JPH06240463A - 金属微粉末の無電解銀鍍金方法 - Google Patents
金属微粉末の無電解銀鍍金方法Info
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- JPH06240463A JPH06240463A JP5031744A JP3174493A JPH06240463A JP H06240463 A JPH06240463 A JP H06240463A JP 5031744 A JP5031744 A JP 5031744A JP 3174493 A JP3174493 A JP 3174493A JP H06240463 A JPH06240463 A JP H06240463A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 毒性がなく、鍍金析出速度が早く、経時安定
性の良い無電解銀鍍金液を用いて素材金属微粉末の表面
を銀で被覆する。 【構成】 ハロゲン化銀と銀錯化剤との反応により形成
した銀シアン錯塩以外の銀錯塩で安定度定数（ｌｏｇ
βi）が８以上である、配合量０.００１〜０.２モル／リット
ルの無電解銀鍍金液を使用して、金属微粉末表面つまり
下地と密着性が高く、かつ抵抗値が一定の銀鍍金被膜を
得ることができる無電解銀鍍金方法を提供する。
性の良い無電解銀鍍金液を用いて素材金属微粉末の表面
を銀で被覆する。 【構成】 ハロゲン化銀と銀錯化剤との反応により形成
した銀シアン錯塩以外の銀錯塩で安定度定数（ｌｏｇ
βi）が８以上である、配合量０.００１〜０.２モル／リット
ルの無電解銀鍍金液を使用して、金属微粉末表面つまり
下地と密着性が高く、かつ抵抗値が一定の銀鍍金被膜を
得ることができる無電解銀鍍金方法を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅や銅合金等の金属微
粉末に銀鍍金するための無電解銀鍍金方法に関するもの
で、特に毒性が低く、かつ長時間安定な無電解鍍金液を
用いる際の無電解銀鍍金方法に関する。
粉末に銀鍍金するための無電解銀鍍金方法に関するもの
で、特に毒性が低く、かつ長時間安定な無電解鍍金液を
用いる際の無電解銀鍍金方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子工業などでは、導電ペース
ト、あるいは電磁波シールド用の導電塗料への添加物
（導電フィラー）として銀の微粉末が多量に使用されて
いる。銀は貴金属であり、高価であるにも関わらず、こ
のように工業用に使用されるのは、その優れた電気伝導
性と耐環境性による。すなわち、ニッケルや鉄などは安
価であるが電気伝導性に劣り、銅は通常は電気伝導性に
優れるが、表面が酸化されるとやはり電気伝導性が悪く
なる。これに対して、銀は金属中で最も抵抗値が低く、
しかも表面が酸化されても電気伝導性は悪化しない。
ト、あるいは電磁波シールド用の導電塗料への添加物
（導電フィラー）として銀の微粉末が多量に使用されて
いる。銀は貴金属であり、高価であるにも関わらず、こ
のように工業用に使用されるのは、その優れた電気伝導
性と耐環境性による。すなわち、ニッケルや鉄などは安
価であるが電気伝導性に劣り、銅は通常は電気伝導性に
優れるが、表面が酸化されるとやはり電気伝導性が悪く
なる。これに対して、銀は金属中で最も抵抗値が低く、
しかも表面が酸化されても電気伝導性は悪化しない。
【０００３】そこで、この銀の優れた電気的特性を生か
しつつ、コストダウンを図ることのできる方法として、
従来、銅、ニッケル、鉄などの安価な金属の微粉末の表
面に薄く銀を鍍金する方法が提案されている。これは、
銀鍍金微粉末を導電塗料のフィラーとして添加した場
合、電流は主としてフィラーの表面を流れるので、表面
が銀で被覆されていれば、十分な電気伝導性及び耐環境
性が確保できると考えられる点を利用したものである。
しつつ、コストダウンを図ることのできる方法として、
従来、銅、ニッケル、鉄などの安価な金属の微粉末の表
面に薄く銀を鍍金する方法が提案されている。これは、
銀鍍金微粉末を導電塗料のフィラーとして添加した場
合、電流は主としてフィラーの表面を流れるので、表面
が銀で被覆されていれば、十分な電気伝導性及び耐環境
性が確保できると考えられる点を利用したものである。
【０００４】銅微粉末などの表面に銀を均一に鍍金する
方法としては、無電解鍍金方法が最適と考えられる。こ
こで無電解鍍金方法とは、電気エネルギーを供給せずに
行う化学鍍金の一種であり、被鍍金体を金属塩水溶液を
主成分とする鍍金液中に浸漬し、被鍍金体の表面に金属
イオンを析出させる方法である。このような銅微粉末な
どへの銀の無電解鍍金方法としては、従来例えば、硝酸
銀のアンモニア溶液をチオ硫酸ナトリウムやホルマリン
等の可溶性還元剤を用いて析出させる方法が知られてい
る。
