JPH06103423B2 - 可動磁気情報媒体の記録層の初期磁化の磁気特性の設定方法及び該方法の実施装置 - Google Patents
可動磁気情報媒体の記録層の初期磁化の磁気特性の設定方法及び該方法の実施装置Info
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- JPH06103423B2 JPH06103423B2 JP1166472A JP16647289A JPH06103423B2 JP H06103423 B2 JPH06103423 B2 JP H06103423B2 JP 1166472 A JP1166472 A JP 1166472A JP 16647289 A JP16647289 A JP 16647289A JP H06103423 B2 JPH06103423 B2 JP H06103423B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1207—Testing individual magnetic storage devices, e.g. records carriers or digital storage elements
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気情報媒体の記録層を磁気特性化する方法及
び該方法の実施装置に係る。より詳細には本発明は、磁
気プリンタの磁気ドラムまたはディスクメモリの磁気デ
ィスクの特性化に使用される。
び該方法の実施装置に係る。より詳細には本発明は、磁
気プリンタの磁気ドラムまたはディスクメモリの磁気デ
ィスクの特性化に使用される。
磁気プリンタは従来から公知であり、特に、読み易い文
字を極めて高速（数千行〜１万行／分の印字速度）で印
字し得るプリンタが必要な情報処理システムで重宝に使
用されている。
字を極めて高速（数千行〜１万行／分の印字速度）で印
字し得るプリンタが必要な情報処理システムで重宝に使
用されている。
従来技術 前記のごときプリンタは1982年３月３日出願のフランス
特許公開第2,522,857号に記載されている。かかる磁気
プリンタ（ノンインパクト磁気プリンタとも呼ばれる）
は磁気ドラムから成る磁気記録媒体を内蔵し、磁気ドラ
ムの中央部に磁気シャントが設けられ、該シャントに磁
気記録層がデポジットされている。該プリンタは更に、
ドラムの回転軸に平行に互いに横並びに配置された磁気
記録ヘッドアセンブリを含む。これらの磁気ヘッドは均
一に回転駆動されるドラムの記録層の表面に磁化点とも
呼ばれる磁区を生成し得る。即ち、印字すべき文字の形
態に対応する形態の磁区集合から成る磁化ゾーンが形成
される。次に現像装置を使用し、これらの磁区を粉末磁
性顔料の粒子で被覆する。粉末磁性顔料は例えば、樹脂
で被覆された磁性粒子から成る。樹脂は加熱されると溶
融し、接触した印字用紙に固着し得る。磁性顔料は前記
磁区集合に接着されドラムの表面に粒子付着層を形成す
る。次に転写ローラによってこれらの粒子が、ドラムに
接触した紙シートに転写される。ドラムに残存する粒子
は掃去装置によって除去される。
特許公開第2,522,857号に記載されている。かかる磁気
プリンタ（ノンインパクト磁気プリンタとも呼ばれる）
は磁気ドラムから成る磁気記録媒体を内蔵し、磁気ドラ
ムの中央部に磁気シャントが設けられ、該シャントに磁
気記録層がデポジットされている。該プリンタは更に、
ドラムの回転軸に平行に互いに横並びに配置された磁気
記録ヘッドアセンブリを含む。これらの磁気ヘッドは均
一に回転駆動されるドラムの記録層の表面に磁化点とも
呼ばれる磁区を生成し得る。即ち、印字すべき文字の形
態に対応する形態の磁区集合から成る磁化ゾーンが形成
される。次に現像装置を使用し、これらの磁区を粉末磁
性顔料の粒子で被覆する。粉末磁性顔料は例えば、樹脂
で被覆された磁性粒子から成る。樹脂は加熱されると溶
融し、接触した印字用紙に固着し得る。磁性顔料は前記
磁区集合に接着されドラムの表面に粒子付着層を形成す
る。次に転写ローラによってこれらの粒子が、ドラムに
接触した紙シートに転写される。ドラムに残存する粒子
は掃去装置によって除去される。
以上の説明から、磁気プリンタの必須構成要素の１つが
磁気ドラムであることが理解されよう。実際、該ドラム
表面の磁気特性及び該表面全体における磁気特性の均一
性が、印字紙面の印字品質及び該紙面全体における印字
品質の均一性を左右する。
磁気ドラムであることが理解されよう。実際、該ドラム
表面の磁気特性及び該表面全体における磁気特性の均一
性が、印字紙面の印字品質及び該紙面全体における印字
品質の均一性を左右する。
発明が解決すべき課題 従って、磁気ドラムを製造するための複数の連続工程の
終了後に、ドラムの表面全体が例えば実験によって予め
設定した基準規格に適合する磁気特性を確実に有してい
ることが特に重要である。これらの規格は、適正な印字
品質を確保するためにドラムが備えるべき最小標準磁気
特性（ドラムの表面全体にわたるトラック毎の初期磁化
曲線、それに基づく透磁率、保磁力場）を規定してい
る。「ドラムの磁気特性を決定する」という表現は、
「ドラムを磁気特性化する」という表現と同義である。
終了後に、ドラムの表面全体が例えば実験によって予め
設定した基準規格に適合する磁気特性を確実に有してい
ることが特に重要である。これらの規格は、適正な印字
品質を確保するためにドラムが備えるべき最小標準磁気
特性（ドラムの表面全体にわたるトラック毎の初期磁化
曲線、それに基づく透磁率、保磁力場）を規定してい
る。「ドラムの磁気特性を決定する」という表現は、
「ドラムを磁気特性化する」という表現と同義である。
従って、ドラムの製造工程の終了後、衝撃及び腐食に対
する機械的保護層（例えばクロム層）でドラムを被覆す
る前に該ドラムの磁気特性をコントロールできるのが有
利である。
する機械的保護層（例えばクロム層）でドラムを被覆す
る前に該ドラムの磁気特性をコントロールできるのが有
利である。
現状では、以下のごとく処理している。ドラムの中央部
を構成する磁気シャントに磁気記録層をデポジットする
とき、同時に該ドラムの代表サンプルを形成する。該サ
ンプルは、ドラムの記録層を構成する磁性材料と厳密に
等しい磁性材料（構成成分、厚さ）がデポジットされた
黄銅試験片から成る。例えば市販の磁力計または従来の
磁束計で該サンプルの種々の磁気特性を測定する。これ
