ジベン
ゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ：ｌクリセン−６，１２−ジオン、
２゜４．８．１０−テトラメトキシ−ジベンゾ（ｄｅｆ
、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、２゜４．８．
１０−テトラエトキシ−ジベンゾ（ｄｅｒ、ｍｎｏ）ク
リセン−６，１２−ジオン、２゜８−ジメトキシ−４１
０−ジェトキシ−ジベンゾ〔ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン
−６，１２−ジオン、４，１０−ジプロポキシ−ジベン
ゾ（ｄｅｆ。

ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、４，１０−ジイ
ソプロポキシ−ジベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎＯ〕クリセン−
６，１２−ジオン、４．１０−ジブトキシージベンゾ［
ｄｅｆ、ｍｎｏ］クリセン−６，１２−ジオン、４，１
０−ジイソブトキシ−ジベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリ
セン−６，１２−ジオン、４，１０−ジーｔｅｒｔ、−
ブトキシジベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１
２−ジオン、４，１０−ジペンチルオキシージベンゾ（
ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−ジオン、４，１
０−ジヘキシルオキシージベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）ク
リセン−６，１２−ジオン等が例示される。上記ジベン
ゾピレン系化合物のうち、特に、４．１０−ジブロモ−
ジベンゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏｌクリセン−６，１２−ジオ
ンが好ましい。

なお、上記記載のジベンゾピレン系化合物のハロゲン化
物、アルコキシ化物は、単離、精製が困難であり、上記
置換基の位置を特定できない場合がある。

上記−儀式（ｒ）で表されるジベンゾピレン系化合物は
、一種または二種以上混合して用いられる。

本発明に使用される電荷輸送材料としてのジアミン誘導
体としては、前記−儀式〔■〕で表される３、３°　−
ジメチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ・、Ｎ・　−テトラキス−４
−メチルフェニル（１，ｔ’　　−ビフェニル）−，４
，４’　　−ジアミンが用いられる。

本発明に使用される結着樹脂としては、種々のもの、例
えば、スチレン系重合体、アクリル系重合体、スチレン
−アクリル系重合体、ポリエチレン、エチレン−＝酢酸
ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン
、アイオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ア
ルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン
、ジアリルツクレート、シリコーン樹脂、）ｙ−１−ン
樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、
フェノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型
樹脂等、各種の重合体が使用できるが、感光体の感度を
高め、感光体の耐摩耗性および繰り返し特性に優れると
共に結着樹脂を溶解する溶剤の選択幅が広いポリ（４，
４・　−シクロヘキシリデンジフェニル）カーボネート
が好ましい。上記ポリ（４，４’　　−シクロへキシリ
デンジフェニル）カーボネートを用いると、従来、溶液
安定性等の点から、ジクロロメタン、モノクロロベンゼ
ン等の塩素系溶剤しか使用できなかったビスフェノール
Ａ型ポリカーボネートと異なり、テトラヒドロフラン、
メチルエチルケトン等のン容剤も使用することができる
ので、安全衛生上も好ましく、取扱いが容易である。な
お、上記ポリ（４，４“　−シクロへキシリデンジフェ
ニル）カーボネートの中でも、分子１１５０００〜２５
０００、ガラス転移点が５８°Ｃ程度のものが好ましい
。

上記ジベンゾピレン系化合物とジアミン誘導体と上記結
着樹脂との使用割合は、特に限定されず、所望する電子
写真感光体の特性等に応じて適宜選択することができる
が、結着樹脂１００重量部に対して、ジベンゾピレン系
化合物２〜２０重量部、好ましくは、３〜１５重世部、
ジアミン誘導体４０〜２００重量部、好ましくは、５０
〜１００重量部使用される。ジベンゾピレン系化合物お
よびジアミンＢＭ　導体が上記使用量よりも少ないと、
感光体の感度が十分でないばかりか、残留電位が大きく
なる。また上記範囲を越えると感光体の耐摩耗性等が十
分でなくなる。