方法としては、無電解鍍金方法が最適と考えられる。こ
こで無電解鍍金方法とは、電気エネルギーを供給せずに
行う化学鍍金の一種であり、被鍍金体を金属塩水溶液を
主成分とする鍍金液中に浸漬し、被鍍金体の表面に金属
イオンを析出させる方法である。このような銅微粉末な
どへの銀の無電解鍍金方法としては、従来例えば、硝酸
銀のアンモニア溶液をチオ硫酸ナトリウムやホルマリン
等の可溶性還元剤を用いて析出させる方法が知られてい
る。
【０００５】そこで、安全衛生的及び環境管理的考慮か
ら毒性のない銀錯化剤の使用が望まれる。しかもこの毒
性のない銀錯化剤を用いた無電解鍍金液で鍍金析出速度
が速く、この鍍金液の経時安定性の良いものを開発する
ことは、用途を切り開くことであり、技術的発展に寄与
するものである。
ら毒性のない銀錯化剤の使用が望まれる。しかもこの毒
性のない銀錯化剤を用いた無電解鍍金液で鍍金析出速度
が速く、この鍍金液の経時安定性の良いものを開発する
ことは、用途を切り開くことであり、技術的発展に寄与
するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アンモニア溶液を使用する方法では、このアンモニアの
強烈な臭気のため取扱いが極めて困難である。しかも還
元剤を用いるため銀の析出が銅の表面のみでなく、容器
の内面や鍍金液中にも生じ、鍍金効率が極めて悪く、生
産性が低いなどの問題点がある。
アンモニア溶液を使用する方法では、このアンモニアの
強烈な臭気のため取扱いが極めて困難である。しかも還
元剤を用いるため銀の析出が銅の表面のみでなく、容器
の内面や鍍金液中にも生じ、鍍金効率が極めて悪く、生
産性が低いなどの問題点がある。
【０００７】一方、無電解銀鍍金液としては、ＡｇＣＮ
＋ＮａＣＮ溶液が知られているが、 この液は、ＮａＣ
Ｎの強力な毒性のために、アンモニア溶液以上に取扱い
が面 倒である。
＋ＮａＣＮ溶液が知られているが、 この液は、ＮａＣ
Ｎの強力な毒性のために、アンモニア溶液以上に取扱い
が面 倒である。
【０００８】また、上記のような既存の無電解銀鍍金液
では溶解する銀イオンの濃度が極めて低いため、金属粉
末のような表面積の異常に大きな物質に鍍金する場合に
は大量の溶液を必要とし、この点からも生産性が極めて
悪い。
では溶解する銀イオンの濃度が極めて低いため、金属粉
末のような表面積の異常に大きな物質に鍍金する場合に
は大量の溶液を必要とし、この点からも生産性が極めて
悪い。
【０００９】以上のことから、鍍金析出速度が速く、経
時安定性の良い無電解銀鍍金液組成を開発することと、
安全面及び環境面で毒性のない無電解銀鍍金液を開発す
ることが強く望まれている。
時安定性の良い無電解銀鍍金液組成を開発することと、
安全面及び環境面で毒性のない無電解銀鍍金液を開発す
ることが強く望まれている。
【００１０】本発明は、毒性がなく経時安定性の良い無
電解銀鍍金液組成及びこの鍍金液を使用することによ
り、鍍金析出速度が１.５(μm/時間）と速く、密着性の
良い銀鍍金被膜を得ることができる無電解銀鍍金方法を
提供することを目的としている。
電解銀鍍金液組成及びこの鍍金液を使用することによ
り、鍍金析出速度が１.５(μm/時間）と速く、密着性の
良い銀鍍金被膜を得ることができる無電解銀鍍金方法を
提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明における無電解銀
鍍金方法は、銀シアン錯塩以外の銀錯塩で安定度定数
（ｌｏｇ βi）が８以上の銀錯化剤溶液を無電解銀鍍金
液として用いることを特徴とする金属微粉末の無電解銀
鍍金方法である。
鍍金方法は、銀シアン錯塩以外の銀錯塩で安定度定数
（ｌｏｇ βi）が８以上の銀錯化剤溶液を無電解銀鍍金
液として用いることを特徴とする金属微粉末の無電解銀
鍍金方法である。
【００１２】無電解銀鍍金液の組成としては、特に銀錯
塩の配合量が、０.００１〜０.２モル/リットル、銀錯化剤の
配合量が、０.００１〜４.０モル/リットルが良く、さらに安
定剤として亜硫酸塩の配合量が、０.０１〜４.０モル/リット
ルを加えても良い。さらに、 ｐＨ調整剤としてリン酸
三水素塩を３.０モル/リットル以下の量で加えても良い。還
元剤は、ジメチルアミンボラン、または、ヒドラジン及
びその誘導体が好まし く、０.００１〜０.４モル/リットル
を加えると良い。
塩の配合量が、０.００１〜０.２モル/リットル、銀錯化剤の
配合量が、０.００１〜４.０モル/リットルが良く、さらに安
定剤として亜硫酸塩の配合量が、０.０１〜４.０モル/リット
ルを加えても良い。さらに、 ｐＨ調整剤としてリン酸
三水素塩を３.０モル/リットル以下の量で加えても良い。還
元剤は、ジメチルアミンボラン、または、ヒドラジン及
びその誘導体が好まし く、０.００１〜０.４モル/リットル
を加えると良い。
【００１３】文献（Pearlsteinら、Plating、58、[10]、10
