JPH06101155B2 - 光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録再生方法Info
- Publication number
- JPH06101155B2 JPH06101155B2 JP10585187A JP10585187A JPH06101155B2 JP H06101155 B2 JPH06101155 B2 JP H06101155B2 JP 10585187 A JP10585187 A JP 10585187A JP 10585187 A JP10585187 A JP 10585187A JP H06101155 B2 JPH06101155 B2 JP H06101155B2
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- Japan
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- wavelength
- magneto
- reflectance
- optical recording
- film
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、書き込み用と読み出し用に異なる波長を用
いた光磁気記録再生方法に関する。
いた光磁気記録再生方法に関する。
従来、光磁気記録媒体として、希土類−遷移金属非晶質
合金がよく知られている。例えばTbFeCo3元系媒体は、
約170℃のキュリー温度を有し、カー回転も大きい優れ
た記録媒体である。しかし、磁性膜単層では、記録感
度、及び読み出し時のSN比（シグナル、イノズ）が不充
分であり、磁性層表面での反射を防止し熱効率を高める
と同時に、カーエンハンスメント効果によるカー回転角
の増大を計る反射防止膜が必要である。特開昭56−1569
43号公報等で提案されている単層反射防止膜では、実用
的な誘電体材料と膜厚の範囲において得られる反射率の
最小値とエンハンスされたカー回転角は制限があり、記
録感度および読み出し時のSN比の向上に対する効果は限
られる。また、特開昭59−227054号公報等で提案されて
いる多層構成の反射防止においては、反射率の最小値を
零まで小さくすることが可能であり、良好な記録感度が
得られると共に、反射率が零に近いところで大きなカー
回転角が得られ高SN比が得られる。しかし、記録されて
いる情報を、破壊することなく読み出すためには、読み
出し時のレーザー光強度に上限が存在し、従つてレーザ
ーの波長に対し一定値以上の反射率が必要とされる。逆
に大きな光強度で読み出し可能なように、媒体のキュリ
ー温度を上げると記録感度が劣化することになる。
合金がよく知られている。例えばTbFeCo3元系媒体は、
約170℃のキュリー温度を有し、カー回転も大きい優れ
た記録媒体である。しかし、磁性膜単層では、記録感
度、及び読み出し時のSN比（シグナル、イノズ）が不充
分であり、磁性層表面での反射を防止し熱効率を高める
と同時に、カーエンハンスメント効果によるカー回転角
の増大を計る反射防止膜が必要である。特開昭56−1569
43号公報等で提案されている単層反射防止膜では、実用
的な誘電体材料と膜厚の範囲において得られる反射率の
最小値とエンハンスされたカー回転角は制限があり、記
録感度および読み出し時のSN比の向上に対する効果は限
られる。また、特開昭59−227054号公報等で提案されて
いる多層構成の反射防止においては、反射率の最小値を
零まで小さくすることが可能であり、良好な記録感度が
得られると共に、反射率が零に近いところで大きなカー
回転角が得られ高SN比が得られる。しかし、記録されて
いる情報を、破壊することなく読み出すためには、読み
出し時のレーザー光強度に上限が存在し、従つてレーザ
ーの波長に対し一定値以上の反射率が必要とされる。逆
に大きな光強度で読み出し可能なように、媒体のキュリ
ー温度を上げると記録感度が劣化することになる。
このように光磁気記録媒体に対し、一波長の光源にて書
き込み、読み出しを行う場合、多層構成の反射防止膜を
有する媒体においても、記録感度と読み出し時のSN比を
同時に向上させるのに限界があり、十分な効果を得るこ
とができない。
き込み、読み出しを行う場合、多層構成の反射防止膜を
有する媒体においても、記録感度と読み出し時のSN比を
同時に向上させるのに限界があり、十分な効果を得るこ
とができない。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、書き込み効率が向上し、読み出し時のSN比を向上さ
せた光磁気記録再生方法を得ることを目的とする。
で、書き込み効率が向上し、読み出し時のSN比を向上さ
せた光磁気記録再生方法を得ることを目的とする。