らの特性が前記に規定した基準規格に適合するか否かを
検証する。適合する場合、ドラムをクロム処理場に案内
しクロム保護層で被覆する。
を構成する磁気シャントに磁気記録層をデポジットする
とき、同時に該ドラムの代表サンプルを形成する。該サ
ンプルは、ドラムの記録層を構成する磁性材料と厳密に
等しい磁性材料（構成成分、厚さ）がデポジットされた
黄銅試験片から成る。例えば市販の磁力計または従来の
磁束計で該サンプルの種々の磁気特性を測定する。これ
らの特性が前記に規定した基準規格に適合するか否かを
検証する。適合する場合、ドラムをクロム処理場に案内
しクロム保護層で被覆する。
このサンプルの特性がドラムの磁気特性全部を正確には
反映しないことは明らかである。更に、クロム処理場か
ら戻った磁気ドラムが、その表面全体にわたって適正な
印字品質を確保するための必要な磁気特性を有していな
いことも多い。このようなドラムは不合格品になり、こ
れがコスト高を招く。
反映しないことは明らかである。更に、クロム処理場か
ら戻った磁気ドラムが、その表面全体にわたって適正な
印字品質を確保するための必要な磁気特性を有していな
いことも多い。このようなドラムは不合格品になり、こ
れがコスト高を招く。
問題を解決する手段 本発明の目的は、ドラムの製造工程の終了直後に（即ち
クロム処理以前に）、磁気印字ドラムの磁気記録層を特
性化し得る装置を提供することによって前記のごとき欠
点を是正することである。該特性化は、該ドラムの記録
層の表面全体にわたって極めて高速で行なわれる。本発
明によれば、ドラムの表面全体にわたる記録層の磁気特
性を認識できまたこれらの特性がドラムの所定のトラッ
クだけでなくドラムの記録トラック全部において均一で
あることを検証できる。
クロム処理以前に）、磁気印字ドラムの磁気記録層を特
性化し得る装置を提供することによって前記のごとき欠
点を是正することである。該特性化は、該ドラムの記録
層の表面全体にわたって極めて高速で行なわれる。本発
明によれば、ドラムの表面全体にわたる記録層の磁気特
性を認識できまたこれらの特性がドラムの所定のトラッ
クだけでなくドラムの記録トラック全部において均一で
あることを検証できる。
本発明によれば、基準規格に基づく所望の磁気特性をド
ラムが有していないときは該ドラムを製造工程に戻すこ
とができるので従来の場合のように磁気ドラムの多数の
不合格品が生じない。このため経済性がよく、ドラムの
平均原価をかなり下げることが可能である。従って本発
明は、ドラムの製造におけるドラムの品質改良プロセス
に属すると考えることができる。
ラムが有していないときは該ドラムを製造工程に戻すこ
とができるので従来の場合のように磁気ドラムの多数の
不合格品が生じない。このため経済性がよく、ドラムの
平均原価をかなり下げることが可能である。従って本発
明は、ドラムの製造におけるドラムの品質改良プロセス
に属すると考えることができる。
本発明装置は、磁気ドラム生産企業の製造部門及び保守
部門の双方で使用できることは明らかである。
部門の双方で使用できることは明らかである。
本発明は、各々が同期インデックスを有する複数のトラ
ックに情報が書き込まれるタイプの磁気情報媒体の記録
層を磁気特性化する方法である。本発明方法の特徴は、
媒体の各トラックＰ毎に（１）同期インデックスを検出
してｐ回反復可能な〔ｎは整数〕以下の連続処理（２）
〜（５）のシーケンスＳを初期化し、 （２）まず、トラックＰの表面全体にわたり磁気状態を
ニュートラルにするように記録層を消去し、 （３）次に所定の振幅Ｉ及び周波数fEを有する周期的書
込み電流SCによって生成された磁場を用いて前記表面に
一連の磁区を書込み、 （４）書込み電流SCの周期Ｔより長い所定のサンプリン
グ周期TEずつ離間した所定のサンプリング時点毎に一連
の磁区の内部の磁化の関数である信号Ｓを読取り、 （５）電流Ｉ及び信号Ｓの値を記憶する ことである。
ックに情報が書き込まれるタイプの磁気情報媒体の記録
層を磁気特性化する方法である。本発明方法の特徴は、
媒体の各トラックＰ毎に（１）同期インデックスを検出
してｐ回反復可能な〔ｎは整数〕以下の連続処理（２）
〜（５）のシーケンスＳを初期化し、 （２）まず、トラックＰの表面全体にわたり磁気状態を
ニュートラルにするように記録層を消去し、 （３）次に所定の振幅Ｉ及び周波数fEを有する周期的書
込み電流SCによって生成された磁場を用いて前記表面に
一連の磁区を書込み、 （４）書込み電流SCの周期Ｔより長い所定のサンプリン
グ周期TEずつ離間した所定のサンプリング時点毎に一連
の磁区の内部の磁化の関数である信号Ｓを読取り、 （５）電流Ｉ及び信号Ｓの値を記憶する ことである。
本発明はまた、 前記インデックスを検出したときにシーケンスＳの初期
化信号を送出する同期インデックス検出手段と、 磁性層消去変換器と、 前記周期電流の発生手段に接続されトラックに磁区を書
き込み書込み変換器と、 トラックに書き込まれた磁区を読取り前記サンプリング
時点に信号Ｓを送出する読取り手段にアナログ信号を送
出する読取り変換器と、 前記電流発生手段及び読取り手段に接続され値Ｓ及びＩ
を記憶するメモリ手段とを含む前記方法の実施装置を提
供する。
化信号を送出する同期インデックス検出手段と、 磁性層消去変換器と、 前記周期電流の発生手段に接続されトラックに磁区を書
き込み書込み変換器と、 トラックに書き込まれた磁区を読取り前記サンプリング
時点に信号Ｓを送出する読取り手段にアナログ信号を送
出する読取り変換器と、 前記電流発生手段及び読取り手段に接続され値Ｓ及びＩ
を記憶するメモリ手段とを含む前記方法の実施装置を提
供する。
本発明の別の特徴及び利点は添付図面に示す非限定具体
例に基づく以下の記載より明らかにされるであろう。
例に基づく以下の記載より明らかにされるであろう。
本発明のダイナミック磁力計 第１図は、磁気ドラムTAMBを磁気特性化すべく使用され
る本発明のダイナミック磁力計MDの種々の必須構成要素
を示す。
る本発明のダイナミック磁力計MDの種々の必須構成要素
を示す。
このダイナミック磁力計MDは、 ドラムの各記録トラックに配置された同期インデックス
INDの検出手段MINDと、 書込み電流SCの発生手段MGCEに接続されドラムTAMBの各
トラックＰに情報（磁区）を書込む書込み変換器TEC
と、 一方でドラムの磁気記録層の各トラックに記録された情
報の消去変換器として機能し他方で書込み変換器TECに