14(1971)）によれば、無電解銀鍍金液の銀錯塩として
は、人体に毒性のある銀シアン錯イオンを用いている。
従って、本発明においては、人体に無害で、鍍金析出速
度が速く、かつ経時安定性の良い銀鍍金液を提供するべ
く、各種銀錯化剤を鋭意検討した結果、その銀錯体の安
定度定数（ｌｏｇ βi）が８以上の銀錯化剤が有効であ
ることが判明した。銀錯塩は、ハロゲン化銀と銀錯化剤
との反応により形成されるが、ハロゲン化銀としては、
臭化銀よりも塩化銀の方が好ましい。錯化剤としては、
チオ硫酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、ヨ
ウ化カリ、チオサリチル酸塩、チオシアヌル酸塩などが
あげられる。表１には、代表的な銀錯体の安定度定数を
示す。
14(1971)）によれば、無電解銀鍍金液の銀錯塩として
は、人体に毒性のある銀シアン錯イオンを用いている。
従って、本発明においては、人体に無害で、鍍金析出速
度が速く、かつ経時安定性の良い銀鍍金液を提供するべ
く、各種銀錯化剤を鋭意検討した結果、その銀錯体の安
定度定数（ｌｏｇ βi）が８以上の銀錯化剤が有効であ
ることが判明した。銀錯塩は、ハロゲン化銀と銀錯化剤
との反応により形成されるが、ハロゲン化銀としては、
臭化銀よりも塩化銀の方が好ましい。錯化剤としては、
チオ硫酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、ヨ
ウ化カリ、チオサリチル酸塩、チオシアヌル酸塩などが
あげられる。表１には、代表的な銀錯体の安定度定数を
示す。
【００１４】銀錯化剤の銀錯体の安定度定数が、８以上
である理由は、２つ挙げられる。第１は、本発明では銀
錯体の原料として塩化銀を用いていることである。実際
に本発明の無電解鍍金液を作る場合、硝酸銀を原料とし
て直接銀錯化剤で銀錯体を作製すると、黒褐色コロイド
（酸化銀など）を生じ、金属銀を析出させることができ
ない。しかし、硝酸銀も塩化物と反応させて塩化銀に変
えると沈澱物も生ずることなく金属銀を析出させること
ができた。従って、塩化銀の溶解度積(９.７５)を考慮
すれば、銀錯体の安定度定数が９.７５に近い錯化剤が
塩化銀を溶解させるための条件であることが分かる。種
々の銀錯化剤に関して、塩化銀の溶解性及び本発明の無
電解鍍金液としての銀錯体の経時安定性を検討した結
果、錯化剤の安定度定数が、８以上のものが有効である
ことを見い出した。
である理由は、２つ挙げられる。第１は、本発明では銀
錯体の原料として塩化銀を用いていることである。実際
に本発明の無電解鍍金液を作る場合、硝酸銀を原料とし
て直接銀錯化剤で銀錯体を作製すると、黒褐色コロイド
（酸化銀など）を生じ、金属銀を析出させることができ
ない。しかし、硝酸銀も塩化物と反応させて塩化銀に変
えると沈澱物も生ずることなく金属銀を析出させること
ができた。従って、塩化銀の溶解度積(９.７５)を考慮
すれば、銀錯体の安定度定数が９.７５に近い錯化剤が
塩化銀を溶解させるための条件であることが分かる。種
々の銀錯化剤に関して、塩化銀の溶解性及び本発明の無
電解鍍金液としての銀錯体の経時安定性を検討した結
果、錯化剤の安定度定数が、８以上のものが有効である
ことを見い出した。
【００１５】第２の理由としては、電極反応を考慮し
て、以下のように説明される。電極反応にネルンストの
式
て、以下のように説明される。電極反応にネルンストの
式
【数１】を用いれば、表１の銀錯体の安定度定数から表
２の電極反応の標準電極電位が得られ、反応の進退が予
想できる。
２の電極反応の標準電極電位が得られ、反応の進退が予
想できる。
【００１６】
【数１】Ｅ゜＝（ＲＴ／｜Ｚ｜Ｆ）ln（βi） （ここで Ｅ゜は標準電極電位、Ｒは気体定数、Ｔは絶
対温度、Ｚはイオン価、Ｆはファラデー定数を表す。）
対温度、Ｚはイオン価、Ｆはファラデー定数を表す。）
【００１７】安定度定数が８以下の錯化剤（アンモニ
ア、エタノールアミン）での電極反応は、標準電極電位
０.３３ホ゛ルトより大きいため、反応が速やかに進みすぎ
良質 の金属銀鍍金物を得られなかった。しかしなが
ら、安定度定数が、８及び８.７ の銀・チオシアン二
錯体及び銀・亜硫酸二錯体では、銀鍍金液としても経時
安 定性があり、析出速度も速く、良質な銀鍍金物を得
ることができた。また、安 定度定数８以上の銀・チオ
硫酸二及び三錯体でも経時安定性のある銀鍍金液が 得
られ、良質の銀鍍金被膜を作製できた。以上電極反応に
おける標準電極電位 が０.３３ホ゛ルトより小さいものは
（つまり錯化剤の安定度定数が８以上のものは）、 良
好な無電解銀鍍金液を与えることを予言できる。
ア、エタノールアミン）での電極反応は、標準電極電位
０.３３ホ゛ルトより大きいため、反応が速やかに進みすぎ
良質 の金属銀鍍金物を得られなかった。しかしなが
ら、安定度定数が、８及び８.７ の銀・チオシアン二