さらに２．上記ジベンゾピレン系化合物とジアミン誘導
体とを結着樹脂中に含有する系の単層型感光体に、前記
−儀式（Ｉ［Ｉ］で表されるヒドラゾン系化合物、前記
−儀式（ＩＶ）で表されるフルオレン系化合物、前記−
儀式（Ｖ）で表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物
の中から一種を選択して混合させるか、前記−儀式〔■
〕で表されるフルオレン系化合物に対して、前記−儀式
〔■〕で表されるヒドラゾン系化合物を組み合わせるか
、あるいは前記−儀式（Ｖ）で表されるｍ−フェニレン
ジアミン系化合物を組み合わせた二種を選択して混合さ
せることで、複写プロセスの繰り返しにおける表面電位
の低下が防止され安定した表面電位を維持することがで
きる。

前記−儀式（Ｉ［Ｉ）、（ＩＶ）、（Ｖ）におけるアル
キル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基が例示さ
れる。また、前記−儀式（Ｖ）におけるアルコキシ基と
しては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポ
キシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等が例示される。ま
た、前記−儀式（Ｖ）におけるハロゲン原子としては、
弗素、塩素、臭素および沃素原子が挙げられる。

前記−儀式（］］１）で表されるヒドラゾン系化合物と
しては、３−カルバゾリルアルテヒＩ’Ｎ、　　Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾン、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチル−
３−カルバゾリルアルデヒドＮ。

Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−プロピル−３−カルバ
ゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−
イソプロピル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾン、Ｎ−ブチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−イソブチ
ル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ〜ジフェニルヒ
ドラゾン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−３−カルバゾリルア
ルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−ペンチル
−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾン、Ｎ−へキシル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ
、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン等が例示されるが、中でも
、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾンが好ましい。

前記−儀式（ＴＶ）で表されるフルオレン系化合物とし
ては、９−カルバゾリルイミノフルオレン、９−（３−
メヂルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６
−シメチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３
，６−シエチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９−
（３−エチル６−メチルカルバゾリルイミノ）フルオレ
ン、９−（３，６−ジプロピルカルバゾリルイミノ）フ
ルオレン、９−（３，６−ジイツプロピルカルバゾリル
イミノ）フルオレン、９−（３，６−シブチルカルバゾ
リルイミノ）フルオレン、９−（３゜６−ジイツブチル
カルバゾリルイミノ）フルオレン、９−（３，６−ジー
ｔｅｒむ−メチルカルバゾリルイミノ）フルオレン、９
−（３，６−ジベンチルカルバゾリルイミノ）フルオレ
ン、９−（３，６−ジヘキシルカルバゾリルイミノ）フ
ルオレン、９−（３，６−シメチルカルパゾリルイミノ
）−３−メチルフルオレン、９−（３，６−シメチルカ
ルバゾリルイミノ）−３，６−シメチルフルオレン、９
−（３，６−シメチルカルバゾリルイミノ）−３，６−
シエチルフルオレン、９−（３，６−シメチルカルバゾ
リルイミノ）−３−エチルフルオレン等が例示されるが
、中でも、９−カルバゾリルイミノフルオレンが好まし
い。

前記−儀式〔Ｖ〕で表されるｍ−フェニレンジアミン系
化合物としては、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テドラフェニ
ル−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ。

Ｎ　　Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１゜３
−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラ
フェニル−３，５−）リレンジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−３゜５−
トリレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ“　−テトラキス
（４−トリル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ’、Ｎ”−テトラキス（４−トリル）−３，５−）
リレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎｏ−テトラキス（３−エチルフェニル）−１゜３−フ
ェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス
（４−プロピルフェニル）−１，３−フェニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ“−テトラフェニル−５−メトキ
シ−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ビス（３−
トリル）−Ｎ”　Ｎ　＋ジフェニルー１，３−フェニレ
ンジアミン、Ｎ。

Ｎｏ−ビス（４−トリル）−Ｎ、Ｎ”−ジフェニル−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、　Ｎ”　−ビス（４−
トリル）−Ｎ、Ｎ・　−ビス（３−トリル）−１，３−
フェニレンジアミン、Ｎ、　Ｎ−ビス（４−トリル）−
Ｎ、Ｎ＝−ビス（３−１−リル）−３，５−１−リレン
ジアミン、Ｎ、　Ｎ−−ビス（４−エチルフェニル）−
Ｎ、Ｎ・−ビス（３−エチルフェニル）−１，３−フェ
ニレンジアミン、Ｎ、　　Ｎ“　−ビス（４−エチルフ
ェニル）−Ｎ。