よって各トラックＰに記録された情報の読取り変換器と
して機能する消去・読取り変換器TEFLと、 読取り変換器TEFLに接続され信号ＳをメモリMEMOに送出
する読取り手段MLとを含む。メモリMEMOはまた、書込み
電流SCの電流量の値を記憶する。
INDの検出手段MINDと、 書込み電流SCの発生手段MGCEに接続されドラムTAMBの各
トラックＰに情報（磁区）を書込む書込み変換器TEC
と、 一方でドラムの磁気記録層の各トラックに記録された情
報の消去変換器として機能し他方で書込み変換器TECに
よって各トラックＰに記録された情報の読取り変換器と
して機能する消去・読取り変換器TEFLと、 読取り変換器TEFLに接続され信号ＳをメモリMEMOに送出
する読取り手段MLとを含む。メモリMEMOはまた、書込み
電流SCの電流量の値を記憶する。
メモリMEMOはプログラム可能な制御手段MICROPに内蔵さ
れている。該プログラム可能な制御手段は好ましくはマ
イクロプロセッサであり、変換器TEFL、TEC及びTEFLに
よって夫々実行される情報の消去、書込み及び読取り動
作を制御する。
れている。該プログラム可能な制御手段は好ましくはマ
イクロプロセッサであり、変換器TEFL、TEC及びTEFLに
よって夫々実行される情報の消去、書込み及び読取り動
作を制御する。
ドラムTAMBは円形断面をもつ円柱状ドラムであり、その
磁気記録層は、膜厚0.8μの銅から成る下地層にデポジ
ットされた膜厚25μのコバルト‐ニッケル‐リンCo-Ni-
P合金から形成されている。前記下地層は直径100mmの鉄
ケイ素Ae-Si合金から成る磁性シャントにデポジットさ
れている。
磁気記録層は、膜厚0.8μの銅から成る下地層にデポジ
ットされた膜厚25μのコバルト‐ニッケル‐リンCo-Ni-
P合金から形成されている。前記下地層は直径100mmの鉄
ケイ素Ae-Si合金から成る磁性シャントにデポジットさ
れている。
ドラムTAMBの各記録トラックＰは、各トラックＰの起点
をランダムに検出し得る同期インデックスINDを含む。
ドラムTAMBのトラックの全部の同期インデックスINDが
ドラムの同一母線上に整列していることは明らかであ
る。該インデックスは例えば該ドラムの表面に書き込ま
れた光学的マークから成る。
をランダムに検出し得る同期インデックスINDを含む。
ドラムTAMBのトラックの全部の同期インデックスINDが
ドラムの同一母線上に整列していることは明らかであ
る。該インデックスは例えば該ドラムの表面に書き込ま
れた光学的マークから成る。
検出手段MINDは例えば、所与のトラックＰのインデック
スINDがその前方を通過すると直ちに電気パルスIN（第
６図参照）を送出する光電変換器から成る。
スINDがその前方を通過すると直ちに電気パルスIN（第
６図参照）を送出する光電変換器から成る。
消去・読取り変換器TEFLは好ましくは、磁気テープ繰り
出し装置で常用の誘導ヘッドと同種の、例えば「Etabli
ssements Vedette社」、Saverne、67000FRANCE、によっ
て製造されBULL社から商品番号993 609 000-01で販売さ
れている誘導ヘッドから成る。この誘導ヘッドTEFLはコ
イルBOBLを含む。
出し装置で常用の誘導ヘッドと同種の、例えば「Etabli
ssements Vedette社」、Saverne、67000FRANCE、によっ
て製造されBULL社から商品番号993 609 000-01で販売さ
れている誘導ヘッドから成る。この誘導ヘッドTEFLはコ
イルBOBLを含む。
交換器TEFLが消去変換器として機能するときは、消去電
流IERの発生器GEFがコイルBOBLに給電する。発生器GEF
自体はプログラム可能な制御手段MICROPによって制御さ
れる。
流IERの発生器GEFがコイルBOBLに給電する。発生器GEF
自体はプログラム可能な制御手段MICROPによって制御さ
れる。
変換器TEFLが読取り変換器として機能するときは、コイ
ルBOBLが読取り手段MLにアナログ信号vAを送出する。読
取り手段MLは該信号をディジタル信号Ｓに変換しこれを
マイクロプロセッサMICROPのメモリMEMOに送出する。読
取り手段MLは、プログラム可能な制御手段MICROPから後
述するモードで送出される読取り制御信号CLによって制
御される。
ルBOBLが読取り手段MLにアナログ信号vAを送出する。読
取り手段MLは該信号をディジタル信号Ｓに変換しこれを
マイクロプロセッサMICROPのメモリMEMOに送出する。読
取り手段MLは、プログラム可能な制御手段MICROPから後
述するモードで送出される読取り制御信号CLによって制
御される。
書込み変換器TECはコイルBOBECを含む誘導型変換器であ
る。第２図は該変換器の好適具体例を示す。該変換器TE
Cは前出のフランス特許公開第2,522,857号に記載のタイ
プである。該変換器は垂直記録を行なうシュー（sabo
t）型変換器であり、従って書込みポールPOLEと帰束（r
etour de flux）ポールPRFとを含む。変換器前方のドラ
ムのトラックの移動方向に平行に測定された書込みポー
ルPOLEの厚さｅは帰束ポールPRFの厚さＥよりも顕著に
小さい。このため、書込みポールPOLEによって情報が一
旦書き込まれるとこれらの情報は帰束ポールPRFによっ
て攪拌されない。書込みポールPELEの断面は実質的に矩
形であり、幅Ｌを有する。厚さｅ及び幅Ｌの値はｅが0.
1mmでＬが4.8mmのオーダである。公知のごとく書込み変
換器TECの磁気回路は透磁率の大きい材料から成る。コ
イルBOBECは書込みポールPOLEを帰束ポールPRFに接続す
る磁気回路の中央部PCに配置されている。
る。第２図は該変換器の好適具体例を示す。該変換器TE
Cは前出のフランス特許公開第2,522,857号に記載のタイ
プである。該変換器は垂直記録を行なうシュー（sabo
t）型変換器であり、従って書込みポールPOLEと帰束（r
etour de flux）ポールPRFとを含む。変換器前方のドラ
ムのトラックの移動方向に平行に測定された書込みポー
ルPOLEの厚さｅは帰束ポールPRFの厚さＥよりも顕著に
小さい。このため、書込みポールPOLEによって情報が一
旦書き込まれるとこれらの情報は帰束ポールPRFによっ
て攪拌されない。書込みポールPELEの断面は実質的に矩
形であり、幅Ｌを有する。厚さｅ及び幅Ｌの値はｅが0.