錯体及び銀・亜硫酸二錯体では、銀鍍金液としても経時
安 定性があり、析出速度も速く、良質な銀鍍金物を得
ることができた。また、安 定度定数８以上の銀・チオ
硫酸二及び三錯体でも経時安定性のある銀鍍金液が 得
られ、良質の銀鍍金被膜を作製できた。以上電極反応に
おける標準電極電位 が０.３３ホ゛ルトより小さいものは
（つまり錯化剤の安定度定数が８以上のものは）、 良
好な無電解銀鍍金液を与えることを予言できる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の実施例、並びに比較例を示
して、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら
の例によってなんら限定されるものではない。
して、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら
の例によってなんら限定されるものではない。
【００１９】実施例１ 銅粉末を原料微粉末とし、これをアルカリ水溶液による
脱脂処理及び希硫酸による酸化被膜除去処理後、これを
以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１時間浸漬し、鍍金
液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐｍで攪拌すること
により銀被覆銅粉を得た。
脱脂処理及び希硫酸による酸化被膜除去処理後、これを
以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１時間浸漬し、鍍金
液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐｍで攪拌すること
により銀被覆銅粉を得た。
【００２０】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ８ 液温６０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル チオ硫酸ナトリウム ０.０５ モル/リットル 亜硫酸ナトリウム ０.５ モル/リットル ジメチルアミンボラン ０.０３ モル/リットル
【００２１】以上のように作製した銀被覆銅粉を、以下
に示す方法で評価した。 １．容器壁への銀の付着状況を目視により調査したとこ
ろ、器壁や溶液中に銀の析出物は認められなかった。ま
た、鍍金性状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観
察したところ、個々の粉末上に均一に鍍金されているこ
とを確認した。 ２．また、この銀被覆銅粉を洗浄水のｐＨが７になるま
で洗浄した後、５０℃で真空乾燥した。銀被覆銅粉３０
ｇと以下の組成のポリメタクリル酸メチル溶液７５ｇ
を、ホモジナイザーを使用して塗料を製造し、ＡＢＳ板
に５０μｍの膜厚に塗布し、乾燥後、得られた塗膜の表
面抵抗を測定した。
に示す方法で評価した。 １．容器壁への銀の付着状況を目視により調査したとこ
ろ、器壁や溶液中に銀の析出物は認められなかった。ま
た、鍍金性状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観
察したところ、個々の粉末上に均一に鍍金されているこ
とを確認した。 ２．また、この銀被覆銅粉を洗浄水のｐＨが７になるま
で洗浄した後、５０℃で真空乾燥した。銀被覆銅粉３０
ｇと以下の組成のポリメタクリル酸メチル溶液７５ｇ
を、ホモジナイザーを使用して塗料を製造し、ＡＢＳ板
に５０μｍの膜厚に塗布し、乾燥後、得られた塗膜の表
面抵抗を測定した。
【００２２】ポリメタクリル酸メチル溶液組成ポリメタ
クリル酸メチル １０ｗｔ％ トルエン ４０ｗｔ％ メチルエチルケトン ２０ｗｔ％ 酢酸ブチル ３０ｗｔ％ 得られた塗膜の表面抵抗は５０μｍの厚さで０.１１Ω
／□であり、良好な導電 性を示した。
クリル酸メチル １０ｗｔ％ トルエン ４０ｗｔ％ メチルエチルケトン ２０ｗｔ％ 酢酸ブチル ３０ｗｔ％ 得られた塗膜の表面抵抗は５０μｍの厚さで０.１１Ω
／□であり、良好な導電 性を示した。
【００２３】実施例２ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００２４】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ８ 液温６０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル 亜硫酸ナトリウム １.０ モル/リットル ジメチルアミンボラン ０.０４ モル/リットル
【００２５】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１３Ω／□と良好な導電性を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１３Ω／□と良好な導電性を示した。