この発明の光磁気記録再生方法は、基板、この基板に設
けた反射防止膜、この反射防止膜に設けた記録磁性膜を
備えた光磁気記録媒体に、上記反射防止膜に対して反射
率が小さい第１波長で上記記録磁性膜に書き込み、上記
反射防止膜に対して反射率が大きい第２波長で上記記録
磁性膜から読み出しを行なうものである。
けた反射防止膜、この反射防止膜に設けた記録磁性膜を
備えた光磁気記録媒体に、上記反射防止膜に対して反射
率が小さい第１波長で上記記録磁性膜に書き込み、上記
反射防止膜に対して反射率が大きい第２波長で上記記録
磁性膜から読み出しを行なうものである。
この発明において、書き込み用と読み出し用に異なる波
長を用いることにより、書き込み用の波長を反射防止膜
に対して反射率を小さく、例えば零又はその近傍とし、
書き込み効率を大とするとともに、読み出し時に十分な
反射光強度と高SN比を得ることができる。さらに書き込
み効率の増大により、媒体のキュリー温度の上昇に伴う
記録感度の低下を補わせ、読み出し用レーザー光強度の
増加から低反射率化を達成しSN比をさらに向上させるこ
とが可能である。
長を用いることにより、書き込み用の波長を反射防止膜
に対して反射率を小さく、例えば零又はその近傍とし、
書き込み効率を大とするとともに、読み出し時に十分な
反射光強度と高SN比を得ることができる。さらに書き込
み効率の増大により、媒体のキュリー温度の上昇に伴う
記録感度の低下を補わせ、読み出し用レーザー光強度の
増加から低反射率化を達成しSN比をさらに向上させるこ
とが可能である。
この発明に係わる第１波長および第２波長としては、例
えば二波長にてスイツチングおよび同時発振可能な半導
体レーザーは、例えば刊行物｛App1.Phys.Lett,Vo1、4
9,No.24（1629）｝徳田等が発表しているGaAsレーザー
で、波長804nmと844nmでスイツチングするものにより得
られる。
えば二波長にてスイツチングおよび同時発振可能な半導
体レーザーは、例えば刊行物｛App1.Phys.Lett,Vo1、4
9,No.24（1629）｝徳田等が発表しているGaAsレーザー
で、波長804nmと844nmでスイツチングするものにより得
られる。
又、別々のレーザーで各々発振された波長を用いても良
いのは言うまでもない。
いのは言うまでもない。
この発明に係わる基板としては、例えばガラスおよびプ
ラスチツク等書き込み用および読み出し用波長に対して
透過性のものが用いられる。
ラスチツク等書き込み用および読み出し用波長に対して
透過性のものが用いられる。
この発明に係わる反射防止膜は、例えば単層であれば、
第１図に示すように基板の屈折率をns,磁性層の屈折率
をnmとすると、反射防止膜の屈折率ｎと膜厚ｄは（１）
式で与えられることが一般に知られている。
第１図に示すように基板の屈折率をns,磁性層の屈折率
をnmとすると、反射防止膜の屈折率ｎと膜厚ｄは（１）
式で与えられることが一般に知られている。
ここで、λは光の波長を示し、ns＜ｎ＜nmである。
実際には、ns,nmの値に対し、（１）式を満たしかつ実
用に適する適当な物質は少なく、反射率を低減させるの
には限度がある。なお第１図はこの発明の一実施例に係
わる光磁気記録媒体の断面図で、（１）は基板、（２）
は反射防止膜、（３）は記録磁性膜で、矢印は光の進行
方向を示す。
用に適する適当な物質は少なく、反射率を低減させるの
には限度がある。なお第１図はこの発明の一実施例に係
わる光磁気記録媒体の断面図で、（１）は基板、（２）
は反射防止膜、（３）は記録磁性膜で、矢印は光の進行
方向を示す。
そこで反射防止効果を増大させるために、反射防止膜を
多層構成にすることが効果的であり例えば屈折率n1およ
びn2の二層膜をそれぞれnd＝λ/4の条件で作るとその強
度反射率は となり、反射防止のためには のように選べばよい。これによつて反射率は１％以下に
することができる。一般にこれらの効果を高めるため
に、高屈折率層（Ｈ）と低屈折率層（Ｌ）を交互に積み
重ねる方法が採用される。
多層構成にすることが効果的であり例えば屈折率n1およ
びn2の二層膜をそれぞれnd＝λ/4の条件で作るとその強
度反射率は となり、反射防止のためには のように選べばよい。これによつて反射率は１％以下に
することができる。一般にこれらの効果を高めるため
に、高屈折率層（Ｈ）と低屈折率層（Ｌ）を交互に積み
重ねる方法が採用される。
第２図はこの発明の他の実施例に係わる光磁気記録媒体
の断面図で、（22）、（24）、（26）は高屈折率膜、
（23）、（25）は低屈折率膜である。
の断面図で、（22）、（24）、（26）は高屈折率膜、
（23）、（25）は低屈折率膜である。
実施例１ 第１図において、基板（１）としてガラス又はプラスチ
ツク基板を用い、反射防止膜（２）としてSi3N4を用
い、記録磁性膜（３）としてTbFeCoを用いる。Si3N4反