Ｎｏ−ビス（３−エチルフェニル）−３，５−トリレン
ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テトラキス（２，４
，６−４リメチルフエニル）−１，３−フェニレンジア
ミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’　−テＩ・ラキス（２，４，
６−ドラメチルフエニル）−３゜５−トリレンジアミン
、Ｎ、Ｎ、Ｎｏ　Ｎ　＋　−テトラキス（３，５−ジメ
チル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、
Ｎ”−テトラキス（３゜５−ジメチル）−３，５−トリ
レンジアミン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３，５−ジエチル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’Ｎ°−テトラ
キス（３，５−ジメチル）−３，５＝トリレンジアミン
、Ｎ、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　ｌ　−テトラキス（３−クロロフ
ェニル）−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’−テトラキス（３−ブロモフェニル）−１，３−
フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”　Ｎ　Ｉ−テトラキ
ス（３−ヨードフェニル）−１，３−フェニレンジアミ
ン、Ｎ。

Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−フルオロフェニル）
−１，３−フェニレンジアミン等が例示されるが、中で
も、分子の対称性が悪いことに起因して分子間の相互作
用が小さくなり、逆に樹脂との相互作用が大きくなるこ
とから極めて結晶化しにくい特性を持ち樹脂中に十分溶
解できることから、前記−儀式（Ｖ）中のＲ７、Ｒ１１
，ＲＩＱ、Ｒ目を窒素原子に対してメタ位に置換する基
とした化合物、あるいはＲ７、Ｒ１１を窒素原子に対し
てパラ位に、Ｒ１１、Ｒ１＋＋を窒素原子に対してメタ
位に置換する基とし７た化合物が好ましい。具体的には
、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−１
，３−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ・　−ビス（４−ト
リル）−Ｎ、Ｎｏ　−ビス（３−トリル）−１，３−フ
ェニレンジアミンである。

なお、上記各化合物は、怒光体の特性等に応じて適宜量
使用することができるが、上記各化合物のうちヒドラゾ
ン系化合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジ
アミン系化合物とヒドラゾン系化合物とが９５：５乃至
９０　：　１０の重量比で感光層中に含有することが好
ましい。

また、上記各化合物のうちフルオレン系化合物を使用す
る場合は、電荷輸送材料としてのジアミン系化合物とフ
ルオレン系化合物とが９０：１０乃至８０：２０の重量
比で感光層中に含有することが好ましい。

また、上記各化合物のうちｍ−フェニレンジアミン系化
合物を使用する場合は、電荷輸送材料としてのジアミン
系化合物とｍ−フェニレンジアミン系化合物とが７５：
２５乃至２５　：　７５の重量比、特に７０：３０乃至
５０　：５０の重量比で感光層中に含有することが好ま
しい。

すなわち、感光層中に上記重量比より少ない割合で上記
各化合物を含有すると繰り返し特性が十分でなく、上記
重量比を越えた割合で上記各化合物を含有Ｖると繰り返
し特性は高くなるものの怒度等が十分でなくなるのであ
る。

また、上記ジベンゾピレン系化合物が長波長側に分光感
度がないことから、本発明の単層型電子写真感光体を赤
の分光エネルギーの大きいハロゲンランプと組み合わせ
た場合においてより高恐度化するために、長波長側に分
光感度を持つメタルフリーフタロシアニンやオキソチタ
ニルフタロシアニン等のフタロシアニン系化合物を使用
するのが好ましい。

上記メタルフリーフタロシアニンとしては、ブラング角
度（２θ±０．２’）が７．５”、９゜１°　　１６．
７°　　１７．３°　　２２．３°に強い回折ピークを
示すＸ型のものが好ましい。上記Ｘ型メタルフリーフタ
ロシアニンは、ジベンゾピレン系化合物１００重量部に
対して１．２５乃至３．７５重量部添加すると分光感度
領域が長波長側にシフトし、より感光体の感度が高くな
るのである。しかし、Ｘ型メタルフリーフタロシアニン
をジベンゾピレン系化合物１００重量部に対して１．２
５重量部以下添加しただけでは、長波長側への増感効果
が生じない。また、Ｘ型メタルフリーフタロシアニンを
ジベンゾピレン系化合物１００重量部に対して３．７５
重量部以上添加すると逆に長波長側での分光感度が高く
なってしまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしまう。