【００２６】実施例３ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００２７】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ８ 液温６０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル チオシアン酸カリウム １.０ モル/リットル リン酸三ナトリウム ０.５ モル/リットル ジメチルアミンボラン ０.０３ モル/リットル
【００２８】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１４Ω／□と良好な導電性を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１４Ω／□と良好な導電性を示した。
【００２９】実施例４ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００３０】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ８ 液温６０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル チオシアン酸カリウム ０.５ モル/リットル 亜硫酸ナトリウム ０.５ モル/リットル ヒドラジン ０.０３ モル/リットル
【００３１】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１４Ω／□と良好な導電性を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１４Ω／□と良好な導電性を示した。
【００３２】実施例５ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００３３】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ１２以上 液温５０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル オルトチオサリチル酸 ０.５ モル/リットル 亜硫酸ナトリウム １.０ モル/リットル ヒドラジン ０.０３ モル/リットル
【００３４】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１７Ω／□と良好な導電性を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１７Ω／□と良好な導電性を示した。
【００３５】実施例６ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液のｐＨ、液温を調整し、４００ｒｐ
ｍで攪拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００３６】 （無電解銀鍍金液組成）ｐＨ８ 液温６０℃ 水 １.０ リットル 塩化銀 ０.０２５ モル/リットル チオ尿素 ０.０５ モル/リットル 亜硫酸ナトリウム ０.５ モル/リットル ヒドラジン ０.０３ モル/リットル
【００３７】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１５Ω／□と良好な導電性を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかった。また、個々の粉末上に均一に鍍金されて
いることも確認した。また、実施例１と同様にして塗料
化し、塗膜の表面抵抗を測定したところ、５０μｍの厚
さで０.１５Ω／□と良好な導電性を示した。
【００３８】比較例１ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液の液温を調整し、４００ｒｐｍで攪
拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液の液温を調整し、４００ｒｐｍで攪
拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００３９】（無電解銀鍍金液組成）常温 水 １.０ リットル 硝酸銀 ０.０５ モル/リットル アンモニア ５.０ モル/リットル チオ硫酸ナトリウム ０.５ モル/リットル
【００４０】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかったが、ＳＥＭ観察では、個々の粉末上に均一
に鍍金されていないことを確認した。また、実施例１と
同様にして塗料化し、塗膜の表面抵抗を測定したとこ