1mmでＬが4.8mmのオーダである。公知のごとく書込み変
換器TECの磁気回路は透磁率の大きい材料から成る。コ
イルBOBECは書込みポールPOLEを帰束ポールPRFに接続す
る磁気回路の中央部PCに配置されている。
書込み変換型TECは好ましくは、熱硬化性樹脂のごとき
非磁性物質から成り変換器TECより大きい幅の外枠SURM
に埋設されている。ドラムTAMBに向き合って配置される
側の外枠SURMの下面は、隣合う３つの平面、即ち面F1,F
2,F3から成る。面F2は面F1とF3との間に存在し、F1とF2
との境界線及びF2とF3との境界線が平行である。面F1は
面F2と共に２面角D1を形成し、面F2は面F3と共に２面角
D2を形成する。２面角D1は２面角D2より大きい。この外
枠の構造によって、外枠と変換器TECとから形成された
アセンブリは、書込みポールPOLEがドラムに垂直になる
ようにドラムTAMBに正接し得る。従って書込みポールは
ドラムTAMの表面との接触を常時維持する。
非磁性物質から成り変換器TECより大きい幅の外枠SURM
に埋設されている。ドラムTAMBに向き合って配置される
側の外枠SURMの下面は、隣合う３つの平面、即ち面F1,F
2,F3から成る。面F2は面F1とF3との間に存在し、F1とF2
との境界線及びF2とF3との境界線が平行である。面F1は
面F2と共に２面角D1を形成し、面F2は面F3と共に２面角
D2を形成する。２面角D1は２面角D2より大きい。この外
枠の構造によって、外枠と変換器TECとから形成された
アセンブリは、書込みポールPOLEがドラムに垂直になる
ようにドラムTAMBに正接し得る。従って書込みポールは
ドラムTAMの表面との接触を常時維持する。
書込み動作中にマイクロプロセッサMICROPは書込み電流
発生手段MGCEにディジタル形の書込み制御電流CEを送出
する。該書込み電流発生手段は、前記ディジタル制御電
流を例えば第４図に示す方形アナログ書込み電流SCに変
換する。この書込み電流SCの周期はＴに等しく、振幅は
Ｉに等しい。該電流SCは正負交番する交流であり、従っ
て電流量は−Ｉと＋Ｉとの間で変化する。
発生手段MGCEにディジタル形の書込み制御電流CEを送出
する。該書込み電流発生手段は、前記ディジタル制御電
流を例えば第４図に示す方形アナログ書込み電流SCに変
換する。この書込み電流SCの周期はＴに等しく、振幅は
Ｉに等しい。該電流SCは正負交番する交流であり、従っ
て電流量は−Ｉと＋Ｉとの間で変化する。
前記書込み電流SCは書込み変換器TECのコイルBOBECに供
給される。
給される。
本発明のダイナミック磁力計MDの動作は第１図、第４
図、第５図及び第６図に基づいて以下に説明する方法に
よって制御される。
図、第５図及び第６図に基づいて以下に説明する方法に
よって制御される。
一定回転速度Ｖ例えば約30回転／分で矢印Ｆの方向に回
転するドラムの所与のトラックＰを磁気特性化する場合
を想定する。
転するドラムの所与のトラックＰを磁気特性化する場合
を想定する。
各回転毎にインデックスINDが検出手段MINDの前方を通
過すると該検出手段は矩形パルスINを送出する。従っ
て、第６図に示すように、手段MINDは一連のパルス
IN-2,IN-1,IN,IN+1,...,を送出する。各パルス間を隔て
る時間はドラムの１回の回転時間に等しい。
過すると該検出手段は矩形パルスINを送出する。従っ
て、第６図に示すように、手段MINDは一連のパルス
IN-2,IN-1,IN,IN+1,...,を送出する。各パルス間を隔て
る時間はドラムの１回の回転時間に等しい。
例えばパルスIN-2について考察する。
該パルスが０になると以下の３つの動作を含むシーケン
スSEQ1が開始される。
スSEQ1が開始される。
（１）消去動作 パルスIN-2がマイクロプロセッサMICROPに到達すると、
該マイクロプロセッサは消去発生器GEFに消去制御信号C
EFを送出する。該消去発生器は該電流CEFに応じて消去
電流IERを消去変換器TEFLのコイルBOBLに送出する。該
消去電流は例えば150mAに等しい直流でもよくまたは例
えば周波数7KHz及び振幅150mAの交流でもよい。ドラム
のトラックＰの消去は該ドラムの完全１回転中、即ち、
インデックス検出手段MINDがパルスIN-2の次のパルス、
即ちパルスIN-1を送出するまてに行なわれる。この消去
によって得られる主な結果は、ドラムの磁気記録層が磁
気的にニュートラルになる（層の内部磁化が０になる）
ことである。
該マイクロプロセッサは消去発生器GEFに消去制御信号C
EFを送出する。該消去発生器は該電流CEFに応じて消去
電流IERを消去変換器TEFLのコイルBOBLに送出する。該
消去電流は例えば150mAに等しい直流でもよくまたは例
えば周波数7KHz及び振幅150mAの交流でもよい。ドラム
のトラックＰの消去は該ドラムの完全１回転中、即ち、
インデックス検出手段MINDがパルスIN-2の次のパルス、
即ちパルスIN-1を送出するまてに行なわれる。この消去
によって得られる主な結果は、ドラムの磁気記録層が磁
気的にニュートラルになる（層の内部磁化が０になる）
ことである。
マイクロプロセッサMICROPがパルスIN-1を受取ると直ち
にドラムのトラックＰに情報書込み動作が開始される。
にドラムのトラックＰに情報書込み動作が開始される。
（２）書込み動作 マイクロプロセッサMICROPは書込み制御信号CEを手段MG
CEに送出する。手段MGCEはディジタル形で書き込まれた
書込み制御電流CEを方形電流SCに変換する（第４図及び
上記参照）。書込み変換器TECは、実質的に書込みポー
ルPOLEの断面寸法を有する一連の矩形磁区をトラックＰ
に書き込む。このようにして、正の磁化と負の磁化とを
交互に有する一連の磁区即ち磁区Ai,Ai+1,Ai+2,Ai+3,Ai
+4,...,が得られる。例えば、磁区Ai,Ai+2,Ai+4が正の
磁化を有し、磁区Ai+1,Ai+3,...,が負の磁化を有する
（第５図参照）。これらの磁区の磁化方向はドラムの表
面に垂直である。書込まれたトラックＰの幅はＬに等し
く、書込まれた各磁区のドラムの回転方向Ｆに平行に測
定した長さはｅに等しい。時間内に行なわれる第１書込
み動作は、０に近いが０でない振幅Ｉの値I1を有する電
流SCによって行なわれる（第６図）。I1の値としては例
えば1mAを選択し得る。
CEに送出する。手段MGCEはディジタル形で書き込まれた
書込み制御電流CEを方形電流SCに変換する（第４図及び
上記参照）。書込み変換器TECは、実質的に書込みポー
ルPOLEの断面寸法を有する一連の矩形磁区をトラックＰ
に書き込む。このようにして、正の磁化と負の磁化とを
交互に有する一連の磁区即ち磁区Ai,Ai+1,Ai+2,Ai+3,Ai
+4,...,が得られる。例えば、磁区Ai,Ai+2,Ai+4が正の
磁化を有し、磁区Ai+1,Ai+3,...,が負の磁化を有する
（第５図参照）。これらの磁区の磁化方向はドラムの表
面に垂直である。書込まれたトラックＰの幅はＬに等し
く、書込まれた各磁区のドラムの回転方向Ｆに平行に測
定した長さはｅに等しい。時間内に行なわれる第１書込
み動作は、０に近いが０でない振幅Ｉの値I1を有する電
流SCによって行なわれる（第６図）。I1の値としては例
えば1mAを選択し得る。
検出手段MINDがパルスINを送出すると、書込み動作が終
了する。該書込み動作中に読取り手段MLが抑止されてい
ることを明記しておく。マイクロプロセッサMICROPがパ
ルスINを受取ると直ちに読取り動作が開始される。
了する。該書込み動作中に読取り手段MLが抑止されてい
ることを明記しておく。マイクロプロセッサMICROPがパ
ルスINを受取ると直ちに読取り動作が開始される。
（３）読取り動作 マイクロプロセッサMICROPは読取り制御信号CLを読取り
手段MLに送出し、該読取り手段を動作させる。読取り変
換器TEFLのコイルBOBLは読取り手段MLに信号vAを送出す
る。該信号vAは周期信号であり該信号の周期はＴに等し
い。該信号は実質的に正弦形の信号であり一連の正の交