上記オキソチタニルフタロシアニンとしては、例えば、
α型、β型、γ型、δ型およびε型など、種々の結晶型
を有する下記−儀式（ＶＩ）（式中、Ｘはハロゲン原子
を示し、ｍはＯまたは１以上の整数を示す）で表される
オキソチタニルフタロシアニンが例示されるが、中でも
、前記−儀式（’、ＪＴ）におけるハロゲン原子が、臭
素あるいは塩素で、ｍがＯであり、Ｘ線回折スペクトル
におけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、６．９．９
゜６’　　　１５．６’　　　！７．６’、２１゜９°
、２３．６’、２４．７°および２８．０”に強い回折
ピークを示し、上記ブラッグ角のうち６．９°の回折ピ
ークが最も大きい特性を示すα型オキソチタニルフタロ
シアニンが好ましい。

上記ジベンゾピレン系化合物が長波長側に分光感度を有
しないことから、上記オキソチタニルフタロシアニンを
ジベンゾピレン系化合物１００重量部に対して０．６２
乃至１．８８重量部添加することで分光感度領域が長波
長側にシフトし、赤の分光エネルギーの大きいハロゲン
ランプと組み合わせた場合において、より感光体の感度
が高くなるのである。しかし、オキソチタニルフタロシ
アニンをジベンゾピレン系化合物１００重量部に対して
０．６２重量部以下添加しただけでは、長波長側への増
悪効果が生しない。また、オキソチタニルフタロシアニ
ンをジベンゾピレン系化合物１００重量部に対して１．
８８重量部以上添加すると逆に長波長側での分光感度が
高くなってしまい、赤色原稿の再現性が悪くなってしま
う。

また、酸化防止剤を併用すると、酸化の影響を受は安い
構造を持つ電荷輸送材料等の酸化による劣化を好適に防
止することができる。

上記酸化防止剤としては、２，６−ジーｔｅｒも−ブチ
ルーｐ−クレゾール、トリエチレングリコール−ビス（
３−（３−ｔ　ｅ　ｒ　ｔ−ブチル−５−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキ
サンシオールービス〔３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブ
チルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、ペ
ンタエリスリチル−テトラキス（３−（３，５−ジーｔ
ｅｒｔ−−）’ｆルー４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート）、２．２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３
，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル
）プロピオネート〕、２．２−チオビス（４−メチル−
６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ、Ｎ・−へキサ
メチレンビス（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒ
ドロキシ−ヒドロシンナマミド）、１．．３．５−トリ
メチル−２゜４．６−１−リス（３，５−ジーＬｅｒむ
−ブチルー４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等のフェ
ノ−ル系酸化防止剤を例示することができるが、中でも
、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾールが好
ましい。

本発明の感光体は、前述した各成分を含有する塗布液を
調整し、この塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させ
ることで得られる。

上記導電性基体は、導電性を有するシート状やドラム状
のいずれであってもよく、導電性を有する種々の材料、
例えば、表面がアルマイト処理された、または未処理の
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮などの金属単体や、蒸着等の手段により上記金
属、酸化インジウム、酸化錫等の層が形成されたプラス
チック材料およびガラス等が例示されるが、中でも硫酸
アルマイト法による陽極酸化を行い、酢酸ニッケルで封
孔処理したアルミニウムが好ましい。

また、導電性基体は、必要に応じて、シランカップリン
グ剤やチタンカップリング剤などの表面処理剤で表面処
理を施し、感光層との密着性を高めてもよい。

なお、上記塗布液の調整に際しては、使用される結着樹
脂等の種類に応じて適宜の有機溶剤が使用され、該有機
溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パツール、イソプロパツール、ブタノールなどのアルコ
ール類、ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類
等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合して
用いられる。また、上記各塗布液を調整する際、分散性
、塗工性等をよくするため、ポリジメチルシロキサン等
のシリコーンオイル、界面活性剤などのレベリング剤、
あるいはターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフ
チレンなどの従来公知の増感剤等、種々の添加剤を併用
していてもよい。