ろ、５０μｍの厚さで０.３５Ω／□と実施例１ 〜６
と比較して高い値を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液中に銀の析出物は認め
られなかったが、ＳＥＭ観察では、個々の粉末上に均一
に鍍金されていないことを確認した。また、実施例１と
同様にして塗料化し、塗膜の表面抵抗を測定したとこ
ろ、５０μｍの厚さで０.３５Ω／□と実施例１ 〜６
と比較して高い値を示した。
【００４１】比較例２ 実施例１と同様にして、脱脂処理及び酸化被膜除去処理
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液の液温を調整し、４００ｒｐｍで攪
拌することにより銀被覆銅粉を得た。
を施した銅粉を、以下に示す組成の無電解銀鍍金液に１
時間浸漬し、鍍金液の液温を調整し、４００ｒｐｍで攪
拌することにより銀被覆銅粉を得た。
【００４２】（無電解銀鍍金液組成）常温 水 １.０ リットル 硝酸銀 ０.０５ モル/リットル アンモニア ５.０ モル/リットル ホルマリン ２００ ミリリットル
【００４３】得られた銀被覆銅粉を実施例１と同様にし
て評価したところ、容器壁や溶液 中に銀の析出物が認
められ、さらに、ＳＥＭ観察では、個々の粉末上に均一
に 鍍金されていないことを確認した。また、実施例１
と同様にして塗料化し、塗 膜の表面抵抗を測定したと
ころ、５０μｍの厚さで０.３７Ω／□と実施例１〜
６と比較して高い値を示した。
て評価したところ、容器壁や溶液 中に銀の析出物が認
められ、さらに、ＳＥＭ観察では、個々の粉末上に均一
に 鍍金されていないことを確認した。また、実施例１
と同様にして塗料化し、塗 膜の表面抵抗を測定したと
ころ、５０μｍの厚さで０.３７Ω／□と実施例１〜
６と比較して高い値を示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】ｏ-ＴＳＡ、ＥＡは、それぞれオルトチオ
サリチル酸、エタノールアミンを表す。
サリチル酸、エタノールアミンを表す。
【００４６】
【表２】
【００４７】ｏ-ＴＳＡ、ＥＡは、それぞれオルトチオ
サリチル酸、エタノールアミンを表す。
サリチル酸、エタノールアミンを表す。
【００４８】
【発明の効果】以上のように、本発明によりかかる金属
微粉末の無電解銀鍍金方法によれば、鍍金効率が向上
し、良好な性状の銀鍍金粉末が大量に生産できる効果が
あり、その工業的価値は極めて大きい。
微粉末の無電解銀鍍金方法によれば、鍍金効率が向上
し、良好な性状の銀鍍金粉末が大量に生産できる効果が
あり、その工業的価値は極めて大きい。
Claims (8)
- 【請求項１】 素材金属微粉末を銀で無電解鍍金する方
法であって、銀シアン錯塩以外の銀錯塩で安定度定数
（ｌｏｇ βi）が８以上の銀錯化剤溶液を無電解銀鍍金
液として用いることを特徴とする金属微粉末の無電解銀
鍍金方法。 - 【請求項２】 請求項１記載において、銀錯塩がハロゲ
ン化銀と銀錯化剤との反応により形成されることを特徴
とする無電解銀鍍金方法。 - 【請求項３】 請求項１記載において、銀錯塩の配合量
が０.００１〜０.２モル/リットル、錯化剤配合量が０.００１
〜４.０モル/リットルであることを特徴とする無電解銀鍍金方
法。 - 【請求項４】 請求項３記載において、無電解銀鍍金液
に安定剤とｐＨ調整剤と水とが添加されていることを特
徴とする無電解銀鍍金方法。 - 【請求項５】 請求項４記載において、安定剤が亜硫酸
塩であることを特徴とする無電解銀鍍金方法。 - 【請求項６】 請求項４記載において、ｐＨ調整剤がリ
ン酸三水素塩からなることを特徴とする無電解銀鍍金方
法。 - 【請求項７】 請求項５記載において、亜硫酸塩の配合
量が０.０１〜４.０モル/リットルであることを特徴とする無
電解銀鍍金方法。 - 【請求項８】 請求項６記載において、リン酸三水素塩
の配合量が３.０モル/リットル以下であることを特徴とする無
電解銀鍍金方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031744A JPH06240463A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 金属微粉末の無電解銀鍍金方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031744A JPH06240463A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 金属微粉末の無電解銀鍍金方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06240463A true