番と負の交番とから成り、正の交番の振幅は順次V1,
V2,...,Vnである。マイクロプロセッサはパルスINを受
信すると直ちに一連のサンプリングパルスSAn,SA
n+1,...,を手段MLに送出する。該サンプリング周期TEは
周期Ｔの複数倍、例えば記載の本発明の好適具体例では
７倍に等しい。（第６図において信号INと信号IDn、SAn
及びVAとの時間スケールが異なることに注目された
い）。読取り手段MLはサンプリングパルスSAn,SA
n+1,...,を受取ると直ちに、パルスSAnが送出された時
点tnにおける信号vAの正の振幅の値を採取し、この値を
ディジタル信号S1に変換し、このディジタル信号をメモ
リMEMOに送出する。ディジタル信号S1は例えば、０また
は１に等しい10ビット論理集合によって形成される。本
発明においてドラム周囲の長さを314mm（直径100mm）と
し磁区の長さｅを0.1mmとする実施例では、１回転あた
り1570対の正の磁区と負の磁区、例えば対Ai-Ai+1が生
成され、その結果として信号VAが1570周期を含む。TEは
実質的に7Tに等しいので、１つの値I1に対してドラム１
回転毎に200以上のS1の値がサンプリングされ得、これ
がメモリMEMOに送出されることが理解されよう。
手段MLに送出し、該読取り手段を動作させる。読取り変
換器TEFLのコイルBOBLは読取り手段MLに信号vAを送出す
る。該信号vAは周期信号であり該信号の周期はＴに等し
い。該信号は実質的に正弦形の信号であり一連の正の交
番と負の交番とから成り、正の交番の振幅は順次V1,
V2,...,Vnである。マイクロプロセッサはパルスINを受
信すると直ちに一連のサンプリングパルスSAn,SA
n+1,...,を手段MLに送出する。該サンプリング周期TEは
周期Ｔの複数倍、例えば記載の本発明の好適具体例では
７倍に等しい。（第６図において信号INと信号IDn、SAn
及びVAとの時間スケールが異なることに注目された
い）。読取り手段MLはサンプリングパルスSAn,SA
n+1,...,を受取ると直ちに、パルスSAnが送出された時
点tnにおける信号vAの正の振幅の値を採取し、この値を
ディジタル信号S1に変換し、このディジタル信号をメモ
リMEMOに送出する。ディジタル信号S1は例えば、０また
は１に等しい10ビット論理集合によって形成される。本
発明においてドラム周囲の長さを314mm（直径100mm）と
し磁区の長さｅを0.1mmとする実施例では、１回転あた
り1570対の正の磁区と負の磁区、例えば対Ai-Ai+1が生
成され、その結果として信号VAが1570周期を含む。TEは
実質的に7Tに等しいので、１つの値I1に対してドラム１
回転毎に200以上のS1の値がサンプリングされ得、これ
がメモリMEMOに送出されることが理解されよう。
マイクロプロセッサMICROPは、ドラムの１回転毎に採取
された200の測定点のうちから値S1の集合の最大値SM1、
最小値Sm1及び平均値を抽出し得る計算プログラムを含
む。
された200の測定点のうちから値S1の集合の最大値SM1、
最小値Sm1及び平均値を抽出し得る計算プログラムを含
む。
読取り動作が終了すると、即ち手段MINDがインデックス
パルスIN+1を送出すると直ちに、３つの動作の第２シー
ケンスSEQ2が、I2−I1＝ΔＩに相当する書込み電流I2に
よって開始される。
パルスIN+1を送出すると直ちに、３つの動作の第２シー
ケンスSEQ2が、I2−I1＝ΔＩに相当する書込み電流I2に
よって開始される。
動作シーケンスSEQ2は第１シーケンスと同じ順序で進行
する、即ち消去、書込み及び読取りを順次実行する。従
って、電流I2の値に対応する３つの信号値SM2,Sa2,Sm2
が得られる。
する、即ち消去、書込み及び読取りを順次実行する。従
って、電流I2の値に対応する３つの信号値SM2,Sa2,Sm2
が得られる。
シーケンスSEQ2が終了すると前記の２つのシーケンスと
同様のシーケンスSEQ3がI3−I2＝ΔＩに相当する電流I3
によって実行され、信号値SM3,Sa3,Sm3が得られる。
同様のシーケンスSEQ3がI3−I2＝ΔＩに相当する電流I3
によって実行され、信号値SM3,Sa3,Sm3が得られる。
以後も同様にして、一連の動作シーケンスSEQ4,SEQ5が
動作シーケンスSEQpまで実行される。ｐの値は、作成す
べき曲線Ｓ＝ｆ（１）の所望精度に依存する。Ipは磁性
層の飽和磁化が得られるＩの値である。ΔＩの値はIpの
値及びｐの値に依存する。実際にはΔＩは約１〜約10mA
である。
動作シーケンスSEQpまで実行される。ｐの値は、作成す
べき曲線Ｓ＝ｆ（１）の所望精度に依存する。Ipは磁性
層の飽和磁化が得られるＩの値である。ΔＩの値はIpの
値及びｐの値に依存する。実際にはΔＩは約１〜約10mA
である。
値I1,I2,I3,I4,...,Ipの集合は３の値の集合、即ち第１
集合SM1,SM2,...,SMp、第２集合Sa1,Sa2,...,Sap及び第
３集合Sm1,Sm2,...,Smpに対応する。
集合SM1,SM2,...,SMp、第２集合Sa1,Sa2,...,Sap及び第
３集合Sm1,Sm2,...,Smpに対応する。
これらの３つの集合に３つの初期磁化曲線SM＝f
1（Ｉ）、Sa＝f2（Ｉ）及びSm＝f3（Ｉ）が対応する。
これらの曲線を夫々C1,C2,C3と指称し第９図に示す。
1（Ｉ）、Sa＝f2（Ｉ）及びSm＝f3（Ｉ）が対応する。
これらの曲線を夫々C1,C2,C3と指称し第９図に示す。
曲線Ｓ＝ｆ（Ｉ）は定数を除いた初期磁化曲線Ｍ＝ｆ
（Ｈ）〔Ｍは記録材料の内部磁化及びＨは書込み動作の
ときに印加される磁場〕を示す。即ち、ＨはＩに比例し
ＭはＳに比例する。
（Ｈ）〔Ｍは記録材料の内部磁化及びＨは書込み動作の
ときに印加される磁場〕を示す。即ち、ＨはＩに比例し
ＭはＳに比例する。
これらの曲線はマイクロプロセッサMICROPを内蔵するコ
ンピュータの端末スクリーンに直接ディスプレイされ
る。
ンピュータの端末スクリーンに直接ディスプレイされ
る。
同じ１回転中に同一電流Ｉに対して種々の値のＳが採取
され得ることは明らかである。これは１回転中の読取り
変調と呼ばれる。これによって１回転中の記録層の磁気
特性の均一度を検証し得る。
され得ることは明らかである。これは１回転中の読取り
変調と呼ばれる。これによって１回転中の記録層の磁気
特性の均一度を検証し得る。
また、最適であると判断された磁気特性を有する基準磁
気ドラムを考察し、該基準ドラムに関する３つの曲線
C1,C2,C3を考察してもよい。これらの曲線を以後CR1,C
R2,CR3と指称する。両端の曲線CR1及びCR3は本発明装置
によって磁気特性が測定されるすべてのドラムの曲線
C1,C2,C3を全て内部に包含するエンベロープを形成す
る。従ってこれらの種々の曲線を端末スクリーン上で直
接比較できる。
気ドラムを考察し、該基準ドラムに関する３つの曲線
C1,C2,C3を考察してもよい。これらの曲線を以後CR1,C
R2,CR3と指称する。両端の曲線CR1及びCR3は本発明装置
によって磁気特性が測定されるすべてのドラムの曲線
C1,C2,C3を全て内部に包含するエンベロープを形成す
る。従ってこれらの種々の曲線を端末スクリーン上で直
接比較できる。
本発明装置による磁気ドラムの特性化は前述のごとく、
ドラムの複数の製造段階の終了後にドラムのクロム処理
以前及び／または以後に行なうことが可能である。
ドラムの複数の製造段階の終了後にドラムのクロム処理
以前及び／または以後に行なうことが可能である。
次に第3a図及び第3b図を説明する。
第3a図に示すように、書込み電流発生手段MGCEは直列に
配置されたディジタルアナログコンバータCDAEと電流発
生器GCEとから成る。ディジタル‐アナログコンバータC
DAEは０または１に等しい論理８ビット集合から成る書
込み制御ディジタル信号CEを受取る。該論理８ビット集
合は方形信号SCの振幅及び周波数の双方を示す。ディジ
タルアナログコンバータCADEの出力でマイクロプロセッ