上記各塗布液などは、従来慣用の混合分散方法、例えば
、ペイントシェーカー、ミキサー、ボールミル、サンド
ミル、アトライター、超音波分散器等を用いて調整する
ことができ、得られた分散液などの塗布に際しては、従
来慣用のコーティング方法、例えば、デイツプコーティ
ング、スプレーコーティング、スピンコーティング、ロ
ーラーコーティング、ブレードコーティング、カーテン
コーティング、バーコーティング法等が採用される。

本発明における電子写真感光体の単層型感光層は、適宜
の厚みを有してもよいが、１５〜３０μｍ、特に１８〜
２７μｍの厚みを有するものが好ましい。

（実施例） 以下に、実施例に基づき、この発明をより詳細に説明す
る。

実施例１ ポリ−（４，４’　　−シクロへキシリデンジフェニル
）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、商品名ポリカーボ
ネートＺ）１００重量部、４．１０−ジブロモ−ジベン
ゾ（ｄｅｆ、ｍｎｏ）クリセン−６，１２−−ジオン８
重量部、Ｘ型メタルフリーフタロシアニン（大日本イン
キ社製）０．２重量部、３．３゛　　−ジメチル−Ｎ、
　Ｎ、　Ｎ＝　、　　Ｎ＝テトラキス−４−メチルフェ
ニル（１，１″　−ビフエニル）−４，４＝−ジアミン
９５重量部、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルアルデヒド
Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン５重量部、酸化防止剤（
川口化学社製、商品名アンテージＢＨＴ）５重量部、ポ
リジメチルシロキサン（信越化学社製）０．０１重量部
および所定量のテトラヒドロフランを、超音波分散器で
混合分散し単層型感光層用分散液を調整すると共に、ア
ルマイト処理されたアルミニウム素管上に塗布し、厚み
約２３μｍの感光層を形成し、約１００°Ｃで熱処理加
工することにより電子写真感光体を作成した。

実施例２ さらに、９−カルバゾリルイミノフルオレン１０重量部
を添加する以外は、実施例１と同様にして単層型の電子
写真感光体を作成した。

実施例３ 実施例１で用いた３、３゛　　−ジメチル−Ｎ、　Ｎ。

Ｎ−Ｎ・　−テトラキス−４−メチルフェニル（１，１
・−ビフェニル）−４，４°　−ジアミン９５重量部に
代えて３０重量部用い、Ｎ−エチル−３−カルバゾリル
アルデヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン５重量部に代
えてＮ、Ｎ、Ｎ・、Ｎ・−テトラキス（３−トリル）−
１，３−フェニレンジアミン７０重量部を用いること以
外は、実施例１と同様にして単層型の電子写真感光体を
作成した。

実施例４ 実施例３で用いたＮ、　Ｎ、　Ｎ・、Ｎ・　−テトラキ
ス（３−）リル）−１，３−フェニレンジアミンに代え
てＮ、Ｎ・　−ビス（４−トリル）−Ｎ。

Ｎ゛−ビス（３−トリル）−１，３−フェニレンジアミ
ンを用いること以外は、実施例３と同様にして単層型の
電子写真感光体を作成した。

実施例５ さらに、９−カルバゾリルイミノフルオレン１０重量部
を添加すること以外は、実施例３と同様にして単層型の
電子写真感光体を作成した。

実施例６ 実施例１のＸ型メタルフリーフタロシアニン０゜２重量
部に代えてα型オキソチタニルフタロシアニン０．１重
量部を用いること以外は、実施例１と同様にして単層型
の電子写真感光体を作成した。

比較例１ 実施例１で用いたＮ−エチル−３−カルバゾリルアルデ
ヒドＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを添加せず、３．３
・　−ジメチル−Ｎ、　Ｎ、　Ｎ・、Ｎ。

−テトラキス−４−メチルフェニル（１，トビフェニル
）−４，４・　−ジアミン９５重量部に代えて１００重
量部を用いること以外は、実施例１と同様にして単層型
の電子写真感光体を作成した。

比較例２ 実施例１で用いた３、３°　−ジメチル−Ｎ、　Ｎ。

Ｎ′Ｎ＝　　−テトラキス−４−メチルフェニル（１，
１°−ビフェニル）−４，４°　−ジアミンを添加セす
、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルアルデヒドＮ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾン５重量部に代えて１００重量部を用
いること以外は、実施例１と同様にして単層型の電子写
真感光体を作成した。