JPH06240463A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12339541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5031744A Pending JPH06240463A (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 金属微粉末の無電解銀鍍金方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06240463A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10050862A1 (de) * | 2000-10-06 | 2002-04-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Bad und Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Silber auf Metalloberflächen |
| WO2008059789A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Silver-plated fine copper powder, conductive paste produced from silver-plated fine copper powder, and process for producing silver-plated fine copper powder |
| JP2013133475A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Maitekku:Kk | 金属錯体量子結晶の作成方法 |
| JPWO2023167302A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP5031744A patent/JPH06240463A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10050862A1 (de) * | 2000-10-06 | 2002-04-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Bad und Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Silber auf Metalloberflächen |
| DE10050862C2 (de) * | 2000-10-06 | 2002-08-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Bad und Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Silber auf Metalloberflächen |
| US6869637B2 (en) | 2000-10-06 | 2005-03-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Bath and method of electroless plating of silver on metal surfaces |
| WO2008059789A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Silver-plated fine copper powder, conductive paste produced from silver-plated fine copper powder, and process for producing silver-plated fine copper powder |
| JPWO2008059789A1 (ja) * | 2006-11-17 | 2010-03-04 | 日鉱金属株式会社 | 銀メッキ銅微粉及び銀メッキ銅微粉を用いて製造した導電ペースト並びに銀メッキ銅微粉の製造方法 |
| JP2013133475A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Maitekku:Kk | 金属錯体量子結晶の作成方法 |
| JPWO2023167302A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | ||
| WO2023167302A1 (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | リン含有銀被覆銅粒子の製造方法、及びリン含有銀被覆銅粒子 |
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