サMICROPによって送出されるこのビット値の集合に一連
の電圧パルスVCEが対応し、該電圧パルスは電流発生器G
CEによって一連の電流パルスに変換される。従って該電
流発生器は所望の振幅Ｉ及び周波数を有する第４図の方
形信号SCを送出する。該電流の周波数は書き込まれた情
報の長さｅが0.1mm以上になるように選択される。
配置されたディジタルアナログコンバータCDAEと電流発
生器GCEとから成る。ディジタル‐アナログコンバータC
DAEは０または１に等しい論理８ビット集合から成る書
込み制御ディジタル信号CEを受取る。該論理８ビット集
合は方形信号SCの振幅及び周波数の双方を示す。ディジ
タルアナログコンバータCADEの出力でマイクロプロセッ
サMICROPによって送出されるこのビット値の集合に一連
の電圧パルスVCEが対応し、該電圧パルスは電流発生器G
CEによって一連の電流パルスに変換される。従って該電
流発生器は所望の振幅Ｉ及び周波数を有する第４図の方
形信号SCを送出する。該電流の周波数は書き込まれた情
報の長さｅが0.1mm以上になるように選択される。
読取り手段MLは直列に配置された前置増幅器AMPと低域
フィルタFILTとデータ採取電圧計VADと読取りアナログ
ディジタルコンバータCADLとを含む。
フィルタFILTとデータ採取電圧計VADと読取りアナログ
ディジタルコンバータCADLとを含む。
読取り変換器TEMLのコイルBOBLからでた信号vAは前置増
幅器AMPの入力に送られ該増幅器によって増幅されて信
号VAになる。信号VAは容量スイッチング形フィルタ、例
えばNS（National Semiconductors）社のフィルタMF10
の入力に供給され、書込み電流の周波数と厳密に等しい
周波数の実質的に正弦波の読取り信号の形態で出力され
る。読取り電流の周波数に設定されたフィルタの機能は
信号VAからすべての高調波及びすべての寄生信号を除去
することである。このようにしてフィルタを通過した信
号VAはデータ採取電圧計VADの入力に与えられる。該電
圧計の必須機能構成要素を第3b図に示す。
幅器AMPの入力に送られ該増幅器によって増幅されて信
号VAになる。信号VAは容量スイッチング形フィルタ、例
えばNS（National Semiconductors）社のフィルタMF10
の入力に供給され、書込み電流の周波数と厳密に等しい
周波数の実質的に正弦波の読取り信号の形態で出力され
る。読取り電流の周波数に設定されたフィルタの機能は
信号VAからすべての高調波及びすべての寄生信号を除去
することである。このようにしてフィルタを通過した信
号VAはデータ採取電圧計VADの入力に与えられる。該電
圧計の必須機能構成要素を第3b図に示す。
該データ採取電圧計VADはアナログピーク電圧計であ
る。
る。
該電圧計は、正入力EPと負入力ENとを有する比較器COMP
と、ダイオードDIと、端子が抵抗Ｒ及びスイッチINT例
えばトランジスタスイッチに接続されたコンデンサCAP
とを含む。
と、ダイオードDIと、端子が抵抗Ｒ及びスイッチINT例
えばトランジスタスイッチに接続されたコンデンサCAP
とを含む。
（アースに接続されない側の）コンデンサCAP、抵抗Ｒ
及びスイッチINTに共通の端子はまた、比較器COMPの負
入力EN及びダイオードDIのカソードに接続されている。
他方の共通端子はアースされている。電圧VAは比較器CO
MPの正入力EPに印加される。該比較器の出力はダイオー
ドDIのアノードに接続されている。
及びスイッチINTに共通の端子はまた、比較器COMPの負
入力EN及びダイオードDIのカソードに接続されている。
他方の共通端子はアースされている。電圧VAは比較器CO
MPの正入力EPに印加される。該比較器の出力はダイオー
ドDIのアノードに接続されている。
次に第６図に基づいてピーク電圧計VADの動作を説明す
る。
る。
コンデンサCAPの端子電圧VCは後述するように第６図の
ごとく変化する。
ごとく変化する。
インデックスパルスINがマイクロプロセッサMICROPに与
えられると、該マイクロプロセッサは閉鎖中のスイッチ
INTに放電信号IDnを送出する。コンデンサCAPは急激に
放電する（放電持続時間は信号VAの1/4周期より短いパ
ルスIDnの持続時間とほぼ同じ）。第６図では図及び説
明を判り易くするために、放電が信号VAの負の交番中に
行なわれると想定した。従って放電が終了したときの電
圧VCは０である。
えられると、該マイクロプロセッサは閉鎖中のスイッチ
INTに放電信号IDnを送出する。コンデンサCAPは急激に
放電する（放電持続時間は信号VAの1/4周期より短いパ
ルスIDnの持続時間とほぼ同じ）。第６図では図及び説
明を判り易くするために、放電が信号VAの負の交番中に
行なわれると想定した。従って放電が終了したときの電
圧VCは０である。
パルスIDnが一旦０になると、スイッチINTが開く。ここ
で信号VAの最初の正の交番が出現すると（VA＞VCなの
で）ダイオードDIが導通し、コンデンサは端子電圧VCが
該交番のピーク電圧V1に等しくなるまで充電される。次
に、VAがVCより小さい値になると、ダイオードDIがよは
や導通せずコンデンサCAPは抵抗Ｒを介して極めてゆっ
くりと放電する。放電周期TDは抵抗ＲとコンデンサCAP
の容量との積に等しい値であり、周期Ｔの約100倍であ
る。電圧VAが電圧VCを再度上回る値になるとダイオード
DIが導通しコンデンサCAPが再度充電される。この充電
は第６図に示すように端子電圧VCが例えば第２の正の交
番のピーク電圧V2に等しくなるまで続く。VAがV2を下回
る値になると、（ダイオードDIがよはや導通しないの
で）コンデンサCAPは抵抗Ｒを介して再度放電され、VA
がVCを上回る値に戻るまで放電が続く。これはVCが第６
図のピーク電圧V7に等しい値になる第６図の７番目の交
番の場合である。
で信号VAの最初の正の交番が出現すると（VA＞VCなの
で）ダイオードDIが導通し、コンデンサは端子電圧VCが
該交番のピーク電圧V1に等しくなるまで充電される。次
に、VAがVCより小さい値になると、ダイオードDIがよは
や導通せずコンデンサCAPは抵抗Ｒを介して極めてゆっ
くりと放電する。放電周期TDは抵抗ＲとコンデンサCAP
の容量との積に等しい値であり、周期Ｔの約100倍であ
る。電圧VAが電圧VCを再度上回る値になるとダイオード
DIが導通しコンデンサCAPが再度充電される。この充電
は第６図に示すように端子電圧VCが例えば第２の正の交
番のピーク電圧V2に等しくなるまで続く。VAがV2を下回
る値になると、（ダイオードDIがよはや導通しないの
で）コンデンサCAPは抵抗Ｒを介して再度放電され、VA
がVCを上回る値に戻るまで放電が続く。これはVCが第６
図のピーク電圧V7に等しい値になる第６図の７番目の交
番の場合である。
時点tnでサンプリングパルスSAnがコンバータCADLに送
出され、該コンバータはアナログ値VC（実際には第６図
のV7に等しい）を採取し、この値を例えばD0〜D9の10ビ
ットを有するディジタル信号に変換する。該信号がメモ
リMEMOに与えられる信号Ｓを構成する。
出され、該コンバータはアナログ値VC（実際には第６図
のV7に等しい）を採取し、この値を例えばD0〜D9の10ビ
ットを有するディジタル信号に変換する。該信号がメモ
リMEMOに与えられる信号Ｓを構成する。
放電パルスID(n+1)がスイッチINTに印加されると、コン
デンサCAPが該スイッチを介して放電し、該コンデンサ
の端子電圧VCが０になる。次にパルスIDnの出現時点と
パルスSAnの出現時点との間の時間間隔中に前記同様の
サイクルが反復される。
デンサCAPが該スイッチを介して放電し、該コンデンサ
の端子電圧VCが０になる。次にパルスIDnの出現時点と
パルスSAnの出現時点との間の時間間隔中に前記同様の
サイクルが反復される。
次に第７図及び第８図に示す本発明のダイナミック磁力
計の好ましい具体例について説明する。この具体例にお
いて、書込み変換器TEC及びその外枠SURM（第２図参