射防止膜厚は、第１波長800nmに対し反射率が最小値、
カー回転角が最大値を示す70nmであり、記録磁性膜は10
0nmである。ここでこの発明の一実施例に係わる光磁気
記録媒体に対する反射率Ｒとカー回転角θｋの波長依存
性を示す特性図を第３図に示す。
ツク基板を用い、反射防止膜（２）としてSi3N4を用
い、記録磁性膜（３）としてTbFeCoを用いる。Si3N4反
射防止膜厚は、第１波長800nmに対し反射率が最小値、
カー回転角が最大値を示す70nmであり、記録磁性膜は10
0nmである。ここでこの発明の一実施例に係わる光磁気
記録媒体に対する反射率Ｒとカー回転角θｋの波長依存
性を示す特性図を第３図に示す。
図において、横軸は波長（nm）、縦軸は反射率（％）お
よびカー回転角（deg・）を第１波長800nmにおける反射
率17％に対し、第２波長850nmにおける反射率は18.5％
を示す。この媒体に、第１波長で書き込み、第２波長で
読み出しを行つたところ、読み出し時のSN比は第２波長
のみで書き込み読み出しを行つた場合とほぼ同程度のま
ま、書き込み時の記録感度を約0.5％良くすることかで
きた。
よびカー回転角（deg・）を第１波長800nmにおける反射
率17％に対し、第２波長850nmにおける反射率は18.5％
を示す。この媒体に、第１波長で書き込み、第２波長で
読み出しを行つたところ、読み出し時のSN比は第２波長
のみで書き込み読み出しを行つた場合とほぼ同程度のま
ま、書き込み時の記録感度を約0.5％良くすることかで
きた。
しかし、第３図を見てもわかるように、反射防止膜が単
層の場合、通常の基板（ｎ＝1.5〜1.8）に対して物理化
学的に安定で高耐久性の膜を得ようとすると材料が限ら
れる。また反射率も、実用的な膜厚（均一な膜が得られ
る最小膜厚から成膜に困難でない程度の膜厚）におい
て、最小値が10％以下になることは難しく、波長依存性
も緩やかになるため、第１波長と第２波長での反射率差
を十分得られない。従つて、２波長で書き込みと読み出
しをそれぞれ行うことの利点を十分に発揮するために
は、波長依存性の立ち上がりの急峻な多層構造の反射防
止膜を用いる方が望ましい。
層の場合、通常の基板（ｎ＝1.5〜1.8）に対して物理化
学的に安定で高耐久性の膜を得ようとすると材料が限ら
れる。また反射率も、実用的な膜厚（均一な膜が得られ
る最小膜厚から成膜に困難でない程度の膜厚）におい
て、最小値が10％以下になることは難しく、波長依存性
も緩やかになるため、第１波長と第２波長での反射率差
を十分得られない。従つて、２波長で書き込みと読み出
しをそれぞれ行うことの利点を十分に発揮するために
は、波長依存性の立ち上がりの急峻な多層構造の反射防
止膜を用いる方が望ましい。
実施例２ 光磁気記録媒体における反射防止膜としては高屈折率膜
に例えば屈折率2.0のTa2O5膜、屈折力1.9のZrO2膜、TiO
2膜等を、低屈折率膜に例えば屈折率1.45のSiO2膜、屈
折率1.38のMgF2膜等を、又、GaAsレーザーを用い804nm
と844nmを得る。
に例えば屈折率2.0のTa2O5膜、屈折力1.9のZrO2膜、TiO
2膜等を、低屈折率膜に例えば屈折率1.45のSiO2膜、屈
折率1.38のMgF2膜等を、又、GaAsレーザーを用い804nm
と844nmを得る。
ここで、第２図において、ガラス基板またはプラスチッ
ク基板（１）上に高屈折率膜（22）（24）（26）と低屈
折率（23）、（25）を、波長804nmに対しnd＝λ/4とな
る膜厚にて交互に５層（HLHLH）設け、さらにTbFeCo3元
系非晶質記録磁性層（３）を設けたこの発明の他の実施
例に係わる光磁気記録媒体を得、その反射率の波長依存
性を示す特性図を第４図に得た。
ク基板（１）上に高屈折率膜（22）（24）（26）と低屈
折率（23）、（25）を、波長804nmに対しnd＝λ/4とな
る膜厚にて交互に５層（HLHLH）設け、さらにTbFeCo3元
系非晶質記録磁性層（３）を設けたこの発明の他の実施
例に係わる光磁気記録媒体を得、その反射率の波長依存
性を示す特性図を第４図に得た。
図において、軸横は波長（nm）縦軸は反射率（％）を示
す。第４図から明らかなように第一波長804nmにおいて
反射率は約４％に低減された。これに対し第二波長844n
mにおける反射率は約20〜30％であり、第一波長により
書き込み、第二波長にして読み出すことにより、従来の
読み出し光強度と高SN比を保持したまま、書き込み時の
最適光強度を約10％低減させることができた。
す。第４図から明らかなように第一波長804nmにおいて
反射率は約４％に低減された。これに対し第二波長844n
mにおける反射率は約20〜30％であり、第一波長により
書き込み、第二波長にして読み出すことにより、従来の
読み出し光強度と高SN比を保持したまま、書き込み時の