そして、上記実施例および比較例で得られた各電子写真
感光体の帯電特性、感光特性を調べるため、静電複写試
験装置（ジエンチック社製、ジエンチックシンシア　３
０Ｍ）を用いて、前記各電子写真感光体を正に帯電させ
た。

なお、各電子写真感光体の表面電位Ｖ　ｓ、　Ｐ、　（
ｖ）を測定すると共に、照度１０ルツクスのタングステ
ンランプを用いて、電子写真感光体表面を露光し、上記
表面電位Ｖ　Ｓ、　Ｐ、が１／２となるまでの時間を求
め、半減露光ｆｔＥ　１／２　（ｕ　Ｊ／ａｍ２）を算
出した。また、露光後、０．１５秒経過後の表面電位を
残留電位Ｖ　、、　、、　（Ｖ）とした。

また、１０００回の繰り返し使用により表面電位が低下
するか否かを併せて調べた。なお、上記感光体の繰り返
し使用により、感光体の表面電位が１００ｖ以上低下し
たものを×、５０〜１００Ｖの範囲内で低下したものを
Δ、５０Ｖ以下しか低下しなかったものをＯとして評価
した。

さらに、赤と同じ明度のグレー原稿を複写し、得られた
複写物の反射濃度を反射濃度計によって測定した後、 を算出することで赤色再現性を調べた。上記赤色再現性
が７０％以下のものを×、７０〜１００％の範囲内のも
のを△、１００％以上のものをＯとして評価した。

上記実施例および比較例で得られた各電子写真感光体の
帯電特性、感光特性等の結果を表１に示す。

表１ 例２の電子写真感光体は感度が低く、残留電位の高いも
のであった。

（発明の効果） 以上のように、本発明の電子写真感光体によれば、帯電
特性に優れ、感度が高く、残留電位が小さいと共に、さ
らに繰り返し特性や赤色再現性に優れている。また、単
層型の感光体であるため、正帯電性に優れるだけでな（
、歩留り良く容易に製造することができ安価であるとい
う特有の効果を奏する。

表１から明らかなように、実施例１乃至実施例６の電子
写真感光体は、いずれも帯電特性に優れ、感度が高く、
残留電位が小さいと共に、繰り返し特性や赤色再現性が
良好であることが判明した。

これに対して、比較例１乃至比較例２の電子写真感光体
は、いずれも赤色再現性には優れているものの、繰り返
し特性が不十分であり、さらに比較特許出願人　　三田
工業株式会社 日本蒸溜工業株式会社 日本触媒化学工業株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）結着樹脂中に、電荷発生材料として下記一般式〔
   I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１はハロゲン原子、アルコキシ基を示し、
   ｎは０〜４の整数を示す）で表されるジベンゾピレン系
   化合物と、電荷輸送材料として下記一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 で表されるジアミン誘導体と、 さらに、下記一般式〔III〕で表されるヒドラゾン系化
   合物、下記一般式〔IV〕で表されるフルオレン系化合物
   、下記一般式〔Ｖ〕で表されるｍ−フェニレンジアミン
   系化合物よりなる群の中から少なくとも一種を選択して
   含有する感光層を、導電性基体上に形成することを特徴
   とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 （式中、Ｒ＾２は水素原子またはアルキル基を示す） ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 （式中、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６は、水素
   原子またはアルキル基を示す） ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕 （式中、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１
   ＾１は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を示
   し、それぞれフェニル基に置換しなくてもまた、置換し
   得る限り何個置換してもよく、またすべての置換基は同
   一でも、それぞれ互いに異なっていてもよい）。
2. （２）感光層が、メタルフリーフタロシアニンまたはオ
   キソチタニルフタロシアニンを含有することを特徴とす
   る上記請求項１記載の電子写真感光体。
3. （３）感光層が、酸化防止剤を含有する上記請求項１又
   は２記載の電子写真感光体。
4. （４）ジベンゾピレン系化合物が、４、１０−ジブロモ
   −ジベンゾ〔ｄｅｆ、ｍｎｏ〕クリセン−６、１２−ジ
   オンである上記請求項１記載の電子写真感光体。