照）と消去・読取り変換器TEFLとは同じ変換器担持アー
ムEQMに装着されている。該アームはドラムTAMBの母線
に平行な方向で可動である。アームEQMは第７図の矢印F
1またはF2の方向に可動である。該アームは例えば外枠S
URM形成材料と同じ材料から製造される。アームEQMは、
２つの円柱状ロッドTIG1及びTIG2が挿通された２つの開
口TR1及びTR3を備える。該ロッドの軸はドラムの母線に
平行である。１つのトラックＰから隣接トラックに移動
すべく可動アセンブリは前記ロッドに沿って摺動する。
アームEQMはまた、ねじ溝付き開口TR2を備え、例えばス
テップモータ型のモータＭの駆動シャフトと連動する無
端ねじVISが該開口に挿通されている。ステップモータ
のステップはドラムのトラックＰの幅Ｌに等しい。従っ
て、モータＭ及びねじ溝付き開口TR2に螺合されたねじV
ISによってヘッド担持アームEQMがドラムTAMBに沿って
該ドラムの母線に平行な方向で移動し得る。従ってドラ
ムTAMBの各トラックＰを磁気特性化し得る。
計の好ましい具体例について説明する。この具体例にお
いて、書込み変換器TEC及びその外枠SURM（第２図参
照）と消去・読取り変換器TEFLとは同じ変換器担持アー
ムEQMに装着されている。該アームはドラムTAMBの母線
に平行な方向で可動である。アームEQMは第７図の矢印F
1またはF2の方向に可動である。該アームは例えば外枠S
URM形成材料と同じ材料から製造される。アームEQMは、
２つの円柱状ロッドTIG1及びTIG2が挿通された２つの開
口TR1及びTR3を備える。該ロッドの軸はドラムの母線に
平行である。１つのトラックＰから隣接トラックに移動
すべく可動アセンブリは前記ロッドに沿って摺動する。
アームEQMはまた、ねじ溝付き開口TR2を備え、例えばス
テップモータ型のモータＭの駆動シャフトと連動する無
端ねじVISが該開口に挿通されている。ステップモータ
のステップはドラムのトラックＰの幅Ｌに等しい。従っ
て、モータＭ及びねじ溝付き開口TR2に螺合されたねじV
ISによってヘッド担持アームEQMがドラムTAMBに沿って
該ドラムの母線に平行な方向で移動し得る。従ってドラ
ムTAMBの各トラックＰを磁気特性化し得る。
第１図は、ダイナミック磁力計なる通称で呼ばれる本発
明方法実施装置の種々の必須構成素子の概略図、第２図
は、本発明装置の書込み変換器の構造を示す斜視図、第
3a図及び第3b図は、特に書込み変換器に給電する書込み
電流発生手段及び信号Ｓを送出する読取り手段の構成を
示す詳細図、第４図は書込み電流発生手段によって送出
される書込み電流の時間図、第５図は正負に順次磁化さ
れた複数の磁区が書き込まれるドラムの記録トラックの
説明図、第６図は第１図及び第３図に示す本発明方法実
施装置の動作を説明するための信号の時間図、第７図及
び第８図は夫々、磁気プリンタ用磁気ドラムの記録表面
全体を磁気特性化し得る本発明装置の好適具体例の平面
図及び断面図、第９図は得られた種々の特性曲線であ
る。 TAMB……磁気ドラム、MIND……インデックス検出手段、
TEFL……消去・読取り変換器、TEC……書込み変換器、G
EF……消去電流発生器、MGCE……書込み電流発生手段、
ML……読取り手段、MEMO……メモリ手段、MICROP……マ
イクロプロセッサ、CDAE……ディジタルアナログコンバ
ータ、CADL……アナログディジタルコンバータ。
明方法実施装置の種々の必須構成素子の概略図、第２図
は、本発明装置の書込み変換器の構造を示す斜視図、第
3a図及び第3b図は、特に書込み変換器に給電する書込み
電流発生手段及び信号Ｓを送出する読取り手段の構成を
示す詳細図、第４図は書込み電流発生手段によって送出
される書込み電流の時間図、第５図は正負に順次磁化さ
れた複数の磁区が書き込まれるドラムの記録トラックの
説明図、第６図は第１図及び第３図に示す本発明方法実
施装置の動作を説明するための信号の時間図、第７図及
び第８図は夫々、磁気プリンタ用磁気ドラムの記録表面
全体を磁気特性化し得る本発明装置の好適具体例の平面
図及び断面図、第９図は得られた種々の特性曲線であ
る。 TAMB……磁気ドラム、MIND……インデックス検出手段、
TEFL……消去・読取り変換器、TEC……書込み変換器、G
EF……消去電流発生器、MGCE……書込み電流発生手段、
ML……読取り手段、MEMO……メモリ手段、MICROP……マ
イクロプロセッサ、CDAE……ディジタルアナログコンバ
ータ、CADL……アナログディジタルコンバータ。
Claims (10)
- 【請求項１】インデックスが検出手段の前方を通過する
毎に同期パルス（IN-2,IN-1,IN,...）を送出する検出手
段によって各々検出される同期インデックス（IND）を
有する複数の閉鎖記録トラックＰを含む可動磁気情報媒
体の記録層の初期磁化の磁気特性を設定する方法であっ
て、各トラック毎に一連のｐ個の異なるシーケンスSE
Q1,SEQ2,...,SEQj+1,SEQpが実行され、各シーケンスSEQ
jが以下の諸動作、即ち、 第１の同期パルス（IN-2）を受取るとトラックの表面全
体にわたり層を磁気消去してその磁気状態をニュートラ
ルにし、 第２の同期パルス（IN-1）を受取ると所定の振幅Ij及び
周波数を有する周期的書込み電流SCによって発生した磁
場Ｈによって前記表面全体に一連の磁区（Ai,Ai+1,A
i+2）を書込み、該一連の振幅I1,I2,Ij...Ipは漸増する
値であって、I1の値が最も０に近く、Ipの値は磁性層の
飽和値に対応するIjの値であり、 第３の同期パルス（IN）を受取ると書込み電流の周期Ｔ
より長い所定のサンプリング周期TEを有する所定のサン
プリング時点（tn,tn+1,...）で電圧Ｓを読取り、該電
圧Ｓは前記時点で読取られる各磁区の内部の磁化Ｍの関
数であり、前記読取りによってIjの１つの値に対して複
数のＳの値が採取され、 Ｓの値の集合とIjの値とを記憶し、少なくとも前記集合
からＳの平均値Sajを抽出する動作を含み、 シーケンスSEQpの終了後に平均値Sa1,...,Saj,Sapの集
合を含む初期磁化の平均曲線が値I1,Ij,...,Ipの関数と
して適当なディスプレイ装置に表示されることを特徴と
する可動磁気情報媒体の記録層の初期磁化の磁気特性の
設定方法。 - 【請求項２】Ij+1＝Ij＋ΔＩであり、ΔＩはIp及びｐの
値に依存することを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】Ijの各値に対応するＳの値の集合から最大
値SMj及び最小値Smjを抽出し、最大値SM1,SM2,...,S
Mj,...,SMpの集合を含む初期磁化の最大値曲線と最小値
Sm1,...,Smj,...,Smpの集合を含む初期磁化の最小値曲
線とを作成し、これらの２つの曲線を値I1,Ij,...,Ipの
関数として適当なディスプレイ装置に表示することを特
徴とする請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】ディスプレイ装置を用い、前記最大値、平
均値及び最小値の曲線を基準磁気媒体の最大値、平均値
及び最小値の基準曲線CR1,CR2,CR3に夫々比較すること
を特徴とする請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】同期インデックス（IND）を検出する毎に
シーケンスSEQjの構成動作の各々の同期パルス（IN-2,I
N-1,IN）を送出する同期インデックス（IND）の検出手
段と、 消去電流発生器に接続された磁性層消去変換器と、 前記書込み電流SCの発生手段に接続されトラックＰに情
報を書込む書込み変換器と、 前記トラックに書込まれた情報を読取って読取り手段に
アナログ信号を送出する読取り変換器と、 前記サンプリング時点で電圧Ｓを送出する読取り手段
と、 前記電流発生手段及び読取り手段に接続されIjの各値毎
に対応するＳの値を記憶するメモリ手段と、 Ijの各値毎に平均値Saj、最大値SMj及び最小値Smjを計