最適光強度を約10％低減させることができた。
また、記録磁性媒体のキュリー温度を約５％高めること
により、従来の書き込み時の光強度を約４％低減させか
つ読み出し時の光強度を約４％上昇させることによりSN
比を約２％増大させることができた。
により、従来の書き込み時の光強度を約４％低減させか
つ読み出し時の光強度を約４％上昇させることによりSN
比を約２％増大させることができた。
以上説明したとおり、この発明は基板、この基板に設け
た反射防止膜、この反射防止膜に設けた記録磁性膜を備
えた光磁気記録媒体に、上記反射防止膜に対して反射率
が小さい第１波長で上記記録磁性膜に書き込み、上記反
射防止膜に対して反射率が大きい第２波長で上記記録磁
性膜から読み出しを行なうことにより、書き込み効率が
向上し、読み出し時のSN比を向上させた光磁気記録再生
方法を得ることができる。
た反射防止膜、この反射防止膜に設けた記録磁性膜を備
えた光磁気記録媒体に、上記反射防止膜に対して反射率
が小さい第１波長で上記記録磁性膜に書き込み、上記反
射防止膜に対して反射率が大きい第２波長で上記記録磁
性膜から読み出しを行なうことにより、書き込み効率が
向上し、読み出し時のSN比を向上させた光磁気記録再生
方法を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例に係わる光磁気記録媒体の
断面図、第２図はこの発明の他の実施例に係わる光磁気
記録媒体の断面図、第３図はこの発明の一実施例に係わ
る光磁気記録媒体の反射率（％）およびカー回転角（de
g）の波長（nm）依存性を示す特性図、第４図はこの発
明の他の実施例に係わる光磁気記録媒体の反射率（％）
の波長依存性を示す特性図を示す。 図において、（１）は基板、（２）は反射防止膜、
（３）は記録磁性膜を示す。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
断面図、第２図はこの発明の他の実施例に係わる光磁気
記録媒体の断面図、第３図はこの発明の一実施例に係わ
る光磁気記録媒体の反射率（％）およびカー回転角（de
g）の波長（nm）依存性を示す特性図、第４図はこの発
明の他の実施例に係わる光磁気記録媒体の反射率（％）
の波長依存性を示す特性図を示す。 図において、（１）は基板、（２）は反射防止膜、
（３）は記録磁性膜を示す。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】基板、この基板に設けた反射防止膜、この
反射防止膜に設けた記録磁性膜を備えた光磁気記録媒体
に、上記反射防止膜に対して反射率が小さい第１波長で
上記記録磁性膜に書き込み、上記反射防止膜に対して反
射率が大きい第２波長で上記記録磁性膜から読み出しを
行なう光磁気記録再生方法。 - 【請求項２】反射防止膜は多層である特許請求の範囲第
１項記載の光磁気記録再生方法。 - 【請求項３】反射防止膜は書き込み用第１波長に対して
反射率が最小値又はその近傍値を示し、読み出し用第２
波長に対して反射率が20〜30％程度である特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の光磁気記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10585187A JPH06101155B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10585187A JPH06101155B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269359A JPS63269359A (ja) | 1988-11-07 |
| JPH06101155B2 true JPH06101155B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14418500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10585187A Expired - Lifetime JPH06101155B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101155B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10585187A patent/JPH06101155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63269359A (ja) | 1988-11-07 |
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