算する計算手段と、 初期磁化の最大値曲線、平均値曲線及び最小値曲線を表
示するディスプレイ手段とを含むことを特徴とする請求
項１に記載の方法の実施装置。 - 【請求項６】消去変換器と読取り変換器とが同じ１つの
変換器を形成していることを特徴とする請求項５に記載
の装置。 - 【請求項７】同期パルス（IN-2,IN-1,IN）を受取るよう
に構成され連続する３つのパルス（IN-2,IN-1,IN）を受
取ると消去、書込み及び読取りの動作を順次命令するプ
ログラム可能な制御手段を含むことを特徴とする請求項
５または６に記載の装置。 - 【請求項８】プログラム可能な制御手段が、メモリ手段
と、最大値、平均値及び最小値の計算プログラムとを含
むことを特徴とする請求項７に記載の装置。 - 【請求項９】書込み電流発生手段が、直列に配置された
ディジタルアナログコンバータと電流発生器とを含み、
前記コンバータが書込み指令ディジタル信号（CE）を受
取って電圧パルス（VCE）を電流発生器に送出し、前記
電流発生器が前記電圧パルスを信号SCを形成する一連の
電流パルスに変換して情報書込み変換器に送出すること
を特徴とする請求項５に記載の装置。 - 【請求項１０】書込み手段が、直列に配置された前置増
幅器と低域フィルタとデータ採取電圧計とアナログディ
ジタルコンバータとを含み、前記前置増幅器が読取り変
換器から送出された読取り信号（VA）を受取り、前記フ
ィルタは書込み電流の周波数（fE）に設定されており、
データ採取電圧計は周期的読取り信号（VA）のピークの
平均値を決定し制御手段の制御下に前記平均値を所定の
サンプリング時点（tn,tn+1）毎にアナログディジタル
コンバータに送出し、該アナログディジタルコンバータ
が信号Ｓをメモリ手段に送出することを特徴とする請求
項５に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8808773A FR2633724B1 (fr) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | Procede pour caracteriser magnetiquement la couche d'enregistrement d'un support magnetique d'informations et dispositif de mise en oeuvre de ce procede |
| FR8808773 | 1988-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264479A JPH0264479A (ja) | 1990-03-05 |
| JPH06103423B2 true JPH06103423B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=9367876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166472A Expired - Fee Related JPH06103423B2 (ja) | 1988-06-29 | 1989-06-28 | 可動磁気情報媒体の記録層の初期磁化の磁気特性の設定方法及び該方法の実施装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4978916A (ja) |
| EP (1) | EP0349360B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103423B2 (ja) |
| DE (1) | DE68906468T2 (ja) |
| FR (1) | FR2633724B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299376B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2002-06-20 | 박종섭 | 다중 도메인을 갖는 수직 배향 모드의 액정 표시 장치 |
| JP3744781B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2006-02-15 | 株式会社アイメス | 磁気ヘッドまたは磁気ディスクの試験装置および試験方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3686682A (en) * | 1970-08-17 | 1972-08-22 | Burroughs Corp | Method and apparatus for testing magnetic disc files |
| US3781835A (en) * | 1973-02-16 | 1973-12-25 | Memorex Corp | Method of certifying magnetic recording disc |
| SU664134A1 (ru) * | 1977-01-25 | 1979-05-25 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Электротехнический Институт Связи | Устройство дл определени петель гистерезиса движущегос магнитного носител |
| JPS5888675A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク媒体のテスト方法 |
| FR2522857B1 (fr) * | 1982-03-03 | 1988-01-22 | Cii Honeywell Bull | Dispositif d'ecriture et/ou de lecture d'informations sur un support magnetique, a frottements reduits contre ce support |
| JPS60123783A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の品質検査装置 |
-
1988
- 1988-06-29 FR FR8808773A patent/FR2633724B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-06-07 EP EP19890401579 patent/EP0349360B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-07 DE DE89401579T patent/DE68906468T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-26 US US07/371,532 patent/US4978916A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-28 JP JP1166472A patent/JPH06103423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2633724A1 (fr) | 1990-01-05 |
| US4978916A (en) | 1990-12-18 |
| FR2633724B1 (fr) | 1990-08-10 |
| EP0349360A1 (fr) | 1990-01-03 |
| JPH0264479A (ja) | 1990-03-05 |
| EP0349360B1 (fr) | 1993-05-12 |
| DE68906468D1 (de) | 1993-06-17 |
| DE68906468T2 (de) | 1993-10-21 |
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